JPH03241816A - ウェーハアライメント方法 - Google Patents
ウェーハアライメント方法Info
- Publication number
- JPH03241816A JPH03241816A JP2040461A JP4046190A JPH03241816A JP H03241816 A JPH03241816 A JP H03241816A JP 2040461 A JP2040461 A JP 2040461A JP 4046190 A JP4046190 A JP 4046190A JP H03241816 A JPH03241816 A JP H03241816A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alignment mark
- scanning
- alignment
- wafer
- mark
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 6
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N (r)-(6-ethoxyquinolin-4-yl)-[(2s,4s,5r)-5-ethyl-1-azabicyclo[2.2.2]octan-2-yl]methanol;hydrochloride Chemical compound Cl.C([C@H]([C@H](C1)CC)C2)CN1[C@@H]2[C@H](O)C1=CC=NC2=CC=C(OCC)C=C21 QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
り又上皇秋且立立
本発明は半導体製造分野の露光技術に関し、特に露光時
の半導体ウェーハとレチクル（又はマスク）のアライメ
ント技術に好適するものである。
の半導体ウェーハとレチクル（又はマスク）のアライメ
ント技術に好適するものである。
従来空皮直
従来、ウェーハ露光時のウェーハとレチクル（又はマス
ク）のアライメントは、アライメントマークを走査ヘッ
ドで一方向に決められた幅だけスキャン（走査）シ、ア
ライメントマークからの散乱光を検出する方式がとられ
ている。第３図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は従来のアライ
メントマーク検出方式を示す。図においてレーザービー
ム１がアライメントマーク２をスキャン幅だけスキャン
方向にスキャンし、第３図（ｂ）に示すようにアライメ
ントマーク２からの散乱光５を光電変換して得られた第
３図（Ｃ）に示すアライメントマーク検出波形７の波高
値８がスライスレベル６よりも大きい時そのマークをア
ライメントマークとして検出することができる。
ク）のアライメントは、アライメントマークを走査ヘッ
ドで一方向に決められた幅だけスキャン（走査）シ、ア
ライメントマークからの散乱光を検出する方式がとられ
ている。第３図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は従来のアライ
メントマーク検出方式を示す。図においてレーザービー
ム１がアライメントマーク２をスキャン幅だけスキャン
方向にスキャンし、第３図（ｂ）に示すようにアライメ
ントマーク２からの散乱光５を光電変換して得られた第
３図（Ｃ）に示すアライメントマーク検出波形７の波高
値８がスライスレベル６よりも大きい時そのマークをア
ライメントマークとして検出することができる。
ところで、上記の従来ウェーハアライメント方法では、
アライメントマークスキャン幅内にアライメントマーク
以外の製品パターンが存在する場合かつその製品パター
ン検出波形の波高値がスライスレベルより大きい時、ど
ちらがアライメントマークであるのか判別できず、オー
トアライメント実行不可というエラーが発生したり、製
品パターンの方をアライメントマークと誤認してしまう
という問題があった。
アライメントマークスキャン幅内にアライメントマーク
以外の製品パターンが存在する場合かつその製品パター
ン検出波形の波高値がスライスレベルより大きい時、ど
ちらがアライメントマークであるのか判別できず、オー
トアライメント実行不可というエラーが発生したり、製
品パターンの方をアライメントマークと誤認してしまう
という問題があった。
、の
この発明は上記の課題を解決するために従来−方向（ア
ライメントマークに対し垂直方向）であったスキャン方
向を二方向（例えばアライメントマークに対し垂直方向
と水平方向）にすること、さらに、アライメントマーク
を製品パターンと識別できる形状にすることを特徴とす
るものである。
ライメントマークに対し垂直方向）であったスキャン方
向を二方向（例えばアライメントマークに対し垂直方向
と水平方向）にすること、さらに、アライメントマーク
を製品パターンと識別できる形状にすることを特徴とす
るものである。
伍且
上記の方式において、まずアライメントマークに対し垂
直方向にスキャンし、その時スライスレベル以上の波高
値が得られた位置を認識する。次にその認識された位置
にあるマークに対し、水平方向に走査ヘッドをスキャン
させる。この時アライメントマークからは明らかに製品
と異なる波形が得られるため、アライメントエラー及び
誤認を防止することができる。
直方向にスキャンし、その時スライスレベル以上の波高
値が得られた位置を認識する。次にその認識された位置
にあるマークに対し、水平方向に走査ヘッドをスキャン
させる。この時アライメントマークからは明らかに製品
と異なる波形が得られるため、アライメントエラー及び
誤認を防止することができる。
支血斑
以下、この発明の実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図はこの発明の二方向スキャン方式を採用したアラ
イメント光学系を示す。第２図は水平方向スキャン時の
製品パターン波形（ａ）及びアライメントマーク波形（
ｂ）の−例を示す。
イメント光学系を示す。第２図は水平方向スキャン時の
製品パターン波形（ａ）及びアライメントマーク波形（
ｂ）の−例を示す。
第１図において、レーザーチューブ１１から出たレーザ
ービーム１が、光路切替ミラー１２によりミラー１３〜
１５を介して垂直スキャンミラー１６又は水平スキャン
ミラーＩ７へ送られ、アライメントマーク２を垂直方向
又は水平方向にスキャンし、その時のマークからの散乱
光５を光電変換センサー１８で検出し、その波形からア
ライメントマークを判別する。
ービーム１が、光路切替ミラー１２によりミラー１３〜
１５を介して垂直スキャンミラー１６又は水平スキャン
ミラーＩ７へ送られ、アライメントマーク２を垂直方向
又は水平方向にスキャンし、その時のマークからの散乱
光５を光電変換センサー１８で検出し、その波形からア
ライメントマークを判別する。
上記の方式によれば垂直スキャンでアライメントマーク
２と同レベルの検出波形を出す製品パター７９が存在し
ても水平スキャン時ウェーハステージ１９を制御し、そ
れら２つの検出波形の位置（アライメントマーク又は製
品パターンの位置）をスキャンすることにより、第２図
に示すａ）、ｂ）のような全く異なる波形が検出され、
アライメントマークと他の製品パターンの認別ができ、
アライメントエラー及びアライメントマーク誤認識を防
止することができる。
２と同レベルの検出波形を出す製品パター７９が存在し
ても水平スキャン時ウェーハステージ１９を制御し、そ
れら２つの検出波形の位置（アライメントマーク又は製
品パターンの位置）をスキャンすることにより、第２図
に示すａ）、ｂ）のような全く異なる波形が検出され、
アライメントマークと他の製品パターンの認別ができ、
アライメントエラー及びアライメントマーク誤認識を防
止することができる。
なお、上記実施例では、垂直スキャンと水平スキャンを
同一光源で実施した場合を説明したが、それぞれ独立し
た光源を使用してもよい。
同一光源で実施した場合を説明したが、それぞれ独立し
た光源を使用してもよい。
又、上記実施例ではアライメントマークを斜方格子とし
て説明したが、製品パターン等と認別できるものであれ
ば、いかなるマークを用いてもよい。
て説明したが、製品パターン等と認別できるものであれ
ば、いかなるマークを用いてもよい。
さらに、走査ヘッドについてはレーザー光ヲ用いて説明
したが、スリットスキャンによるコントラスト信号を用
いても可能である。
したが、スリットスキャンによるコントラスト信号を用
いても可能である。
免粧空羞監
この発明は以上のようにウェーハアライメント方法にお
ける走査ヘッドスキャン方向を一方向から二方向にする
ことにより、オートアライメント不可能というアライメ
ントエラー及びアライメントマーク誤認識を防止するこ
とができる。
ける走査ヘッドスキャン方向を一方向から二方向にする
ことにより、オートアライメント不可能というアライメ
ントエラー及びアライメントマーク誤認識を防止するこ
とができる。
第１図はこの発明の実施例の二方向スキャン方式を採用
したアライメント光学系である。 第２図は水平スキャンにより検出されるアライメントマ
ーク及び製品パターン波形の一例である。 第３図は従来のアライメントマーク検出方式を示す。 第４図は製品パターンがスキャン幅内にある場合の検出
波形の一例である。 １・・・・・・レーザービーム、 ２・・・・・・アライメントマーク、 ３・・・・・・スキャン幅、 ４・・・・・・スキャン方向、 ５・・・・・・散乱光、 ６・・・…スライスレベル、 ７・・・・・・アライメントマーク検出波形、８・・・
・・・波高値、 ９・・・・・・製品パターン、 ＩＯ・・・・・・製品パターン検出波形、１１・・・・
・・レーザーチューブ、 １２・・・・・・光路切替ミラー、 ３〜１５・・・・・・ミラー ６・・・・・・垂直スキャンミラー ７・・・・・・水平スキャンミラー ８・・・・・・光電変換センサー ９・・・・・・ウェーハステージ、 ２０・・・・・・ウェーハ。
したアライメント光学系である。 第２図は水平スキャンにより検出されるアライメントマ
ーク及び製品パターン波形の一例である。 第３図は従来のアライメントマーク検出方式を示す。 第４図は製品パターンがスキャン幅内にある場合の検出
波形の一例である。 １・・・・・・レーザービーム、 ２・・・・・・アライメントマーク、 ３・・・・・・スキャン幅、 ４・・・・・・スキャン方向、 ５・・・・・・散乱光、 ６・・・…スライスレベル、 ７・・・・・・アライメントマーク検出波形、８・・・
・・・波高値、 ９・・・・・・製品パターン、 ＩＯ・・・・・・製品パターン検出波形、１１・・・・
・・レーザーチューブ、 １２・・・・・・光路切替ミラー、 ３〜１５・・・・・・ミラー ６・・・・・・垂直スキャンミラー ７・・・・・・水平スキャンミラー ８・・・・・・光電変換センサー ９・・・・・・ウェーハステージ、 ２０・・・・・・ウェーハ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ウェーハ面上に設けられたウェーハアライメントマー
クを走査ヘッドでスキャンするとともに、その時のアラ
イメントマークからの散乱光を検出することにより、ウ
ェーハとレチクル又はマスクのアライメントを実施する
ウェーハアライメント方法において、 前記走査ヘッドのスキャン方向を交叉する二方向にした
ことを特徴とするウェーハアライメント方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2040461A JPH03241816A (ja) | 1990-02-20 | 1990-02-20 | ウェーハアライメント方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2040461A JPH03241816A (ja) | 1990-02-20 | 1990-02-20 | ウェーハアライメント方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03241816A true JPH03241816A (ja) | 1991-10-29 |
Family
ID=12581283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2040461A Pending JPH03241816A (ja) | 1990-02-20 | 1990-02-20 | ウェーハアライメント方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03241816A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009231837A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置におけるウエーハの粗い位置合わせ方法 |
-
1990
- 1990-02-20 JP JP2040461A patent/JPH03241816A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009231837A (ja) * | 2008-03-21 | 2009-10-08 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置におけるウエーハの粗い位置合わせ方法 |
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