JPH02284129A - 走査形情報検出装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は１例えば半導体製造装置用の７ライメント光学
系等において、特に、その小形化、高精度化に好敵な、
導波路形光集積回路を用いた走査形の情報検出装置に関
する。

〔従来の技術〕

コンパクト・ディスクのピックアップや半導体露光装置
のアライメント光学系等、従来の光学システムは、レン
ズやプリズム、ミラー等の個別部品により構成されてい
た。このため、光学システムの小形・軽量化を図ること
が困難なばかりか、組立時の調整も複雑で１価格的にも
問題があった。

この問題を解決する手段の一つとして導波路形光集積回
路技術が提案されている。第２５図は、電子通信学会技
術研究報告０ＱＥ８５−７２（１９８５年）第３９頁か
ら第４６頁に示された導波路形光集積回路で、コンパク
ト・ディスクや光メモリ等の光デイスク用のピックアッ
プへ適用した例である。ここで半導体レーザ１．を出射
した光は基板２上に形成された誘電体薄膜の導波路Ｍ３
に導かれる。導波路層３上には１回折格子により構成さ
れたビーム・スプリンタ４と集光グレーティング・カッ
プラ５が設けられており、レーザ光６は集光ビームとな
り、光デイスク７上にスポット８を結ぶ、光デイスク７
上の信号ビット９で変調をうけたレーザ光６は、再び、
集光グレーティング・カップラ５とビーム・スプリッタ
４を経て、２分割された後、光検出器１０に到達する。

そして、４つの素子から成る光検出器１０からの電気信
号により、トラッキングとフォーカシングの誤差量や信
号ビット９の情報を取り込んでいる。

第２５図の導波路形光集積回路では、レンズ。

ビーム・スプリッタ等の受動形の光学素子が作り込まれ
ているが、さらに、能動形の光学素子である５ＡＷ（表
面弾性波：　５ｕｒｆａｃｅ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　１ｌ
ａｖａ）を用いた光偏向機能を付加することも可能であ
る。

例えば、応用物理学会　光学懇話会編　光集積回路（１
９８８年）第１７９頁から第１９４頁に記載されている
第２６図の構成がある＠　Ｌ　ｘ　Ｎ　ｂ　Ｏｓにオブ
酸リチウム）の基板２にＴｉを拡散させる等することに
より導波路層３を形成しておく。

ここにＡＱ等の材料でＳＡＷ電極１１を作り、高周波信
号１２を印加すると、５ＡＷ１３が励起される。この時
生じる周期的屈折率変化を有する回折格子によっていわ
ゆる音響ブラッグ（Ｂｒａｇｇ）回折が起こり、入射光
１４は、０次光１５と１次回折光１６に分けられる。高
周波信号１２の周波数を変化させることによって、Ｏ次
光１５と１次回折光１６の成す角度が変化し、これが、
光偏向機能となる。

光ディスクへの応用例としては、応用物理学会編　マイ
クロオプテイクス・ニュース第６巻第３号（１９８８年
）第１３頁から第１６頁に記載されているような、ＳＡ
Ｗ光偏向素子によるトラッキング・アクセス時間の短縮
がある。

さて、これら導波路形の光集積回路の製造は。

半導体の製造方法とほぼ同じであり、光露光・現像工程
、エッチング工程、拡散工程等から成り立っている。従
って半導体と同様、高精度の素子を。

組立調整無しに作り込むことが可能であり、しかも、小
形、軽量かつ安定な光学系を実現することができる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

さて、上記、導波路形光集積回路は、その小形。

軽量、高安定という特徴を活かすと、従来の光デイスク
用ピックアップ以外にも幅広い応用分野が考えられる。

例えば、半導体製造工程等では、各種位置決め（アライ
メント）装置やＦＡ用のバーコード読み取り装置や各種
モニタリング装置等、様々な光学系が必要である。これ
らは、従来、個別部品によって構成されていた。従って
、光学系自体が大きくなり、装置への実装が困難になっ
たり、あるいは、付加できる機能が制限され、又、精度
が低下するといった問題があった。さらに、高精度の組
立調整を必要としていたために、価格も高くなり、特に
多くの装置に取り付ける必要のあるＦＡ用のモニタリン
グ装置としては適さない場合も多かった。

ＳＡＷ光偏向素子を有する導波路形の光集積回路は、原
理的にこのような個別部品による光学系に置き換えるこ
とが可能であり、その効果も絶大である。

しかしながら、第２３図及び第２４図で示したような、
導波路形光集積回路は、コンパクト・ディスクや光ディ
スク・メモリ等、いわゆる光ディスクのピックアップ用
であったため、検出精度の面で十分でなかったという課
題を有していた。

本発明の目的は、ＳＡＷ光偏向素子の駆動周波数と、偏
向角又は偏向角を回折効率との関係を検出して検出精度
の向上をはかった小形の走査形情報検出装置を提供する
ことにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的は、光導波路層を形成した基板と、レーザ発振
器と、上記光導波路層にレーザ光を導く光導入手段と、
上記光導波路層上に形成されたＳＡＷ光偏向素子と、上
記光導波路層から光を取り出して試料上に照射する光照
射手段と、上記ＳＡＷ光偏向素子に印加する高周波電圧
の周波数を制御して上記光照射手段によって照射された
光を試料上で走査させる制御手段と、該制御手段によっ
て制御されるＳＡＷの制御信号に対する上記試料上に集
光走査される光の位置又は光量を検出する第１の検出手
段とを備えた走査形情報検出装置により達成される。

即ち、本発明は、導波路形光集積回路からの出射光をモ
ニタする系と、光偏向角度の絶対値制御系又は絶対値を
モニタできる系を付加することにある。

〔作　用〕

ところで本発明においては、試料上の情報を検出しよう
とした場合、第１４図に示すような１例えばＳＡＷ光偏
向素子の偏向角による回折効率の違いは無視することが
できないと共にＳＡＷ光偏向素子による偏向角度の絶対
値が重要となる。即ちＳＡＷ光偏向素子の偏向角度によ
る１次回折光の回折効率の変化や、入出射角度によるグ
レーティング・カップラの効率の変化を含む光集積回路
２３からの最終的な出射光量の変化については。

第３図のように求められている。ここで光集積回路２３
上にレーザ光を導き、５ＡＷ１３を発生すると、レーザ
光は回折し、θだけ曲げられる。５ＡＷ１３の発生は、
Ｖｃｏ回路２４にＶｉｎなる入力電圧を加えたときにと
のＶｉｎの大きさに比例して周波数ｆの変化する高周波
信号１２を発生させ、これをＳＡＷ電極１１に印加する
ことにより行なわれる。そして出射光量センサ１７の信
号Ｅｏとセンサ４５より得られるデータ信号Ｅｄ（θ）
を検出光量補正回路１８により次（１）式のように補正
することによって、安定な出力信号Ｅｄ（θ）Ｅｃ（θ
）＝ＡＸＥｄ（θ）／Ｅｏ（θ）　　　・・−−−・−
・−（１）ここでＡは定数、θはＳＡＷ偏向角度である
。

検出光量の補正は、実時間で行う方法もあるが、システ
ムが経時的に安定であるならば、Ｅｏ（θ）に相当する
データを予め求めて記憶しておき、以後はＥｄ（θ）を
与えるのみで、Ｅｃ（θ）を求めることも可能である。

一方、偏向角度の絶対値制御に関しては、第４図に示す
ように、偏向角度モニタ１９により実現された偏向角度
θｏｂｔａｉｎｅｄをアンプ２７を介してＶ　ｏｂｔａ
ｉｎｅｄを求め、これと目標とする偏向角度制御電圧Ｖ
ｉｎを、偏向角度補正回路２０に入れ、ＳＡＷ制御の信
号Ｖ　ｏｕｔを作ることで可能となる。

例えば直前の状態Ｖ　’ｏｕｔに対して、Ｖｏｕｔ＝　
Ｖ　’ｏｕｔ＋　Ｖｉｎ　−Ｖｏｂｔａｉｎｅｄ−−・
−・・−・・（２）なる補正を行えば良いわけである。

この閉ループ系については、その設置場所に以下の方式
がある。

（１）導波路形光集積回路の出射光をホジションセンサ
等の偏向角度モニタで検出し、ＳＡＷの駆動周波数にフ
ィードバックする方式（第４図に示す方式）。

（２）通常のＳＡＷ光偏向素子の外部制御信号は電圧信
号で与えられ、これをＶｃｏ回路２４により電圧Ｖｏｕ
ｔ−周波数ｆｏｂｔａｉｎａｄに変換してＳＡＷ駆動に
用いることから、Ｖｃｏ回路２４からの駆動周波数ｆｏ
ｂｔａｉｎｅｄを周波数モニタ２６でモニタすることで
、Ｖｃｏ回路２４に加える制御信号にＶｏｕｔフィード
バックする方式、（第５図に示す方式）。

これらの使いわけは、システムの要求精度によって異な
る。

ＳＡＷ光偏向素子を等速走査用の機能として使う場合に
は、絶対原点を知るためのモニタが必要である。第６図
は、その概要を示したものである。

なお、第７図は第６図で得られる信号波形を示す。

スタート信号Ｓを入力し、ＳＡＷ制御系２２の駆動をス
タートさせると、同期信号ｔとＳＡＷ制御信号Ｖｉｎ（
ｔ）が発生する。光集積回路２３には、絶対原点センサ
２１が設けられており、原点号と同期信号ｔを用いて、
データ検出信号Ｅｄの解析を行えば良い。

〔実施例〕

以下１本発明の実施例を図を用いて説明する。

第１の実施例は、半導体露光装置等に用いるウェハ・ア
ライメント光学系に本発明を使った導波路形光集積回路
を適用した場合である。第８図は、ステップ・アンド・
リピート式の半導体露光装置の構成を示したものである
。レチクル３０に照明系３１からｇ線やｉ線の紫外線を
照射すると、投影レンズ３２を通じてウェハ３３にレチ
クル３０の像が縮小投影される。この時レチクル３０と
ウェハ３３との相対位置合わせは各々レチクル・アライ
メント光学系３４とウェハ・アライメント光学系３５に
よって行われ、アライメント終了後はウェハステージ３
６上に設けた反射ミラー３７とレーザ測長系３８により
、ステージを高精度に駆動し、１チツプずつステップア
ンドリピート方式で露光して行く、この時、ウェハ・ア
ライメント程、レーザ測長系３８から発生する誤差も小
さく。

露光時の高い合わせ精度を実現できる。しかし、従来の
個別部品を用いた方法では、この距離Ωを小さくするこ
とは、実装上から見て不可能であった。

第１図は、この問題を解消できる導波路形光集積回路を
用いた小形のウェハ・アライメント光学系であるｓＬｉ
Ｍｂｏ、等の基板２にＴｉ等を拡散させる等することに
より導波路層３を形成する。

半導体レーザ１から出た光は、端面結合により導波路Ｍ
３に入射され、ジオデシックレンズ４０で平行光に変え
られる。ＳＡＷ電極１１に印加する高周波信号１２の周
波数を変えると、５ＡＷ１３の間隔が変化する。従って
、集光グレーティング・カップラ４１（円筒レンズ要素
に相当）によって形成されるスリット状照明光４３を試
料（ウェハ）上で走査することができる。試料（ウェハ
）上に。

例えば特定のピッチのドツト・パターンから成るアライ
メント・マーク４４が存在し、この上を、スリット状照
明光４３が横切ると、ドツト・パターンから１次回折光
が発生し、検出センサ４５で検出される。さて、基板２
からの出射面は、出射角に直角な面４２が形成され、こ
こには、半透コーティングが施されている。従って、ス
リット状照明光４３を作る光の一部が、この面４２で反
射し、集光グレーティング・カップラ４１を通過し、セ
ンサアレイ４６に達する。第９図はこのセンサアレイ４
６の構成を具体的に示しためのである。

ホトダイオードのセンサＳ１〜Ｓ１１がアレイ状に形成
され、各センサ５Ｌ−３，の出力は、アナログスイッチ
４７で特定のものが選択される。そして各センサＳ１〜
Ｓ１１の出力値は第２図に示すＳＡＷの偏向角度θ又は
ＳＡＷの駆動電圧Ｖｉｎに応じたＳＡＷの回折効率の変
化に対応する。従ってＳＡＷ駆動電圧と三角波又はのこ
ぎり波状にくり返し変化させながらアナログスイッチ４
７を切替えてセンサ出力を見ると第１０図のようになる
。

従ってアンプ４８からこの包絡線２８に相応する検出光
量補正用のデータＥｏ（θ）が求められる。

５図及び第６図に示すセンサ１７の役割を果すことがで
きる。

一方各センサＳ１〜Ｓ１１のピーク出力のタイミングを
、シュミットトリガ回路４９とパルス発生器５０により
求めると、これから第１１図に示すようにスリット状照
明光の走査比ｆｉｘ（実現された偏向角度θの関数）と
ＳＡＷ駆動電圧Ｖｉｎの関係が求められる（θ−Ｖｉｎ
関数）、又１例えばＳｌのセンサの出力タイミングをθ
ｏｒｇとすれば、これが絶対原点センサ（第４図に１９
で示す、）の役目を果すことになる。上記の検出光量補
正用データＥｏ（θ）とθ−Ｖｉｎ関数は、予め測定の
上で検出光量補正回路１８と偏向角度補正回路２０に保
存しておき、位置算出回路２５で実際のアライメント・
マーク検出の際に補正データとして使用される。

さて第１図に示す光学系を用いて、試料（ウェハ）３３
上に形成された第１０図のような直線状パターン（ドツ
ト・マーク）４４にスリット状照明光４３を照射し、こ
れをＶｃｏ回路２４によるＳＡＷの駆動周波数ｆを変化
させて走査すると、第１３図に示すように検出センサ４
５の出力Ｅｄ（θ）が検出光量補正回路１８において求
められる。この信号Ｅｄ（θ）に対して、既に求めであ
る検出光量補正データＥｏ（θ）を用いて式（１）の処
理を検出光量補正回路１８において施こし、更に位置算
出回路２５又は偏向角度補正回路２０によりθ−Ｖｉｎ
の補正（具体的には第４図、第５図、第６＠に示す、）
を行うと、位置算出回路２５において波形中心θ−ａｒ
ｋとθｏｒｇとの間隔（第１３図に示す）より、第１２
図に示す直線状パターン（アライメントマーク）の位Ｉ
ｉ！Ｘ＋＊ａｒｋが求められる。

Ｅｅ（８）＝ＡＸＥｄ（［））／Ｅｏ（Ｅｌ）　　　−
−（１）但し、Ａは定数、θはＳＡＷ偏向角度である。

なお、２つの直線状パターン間を検出する場合には、必
ずしもθｏｒｇは必要がない。

また、検出光量補正用データＥｏ（θ）を求める他の方
法としては、試料（ウェハあるいはその代替品）に、第
１４図のように第１２図のマークとピッチが同一のライ
ン／スペースのパターン５１を形成しておき、ここにス
リット状照明光４３を照射したときの検出センサ４５の
出力（第１５ｗ１）から直接束めることも可能である。

第１図の光学系３５を半導体露光装置に実装すると第１
６図のようになり、投影レンズ３２の下部への取付が可
能となり、ウェハアライメント光学系３５と投影レンズ
３２の距離ρを小さくすることができる。その結果、レ
ーザ測長系３８から発生する誤差も小さくなる。又、光
学系自体が。

非常に小さく軽いため、投影レンズ３２に直接取付けて
も、剛性上の問題が生じないため、構造面からも安定と
なり、露光時の高い合わせ精度を実現できる。

本実施例では、ＸＹＺ軸のうち１軸のみを記載したが、
２軸、あるいはチップ回転測定の為３軸から成る構成も
考えられる。

又、本実施例では、半導体露光装置の中でも縮小投影露
光装置をとりあげたが、電子線描画装置−装置では、距
＃ｉΩの大きいアライメント光学系もしくは、レジスト
下地層に設けられたアライメントマークの見えにくい２
次電子検出のアライメント系しか使用できないため１問
題となるアライメント精度の改善に、効果的である。

第１次の実施例では、１次回折光の検出を行ったが、ア
ライメントマークからの高次回折光を検出する位置に４
５の検出センサを設ければ距離悲を０にすることも可能
である。

本発明の第２の実施例は、工場のＦＡ化において、物流
管理をする上で欠かせないバーコード読取装置への適用
例である。バーコード読取装置は従来、個別部品で形成
され比較的大形かつ高価なものであったため、多くの種
類の多数の装置に取り付ける必要のあるＦＡ用の装置と
しては問題があった。第１５図は、これを解消するため
に導波路形の光集積回路を用いた例である。

基板２上に導波路層３を形成し、これに端面結合で半導
体レーザ１の光を入射する。ジオデシッＷ電極１１によ
って作られる５ＡＷ１３の効果で偏向した後、ブレティ
ングカップラ５２から平行光で出射する。基板２より低
屈折率のガラスプリズム５３で水平に曲げられた光は、
フレネルレンズ５４によって、試料５５に集光される。

フレネルレンズ５４は、第１６図に示すように短形開口
５６を持っており１回折理論に基すき、試料５５上では
第１７図に示すようなスリット状照明光４３となる。試
料５５上にはバーコード５７が設けられており、５ＡＷ
１３を駆動することにより。

この上をるリフト状照明光４３が走査する。

次に第１７図乃至第２２図に示すバーコード読取りの場
合について説明する。仮に、第１９図に示すように、バ
ーコード５７が明暗のパターンとすると、明の時、反射
光は、第１７図に示すビームスプリッタ５８を通過し、
レンズ５９で集光され、センサ６０で検出される。６１
は１／４波長板で１反射光の偏向方向を９０＠変えるこ
とにより、導波路Ｍ３への戻りを無くすためのものであ
る。

ンズ５９の空間周波数領域（焦点位１ａりに空間フィル
タ６２を設け、６３で０次光（正反射光）を遮断するこ
とにより、凹凸のエツジ部の信号をとることができる。

この系で得られる信号Ｅｄ（θ）は、第２１図のように
、偏向角度θによって出力が不安定になる。そこで、第
９図に示したと同じセンサアレイ４６を試料と共役な位
置に置き、第１５図のような検出光量補正用データＥｏ
（θ）を求める。尚、バーコードの間隔にＳ／Ｎが十分
とれる場合には、第１１図に示したようなθ−Ｖｉｎ関
数は無くてもよい、そこで、センサアレイ４６の変わり
に、単一の受光センサ６４を設け、直接第１５図の検出
光量補正用データを求めることも可能である。又。

メモリに蓄えて処理せずとも、この受光センサ出力Ｅｏ
（θ）をアナログ系の割算回路に送り式（１）の処理を
実時間で行うことも可能である。

その結果、出力信号Ｅｃは第２２ＷＩに示すようになり
、一定の閾値６５で切ることにより、バーコード５７の
情報が読み取られる。

次に第３の実施例について第２３図にもとづいて説明す
る。即ち実施例の第３の例は、第２３図に示す試料の高
さを測定するレベリング装置への応用例である。

基板２上に導波路ＷＪ３を形成し、これに端面結合で半
導体レーザ１の光を入射する。ジオデシックレンズ４０
を通過した光は平行光となりＳＡＷ電極１１によって作
られる５ＡＷ１３の効果で偏向した後、グレーティング
・カップラ５２から平行光で出射する。基板２より低屈
折率のガラスプリズム５３で水平に曲げられた光はフレ
ネルレンズ５４によって試料５５近傍に集光される。フ
レネルレンズ５４は第１８図に示すような短形開口５６
又は円形の開口を持ち、試料近傍で円形又はスリット状
の照明光を形成する。今、光学系全体を傾けるか、又は
、図に示すようなくさびガラス６６を挿入することによ
り、５ＡＷ１３による照明光６７の走査面６８を試料に
対して傾ける。試料５５からの反射光はレンズ５９によ
り、２分割センサ６９で受光されるが、走査面６８と共
役な点にナイフェツジ７０を設けることにより、２つの
センサの出力の差Ｅａ−Ｅｂが発生する。第２４図に示
すように、照明光６７を走査するに従ってＥａ−Ｅｂの
値は変化するが、試料面５５と走査面６８が交わる点で
、値がゼロとなる。従って、このゼロとなる時の偏向角
度を求めれば、試料の高さが判明する。そこで、ビーム
スプリッタ５８で光を分岐した後、一方を試料面に当て
、−方を第９図で示したようなセンサアレイ４６で受光
し、第１１図、第１５図の補正データを求めれば、精度
のよい測定を行うことができる。

以上、本発明においての実施例は、アライメント、バー
コード読取り、レベリングの機能で説明したが、構成上
、実質的に、検出光量の補正とｆ−θｉｎ関数を求める
形で、導波路形の光集積回路のシステムを形成するもの
にも適用できることは明らかである。

又、実施例に示した光学系の一部を光集積回路化、ある
いは個別部品化してもよい。

ィング・カップラやプリズム・カップラ等を用いてよい
。ジオデシックレンズの代わりに、集光グレーティング
等を用いてもよい、又、レーザの光も、半導体レーザに
限定しない。さらに、センサアレイの代りにポジション
センサを用いることも可能である。

〔発明の効果〕

以上説明したように、本発明によれば、可動部のない小
形、安価、高精度な位置情報検出を目的とするモニタリ
ング装置を供給することが可能であり、厩存装置のＦＡ
化や高機能化において効果を秦する。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の走査形情報検出装置の第１の実施例を
示す斜視構成図、第２図はＳＡＷ光偏向素子による偏向
角度と回折効率との関係を示す図。 第３図は本発明の原理構成の第１の例を示す図、第４図
は本発明の原理構成の第２の例を示す図、第５図は本発
明の原理構成の第３の例を示す図、第７図は第６図に示
す装置において得られる信号波形を示す図、第８図は本
発明の走査形情報検出装置を半導体露光装置に搭載した
場合の第１の例を示した概略構成図、第９図は本発明に
係るＥｏ（θ）等を検出するセンサの具体的構成の一例
を示した図、第１０図はＳＡＷ駆動電圧に対する第９図
に示すセンサの出力波形を示した図、男１１図はＳＡＷ
駆動電圧に対するスリット照明光走査距離との関係を示
した図、第１２図はドツト状の直線状パターンに対して
スリット光を走査する状態を示した図、第１３図は第１
２図に示す場合の偏向角θに対するＥｄを検出するセン
サの出力を示した図、第１４図は櫛状の直線状パターン
に対してスリット光を走査する状態を示した図、第１５
図は第１４図に示す場合の偏向角θに対するＥ、を検出
するセンサの出力を示した図、第１６図は本発明の走査
形情報検出装置を半導体露光装置に搭載した場合の第２
の例を示した概略構成図、第１７図は本発明の走査形情
報検出装置の第２の実施例の構成を示す平面図及び正面
図、第１８図はフレネルレンズを示す図、第１９図はバ
ーコードの直線状パターンに対してスリット光を走査す
る状態を示した図、第２０図は空間フィルタを示した図
、第２１図は第１９図に示す場合の補正前の偏向角θに
対するＥｄを検出するセンサの出力を示した図、第２２
図は第１９図に示す場合の補正後の偏向角θに対するＥ
ｃの出力を示した図、第２３図は本発明の走査形情帽検
出装置の第３の実施例の構成を示す平面図、正面図及び
側面図。 第２４図は第２３図に示す構成においてセンサ出力と試
料高さの関係を示す図、第２Ｆｌｌ及び第２６図は各々
従来技術を示す図である。 １・・・半導体レーザ、２・・・基板、３・・・導波路
層。 １１・・・ＳＡＷ電極、１３・・・ＳＡＷ、１８・・・
検出光量補正回路、２０・・・偏向角度補正回路、２４
・・・Ｖｃｏ回路、２５・・・情報（位置）算出回路、
２６・・・周波数モニタ、２７・・・アンプ、３５・・
・ウェハアライメント光学系、４０・・・ジオデシック
レンズ、４１・・・集光グレーティングカップラ、４３
・・・スリ１（状照明光、４６・・・センサアレイ、５
２・・・ブレど七 −ティングカップラ、５５・・・試料、５７・・・バー
コード。 躬 凶 躬 倫句内鷹 ／Ｊ・−５Ａ＝ｐｌ 躬 躬 圀 躬 塙 図 躬 国 ＳＡｗ！！’ｆ−動電７Ｅ　Ｖｉへ ５ＡｖＪ￥動電反Ｌ２ 躬 圀 筋 １ｇ国 躬 ／２ 第 躬／乙口 躬 ２＋ｒＥｒ 筋 ２２麿 第 臼 （α） （ｂ） （Ｃ） 躬 ？４ 固 ２区 θダＺ （自発ン 補正をする者 ４噂と１係　特許出願人 （５１０）株式会社 人 〒ｔｏｏ東京都千代田区丸の内−丁目５番１号株式会社
日立製作所内　電Ｄ　Ｉｌｌ　２１２−１１１１吠代表
）（６８６Ｇ）肯理士小　川　勝　男 ａ色 １、明細書第５貞第１３行ｋｌ　Ｆ好敵なＪを［好適な
」と訂正する。 ２、明細書簡１）頁第１９行目「数と、偏向角又は偏向
角を回折効率」を「数と偏向角、又は偏向角と回折効率
」と訂正する。 ３、明細書第１１頁第１行目「第１４図」を［第２図」
と訂正する。 ４、明細書第１１頁第１２行目ｒＶｃｏ回路」をｒｖＣ
Ｏ回路」と訂正する。 ５、明細書第１１頁第１６行目「Ｅｌｌ」を「ト；。（
Ｏ）」と訂正する。 ６、明細書簡１】頁第１９行目ｒＦ、ｄ（θ）」をｒＦ
、ｃ（Ｏ）Ｊと訂正する。 ７、明細書第１２第１行−■ｒＡ’Ｘ　ＨａＣｆ））」
を「ΔＸト：ｄ（θ）」と訂正する。 ８、明細書第１３頁第３行目ｒＶｃｏ回路」を「ＶＣＯ
回路」と訂正する。 ９、明細書簡１３頁第４行目「電圧Ｖｏｕｔ−周波数」
を［ｆａ圧Ｖｏｕｔを周波数」と訂正する。 １０、明Ｊｉｌ＋　６第１５頁第８行目ｒ　Ｔ、ｉＭ　
ｂ　０３Ｊをｒ　Ｉ、ｉＮ　ｂ　Ｏ，Ｊと訂正する。 １１．明細書第１６頁第１５行目「駆動電圧と」　「駆
動電圧を」と訂正する。 １２、明細書第１７頁第２０行目ｒＶｅｏ回路」をｒｖ
ｃＯ回路」と訂正する。 １３、　　明細書第１８頁第１４行目［ΔＸＥｄ（θ）
ＪをｒＡＸＥｄ（Ｏ）Ｊと訂正する。 ４、明細書第２７頁第１６行目ｒＶｃｏ回路」を「Ｖ０
０回路」と訂正する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、光導波路層を形成した基板と、レーザ発掘器と、上
   記光導波路層にレーザ光を導く光導入手段と、上記光導
   波路層上に形成されたＳＡＷ光偏向素子と、上記光導波
   路層から光を取り出して試料上に照射する光照射手段と
   、上記ＳＡＷ光偏向素子に印加する高周波電圧の周波数
   を制御して上記光照射手段によって照射された光を試料
   上で走査させる制御手段と、該制御手段によって制御さ
   れるＳＡＷの制御信号に対する上記試料上に照射走査さ
   れる光の位置又は光量を検出する第１の検出手段とを備
   えたことを特徴とする走査形情報検出装置。 ２、更に、上記試料上に照射走査された光の反射光又は
   透過光又は回折光を受光して信号に変換し、試料上の情
   報を検出する第２の検出手段と、上記第１の検出手段に
   より検出される光の位置又は光量に基づいて上記第２の
   検出手段から得られる信号を補正する補正手段とを備え
   たことを特徴とする請求項１記載の走査形情報検出装置
   。 ３、上記光照射手段に試料上に光を集光させる集光光学
   系を有することを特徴とする請求項１記載の走査形情報
   検出装置。 ４、上記第１の検出手段を上記試料と実効的に共役な位
   置に設けたことを特徴とする請求項１記載の走査形情報
   検出装置。 ５、上記第２の手段による試料上の情報を検出する前に
   、予め上記第１の検出手段により光の位置又は光量を検
   出することを特徴とする請求項２記載の走査形情報検出
   装置。 ６、上記第１の検出手段をポジションセンサで形成した
   ことを特徴とする請求項１記載の走査形情報検出装置。 ７、上記第１の検出手段を、上記制御手段によるＳＡＷ
   駆動用電圧と周波数との関係から検出すべく構成したこ
   とを特徴とする請求項１記載の走査形情報検出装置。 ８、上記第２の検出手段は、試料上に形成された直線状
   パターンの位置情報を検出するように構成したことを特
   徴とする請求項２記載の走査形情報検出装置。 ９、上記第２の検出手段は、試料上に形成された直線状
   パターンの回折光を検出するように構成したことを特徴
   とする請求項２記載の走査形情報検出装置。 １０、上記第１の検出手段を上記基板上に形成したこと
   を特徴とする請求項１記載の走査形情報検出装置置。 １１、光導波路層を形成した基板と、レーザ発振器と、
   上記光導波路層にレーザ光を導く光導入手段と、上記光
   導波路層上に形成されたＳＡＷ光偏向素子と、上記光導
   波路層から光を取り出して試料上に集光照射する光集光
   照射手段と、上記ＳＡＷ光偏向素子に印加する高周波電
   圧の周波数を制御して上記光照射手段によって照射され
   た光を試料上で走査させる制御手段と、該制御手段によ
   って制御されるＳＡＷの制御信号に対する上記試料上に
   集光走査される光の位置又は光量を検出する第１の検出
   手段と、上記試料上に集光走査された光の反射光又は透
   過光又は回折光を受光して信号に変換し、試料上の情報
   を検出する第２の検出手段と、上記第１の検出手段によ
   り検出される光の位置又は光量に基づいて上記第２の検
   出手段から得られる信号を補正する補正手段とを備えた
   ことを特徴とする走査形情報検出装置。 １２、光導波路層を形成した基板と、レーザ発振器と、
   上記光導波路層にレーザ光を導く光導入手段と、上記光
   導波路層上に形成されたＳＡＷ光偏向素子と、上記光導
   波路層から光を取り出して試料上に集光照射する光集光
   照射手段と、上記ＳＡＷ光偏向素子に印加する高周波電
   圧の周波数を制御して上記光照射手段によって照射され
   た光を試料上で走査させる制御手段と、該制御手段によ
   って制御されるＳＡＷの制御信号に対する上記試料上に
   集光走査される光の位置又は光量を検出する第１の検出
   手段と、上記試料上に集光走査された光の反射光又は透
   過光又は回折光を受光して信号に変換し、試料上の情報
   を検出する第２の検出手段と、上記第１の検出手段によ
   り検出される光の位置又は光量に基づいて上記制御手段
   を制御して上記第２の検出手段から信号を得る補正手段
   とを備えたことを特徴とする走査形情報検出装置。