JPH09138107A

JPH09138107A - パターン検出方法及び装置

Info

Publication number: JPH09138107A
Application number: JP7321096A
Authority: JP
Inventors: Yuuki Ishii; 勇樹石井
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1995-11-15
Filing date: 1995-11-15
Publication date: 1997-05-27

Abstract

(57)【要約】【課題】短時間で効率的にパターン測定を行い、測定
精度の向上を図る。【解決手段】レーザ光源３０の出力光は、ビームエク
スパンダ３２，微小走査ステージ３４，ミラー４０，収
光レンズ４２を介してウエハ４６上に微小スポット４８
を形成し、微小走査ステージ３４によってウエハパター
ンを走査する。微小走査ステージ３４の移動による微小
スポット４８の走査位置は干渉計５０で読み取られ、ス
テージ４４の変位は干渉計５２で読み取られる。パター
ンエッジによる散乱光は光検出器５４，５６，加算器５
８，Ａ／Ｄ変換器６０を介して出力される。これらステ
ージ位置及び散乱光情報は、位置生成回路６２による基
準クロックで対応付られて波形メモリ６４に格納され
る。信号波形補正回路６６では、ウエハステージ変位に
応じてパターン位置に相当する散乱光位置が補正され
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、パターン検出方
法及び装置にかかり、例えば半導体ウエハ上に形成され
た集積回路用パターンの位置検出や線幅測定などに好適
なパターン検出方法及び装置に関する。

【０００２】

【背景技術】半導体ウエハ上に形成されたパターンを検
出する装置としては、例えば図５（A）に示すようなも
のがある。同図において、光源１０から出力された検出
照明用の光は、収光光学系１２によって、ステージ１４
上にセットされたウエハ１６に入射する。ウエハ１６上
には、測定対象のウエハパターン１８が形成されてお
り、ステージ１４の移動によってウエハパターン１８上
を照明光が走査する。ウエハパターン１８のエッジを照
明光が通過すると、エッジ部分で照明光が散乱され、散
乱光は光検出器２０，２２で受光されて電気信号に変換
される。光検出器２０，２２から出力された各電気信号
は、加算器２４で加算される。これによって、散乱光が
検出される。

【０００３】他方、ステージ１４の位置は、ステージ干
渉計２６によって測定されており、干渉計出力がクロッ
クカウンタ２８でカウントされている。このカウント値
から、ステージ１４の位置を知ることができる。なお、
図上は左右方向しか示されていないが、２次元方向のス
テージ位置が検出されている。

【０００４】加算器２４から出力される散乱光波形は、
例えば同図（B）に示すようになり、クロックカウンタ
２８から出力される位置決め波形は、例えば同図（C）
に示すようになる。これらの波形から、ウエハパターン
１８のエッジ位置が判明する。

【０００５】この場合において、光源１０及び収光光学
系１２が固定されているため、ウエハパターン側，すな
わちステージ１４が移動する構成となっている。このた
め、微小領域のウエハパターンの位置を測定する場合に
は、ウエハ１６が載せられているステージ１４の全体を
微小量動かさなければならないという制約がある。この
場合において、図５（B）に示したような１回のパター
ン走査だけでは、散乱光波形にランダムノイズ成分が含
まれるため、正確な散乱光の信号波形が得られない。そ
こで、同一パターン個所を複数回走査するようにしてラ
ンダムノイズ成分をキャンセルするような波形平均化が
行なわれる。これによって、より正確な散乱光波形を得
るとともに、ステージ干渉計による位置も正確に測定す
ることができるようになる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、以上の
ような背景技術では、波形平均化を行う必要性から、ス
テージ１４を何度も動かさなければならず、しかもステ
ージ１４の移動速度に限度があるため、多くの測定時間
が費やされてしまう。また、光源１０及び収光光学系１
２は機械的に固定されてはいるものの、様々な要因によ
って微小な変化や振動があるものと考えられ、特に精
密，微細なパターン位置測定のときには問題となる可能
性がある。

【０００７】例えば、光源１０の位置が変化したとする
と、結果的にウエハ１６に対する光投射位置が変化する
ことになり、正しいパターン位置測定を行うことはでき
なくなる。他方、光源１０及び収光光学系１２の位置を
仮に良好に固定できたとしても、パターン位置測定中に
ウエハ１６がセットされているステージ１４が何らかの
理由により変位した場合には、同様にウエハパターン１
８の測定位置は不正確なものとなってしまう。

【０００８】このように、背景技術によれば、ステージの移動を複数回行わなければならず、またス
テージの移動速度に限度があるため、多くの測定定間が
必要となる。精密な測定のときには様々な要因により微小な変化や
振動があるため、パターン検出の精度に限界がある。と
いう不都合がある。

【０００９】この発明は、以上の点に着目したもので、
短時間で効率的にパターン検出を行うとともに、その測
定精度の向上を図ることができるパターン検出方法及び
装置を提供することを、その目的とするものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、この発明のパターン検出方法は、光源（30）から出
力された光束を収光光学系（42）により収光して微小光
束（48）を形成し、走査手段（34）によって前記微小光
束（48）を走査しつつステージ（44）上のパターン（4
7）に投射するステップ；前記ステージ（44）及び走査
手段（34）の各位置を基準クロックに基づいてそれぞれ
測定するとともに、パターン（47）の凹凸による微小光
束（48）の散乱光を基準クロックに基づいて検出するス
テップ；これによって得られた測定値を参照して、前記
散乱光の位置情報を基準クロックに基づいて補正するス
テップ；を備えたことを特徴とする。

【００１１】また、他のパターン検出方法は、前記ステ
ージ（44）及び走査手段（34）の各位置の測定及び散乱
光の検出時に、前記ステージ（44）を非駆動状態又は一
定速度の駆動状態とすることを特徴とする。

【００１２】本発明のパターン検出装置は、光源（30）
から出力された光束を、微小光束化してステージ（44）
上のパターン（47）に投射するための収光手段（42）：
前記収光手段（42）に対する光束の入射光軸を微小変位
して、前記ステージ（44）上で微小光束（48）を走査す
るための走査手段（34）；前記ステージ（44）及び走査
手段（34）の位置を、基準クロックに基づいてそれぞれ
計測する位置計測手段（50,52）；パターン（47）の凹
凸による微小光束（48）の散乱光を、基準クロックに基
づいて検出する散乱光検出手段（54,56）；前記位置計
測手段（50,52）によって得られた測定値を参照して、
前記散乱光検出手段（54,56）によって検出された散乱
光の位置情報を基準クロックに基づいて補正する散乱光
位置補正手段（66）；を備えたことを特徴とする。

【００１３】本発明の主要な態様には、次のようなもの
がある。（1）連続的な光束を発生させるための光放射器から発
せられた光束を微細な光束にする光学系と、その光束を
ある方向に微小走査させる走査装置と、その微小な走査
距離を正確に読み取る装置において、その微小な光束が
試料の全領域の位置を読み取ることができる装置を持っ
た試料台に載置された、ある凹凸のある表面を持った試
料について、上記手段により走査した時に発生する散乱
光を受光する手段として、それを電気信号に変換し、そ
の電気信号波形を時間軸ｔ（ｔ1，ｔ2，ｔ3，…，ｔn）
に対してそれぞれの強度信号Ｉ（Ｉ1，Ｉ2，Ｉ3，…，
Ｉn）とすると、該光束を微小操作させる走査装置の移
動距離Xを正確に読み取る装置に対応させる（ｔ1，ｔ
2，ｔ3，…，ｔn→Ｘ1，Ｘ2，Ｘ3，…，Ｘn）処理系に
おいて、該試料が載置されてある試料台に入っている試
料の全領域を正確に読み取る装置の座標をＸ（Ｘ1，Ｘ
2，Ｘ3，…，Ｘn）として該微小走査装置が動いている
間について、試料台を電気的に停止させておき、該試料
台が機械的に動作した移動量を△Ｘとすると、常に該微
小走査装置の座標Ｘに対して該試料台の移動量△Ｘを補
正することを特徴とするパターン検出方法及び装置。

【００１４】（2）連続的な光束を発生させるための光
放射器から発せられた光束を微細な光束にする光学系
と、その光束をある方向に微小走査させる走査装置と、
その微小な走査距離を正確に読み取る装置において、そ
の微小な光束が試料の全領域の位置を読み取ることがで
きる装置を持った試料台に載置された、ある凹凸のある
表面を持った試料について、上記手段により走査した時
に発生する散乱光を受光する手段として、それを電気信
号に変換し、その電気信号波形を時間軸ｔ（ｔ1，ｔ2，
ｔ3，…，ｔn）に対してそれぞれの強度信号Ｉ（Ｉ1，
Ｉ2，Ｉ3，…，Ｉn）とすると、該光束を微小操作させ
る走査装置の移動距離Xを正確に読み取る装置に対応さ
せる（ｔ1，ｔ2，ｔ3，…，ｔn→Ｘ1，Ｘ2，Ｘ3，…，
Ｘn）処理系において、該試料が載置されてある試料台
に入っている試料の全領域を正確に読み取る装置の座標
をＸ（Ｘ1，Ｘ2，Ｘ3，…，Ｘn）として該微小走査装置
が動いている間について、試料台をある一定の速度で動
作させておき、該試料台がリニアに移動したときの移動
量をＸとし、その移動量からずれた位置にきたときのズ
レ量を△Ｘとすると、常に該微小走査装置の座標Ｘに対
して該試料台の移動量△Ｘを補正することを特徴とする
パターン検出方法及び装置。この発明の前記及び他の目
的，特徴，利点は、以下の詳細な説明及び添付図面から
明瞭になろう。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態につい
て、実施例を参照しながら詳細に説明する。

【００１６】

【実施例の構成】図１には、この実施例にかかるパター
ン位置測定装置の構成が示されている。同図において、
レーザ光源３０からは、波長λの光ビーム（光束）が射
出されるようになっている。このレーザ光源３０の出力
側には、ビームエクスパンダ３２が設けられており、こ
れによって光ビームが所定の倍率に拡大されるようにな
っている。このビームエクスパンダ３２は、通常凸レン
ズを２枚を使用して構成され、前段に焦点距離Ｆ１の短
いレンズ３２Ａを置き、後段に焦点距離Ｆ２の長いレン
ズ３２Ｂが置かれており、両レンズの焦点距離の比によ
ってビームエクスパンダ３２の入射光と出射光の倍率が
決定される。

【００１７】次に、ビームエクスパンダ３２の前段のレ
ンズ３２Ａと後段のレンズ３２Ｂとの間には、微小走査
ステージ３４が置かれている。この微小走査ステージ３
４の上には、全反射ミラー３６，３８が対向して設けら
れており、前段のレンズ３２Ａ側から入射した光ビーム
は、全反射ミラー３６，３８で順に反射されて後段のレ
ンズ３２Ｂに到達する構成となっている。レンズ３２Ｂ
を透過した光ビームは、ミラー４０で反射されて収光レ
ンズ４２に入射し、更にはステージ４４上にセットされ
ているウエハ４６に微小スポット（微小光束）４８とし
て投射される。上述した微小走査ステージ３４を数十Ｈ
ｚから数百Ｈｚで高速走査すると、微小スポット４８を
ウエハ上で高速に走査することができる。

【００１８】微小走査ステージ３４には、その位置を正
確に読み取ることができる位置測定装置である干渉計５
０が設けられている。この干渉計５０によって、微小走
査ステージ３４の位置，ひいてはウエハ４６上における
微小スポット４８の走査位置が正確に求められる。ま
た、ステージ４４には、同様に干渉計５２が設けられて
おり、これによってステージ４４の位置が正確に求めら
れるようになっている。

【００１９】次に、収光レンズ４２の近傍には、微小ス
ポット４８の光軸に対して非常に大きな角度をもって、
光検出器５４，５６が配置されており、その検出出力側
は図示しない増幅器を介して加算器５８に接続されてい
る。これら光検出器５４，５６は、微小スポット４８の
走査方向と同一の方向に配置されており、これらによっ
て微小スポット４８の散乱光が検出されるようになって
いる。加算器５８の出力側はＡ／Ｄ変換器６０に接続さ
れている。

【００２０】干渉計５０，５２及びＡ／Ｄ変換器６０
は、位置生成回路６２にそれぞれ接続されている。この
位置生成回路６２は、干渉計５０，５２から供給される
パルス信号からステージ３４，４４の位置データを生成
するとともに、この位置データ生成のための基準クロッ
クを生成する機能を有している。生成された基準クロッ
クはＡ／Ｄ変換器６０に供給され、Ａ／Ｄ変換の際のタ
イミングクロックとなる。なお、ステージ４４は、微小
走査ステージ３４が動作している間は、通常非駆動状態
となっている。

【００２１】この位置生成回路６２の出力側は、波形メ
モリ６４に接続されている。この波形メモリ６４には、
光検出器５４，５６から出力された光電変換信号のＡ／
Ｄ変換後の信号波形が格納されるとともに、位置生成回
路６２から供給されたステージ３４，４４の位置データ
及び基準クロックが入力格納される。波形メモリ６４の
出力側は、信号波形補正回路６６に接続されている。こ
の信号波形補正回路６６は、波形メモリ６４に格納され
ている光検出器５４，５６の出力信号波形と、ステージ
３４，４４の干渉計５０，５２のパルス信号とを、基準
クロックのもとで比較するためのものである。

【００２２】

【実施例の作用】次に、図１の他に図２，図３を参照し
ながら、この実施例の作用を説明する。レーザ光源３０
から射出された波長λの光ビームは、ビームエクスパン
ダ３２によって所定の倍率に拡大される。このとき、ビ
ームエクスパンダ３２の前段のレンズ３２Ａと後段のレ
ンズ３２Ｂとの間に設けられている全反射ミラー３６，
３８が微小走査ステージ３４によって矢印ＦＡ方向に微
小往復移動する。例えば、図１に実線で示す位置から点
線で示す位置に微小移動したとすると、光ビームの光軸
は、平行を保ったまま光路長も変らずに点線のようにシ
フトし、収光レンズ４２に対する入射光軸が変化する。

【００２３】このため、ミラー４０，収光レンズ４２を
介してウエハ４６上に形成される微小スポット４８が、
矢印ＦＢ方向に往復移動し、ウエハ４６上に形成された
ウエハパターン４７を走査するようになる。光ビーム
は、収光レンズ４２に所定の角度△θをもって入射する
ので、収光レンズ４２の焦点距離をｆとすると、ウエハ
パターン４７上を走査する距離ｙは、ｙ＝２ｆ△θとな
る。そして、このときのウエハパターン４７上に収光さ
れる微小スポット４８の径φ2は、通常、φ2＝（ａλ
ｆ）／φ1となる。なお、ａは定数，φ1は収光レンズ４
２の入射光のビーム径である。

【００２４】ステージ４４が停止している状態にあっ
て、微小走査ステージ３４が数十Ｈｚから数百Ｈｚで高
速振動（往復運動）すると、ステージ４４上に収光した
微小スポット４７は同一パターン上を高速で走査するこ
とになる。微小走査ステージ３４の移動位置は、干渉計
５０によって十分な精度で求められており、これによっ
てウエハパターン４７上における微小スポット４８の走
査位置も正確に求められる。

【００２５】ここで、走査されている微小スポット４８
が、ウエハ４６上のパターン４７のエッジにかかると、
上述した背景技術と同様にして光が散乱されるようにな
る。この散乱光は、微小スポット４８の光軸に対して大
きな角度で配置されている光検出器５４，５６に入射し
検出される。

【００２６】詳述すると、微小スポット４８がウエハパ
ターン４７のエッジにかかったとき、光は、ウエハ面に
対して垂直方向の正反射方向にはあまり戻らずに、斜め
の方向に多く散乱されるようになる。このため、ウエハ
パターン４７のエッジ部分を微小スポット４８が走査し
たときには、多くの光が光検出器５４，５６で受光され
る。しかし、ウエハパターン４７の平坦部分を微小スポ
ット４８が走査しているときは、光検出器５４，５６に
はあまり光が入射しない。なお、微小スポット４８が走
査される方向と同一方向であって、走査範囲の端位置に
光検出器５４，５６を置くようにすると、ウエハパター
ン４７のエッジに対して同程度の散乱光を受光すること
が可能になる。

【００２７】光検出器５４，５６の光電変換信号は、増
幅後加算器５８に供給されて加算され、更にＡ／Ｄ変換
器６０に供給される。Ａ／Ｄ変換器６０では、加算後の
アナログ信号が基準クロックに基づいてディジタル信号
に変換され、これが位置生成回路６２に供給される。図
２（A）には、基準クロックの一例が示されている。こ
の基準クロックは、干渉計５０から出力された位置を表
わすパルス信号に対応して生成されている。位置生成回
路６２では、干渉計５０の出力パルス信号がカウントさ
れ、微小走査ステージ３４の位置情報が求められる。微
小走査ステージ３４の移動量と微小スポット４８との移
動量は一定の関係にあるので、微小走査ステージ３４の
位置から微小スポット４８の位置を知ることができる。

【００２８】同図（A）の基準クロックに対し、微小ス
ポット４８の位置は例えば同図（B）に示すようにな
る。ここで、ウエハステージ４４上であって、図１の矢
印ＦＢ方向にＸ座標を設定する。ステージ３４，４４が
いずれも完全な停止状態にある場合における微小スポッ
ト４８のＸ座標値をＰＣとすると、図２（B）に示すよ
うに、微小スポット４８はこのＰＣを中心として±ΔＳ
の範囲を走査することになる。

【００２９】同図（C）には、微小スポット４８がウエ
ハパターン４７を走査したときの光検出器５４，５６の
出力，すなわちパターンエッジによる散乱光の変化が示
されている。Ａ／Ｄ変換器６０では、この散乱光を示す
アナログ信号が基準クロックのタイミングでディジタル
信号に変換され、位置生成回路６２に取り込まれる。こ
のように基準クロックのタイミングでＡ／Ｄ変換が行わ
れる。ここで、図２（B），（C）に着目すると、散乱光
のピークＱａは、微小スポット４８が位置ＰＥａのとき
に検出されている。同様にして、散乱光のピークＱｂ
は、微小スポット４８が位置ＰＥｂのときに検出されて
いる。以下、同様である。このように、干渉計１４によ
って検出されている微小走査ステージ３４，ひいては微
小スポット４８の位置情報から、散乱光の位置情報を得
ることができる。

【００３０】このようにして位置生成回路６２で得られ
た同図（A）の基準クロック，同図（B）の微小スポット
（微小走査ステージ）位置情報，同図（C）の散乱光波
形のディジタル信号が波形メモリ６４に供給されて格納
される。なお、ウエハパターン４７の同一エッジは、複
数回，例えば１００回走査され、各走査における散乱光
波形が波形メモリ６４に格納される。

【００３１】他方、位置生成回路６２では、もう一つの
干渉計５２を用いて、ウエハ４６がセットされたステー
ジ４４の位置が常に計測モニタされている。上述したよ
うに、ステージ４４は、微小走査ステージ３４の動作中
は非駆動の停止状態となっている。しかし、厳密にいえ
ば様々な要因によって変動する場合がある。例えば、熱
的変化や機械的外的振動などにより、微小走査ステージ
３４が高速で動作中であってもステージ４４が移動又は
振動してしまうことがある。

【００３２】このようなステージ４４の位置を干渉計５
２でモニタしたときの変位波形は、例えば図３（B）に
示すようになる。なお、この場合も同図（A）に示す基
準クロックに対応している。同図（B）は、図１に矢印
ＦＢで示すＸ方向の変位量が示されている。ここで、上
述したステージ３４，４４がいずれも完全な停止状態に
ある場合における微小スポット４８のＸ座標値ＰＣに着
目する。このような完全停止状態からステージ４４が変
位するということは、微小スポット４８からみたとき、
その投射位置ＰＣが変位することに相当する。そして、
このＰＣの変位に、微小走査ステージ３４の振動による
微小スポット４８の走査が重畳していると考えることが
できる。

【００３３】グラフ上で説明すると、図２（B）に示す
微小スポット４８の中心位置ＰＣが、図３（B）に示す
ように変位したと考えることができる。例えば、時刻ｔ
0のタイミングでは、位置ＰＣは−Δｘ変位している。
従って、同図（C）に示す散乱光波形の検出位置を−Δ
ｘ相当補正すれば、ステージ４４の変位の影響を受ける
ことなく良好な精度でパターン検出を行うことができ
る。このステージ４４の変位波形も、他の信号とともに
波形メモリ６４に格納される。

【００３４】散乱光波形の検出位置補正は、信号波形補
正回路６６によって行われる。詳述すると、前述した波
形メモリ６４に格納されている基準クロック（図２
（A）又は図３（A）参照），微小スポット位置（図２
（B）参照），光検出器５４，５６で得られたエッジ散
乱光波形（図２（C）又は図３（C）参照），ステージ４
４の変位波形（図３（B）参照）が、信号波形補正回路
６６にそれぞれ供給される。信号波形補正回路６６で
は、基準クロックのタイミングｔ1，ｔ2，ｔ3，…，ｔn
における散乱光波形の微小スポット位置ＰＥ1，ＰＥ2，
ＰＥ3，…，ＰＥnに対して、ステージ変位量Δｘ1，Δ
ｘ2，Δｘ3，…，Δｘnが補正される。そして、この補
正された散乱光波形の位置情報をもとにウエハパターン
４７のエッジ位置のＸ座標値が求められ、更にはウエハ
パターン４７の線幅などが求められる。

【００３５】

【他の実施例】この発明には数多くの実施の形態があ
り、以上の開示に基づいて多様に改変することが可能で
ある。例えば、次のようなものも含まれる。（1）微小走査ステージの駆動手法としては、例えばピ
エゾスキャナが好適であるが、同様の作用を奏するもの
であれば、どのようなものでもよい。例えば、ガルバノ
スキャナを用いることができる。（2）前記実施例では、ウエハステージを非駆動状態と
したが、ウエハステージを一定速度で移動させ、この移
動量に前記変位量を補正するようにしてもよい。、この
ように、ステージ４４を一定速度で移動した場合におけ
る微小スポットの位置は、例えば図４に変化する。実際
には、これにステージ４４の変位が重畳される。

【００３６】（3）前記実施例では、ウエハ上に形成さ
れたパターンのエッジを計測対象としたが、適宜の試料
上に存在するパターンの凹凸の位置測定，あるいは凹凸
の幅測定などパターン測定一般に本発明は適用可能であ
る。（4）前記実施例では、微小スポットが１方向に走査す
る場合を説明したが、微少走査ステージを２つ用意して
直交する方向に変動することで微小スポットを直交する
２つの方向に変動可能とし、二次元方向でパターン測定
を行うようにしてもよい。

【００３７】

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、測定用
の微小ビームスポットを測定対象上で走査して散乱光を
検出するとともに、測定対象がセットされたステージの
変位を測定し、この変位量に基づいて散乱光の検出位置
を補正することとしたので、短時間で効率的にパターン
測定を行うことができ、更には測定精度の向上を図るこ
とができるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施例の構成を示すブロック図であ
る。

【図２】前記実施例の作用を示す主要部の信号波形図で
ある。

【図３】前記実施例の作用を示す主要部の信号波形図で
ある。

【図４】他の実施例におけるステージ上の微小スポット
の移動の様子を示す図である。

【図５】この発明の背景技術の一例を示すブロック図で
ある。

【符号の説明】

３０…レーザ光源３２…ビームエクスパンダ３２Ａ，３２Ｂ…レンズ３４…微小走査ステージ３６，３８…全反射ミラー４０…ミラー４２…収光レンズ４４…ステージ４６…ウエハ４７…ウエハパターン４８…微小スポット５０，５２…干渉計５４，５６…光検出器５８…加算器６０…Ａ／Ｄ変換器６２…位置生成回路６４…波形メモリ６６…信号波形補正回路

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光源から出力された光束を収光光学系に
より収光して微小光束を形成し、走査手段によって前記
微小光束を走査しつつステージ上のパターンに投射する
ステップ；前記ステージ及び走査手段の各位置を基準ク
ロックに基づいてそれぞれ測定するとともに、パターン
の凹凸による微小光束の散乱光を基準クロックに基づい
て検出するステップ；これによって得られた測定値を参
照して、前記散乱光の位置情報を基準クロックに基づい
て補正するステップ；を備えたことを特徴とするパター
ン検出方法。
【請求項２】前記ステージ及び走査手段の各位置の測
定及び散乱光の検出時に、前記ステージを非駆動状態又
は一定速度の駆動状態とすることを特徴とする請求項１
記載のパターン検出方法。
【請求項３】光源から出力された光束を、微小光束化
してステージ上のパターンに投射するための収光手段：
前記収光手段に対する光束の入射光軸を微小変位して、
前記ステージ上で微小光束を走査するための走査手段；
前記ステージ及び走査手段の位置を、基準クロックに基
づいてそれぞれ計測する位置計測手段；パターンの凹凸
による微小光束の散乱光を、基準クロックに基づいて検
出する散乱光検出手段；前記位置計測手段によって得ら
れた測定値を参照して、前記散乱光検出手段によって検
出された散乱光の位置情報を基準クロックに基づいて補
正する散乱光位置補正手段；を備えたことを特徴とする
パターン検出装置。