JPH0513306A

JPH0513306A - マスク位置測定装置

Info

Publication number: JPH0513306A
Application number: JP3162975A
Authority: JP
Inventors: Hidenori Sekiguchi; 英紀関口; Toru Kamata; 徹鎌田; Yuji Sakata; 裕司阪田; Fumio Tabata; 文夫田畑
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1991-07-03
Filing date: 1991-07-03
Publication date: 1993-01-22

Abstract

(57)【要約】【目的】本発明はマスク上のパターンをウェハに露光す
る露光装置においてマスクの位置測定を行うマスク位置
測定装置に関し、効率良くかつ高精度の位置測定を行い
得るマスク位置測定装置を提供することを目的とする。【構成】十字形状の光を透過する構成とされたマーク
８，９が形成されたマスク３に、光を斜めスキャンしそ
の透過光のＸ座標とＹ座標からマーク８，９中心位置を
求め、この中心位置に基づきＸ軸方向及びＹ軸方向に精
密スキャンを行うことによりマスク３の位置測定を行う
マスク位置測定装置において、光をマーク８，９上の異
なる位置（第１の位置と第２の位置）で斜めスキャンさ
せ、この第１及び第２の位置で走査される光の、各位置
における透過光のＸ座標及びＹ座標の値を求め、各座標
値に基づき光の走査状態を検知し、この走査状態に対応
した精密スキャンを行うことにより、マスク３の位置測
定を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はマスク位置測定装置に係
り、特にマスク上のパターンをウェハに露光する露光装
置においてマスクの位置測定を行うマスク位置測定装置
に関する。

【０００２】露光装置では、複数のマスクを用い、各マ
スクに書かれたパターンを紫外線或いはＸ線によりウェ
ハ上に等倍或いは縮小露光する。そのために、多数のマ
スクを露光装置に交換して装着するが、その装着位置は
その度毎にバラツキが発生する。

【０００３】また、マスクはセラミック等で形成された
マスクリング上に配置されるが、マスクとマスクリング
との位置関係はマスク製造装置毎に異なるので、マスク
とマスクリングの位置合わせを行うのではなく、マスク
に形成されたパターンの位置を露光装置に位置合わせす
る必要がある。

【０００４】このため、マスクを露光装置に装着した
後、露光装置に対するマスク上のパターンの位置を測定
することが行われている。

【０００５】

【従来の技術】図８は、マスク位置測定装置１の外観を
示している。同図において、２はマスクリング、３はこ
のマスクリングに装着されたマスク、４は図中矢印で示
すＸ，Ｙ座標方向に移動しうる構成とされたＸ−Ｙステ
ージ、５はＸ−Ｙステージ上に配設されたレーザダイオ
ード等の発光素子、６，７はフォトダイオード等の受光
素子、１０はＸ−Ｙステージ４及び受光素子６，７に接
続された中心位置測定部である。上記各構成物は露光装
置（図示せず）に配設されている。

【０００６】マスク３には露光パターンが形成されてお
り、また露光パターンの外側所定位置には十字型形状の
マーク８，９が形成されている。このマーク８，９の形
成部分は光を透過する構成となっており、またマーク
８，９の形成位置と対向する位置には受光素子６，７が
配設されている。

【０００７】マスクリング２及び受光素子６，７は、露
光装置に固定されておりその移動が規制されているが、
発光素子５はＸ−Ｙステージ４の変位動作に伴い変位す
る構成となっている。従って、発光素子５がマーク８，
９と対向する位置へ移動すると、発光素子５が発射する
光はマーク８，９を透過し受光素子６，７で受光され、
電気信号としてこれを検知することができる。

【０００８】続いて、上記構成のマスク位置測定装置１
を用いた、従来のマスク位置測定方法について説明す
る。

【０００９】図９はマーク８を拡大して示す図である。
マスクの位置測定を行う場合、Ｘ−Ｙステージ４をＸ座
標方向及びＹ座標方向に同一変位速度で変位させる。こ
れにより、発光素子５から発射された光は、Ｘ，Ｙ座標
方向に対して４５°傾いた方向に右下から左上に向け走
査する走査光（同図中矢印Ｈ₁で示す）となる。従っ
て、この走査光Ｈがマーク８上を走査すると、図中矢印
Ａで示す位置と、図中矢印Ｂで示す位置との２箇所で受
光素子６の出力は高くなる。

【００１０】前記したように、Ｘ−Ｙステージ４と受光
素子６，７は中心位置測定部１０に接続されており、Ｘ
−Ｙステージ４からは座標信号が、また受光素子６，７
からは受光信号が供給される。中心位置測定部１０は、
受光素子６，７で生成された受光信号が入来すると、Ｘ
−Ｙステージ４から供給されるその時点における座標信
号に基づき、受光位置（図中矢印Ａ及びＢで示す位置）
の座標を測定する。いま、説明の便宜上、図中に示すよ
うにＸ座標及びＹ座標を取ると、Ａ点の座標はＡ（Ｘ_A,
Ｙ_A) で示され、またＢ点の座標はＢ（Ｘ_B,Ｙ_B) で示
される。

【００１１】一方、マスク３の位置合わせに必要なの
は、マーク８の中心位置Ｐにおける座標である。従っ
て、中心位置測定部１０は、Ａ点の座標Ａ（Ｘ_A,Ｙ_A)
及びＢ点の座標（Ｘ_B,Ｙ_B) 基づき中心位置座標Ｐ（Ｘ
_A,Ｙ_B) を決定する。

【００１２】上記のように求められる中心位置座標Ｐ
（Ｘ_A,Ｙ_B) の値は、斜めに走査（スキャン）される光
により求めた中心位置であるため精度が低い。よって、
一般に上記のようにして求められた中心位置座標Ｐ（Ｘ
_A,Ｙ_B) を仮中心座標として、改めてこの仮中心座標Ｐ
（Ｘ_A,Ｙ_B) の近傍位置において走査光をＸ座標方向と
Ｙ座標方向に沿って１回づつ走査させることが行われて
いる（Ｘ座標方向に対する走査光を矢印Ｇ_Xで、またＹ
座標方向に対する走査光を矢印Ｇ_Yで示す）。そしてこ
の走査の際、Ｘ座標方向に対する走査光Ｇ_Xにより受光
信号が発生した時におけるＸ座標を中心位置の正規のＸ
座標とし、またＹ座標方向に対する走査光Ｇ_Yにより受
光信号が発生した時におけるＹ座標を中心位置の正規の
Ｙ座標とすることが行われていた。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかるに、マスクリン
グ２に対するマスク３の載置状態、また走査光の開始位
置によっては、例えば図１０に示すように、走査光がマ
ーク８の中心位置Ｐより右上から開始される可能性があ
る。この場合、上記した測定方法では、正規の中心位置
がＰ（Ｘ_B,Ｙ_A) であるにも拘わらず、中心位置測定部
１０は誤ってＰ₀(Ｘ_A,Ｙ_B) を中心位置であると判断し
てしまう。

【００１４】よって、この誤測定を防止するためには、
図１１に示すように、マーク８よりも充分の左下方へ離
間した位置より走査を開始し、順次マーク８に近づくよ
う繰り返しスキャンを行うよう構成すればよい。しかる
に、実際はマスク３が露光装置に装着された状態ではマ
ーク８の位置は判らないため、走査の開始位置はマスク
３のかなり左下方位置に設定する必要がある。従って、
この構成とした場合には走査光がマーク８の形成位置に
至るまでのスキャン回数が多くなってしまい、位置測定
に長い時間を要し測定効率が低下するという問題点があ
った。

【００１５】また、装着時におけるマスク３の位置があ
まりにもずれている場合には、マーク３の上部に配設さ
れている受光素子６，７の検出可能領域よりマーク３の
位置が離れてしまい、たとえマーク３に走査光が照射さ
れたとしても受光素子６，７で光が検出することができ
なくなる。具体的には、図１２に矢印Ｃで示す円弧内が
受光素子６，７の測定可能領域である場合、例えばマー
ク８の一部がこの測定可能領域Ｃより外れている（外れ
た部分を破線で示す）場合には、見掛け上マーク３の一
部が欠けているのと同じ状態となってしまう。このよう
な場合、従来構成の測定方法では、受光素子６の出力が
２箇所でピークを生じる走査光の走査状態は図１０で示
した走査状態となる。この走査状態では誤測定が発生す
ることは前記した通りである。よって、従来の測定方法
ではマ−ク３の位置検出ができなかったり、また誤測定
が生ずるおそれがあるという問題点があった。また、仮
に受光素子６，７の検出可能領域から離れた位置で走査
光を検出したとしても、その光は弱いため受光素子６，
７の出力は弱くなり、測定精度が低下してしまう。

【００１６】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、効率良くかつ高精度の位置測定を行い得るマスク
位置測定装置を提供することを目的とする。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明では、Ｘ座標方向とＹ座標方向に夫々延在す
る部分を持つ形状とされると共に光を透過する構成とさ
れたマークが形成されたマスクに、上記Ｘ座標方向及び
Ｙ座標方向と異なる斜め方向に光を走査させ、上記マー
クを透過してくる透過光を光検出部により検出してこの
透過光のＸ座標とＹ座標を検出し、透過光のＸ座標とＹ
座標よりマークの中心位置を測定し、この中心位置に基
づき該マスクの位置測定を行うマスク位置測定装置にお
いて、上記光を異なる走査位置で走査させる光走査部
と、上記異なる位置で走査される光の、各位置における
透過光のＸ座標及びＹ座標の値を求め、求められた各走
査位置における各座標値の関係より上記マークの中心位
置を測定する中心位置測定部とを設けたことを特徴とす
るものである。

【００１８】また、Ｘ座標方向とＹ座標方向に夫々延在
する部分を持つ形状とされると共に光を透過する構成と
されたマークが形成されたマスクに、上記Ｘ座標方向及
びＹ座標方向と異なる斜め方向に光を走査させ、上記マ
ークを透過してくる２回の透過光を光検出部により検出
してこの透過光のＸ座標とＹ座標を検出し、透過光のＸ
座標とＹ座標より上記マークの仮中心位置を測定し、こ
の仮中心位置に基づき光をＸ座標方向とＹ座標方向に走
査させ、マークを透過してくる透過光のＸ座標及びＹ座
標をマークの正規の中心位置としてマスクの位置測定を
行うマスク位置測定装置において、上記光をマーク上の
第１の位置と、第２の位置で走査させる光走査部と、上
記第１及び第２の位置で走査される光の、各位置におけ
る該透過光のＸ座標及びＹ座標の値を求め、求められた
各走査位置における各座標値の関係よりマークの仮中心
位置を測定する中心位置測定部とを設け、かつ、上記中
心位置測定部により測定される、上記第１の位置におけ
る光走査により１回目に透過する透過光のＸ座標と上記
第２の位置における光走査により１回目に透過する透過
光のＸ座標が等しい場合には、光を先ずＸ座標方向へ走
査させた後Ｙ座標方向に走査させ、上記第１の位置にお
ける光走査により２回目に透過する透過光のＸ座標と上
記第２の位置における光走査により２回目に透過する透
過光のＸ座標が等しい場合には、光を先ずＹ座標方向へ
走査させた後Ｘ座標方向に走査させることにより上記マ
ークの正規の中心位置を測定する構成としたことを特徴
とするものである。

【００１９】

【作用】上記構成とされたマスク位置測定装置では、１
回の走査光の走査で２回の高出力が受光素子より出力さ
れると、光走査部により走査位置を少しずらして異なる
位置でもう一度走査光の走査が行われる。例えば図１
で、ｉで示す光の走査を行った後に、このｉの走査位置
と異なった位置であるｉ＋１で示す光の走査を行う。

【００２０】この走査を行った場合における透過光の強
さｓとＸ座標方向の位置との関係を図２（Ａ）に、また
透過光の強さｓとＹ座標方向の位置との関係を図２
（Ｂ）に示す。同図に示されるように、マークの中心位
置Ｐより走査光ｉが左下方領域にある状態（以下、この
状態をＩ型の走査状態という）のとき、走査光ｉ，走査
光ｉ＋１で夫々２回生じる高出力発生時（以下、ピーク
時という）の内、図２（Ａ）に示すＸ座標においては１
回目のピーク時が走査光ｉ，走査光ｉ＋１で略同じＸ座
標値で発生している。これは、図１に矢印Ａ_i，Ａ_i+1
で示される位置における走査光ｉ，走査光ｉ＋１のＸ座
標値が等しいことによる。また、図２（Ｂ）に示すＹ座
標においては２回目のピーク時が走査光ｉ，走査光ｉ＋
１で略同じＹ座標値で発生している。これは、図１に矢
印Ｂ_i，Ｂ_i+1で示される位置における走査光ｉ，走査
光ｉ＋１のＸ座標値が等しいことによる。

【００２１】一方、図３に示されるように、マークの中
心位置Ｐより走査光ｊが右上方領域にある状態（以下、
この状態をII型の走査状態という）の時も、Ｉ型と同様
に２回の走査を行う（この走査光を走査光ｊ，走査光ｊ
＋１とする）。この走査を行った場合における透過光の
強さｓとＸ座標方向の位置との関係を図４（Ａ）に、ま
た透過光の強さｓとＹ座標方向の位置との関係を図４
（Ｂ）に示す。走査光ｊ，走査光ｊ＋１で夫々２回生じ
るピーク時の内、図４（Ａ）に示すＸ座標においては２
回目のピーク時が走査光ｊ，走査光ｊ＋１で略同じＸ座
標値で発生している。これは、図３に矢印Ｂ_j，Ｂ_j+1
で示される位置における走査光ｊ，走査光ｊ＋１のＸ座
標値が等しいことによる。また、図４（Ｂ）に示すＹ座
標においては１回目のピーク時が走査光ｊ，走査光ｊ＋
１で略同じＹ座標値で発生している。これは、図１に矢
印Ａ_j，Ａ_j+1で示される位置における走査光ｊ，走査
光ｊ＋１のＸ座標値が等しいことによる。

【００２２】従って、一の走査位置における走査光によ
り２回発生するピーク時の各座標と、この一の走査位置
と異なる走査位置における走査光によ２回発生するピー
ク時の各座標とに基ずき、走査状態がＩ型か或いはII型
であるかを判定することが可能となる。よって、走査状
態が判定できることにより、この判定結果に基づき中心
位置の測定の補正を行うことが可能となり、必ずしもＩ
型の走査を行う必要がなくなるため、走査を行う範囲を
小さくすることができる。

【００２３】また、仮中心位置に基づき光をＸ座標方向
とＹ座標方向に走査させマークの正規の中心位置を求め
る構成のマスク位置測定装置においては、走査状態がＩ
型か或いはII型であるかにより、Ｘ座標方向の走査とＹ
座標方向の走査の順番を変更することが可能となる。よ
って、例えばマスクの装着位置が大きくずれ一部が欠け
ているような場合であっても、この欠けた部分を避けて
走査を行うことが可能となり、実質的な測定領域を拡大
することができる。

【００２４】

【実施例】次に本発明の実施例について図面と共に説明
する。尚、本発明に係るマスク位置測定装置１０は、そ
の外観は、図８で示したマスク位置測定装置１と同一で
ある。よって、外観図の図示は省略し、また配設されて
いる構成部品についても同図に示される符号と同一符号
を用いて説明するものとする。

【００２５】図５は、本発明の一実施例であるマスク位
置測定装置１０の構成を示すブロック図である。同図に
示すように、Ｘ−Ｙステージ４はステージ制御部１１に
より駆動制御されている。このステージ制御部１１に
は、斜めスキャン指令部１２，Ｘ方向スキャン司令部１
３，Ｙ方向スキャン司令部１４から各駆動指令信号が供
給される構成となっており、この各駆動指令信号に基づ
きステージ制御部１１はＸ−Ｙステージ４を変位させ
る。また、ステージ制御部１１はＸ−Ｙステージ４の変
位状態を常に検出しており、検出されたステージ位置情
報は、ステージ位置信号として第１の光透過ＸＹ位置検
出部１５，第２の光透過ＸＹ位置検出部１６，光透過Ｘ
位置検出部１７，光透過Ｙ位置検出部１８に夫々供給さ
れる。

【００２６】一方、発光素子５から照射されマスク３に
形成されたマーク８，９を透過した透過光は受光素子
６，７で検出されるが、この検出された信号も第１の光
透過ＸＹ位置検出部１５，第２の光透過ＸＹ位置検出部
１６，光透過Ｘ位置検出部１７，光透過Ｙ位置検出部１
８に夫々供給されよう構成されている。また、第１の光
透過ＸＹ位置検出部１５は斜めスキャン司令部１２に接
続されると共に、第１の中心位置測定部１９と接続され
ている。この第１の中心位置測定部１９では後述するよ
うにマーク８，９の仮中心位置が測定される。

【００２７】第１の中心位置測定部１９は、Ｘ方向スキ
ャン司令部１３及びＹ方向スキャン司令部１４と接続さ
れており、各指令部１３，１４に対して仮中心位置を供
給する。また、光透過Ｘ位置検出部１７，光透過Ｙ位置
検出部１８には第２の中心位置測定部２０が接続されて
おり、この第２の中心位置測定部２０において正規のマ
ーク８，９の中心位置が測定される。

【００２８】上記構成を有するマスク位置測定装置１０
が実施するマスク３の位置測定手順について以下説明す
る。

【００２９】マスク位置測定装置１０が起動すると、先
ず斜めスキャン指令部１２がステージ制御部１１に斜め
スキャン指令信号を供給し、この指令信号によりステー
ジ制御部１１はＸ−Ｙステージ４を斜めに移動させる。
これにより発光素子５から発射される光はマスク３上を
走査する。この斜めスキャンは、受光素子６，７が２回
のピークを出力するまでスキャン位置を少しづつ変化さ
せながら繰り返し行われる。

【００３０】受光素子６，７が２回のピークを出力する
と、第１の光透過ＸＹ位置検出部１５はこの各ピークに
おけるＸ座標値及びＹ座標値を記憶する。ここで記憶さ
れる各座標の値は、図１における走査光ｉのＡ_i及びＢ
_iの座標、または図３における走査光ｊのＡ_j及びＢ_j
の座標値である。

【００３１】第１の光透過ＸＹ位置検出部１５が上記ピ
ークのＸ座標値及びＹ座標値を記憶すると、続いて走査
位置を少しずらして再び光を走査させる。この時検出さ
れる２回のピークのＸ座標値及びＹ座標値は、第２の光
透過ＸＹ位置検出部１６に記憶される。ここで記憶され
る各座標の値は、図１における走査光ｉ＋１のＡ_i+1及
びＢ_i+1の座標、または図３における走査光ｊ＋１のＡ
_j+1及びＢ_j+1の座標値である。

【００３２】第１の中心位置測定部１９は、第１及び第
２の光透過ＸＹ位置検出部１５，１６に記憶された各座
標の値を比較判断し、２回のピークの内、１回目におけ
るピークのＸ座標値が略等しく、２回目におけるピーク
のＹ座標値が略等しい場合には、走査光の走査状態が図
１示すＩ型の走査状態であると判定する。一方、第１の
中心位置測定部１９は、２回のピークの内、１回目にお
けるピークのＹ座標値が略等しく、２回目におけるピー
クのＸ座標値が略等しい場合には、走査光の走査状態が
図３示すII型の走査状態であると判定する。尚、この判
定はＸ座標値のみ、或いはＹ座標値のみによっても行う
ことは可能である。

【００３３】このように、受光素子６，７が２回のピー
クを出力した際、この各ピークの座標値により直ちにマ
ーク８，９の中心位置を求めるのではなく、走査位置を
ずらして再度光の走査を行う構成とすることにより、走
査状態がＩ型或いはII型であるかを判定することが可能
となる。よって、マーク８，９の中心位置Ｐの座標を誤
測定することなく（特にII型の場合）、正確に測定する
ことが可能となる。

【００３４】上記までの測定手順により、マーク８，９
の中心位置Ｐの座標を求めることができるが、第１の中
心位置測定部１９で測定される中心位置Ｐの座標の精度
はあまり高いものではない。これは、斜めスキャンはマ
ーク８，９の形成位置を見つけるのを一つの目的とする
ため、精密なスキャンと異なり走査速度及び走査間隔が
広く設定されているためである。よって、高精度に中心
位置Ｐの座標を求めるために、上記までの測定手順によ
り求められたマーク８，９の中心位置Ｐの座標を仮中心
位置として、更に精度の高い高精度スキャンを実施する
ことが行われている。

【００３５】図６及び図７はこの高精度スキャンの手順
を説明するための図である。図６は走査状態がＩ型であ
る場合の高精度スキャンを示しており、図７は走査状態
がII型である場合の高精度スキャンを示している。高精
度スキャンの場合、同図に示すように、走査光の走査方
向はＸ座標方向とＹ座標方向であり、仮中心位置近傍に
おいて実施する。

【００３６】よって、第１の中心位置測定部１９が仮中
心位置を測定すると、この仮中心位置の情報及び走査状
態がＩ型或いはII型であるかの情報はＸ方向スキャン指
令部１３及びＹ方向スキャン指令部１４に供給される。
Ｘ方向スキャン指令部１３及びＹ方向スキャン指令部１
４は、供給される各情報に基づき走査方向の順序及び走
査位置を決定する。

【００３７】いま、第１の中心位置測定部１９から供給
された情報により、走査状態がＩ型であったとすると、
図６に示すマーク８を構成する４本のスリット８ａ〜８
ｄの内、少なくともスリット８ｂ，８ｃは受光素子６，
７の検出領域内に存在していることになる。従って、精
密スキャンの走査手順としては、同図に示すように先ず
Ｘ座標に沿ったスキャンを行い、続いてＹ座標に沿った
スキャンを行う構成とし、また走査位置としては、仮中
心位置よりも左下位置においてスキャンを行う構成とす
れば正規の中心位置の座標を求めることができる。

【００３８】一方、第１の中心位置測定部１９から供給
された情報により、走査状態がII型であったとすると、
図７に示すマーク８を構成する４本のスリット８ａ〜８
ｄの内、少なくともスリット８ａ，８ｄは受光素子６，
７の検出領域内に存在していることになる。従って、図
中破線で示す部分が受光素子６，７の検出領域外に位置
してるとしても、先ずＹ座標に沿ったスキャンを行い、
続いてＸ座標に沿ったスキャンを行う構成とし、また走
査位置としては、仮中心位置よりも右上位置においてス
キャンを行う構成とすれば正規の中心位置の座標を求め
ることができる。

【００３９】Ｘ方向スキャン指令部１３及びＹ方向スキ
ャン指令部１４は、上記の条件を満足させる走査方向の
順序及び走査位置を決定し、これをステージ制御部１１
に供給する。ステージ制御部１１は、供給された情報信
号に基づきＸ−Ｙステージ４を移動させる。これによ
り、正規のＸ座標はピークが生じる矢印Ｃで示す位置の
座標として求めることができ、また正規のＹ座標はピー
クが生じる矢印Ｄで示す位置の座標として求めることが
できる。従って、マスク３の装着位置が大きくずれてい
てマーク８，９の一部が欠けているような場合でも、マ
ーク８，９の中心位置を高精度に測定することができ
る。

【００４０】

【発明の効果】上述の如く本発明によれば、必ずしもＩ
型の走査を行う必要がなくなるため、斜めスキャンを繰
り返す範囲を少なくする（回数を少なくする）ことがで
きるため、マスク位置の測定に要する時間を短縮するこ
とができ、マスク位置測定装置が配設される露光装置の
スループットを向上させることができる。また、マスク
の装着位置が大きくずれているような場合であっても、
マスクの位置を高精度に測定することができるため、マ
スク位置測定装置の信頼性を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例におけるＩ型におけるマスク
位置の測定を説明するため、マーク近傍を拡大して示す
図である。

【図２】Ｉ型における受光素子が出力する波形を示す図
である。

【図３】本発明の一実施例におけるII型におけるマスク
位置の測定を説明するため、マーク近傍を拡大して示す
図である。

【図4 】II型における受光素子が出力する波形を示す図
である。

【図５】本発明の一実施例であるマスク位置測定装置の
構成を示すブロック図である。

【図６】Ｉ型における高精密スキャンを説明するための
図である。

【図７】II型における高精密スキャンを説明するための
図である。

【図８】マスク位置測定装置の外観を示す図である。

【図９】従来のマスク位置測定装置におけるマスク位置
の測定方法を説明するための図である。

【図１０】従来のマスク位置測定装置におけるマスク位
置の測定方法を説明するための図である。

【図１１】従来のマスク位置測定装置におけるマスク位
置の測定方法における問題点を説明するための図であ
る。

【図１２】従来のマスク位置測定装置におけるマスク位
置の測定方法における問題点を説明するための図であ
る。

【符号の説明】

２マスクリング３マスク４Ｘ−Ｙステージ５発光素子６，７受光素子８，９マーク１１ステージ制御部１２斜めスキャン指令部１３Ｘ方向スキャン指令部１４Ｙ方向スキャン指令部１５第１の光透過ＸＹ位置検出部１６第２の光透過ＸＹ位置検出部１７光透過Ｘ位置検出部１８光透過Ｙ位置検出部１９第１の中心位置測定部２０第２の中心位置測定部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者田畑文夫神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地富士通株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】Ｘ座標方向とＹ座標方向に夫々延在する
部分を持つ形状とされると共に光を透過する構成とされ
たマーク（８，９）が形成されたマスク（３）に、上記
Ｘ座標方向及びＹ座標方向と異なる斜め方向に光を走査
させ、該マーク（８，９）を透過してくる透過光を光検
出部により検出して該透過光のＸ座標とＹ座標を検出
し、該透過光のＸ座標とＹ座標より該マーク（８，９）
の中心位置を測定し、該中心位置に基づき該マスク
（３）の位置測定を行うマスク位置測定装置において、上記光を異なる走査位置で走査させる光走査部（１２）
と、上記異なる位置で走査される光の、各位置における該透
過光のＸ座標及びＹ座標の値を求め、求められた各走査
位置における各座標値の関係より該マーク（８，９）の
中心位置を測定する中心位置測定部（１９）とを設けた
ことを特徴とするマスク位置測定装置。
【請求項２】Ｘ座標方向とＹ座標方向に夫々延在する
部分を持つ形状とされると共に光を透過する構成とされ
たマーク（８，９）が形成されたマスク（３）に、上記
Ｘ座標方向及びＹ座標方向と異なる斜め方向に光を走査
させ、該マーク（８，９）を透過してくる２回目の透過
光を光検出部により検出して該透過光のＸ座標とＹ座標
を検出し、該透過光のＸ座標とＹ座標より該マーク
（８，９）の仮中心位置を測定し、該仮中心位置に基づ
き光をＸ座標方向とＹ座標方向に走査させ、該マーク
（８，９）を透過してくる透過光のＸ座標及びＹ座標を
該マーク（８，９）の正規の中心位置として該マスク
（３）の位置測定を行うマスク位置測定装置において、上記光をマーク（８，９）上の第１の位置と、第２の位
置で走査させる光走査部（１２）と、上記第１及び第２の位置で走査される光の、各位置にお
ける該透過光のＸ座標及びＹ座標の値を求め、求められ
た各走査位置における各座標値の関係より該マーク
（８，９）の仮中心位置を測定する中心位置測定部（１
９，２０）とを設け、かつ、該中心位置測定部（１９，２０）により測定され
る、上記第１の位置における光走査により１回目に透過
する透過光のＸ座標と該第２の位置における光走査によ
り１回目に透過する透過光のＸ座標が等しい場合には、
該光を先ずＸ座標方向へ走査させた後Ｙ座標方向に走査
させ、該第１の位置における光走査により２回目に透過する透
過光のＸ座標と該第２の位置における光走査により２回
目に透過する透過光のＸ座標が等しい場合には、該光を
先ずＹ座標方向へ走査させた後Ｘ座標方向に走査させる
ことにより該マーク（８，９）の正規の中心位置を測定
する構成としたことを特徴とするマスク位置測定装置。
【請求項３】該マーク（８，９）の形状を十字形状と
したことを特徴とする請求項１または２のマスク位置測
定装置。