JP2010054604A - パターン形成体の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明は、レーザ光（電磁ビーム）の位置決めを高い精度で、かつ、容易に行うことができるパターン形成体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】パターン形成体の製造方法は、ワーク５に複数の位置決めマークＰ１〜Ｐ４を設けるマーキング工程と、電磁ビーム出射装置（レーザ光出射装置３）から出射される電磁ビームでワーク５の表面を走査する走査工程と、位置決めマークＰ１〜Ｐ４で反射された電磁ビームを電磁ビーム出射装置の検出装置で検出する検出工程と、検出した電磁ビームに基づいて各位置決めマークの位置を算出する算出工程と、算出した各位置決めマークの位置に基づいてワーク５のずれ量を算出し、このずれ量に基づいてパターンデータを補正する補正工程と、補正されたパターンデータに基づいて電磁ビームを明滅させることで、電磁ビームでワーク５に所定パターンの穴部を形成する露光工程と、を備える。
【選択図】図６

Description

本発明は、ワーク（加工対象物）に電磁ビームを照射して所定のパターンを形成する工程を有するパターン形成体の製造方法に関する。

従来、ワークをレーザ加工する方法として、照明装置でワークの加工対象部分に光を照らし、光を照らした部分をＣＣＤカメラで撮影することで加工対象部分の形状を認識し、この認識した加工対象部分の形状に基づいてレーザ出射装置から出射するレーザ光の位置合わせを行う方法が知られている（特許文献１参照）。具体的に、この技術では、ＣＣＤカメラがレーザ出射装置に一体に設けられるとともに、レーザ出射装置とは別に照明装置が設けられている。

そして、ワークを取り付けたステージを動かして、ワークの加工対象部分を照明装置で照射可能な位置（以下、「照射位置」ともいう。）に合わせるとともに、レーザ出射装置を動かして、ＣＣＤカメラで撮像可能な位置（以下、「撮像位置」ともいう。）を合わせることで、ＣＣＤカメラで加工対象部分の形状を認識している。

特開２０００−２８８７５３号公報

しかしながら、従来の技術では、照明装置とＣＣＤカメラとが別装置として構成されているので、温度や湿度などの環境変化によって各装置の位置がずれると、照射位置と撮像位置とがずれて照明装置からの光がＣＣＤカメラに十分取り入れられずに、高い精度で位置決めを行えなくなるおそれがあった。また、ワークに所定形状を形成した後ワークを一度ステージから取り外し、そのワークを再度ステージに付け直して、そのワークの前記所定形状に対して新たな形状を形成する場合には、ワークを取り外す前と付け直した後とでワークの取付位置に誤差が出て、ワークの加工対象部分と撮像位置がずれてしまうため、ワーク等を動かして位置決めし直さなければならないという問題もあった。

そこで、本発明は、レーザ光（電磁ビーム）の位置決めを高い精度で、かつ、容易に行うことができるパターン形成体の製造方法を提供することを目的とする。

前記課題を解決するため、本発明に係るパターン形成体の製造方法は、ワークの表面に複数の位置決めマークを設けるマーキング工程と、電磁ビーム出射装置から出射される電磁ビームで、ステージに支持された前記ワークの表面を走査する走査工程と、前記位置決めマークで反射された電磁ビームを前記電磁ビーム出射装置内に設けられる検出装置で検出する検出工程と、検出した電磁ビームに基づいて各位置決めマークの位置を算出する算出工程と、算出した各位置決めマークの位置に基づいて、前記ステージにおける前記ワークの正規位置に対するワークのずれ量を算出し、このずれ量に基づいて前記ワークに形成する所定パターンに対応したパターンデータを補正する補正工程と、補正されたパターンデータに基づいて前記電磁ビームを明滅させることで、前記電磁ビームで前記ワークに所定パターンの穴部を形成する露光工程と、を備えたことを特徴とする。

ここで、「明滅」とは、明るくなったり暗くなったりする意味をいい、光が完全に消えなくてもよい。

本発明によれば、電磁ビーム出射装置から出射した電磁ビームを電磁ビーム出射装置自身に取り込んで検出装置で検出することで、従来のように環境変化によって照射位置と撮像位置とがずれて照明装置からの光をＣＣＤカメラに十分に取り入れることができなくなるという問題が発生しないので、位置決め精度を高くすることができる。また、電磁ビームでワークの表面を走査して位置決めマークを検出することでステージの正規位置に対するワークのずれ量が算出され、このずれ量に基づいてパターンデータが補正されるので、ワークをステージの正規位置に位置決めし直さなくても、正規位置からずれたワークに対して電磁ビームを容易に位置決めすることができる。

また、本発明は、前記電磁ビームで前記ワークに前記所定パターンとは別の初期パターンの穴部を形成する初期露光工程をさらに備え、前記マーキング工程において、前記電磁ビームで前記ワーク上に位置決めマークを形成するとともに、前記初期露光工程を同時に行ってもよい。

これによれば、マーキング工程において、電磁ビームでワーク上に位置決めマークを形成するとともに、初期パターンの穴部を形成するので、位置決めマークの位置と初期パターンの位置とを関連付けることができる。そのため、例えばこのマーキング工程の後にワークをステージから一度取り外して再度付け直した場合であっても、その後電磁ビームで位置決めマークを検出してパターンデータを補正することで、マーキング工程で形成した初期パターンに対して所定パターンを正確な位置に形成することができる。

また、本発明では、前記位置決めマークが、前記電磁ビームの走査方向に交差する互いに非平行な２本の線を含んで構成されるのが望ましい。

これによれば、位置決めマークを点や電磁ビームの走査方向に沿う線で構成する場合に比べ、電磁ビームで位置決めマークを見つけやすいので、電磁ビームの位置決めをより容易に行うことができる。

また、本発明では、前記位置決めマークを構成する前記２本の線が、前記走査方向に対して５度以上の角度で傾いているのが望ましい。

これによれば、電磁ビームで位置決めマークがより見つけやすくなるので、電磁ビームの位置決めをより容易に行うことができる。

また、本発明では、前記電磁ビームがレーザ光であるとともに、前記ワークには、ヒートモードの形状変化が可能なフォトレジスト層が形成され、前記位置決めマークおよび前記パターンが、前記レーザ光によって前記フォトレジスト層に形成されていてもよい。

なお、フォトレジスト層は、光を熱に変化させ、この熱で気化または飛散して変形する材料で形成されるのが望ましい。また、フォトレジスト層の厚さは、１〜１００００ｎｍの範囲内に設定されるのが望ましく、モノメチンシアニン色素、モノメチンオキソノール色素、ゼロメチンメロシアニン色素、フタロシアニン色素、アゾ色素、アゾ金属錯体色素、ポルフィリン色素、アリリデン色素、クマリン色素、アゾール誘導体、トリアジン誘導体、ベンゾトリアゾール誘導体、１−アミノブタジエン誘導体およびキノフタロン系色素のうち少なくとも１つを含んで形成されるのが望ましい。

これによれば、ナノ〜サブミクロンオーダの微細な穴部をフォトレジスト層に形成することができる。

本発明によれば、位置決めマークで反射された電磁ビームを電磁ビーム出射装置自身で検出するとともに、走査した位置決めマークに基づいてパターンデータを補正するので、電磁ビームの位置決めを高い精度で、かつ、容易に行うことができる。

次に、本発明の一実施形態について、適宜図面を参照しながら詳細に説明する。参照する図面において、図１は本発明の一実施形態に係る加工装置を示す斜視図であり、図２はレーザ光出射装置を示す説明図である。

図１に示すように、加工装置１は、本発明に係るパターン形成体の製造方法の一工程を実行するための装置であり、主に、ステージ２と、電磁ビーム出射装置の一例としてのレーザ光出射装置３と、制御装置４と、駆動装置６とを備えて構成されている。

ステージ２は、円板状の台であり、適宜制御装置４により制御されることで回転軸ＲＡを中心にして回転するように構成されている。また、ステージ２の表面には、略円板状のワーク５が公知の方法により固定されている。

ワーク５は、円板の一部を切り欠いたような形状の基板５１と、基板５１上に形成されるフォトレジスト層５２とを備えて構成されている。そして、本実施形態に係るフォトレジスト層５２は、強い光の照射により光が熱に変換されてこの熱により材料が形状変化して穴部５２ａ（図２参照）を形成することが可能な層であり、いわゆるヒートモード型のフォトレジスト材料の層である。なお、フォトレジスト層５２の具体例については、後で詳述することとする。

そして、このように構成されるワーク５は、その中心がステージ２の回転軸ＲＡに合うようにステージ２上に取り付けられる。

レーザ光出射装置３は、図２に示すように、ワーク５に対して電磁ビームの一例としてのレーザ光を出射する装置であり、駆動装置６によってステージ２の径方向に移動可能となっている。具体的に、レーザ光出射装置３は、レーザ光源３１、第１レンズ３２、第２レンズ３３、ハーフミラー３４、対物レンズ３５、シリンドリカルレンズ３６および検出装置の一例としてのディテクタ３７を備えている。

レーザ光源３１は、レーザ光を出射するものであり、制御装置４によってその出力が調整される。

第１レンズ３２は、レーザ光源３１から出射されたレーザ光のビーム径を拡大するものであり、レーザ光源３１の下流側（レーザ光の進行方向における下流側）に配置されている。

第２レンズ３３は、第１レンズ３２で拡径されたレーザ光を平行な光束に変換するものであり、第１レンズ３２の下流側に配置されている。

ハーフミラー３４は、第２レンズ３３の下流側に配置されており、レーザ光源３１から出射されてくるレーザ光を透過させるとともに、その反対側から戻ってくるレーザ光を所定の方向（レーザ光の光軸方向に対して略直交する方向）へ反射させている。

対物レンズ３５は、ハーフミラー３４を透過してきたレーザ光を集光するためのものであり、ハーフミラー３４の下流側に配置されている。

シリンドリカルレンズ３６は、円柱の一部を切り取った蒲鉾型のレンズであり、一方向にのみ光を収束するレンズとして機能する。そして、このシリンドリカルレンズ３６は、ハーフミラー３４によって反射されるレーザ光の光路上に配置されている。

ディテクタ３７は、シリンドリカルレンズ３６の下流側に配置され、シリンドリカルレンズ３６で集光したレーザ光を４つに分割された光センサで検出する機能を有している。そして、ディテクタ３７の各光センサで検出されたレーザ光の光量は、制御装置４に出力されており、制御装置４は、このレーザ光の光量に基づいて、非点収差法によるフォーカスサーボ制御や、後述する制御を実行する。

なお、レーザ光出射装置３としては、開口数ＮＡが０．３以上のものが好ましく、０．４５以上のものがより好ましく、０．６５以上のものがさらに好ましく、０．８以上のものが最も好ましい。また、レーザ光の波長としては、８００ｎｍ以下が好ましく、７００ｎｍ以下がより好ましく、６００ｎｍ以下がさらに好ましく、５００ｎｍ以下が最も好ましい。

制御装置４は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭ、通信機器などの公知のハードウェア（図示せず）を備えている。以下に、制御装置４の詳細について図面を参照しながら説明する。参照する図面において、図３はＲＯＭからプログラムを読み込んだＣＰＵやハードウェア等をそれぞれ機能的に示したブロック図であり、図４は制御装置の動作を示すフローチャートである。また、図５はワークのフォトレジスト層に形成される各パターン形状を示す平面図（ａ）と、外側の走査ラインを走査したときのパルス信号を示す図（ｂ）と、内側の走査ラインを走査したときのパルス信号を示す図（ｃ）である。

なお、本実施形態では、図５（ａ）に示すように、ワーク５に対して最初に十字状の位置決めマークＰ１〜Ｐ４と四角状の第１パターン（初期パターン）ＦＰとを同じ工程で形成することで位置決めマークＰ１〜Ｐ４と四角状の第１パターンＦＰとを関連付け、その後の工程で、位置決めマークＰ１〜Ｐ４に合わせてＸ字状の第２パターンＳＰを形成することで第１パターンＦＰの中に正確に第２パターンＳＰを形成する制御を実行する制御装置４について説明する。図３に示すように、制御装置４は、記憶手段４１、指示判断手段４２、露光手段４３、走査手段４４、基準位置算出手段４５および加工データ補正手段４６を備えて構成されている。

記憶手段４１は、ワーク５のフォトレジスト層５２に形成するパターン形状の座標データ（パターンデータ）を記憶している。具体的には、図５（ａ）に示すように、４つの位置決めマークＰ１〜Ｐ４、四角状の第１パターンＦＰおよびＸ字状の第２パターンＳＰの座標データを記憶している。

位置決めマークＰ１〜Ｐ４は、レーザ光の走査方向（ステージ２の回転軸ＲＡを中心とする円周方向）と交差する互いに非平行な２本の線Ｌ１，Ｌ２によって十字状に構成されている。なお、各線Ｌ１，Ｌ２とレーザ光の走査方向（各線Ｌ１，Ｌ２の交点における円周方向の接線方向）とのなす角は、５度以上が好ましく、１０度以上がより好ましく、２０度以上が最も好ましい。

図３および図４に示すように、指示判断手段４２は、作業者が加工装置１の図示せぬ操作盤を操作することによって出力される加工指示が、第１パターンＦＰ（および位置決めパターンＰ１等）の加工指示であるか否か（ステップＳ１）や、第２パターンＳＰの加工指示であるか否か（ステップＳ２）を判断する機能を有している。そして、指示判断手段４２は、加工指示が第１パターンＦＰの加工指示であると判断した場合には（Ｓ１；Ｙｅｓ）、そのことを示す第１信号ＦＳを露光手段４３に出力する。また、指示判断手段４２は、加工指示が第２パターンＳＰの加工指示であると判断した場合には（Ｓ１；Ｎｏ→Ｓ２；Ｙｅｓ）、そのことを示す第２信号ＳＳを走査手段４４に出力する。

露光手段４３は、指示判断手段４２から第１信号ＦＳを受けると、記憶手段４１から位置決めマークＰ１〜Ｐ４および第１パターンＦＰの座標データを取得して、この座標データに基づいてレーザ光源３１の明滅パターンを演算し、記憶手段４１に記憶させる。その後、露光手段４３は、ステージ２および駆動装置６を作動させながら、演算した明滅パターンに従ってレーザ光源３１を制御する。これにより、ワーク５の各位置でレーザ光が明滅して、位置決めマークＰ１〜Ｐ４および第１パターンＦＰがワーク５に形成される（ステップＳ３，Ｓ４）。

走査手段４４は、指示判断手段４２から第２信号ＳＳを受けると、ステージ２、駆動装置６およびレーザ光源３１を制御することで、加工時よりも小さな出力のレーザ光でワーク５の表面の外周側の所定範囲を走査する（ステップＳ５）。ここで、走査時におけるレーザ光の出力値は、２ｍＷ以下が好ましく、１ｍＷ以下がより好ましく、０．５ｍＷ以下が最も好ましい。そして、走査手段４４は、走査を開始すると、開始したことを示す走査開始信号を基準位置算出手段４５に出力する。

基準位置算出手段４５は、走査手段４４から走査開始信号を受けると、ディテクタ３７で検出した信号に基づいてワーク５上の各位置決めマークＰ１〜Ｐ４の中心の位置を算出する（ステップＳ６）。そして、この基準位置算出手段４５は、算出した位置を加工データ補正手段４６に出力する。

具体的に、基準位置算出手段４５は、図５（ａ）に示すように、ある走査ラインＳＬ１上をレーザ光で走査する際においてディテクタ３７で検出される一対のパルス信号間の時間Ｔ１（図５（ｂ）参照）に基づいて、このときに走査した各線Ｌ１，Ｌ２上の各点（第１点）の位置を算出する。また、基準位置算出手段４５は、走査ラインＳＬ１よりも内側（径方向にずれた位置）の走査ラインＳＬ２上をレーザ光で走査する際においてディテクタ３７で検出される一対のパルス信号間の時間Ｔ２（図５（ｃ）参照）に基づいて、このときに走査した各線Ｌ１，Ｌ２上の各点（第２点）の位置を算出する。

これにより、各線Ｌ１，Ｌ２が第１点と第２点とで定義され、定義された各線Ｌ１，Ｌ２の交点を算出することで、位置決めマークＰ１の中心の位置が算出される。そして、このような算出を、他の位置決めマークＰ２〜Ｐ４においても行うことで、各位置決めマークＰ１〜Ｐ４の各中心の位置が算出される。

加工データ補正手段４６は、基準位置算出手段４５から各位置決めマークＰ１〜Ｐ４の位置を受けると、各位置決めマークＰ１〜Ｐ４の位置に基づいて、ステージ２におけるワーク５の正規位置に対するワーク５のずれ量を算出し、このずれ量に基づいて第２パターンＳＰの座標データを補正する（ステップＳ７）。具体的には、例えば、走査手段４４で各位置決めマークＰ１〜Ｐ４を走査（検出）したときの各位置決めマークＰ１〜Ｐ４の中心の座標データと、記憶手段４１で記憶している各位置決めマークＰ１〜Ｐ４の中心の座標データとのずれ量を算出し、算出したずれ量に基づいて第２パターンＳＰの座標データを補正する。そして、この加工データ補正手段４６は、補正された第２パターンＳＰの座標データを露光手段４３に出力する。

そして、露光手段４３は、加工データ補正手段４６から補正された第２パターンＳＰの座標データを受けると、この補正された第２パターンＳＰの座標データに基づいてレーザ光源３１の明滅パターンを演算し、記憶手段４１に記憶させる。その後、露光手段４３は、ステージ２および駆動装置６を作動させながら、演算した明滅パターンに従ってレーザ光源３１を制御することで、第２パターンＳＰをワーク５に形成する（ステップＳ８）。

次に、パターン形成体の製造方法について説明する。参照する図面において、図６はマーキング工程を示す平面図（ａ）と、走査工程等を示す平面図（ｂ）と、露光工程を示す平面図（ｃ）である。

図１に示すように、まず、ワーク５をステージ２にセットするとともに、図示せぬ操作盤を操作して第１パターンＦＰを形成するための加工指示を制御装置４に出力する。これにより、第１パターンＦＰの加工指示を受けた制御装置４が前述した処理（Ｓ１；Ｙｅｓ→Ｓ３→Ｓ４）を実行して、図６（ａ）に示すように、４つの位置決めマークＰ１〜Ｐ４と第１パターンＦＰがワーク５に形成される（マーキング工程および初期露光工程）。

この際、各位置決めマークＰ１〜Ｐ４や第１パターンＦＰは、ステージ２の所定位置を基準として、座標データに応じた位置に形成される。なお、本実施形態においては、ステージ２の回転軸ＲＡを基準（０，０）として、各位置決めマークＰ１〜Ｐ４がそれぞれ（−１，−１）、（−１，１）、（１，１）、（１，−１）の位置に形成され、四角状の第１パターンＦＰの右上の角の点ＦＰ１が（０．６，０．６）の位置に形成されるものとする。

その後、ワーク５を一度ステージ２から取り外して、ワーク５のフォトレジスト層５２の表面を洗浄液やエア等で洗浄することで、第１パターンＦＰの形成時にフォトレジスト層５２から発生する異物を除去する。なお、本実施形態では、ワーク５を洗浄する目的で、ワーク５を一度ステージ２から取り外すようにしたが、本発明はこれに限定されず、例えば、現像、エッチング、成膜、次のレジスト塗布などを行う目的で、ワーク５を一度ステージ２から取り外すようにしてもよい。

そして、ワーク５を洗浄した後は、ワーク５を再度ステージ２に付け直す。なお、本実施形態では、この付け直しの際に、図６（ｂ）に示すように、ワーク５が正規位置から右にΔＸだけずれてセットされた例を説明することとする。ここで、本実施形態における正規位置は、ワーク５の中心とステージ２の回転軸ＲＡとが一致するとともに、ワーク５の切り欠き面が図の左右方向に沿う位置とする。

その後、操作盤から第２パターンＳＰを形成するための加工指示を制御装置４に出力する。これにより、第２パターンＳＰの加工指示を受けた制御装置４が前述した処理（Ｓ２；Ｙｅｓ→Ｓ５）を実行して、図６（ｂ）に示すように、ワーク５の各位置決めマークＰ１〜Ｐ４が加工時よりも低出力のレーザ光で走査される（走査工程）。

そして、このレーザ光の走査時において各位置決めマークＰ１〜Ｐ４で反射されたレーザ光はレーザ光出射装置３のディテクタ３７で検出され（検出工程）、この検出値に基づいて制御装置４が各位置決めマークＰ１〜Ｐ４の位置を算出する（算出工程）。具体的に、制御装置４は、ディテクタ３７からの検出値に基づいて、各位置決めマークＰ１〜Ｐ４の中心の位置をそれぞれ（−１＋ΔＸ，−１）、（−１＋ΔＸ，１）、（１＋ΔＸ，１）、（１＋ΔＸ，−１）と算出する。

その後は、算出した各位置決めマークＰ１〜Ｐ４の位置と、記憶手段４１に記憶されている位置決めマークＰ１〜Ｐ４の座標データとを比較することで、正規位置に対するワーク５のずれ量ΔＸを算出し、このΔＸに基づいて記憶手段４１に記録されている第２パターンＳＰの座標データを補正する（補正工程）。その後は、図６（ｃ）に示すように、補正された第２パターンＳＰの座標データに基づいて第２パターンＳＰを形成する（露光工程）。例えば、Ｘ字状の第２パターンＳＰの右上の点ＳＰ１の元の座標データが（０．６，０．６）である場合には、そのＸ（横）成分にΔＸを加えて（０．６＋ΔＸ，０．６）と補正する。これにより、第１パターンＦＰの右上の点ＦＰ１と第２パターンＳＰの右上ＳＰ１の点が一致して、第１パターンＦＰに対して正確に第２パターンＳＰが形成される。

その後は、前述した各パターンが形成されたフォトレジスト層５２をマスクとしてエッチングまたは蒸着等を行った後フォトレジスト層５２を除去することで、所定パターンが形成されたパターン形成体（例えば半導体、表面に凹凸が形成されるＬＥＤ、回折格子、偏光板、反射防止板、波長板など）が製造される。

以上によれば、本実施形態において以下のような効果を得ることができる。
レーザ光出射装置３から出射したレーザ光をレーザ光出射装置３自身に取り込んでディテクタ３７で検出することで、従来のように環境変化によって照射位置と撮像位置とがずれて照明装置からの光をＣＣＤカメラに十分に取り入れることができなくなるという問題が発生しないので、レーザ光の位置決め精度を高くすることができる。また、ワーク５に位置決めマークＰ１〜Ｐ４が設けられているので、レーザ光で位置決めマークＰ１〜Ｐ４を走査するだけでレーザ光を容易に位置決めすることができる。

マーキング工程において、レーザ光でワーク５上に位置決めマークＰ１〜Ｐ４を形成するとともに第１パターンＦＰを形成するので、位置決めマークＰ１〜Ｐ４の位置と第１パターンＦＰの位置とを関連付けることができる。そのため、マーキング工程の後にワーク５をステージ２から一度取り外して再度付け直した場合であっても、その後レーザ光で位置決めマークＰ１〜Ｐ４を走査して検出し、検出した位置決めマークＰ１〜Ｐ４に基づいて第２パターンＳＰの露光すべき位置を補正することで、マーキング工程で形成した第１パターンＦＰに対して第２パターンＳＰを正確な位置に形成することができる。

位置決めマークＰ１〜Ｐ４がレーザ光の走査方向に交差する互いに非平行な２本の線で構成されているので、レーザ光で位置決めマークＰ１〜Ｐ４を見つけやすくなり、レーザ光の位置決めをより容易に行うことができる。

ワーク５にヒートモードの形状変化が可能なフォトレジスト層５２を形成したので、レーザ光をフォトレジスト層５２に当てるだけで、ナノ〜サブミクロンオーダの微細なパターン（穴部）を容易に形成することができる。

なお、本発明は前記実施形態に限定されることなく、以下に例示するように様々な形態で利用できる。
前記実施形態では、同じフォトレジスト層５２上に第１パターンＦＰと第２パターンＳＰを形成したが、本発明はこれに限定されず、例えば、半導体集積回路の製造方法のような方法に本発明を適用してもよい。具体的には、シリコン基板上のシリコン酸化膜（絶縁体）に形成した第１フォトレジスト層に第１パターンを形成した後、エッチングして第１フォトレジスト層を除去し、再度その上から多結晶シリコン（導電体）と第２フォトレジスト層を形成し、この第２フォトレジスト層に第２パターンを形成してエッチング・第２フォトレジスト層の除去を行う方法に本発明を適用してもよい。この場合、第１パターンを形成する際に位置決めマークも形成しておき、第１フォトレジスト層のうち位置決めマークが形成された部分を除去しないようにして後工程で利用できるようにしておけばよい。これによれば、第１フォトレジスト層に第１パターンを形成した後にワークをステージから取り外してエッチング等を行い、再度ステージにワークを付け直しても、第２フォトレジスト層の形成時に位置決めマークを利用して良好に第１パターンに対して第２パターンを形成することができる。

前記実施形態では、第１パターンＦＰとともに位置決めマークＰ１〜Ｐ４を形成したが、本発明はこれに限定されず、位置決めマークＰ１〜Ｐ４を第１パターンＦＰの形成前に設けてもよい。具体的には、例えば、基板５１の形成時に基板５１の表面に凸状に十字の値決めマークを形成しておき、この上からフォトレジスト層５２を塗布したときにフォトレジスト層５２の表面に凸状の位置決めマークが浮き出るようにしてもよい。この場合であっても、第１パターンＦＰの形成時に、凸状の位置決めマークをレーザ光で走査して検出することで、第１パターンＦＰと位置決めマークを関連付けることができるので、その後の工程で第１パターンＦＰに対して第２パターンＳＰを正確に形成することができる。
また、フォトレジスト層５２に位置決めマークＰ１〜Ｐ４を形成した後、エッチングを行ってフォトレジスト層５２を除去することで、基板５１に位置決めマークＰ１〜Ｐ４を溝として残してもよい。また、エッチングを位置決めマークに対して行わないことで、基板に位置決めマークに対応した溝が残らないようにしてもよい。

前記実施形態では、電磁ビームとしてレーザ光を採用したが、本発明はこれに限定されず、Ｘ線などであってもよい。また、電磁ビームで加工する対象物は、前記実施形態のようなヒートモード型のフォトレジスト層５２に限定されず、フォトンモード型のフォトレジスト層や、レーザ加工可能なシリコン等の基板などであってもよい。

前記実施形態では、十字状の位置決めマークＰ１〜Ｐ４を採用したが、本発明はこれに限定されず、電磁ビームの走査方向に交差する互いに非平行な２本の線を含んで構成されていればどのような形状であってもよい。例えば、位置決めマークの形状として、円、三角、菱形、ハ字形などを採用してもよい。

前記実施形態では、レーザ光の走査方向を円周方向としたが、本発明はこれに限定されず、例えばワークを支持するＸＹテーブル等を用いて、レーザ光の走査方向をＸＹ方向（直線方向）としてもよい。
前記実施形態では、位置決めマークを４つ設けたが、本発明はこれに限定されず、２つ以上であれば、いくつであってもよい。

前記実施形態では、走査して算出した位置決めマークＰ１〜Ｐ４の位置と、記憶手段４１に予め記憶されている位置決めマークＰ１〜Ｐ４の位置の座標データとを比較することで、正規位置に対するワーク５のずれ量を算出したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、走査して算出した位置決めマークＰ１〜Ｐ４の位置からステージ２の基準位置（例えば回転軸ＲＡの位置）を算出し、算出した基準位置と、記憶手段に予め記憶しておくステージの基準位置とを比較することで、正規位置に対するワーク５のずれ量を算出してもよい。

なお、前記実施形態で挙げたヒートモード型のフォトレジスト材料の具体例や、フォトレジスト層の加工条件等は、以下に示す通りである。

ヒートモード型のフォトレジスト材料は、従来、光記録ディスクなどの記録層に多用されている記録材料、たとえば、シアニン系、フタロシアニン系、キノン系、スクワリリウム系、アズレニウム系、チオール錯塩系、メロシアニン系などの記録材料を用いることができる。

本発明におけるフォトレジスト層は、色素をフォトレジスト材料として含有する色素型とすることが好ましい。
従って、フォトレジスト層に含有されるフォトレジスト材料としては、色素等の有機化合物が挙げられる。なお、フォトレジスト材料としては、有機材料に限られず、無機材料または無機材料と有機材料の複合材料を使用できる。ただし、有機材料であると、成膜をスピンコートやスプレー塗布により容易にでき、転移温度が低い材料を得易いため、有機材料を採用するのが好ましい。また、有機材料の中でも、光吸収量が分子設計で制御可能な色素を採用するのが好ましい。

ここで、フォトレジスト層の好適な例としては、メチン色素（シアニン色素、ヘミシアニン色素、スチリル色素、オキソノール色素、メロシアニン色素など）、大環状色素（フタロシアニン色素、ナフタロシアニン色素、ポルフィリン色素など）、アゾ色素（アゾ金属キレート色素を含む）、アリリデン色素、クマリン色素、アゾール誘導体、トリアジン誘導体、１−アミノブタジエン誘導体、桂皮酸誘導体、キノフタロン系色素などが挙げられる。中でも、メチン色素、オキソノール色素、大環状色素、アゾ色素が好ましい。

かかる色素型のフォトレジスト層は、露光波長領域に吸収を有する色素を含有していることが好ましい。特に、光の吸収量を示す消衰係数ｋの値は、その上限値が、１０であることが好ましく、５であることがより好ましく、３であることがさらに好ましく、１であることが最も好ましい。また、消衰係数ｋの下限値は、０．０００１であることが好ましく、０．００１であることがより好ましく、０．１であることがさらに好ましい。消衰係数ｋを前述した範囲内に設定すると、穴形状の均一性を高めることができる。

なお、フォトレジスト層は、前記したように露光波長において光吸収があることが必要であり、かような観点からレーザ光源の波長に応じて適宜色素を選択したり、構造を改変することができる。
例えば、レーザ光源の発振波長が７８０ｎｍ（近赤外領域）付近であった場合、ペンタメチンシアニン色素、ヘプタメチンオキソノール色素、ペンタメチンオキソノール色素、フタロシアニン色素、ナフタロシアニン色素などから選択することが有利である。この中でも、フタロシアニン色素またはペンタメチンシアニン色素を用いるのが好ましい。
また、レーザ光源の発振波長が６６０ｎｍ（可視領域）付近であった場合は、トリメチンシアニン色素、ペンタメチンオキソノール色素、アゾ色素、アゾ金属錯体色素、ピロメテン錯体色素などから選択することが有利である。
さらに、レーザ光源の発振波長が４０５ｎｍ（近紫外領域）付近であった場合は、モノメチンシアニン色素、モノメチンオキソノール色素、ゼロメチンメロシアニン色素、フタロシアニン色素、アゾ色素、アゾ金属錯体色素、ポルフィリン色素、アリリデン色素、錯体色素、クマリン色素、アゾール誘導体、トリアジン誘導体、ベンゾトリアゾール誘導体、１−アミノブタジエン誘導体、キノフタロン系色素などから選択することが有利である。

以下、レーザ光源の発振波長が７８０ｎｍ付近であった場合、６６０ｎｍ付近であった場合、４０５ｎｍ付近であった場合に対し、フォトレジスト層（フォトレジスト材料）としてそれぞれ好ましい化合物の例を挙げる。ここで、以下の化学式１，２で示す化合物（Ｉ-１〜Ｉ-１０）は、レーザ光源の発振波長が７８０ｎｍ付近であった場合の化合物である。また、化学式３，４で示す化合物（II-１〜II-８）は、６６０ｎｍ付近であった場合の化合物である。さらに、化学式５，６で示す化合物（III-１〜III-１４）は、４０５ｎｍ付近であった場合の化合物である。なお、本発明はこれらをフォトレジスト材料に用いた場合に限定されるものではない。

＜レーザ光源の発振波長が７８０ｎｍ付近である場合のフォトレジスト材料例＞

＜レーザ光源の発振波長が７８０ｎｍ付近である場合のフォトレジスト材料例＞

＜レーザ光源の発振波長が６６０ｎｍ付近である場合のフォトレジスト材料例＞

＜レーザ光源の発振波長が６６０ｎｍ付近である場合のフォトレジスト材料例＞

＜レーザ光源の発振波長が４０５ｎｍ付近である場合のフォトレジスト材料例＞

＜レーザ光源の発振波長が４０５ｎｍ付近である場合のフォトレジスト材料例＞

また、特開平４−７４６９０号公報、特開平８−１２７１７４号公報、同１１−５３７５８号公報、同１１−３３４２０４号公報、同１１−３３４２０５号公報、同１１−３３４２０６号公報、同１１−３３４２０７号公報、特開２０００−４３４２３号公報、同２０００−１０８５１３号公報、及び同２０００−１５８８１８号公報等に記載されている色素も好適に用いられる。

このような色素型のフォトレジスト層は、色素を、結合剤等と共に適当な溶剤に溶解して塗布液を調製し、次いで、この塗布液を、基板上に塗布して塗膜を形成した後、乾燥することにより形成できる。その際、塗布液を塗布する面の温度は、１０〜４０℃の範囲であることが好ましい。より好ましくは、下限値が、１５℃であり、２０℃であることが更に好ましく、２３℃であることが特に好ましい。また、上限値としては、３５℃であることがより好ましく、３０℃であることが更に好ましく、２７℃であることが特に好ましい。このように被塗布面温度が上記範囲にあると、塗布ムラや塗布故障の発生を防止し、塗膜の厚さを均一とすることができる。
なお、上記の上限値及び下限値は、それぞれが任意で組み合わせることができる。
ここで、フォトレジスト層は、単層でも重層でもよく、重層構造の場合、塗布工程を複数回行うことによって形成される。
塗布液中の色素の濃度は、一般に０．０１〜１５質量％の範囲であり、好ましくは０．１〜１０質量％の範囲、より好ましくは０．５〜５質量％の範囲、最も好ましくは０．５〜３質量％の範囲である。

塗布液の溶剤としては、酢酸ブチル、乳酸エチル、セロソルブアセテート等のエステル；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン等のケトン；ジクロルメタン、１，２−ジクロルエタン、クロロホルム等の塩素化炭化水素；ジメチルホルムアミド等のアミド；メチルシクロヘキサン等の炭化水素；テトラヒドロフラン、エチルエーテル、ジオキサン等のエーテル；エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノールジアセトンアルコール等のアルコール；２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール等のフッ素系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類；等を挙げることができる。なお、フッ素系溶剤、グリコールエーテル類、ケトン類が好ましい。特に好ましいのはフッ素形溶剤、グリコールエーテル類である。更に好ましいのは、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール、プロピレングリコールモノメチルエーテルである。
上記溶剤は使用する色素の溶解性を考慮して単独で、或いは二種以上を組み合わせて使用することができる。塗布液中には、更に、酸化防止剤、ＵＶ吸収剤、可塑剤、潤滑剤等各種の添加剤を目的に応じて添加してもよい。

塗布方法としては、スプレー法、スピンコート法、ディップ法、ロールコート法、ブレードコート法、ドクターロール法、ドクターブレード法、スクリーン印刷法、インクジェット法等を挙げることができる。なお、生産性に優れ膜厚のコントロールが容易であるという点でスピンコート法を採用するのが好ましい。
フォトレジスト層は、スピンコート法による形成に有利であるという点から、有機溶媒に対して０．３ｗｔ％以上３０ｗｔ％以下で溶解することが好ましく、１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下で溶解することがより好ましい。特にテトラフルオロプロパノールに１ｗｔ％以上２０ｗｔ％以下で溶解することが好ましい。また、フォトレジスト材料は、熱分解温度が１５０℃以上５００℃以下であることが好ましく、２００℃以上４００℃以下であることがより好ましい。
塗布の際、塗布液の温度は、２３〜５０℃の範囲であることが好ましく、２４〜４０℃の範囲であることがより好ましく、中でも、２５〜３０℃の範囲であることが特に好ましい。

塗布液が結合剤を含有する場合、結合剤の例としては、ゼラチン、セルロース誘導体、デキストラン、ロジン、ゴム等の天然有機高分子物質；ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイソブチレン等の炭化水素系樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル・ポリ酢酸ビニル共重合体等のビニル系樹脂、ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂、ポリビニルアルコール、塩素化ポリエチレン、エポキシ樹脂、ブチラール樹脂、ゴム誘導体、フェノール・ホルムアルデヒド樹脂等の熱硬化性樹脂の初期縮合物等の合成有機高分子；を挙げることができる。フォトレジスト層の材料として結合剤を併用する場合に、結合剤の使用量は、一般に色素に対して０．０１倍量〜５０倍量（質量比）の範囲にあり、好ましくは０．１倍量〜５倍量（質量比）の範囲にある。

また、フォトレジスト層には、フォトレジスト層の耐光性を向上させるために、種々の褪色防止剤を含有させることができる。
褪色防止剤としては、一般的に一重項酸素クエンチャーが用いられる。一重項酸素クエンチャーとしては、既に公知の特許明細書等の刊行物に記載のものを利用することができる。
その具体例としては、特開昭５８−１７５６９３号公報、同５９−８１１９４号公報、同６０−１８３８７号公報、同６０−１９５８６号公報、同６０−１９５８７号公報、同６０−３５０５４号公報、同６０−３６１９０号公報、同６０−３６１９１号公報、同６０−４４５５４号公報、同６０−４４５５５号公報、同６０−４４３８９号公報、同６０−４４３９０号公報、同６０−５４８９２号公報、同６０−４７０６９号公報、同６３−２０９９９５号公報、特開平４−２５４９２号公報、特公平１−３８６８０号公報、及び同６−２６０２８号公報等の各公報、ドイツ特許３５０３９９号明細書、そして日本化学会誌１９９２年１０月号第１１４１頁等に記載のものを挙げることができる。前記一重項酸素クエンチャー等の褪色防止剤の使用量は、色素の量に対して、通常０．１〜５０質量％の範囲であり、好ましくは、０．５〜４５質量％の範囲、更に好ましくは、３〜４０質量％の範囲、特に好ましくは５〜２５質量％の範囲である。

なお、フォトレジスト層は材料の物性に合わせ、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ等の成膜法によって形成することもできる。

なお、色素は、穴部パターンの加工に用いるレーザ光の波長において、他の波長よりも光の吸収率が高いものが用いられる。
この色素の吸収ピークの波長は、必ずしも可視光の波長域内であるものに限定されず、紫外域や、赤外域にあるものであっても構わない。

なお、穴部パターンを形成するためのレーザ光の波長λｗは、大きなレーザパワーが得られる波長であればよく、例えば、フォトレジスト層に色素を用いる場合は、１９３ｎｍ、２１０ｎｍ、２６６ｎｍ、３６５ｎｍ、４０５ｎｍ、４８８ｎｍ、５３２ｎｍ、６３３ｎｍ、６５０ｎｍ、６８０ｎｍ、７８０ｎｍ、８３０ｎｍなど、１０００ｎｍ以下が好ましい。特に、レーザスポットサイズを小さくして、微細な穴部を形成する観点からは、短い方が望ましい。したがって、レーザ光の波長は８００ｎｍ以下が望ましく、７００ｎｍ以下がより望ましく、６００ｎｍ以下がさらに望ましい。一方、空気による吸収、散乱を抑えて、良好なレーザ加工を行うためには、レーザ光の波長は長い方が望ましい。したがって、レーザ光の波長は、１０ｎｍ以上が望ましく、１００ｎｍ以上がより望ましく、１５０ｎｍ以上がさらに望ましい。例えば、前記したように波長４０５ｎｍのレーザ光を用いるとよい。

また、レーザ光は、連続光でもパルス光でもよいが、自在に発光間隔が変更可能なレーザ光を採用するのが好ましい。例えば、半導体レーザを採用するのが好ましい。レーザを直接オンオフ変調できない場合は、外部変調素子で変調するのが好ましい。

また、レーザパワーは、加工速度を高めるためには高い方が好ましい。ただし、レーザパワーを高めるにつれ、スキャン速度（レーザ光でフォトレジスト層を走査する速度；例えば、前記実施形態に係るステージ２の回転速度）を上げなければならない。そのため、レーザパワーの上限値は、スキャン速度の上限値を考慮して、１００Ｗが好ましく、１０Ｗがより好ましく、５Ｗがさらに好ましく、１Ｗが最も好ましい。また、レーザパワーの下限値は、０．１ｍＷが好ましく、０．５ｍＷがより好ましく、１ｍＷがさらに好ましい。

さらに、レーザ光は、発信波長幅およびコヒーレンシが優れていて、波長並みのスポットサイズに絞ることができるような光であることが好ましい。また、露光ストラテジ（穴部パターンを適正に形成するための光パルス照射条件）は、光ディスクで使われているようなストラテジを採用するのが好ましい。すなわち、光ディスクで使われているような、露光速度や照射するレーザ光の波高値、パルス幅などの条件を採用するのが好ましい。

フォトレジスト層の厚さは、エッチングに用いるエッチングガスの種類や、フォトレジスト層に形成する穴部の深さに対応させるのがよい。
この厚みは、例えば、１〜１００００ｎｍの範囲で適宜設定することができ、厚さの下限は、好ましくは１０ｎｍであり、より好ましくは３０ｎｍである。厚さの下限値を前述した値に設定すると、エッチングマスクとしての効果を十分発揮することができる。また、厚さの上限は、好ましくは１０００ｎｍであり、より好ましくは５００ｎｍである。厚さの上限値を前述した値に設定すると、大きなレーザパワーが不要になるとともに、容易に深い穴を形成することができ、さらには、加工速度を上げることができる。

また、フォトレジスト層の厚さｔと、穴部の直径ｄとは、以下の関係であることが好ましい。すなわち、フォトレジスト層の厚さｔの上限値は、ｔ＜１０ｄを満たす値とするのが好ましく、ｔ＜５ｄを満たす値とするのがより好ましく、ｔ＜３ｄを満たす値とするのがさらに好ましい。また、フォトレジスト層の厚さｔの下限値は、ｔ＞ｄ／１００を満たす値とするのが好ましく、ｔ＞ｄ／１０を満たす値とするのがより好ましく、ｔ＞ｄ／５を満たす値とするのがさらに好ましい。なお、このように穴部の直径ｄとの関係でフォトレジスト層の厚さｔの上限値および下限値を設定すると、前述と同様に、エッチングマスクとしての効果や、加工速度の向上等を発揮することができる。

次に、本発明の効果を確認した一実施例について説明する。
まず、前記実施形態と同様のワークを製造した。具体的には、４インチのシリコン基板上にスピンコートにより１００ｎｍ厚の色素層（フォトレジスト層）を形成することでワークを製造した。

フォトレジスト層の材料としては、下記化学式の色素材料を２０ｍｇ／ｍｌの濃度となるようにＴＦＰ（テトラフルオロプロパノール）溶剤に溶解した。

そして、ワークをパルステック工業株式会社製のＮＥＯ１０００にセットした。このとき、ワークの中心軸と装置のスピンドル中心軸を一致させるようにセットした。その後、ワークを１０００ｒｐｍで回転させつつレーザ光を径方向に移動させることで、前記実施形態と同様の各位置決めマークＰ１〜Ｐ４を、それらの各中心のピッチがそれぞれ５０ｍｍとなるように形成するとともに、各位置決めマークＰ１〜Ｐ４の内側に四角状の第１パターンＦＰを形成した。なお、位置決めマークＰ１〜Ｐ４を構成する各線の長さは、それぞれ１０ｍｍとした。

その後、ワークを装置から一度取り外した後、ドライエッチングで基板を５０ｎｍ削ることで、各位置決めマークＰ１〜Ｐ４と第１パターンＦＰが基板の表面に溝として形成される。そして、洗浄により基板表面のフォトレジスト層を除去した後ＳｉＯ_２膜を１００ｎｍ形成し、再度レジストを塗布して設置した。ワークを１０００ｒｐｍで回転させつつレーザ光を径方向に移動させることで、レーザ光によりスピンドル中心軸から半径５０〜９０ｍｍの範囲を１ｍｍピッチで走査した。そして、そのときのレーザ反射光を検出し、デジタルオシロスコープでデジタルデータとした。このとき、デジタルオシロスコープの別チャンネルでスピンドルの同期信号を検出し、これをトリガとしてデジタルデータを収集した。

そして、収集したデジタルデータから位置決めマークの中心位置を特定した。その後は、この中心位置を基点として第２パターンＳＰの座標データを算出し、この座標データに基づいてレーザ光の位置を制御することで、ワークにＸ字状の第２パターンＳＰを形成した。

以上によれば、第１パターンＦＰの形成後に、ワークが最初の位置とは異なる位置に付け直されても、第１パターンＦＰに対して正確に第２パターンＳＰが形成されることが確認された。

本発明の一実施形態に係る加工装置を示す斜視図である。 レーザ光出射装置を示す説明図である。 ＲＯＭからプログラムを読み込んだＣＰＵやハードウェア等をそれぞれ機能的に示したブロック図である。 制御装置の動作を示すフローチャートである。 ワークのフォトレジスト層に形成される各パターン形状を示す平面図（ａ）と、外側の走査ラインを走査したときのパルス信号を示す図（ｂ）と、内側の走査ラインを走査したときのパルス信号を示す図（ｃ）である。 マーキング工程を示す平面図（ａ）と、走査工程等を示す平面図（ｂ）と、露光工程を示す平面図（ｃ）である。

符号の説明

１ 加工装置
２ ステージ
３ レーザ光出射装置
４ 制御装置
５ ワーク
６ 駆動装置
３１ レーザ光源
３７ ディテクタ
４１ 記憶手段
４２ 指示判断手段
４３ 露光手段
４４ 走査手段
４５ 基準位置算出手段
４６ 加工データ補正手段
５１ 基板
５２ フォトレジスト層
５２ａ 穴部
ＦＰ 第１パターン
Ｌ１ 線
Ｐ１〜Ｐ４ 位置決めマーク
ＳＰ 第２パターン

Claims (8)

1. ワークの表面に複数の位置決めマークを設けるマーキング工程と、
   電磁ビーム出射装置から出射される電磁ビームで、ステージに支持された前記ワークの表面を走査する走査工程と、
   前記位置決めマークで反射された電磁ビームを前記電磁ビーム出射装置内に設けられる検出装置で検出する検出工程と、
   検出した電磁ビームに基づいて各位置決めマークの位置を算出する算出工程と、
   算出した各位置決めマークの位置に基づいて、前記ステージにおける前記ワークの正規位置に対するワークのずれ量を算出し、このずれ量に基づいて前記ワークに形成する所定パターンに対応したパターンデータを補正する補正工程と、
   補正されたパターンデータに基づいて前記電磁ビームを明滅させることで、前記電磁ビームで前記ワークに所定パターンの穴部を形成する露光工程と、を備えたことを特徴とするパターン形成体の製造方法。
2. 前記電磁ビームで前記ワークに前記所定パターンとは別の初期パターンの穴部を形成する初期露光工程をさらに備え、
   前記マーキング工程において、前記電磁ビームで前記ワーク上に位置決めマークを形成するとともに、前記初期露光工程も同時に行うことを特徴とする請求項１に記載のパターン形成体の製造方法。
3. 前記位置決めマークは、
   前記電磁ビームの走査方向に交差する互いに非平行な２本の線を含んで構成されることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のパターン形成体の製造方法。
4. 前記位置決めマークを構成する前記２本の線は、
   前記走査方向に対して５度以上の角度で傾いていることを特徴とする請求項３に記載のパターン形成体の製造方法。
5. 前記電磁ビームがレーザ光であるとともに、
   前記ワークには、ヒートモードの形状変化が可能なフォトレジスト層が形成され、
   前記位置決めマークおよび前記パターンが、前記レーザ光によって前記フォトレジスト層に形成されることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれか１項に記載のパターン形成体の製造方法。
6. 前記フォトレジスト層は、光を熱に変化させ、この熱で気化または飛散して変形する材料で形成されていることを特徴とする請求項５に記載のパターン形成体の製造方法。
7. 前記フォトレジスト層の厚さが、１〜１００００ｎｍの範囲内に設定されていることを特徴とする請求項５または請求項６に記載のパターン形成体の製造方法。
8. 前記フォトレジスト層は、モノメチンシアニン色素、モノメチンオキソノール色素、ゼロメチンメロシアニン色素、フタロシアニン色素、アゾ色素、アゾ金属錯体色素、ポルフィリン色素、アリリデン色素、クマリン色素、アゾール誘導体、トリアジン誘導体、ベンゾトリアゾール誘導体、１−アミノブタジエン誘導体およびキノフタロン系色素のうち少なくとも１つを含んでいることを特徴とする請求項５〜請求項７のいずれか１項に記載のパターン形成体の製造方法。

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