JPH04105341A - 半導体装置のリード曲がり、浮き検出方法及び検出装置 - Google Patents
半導体装置のリード曲がり、浮き検出方法及び検出装置Info
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- JPH04105341A JPH04105341A JP2221302A JP22130290A JPH04105341A JP H04105341 A JPH04105341 A JP H04105341A JP 2221302 A JP2221302 A JP 2221302A JP 22130290 A JP22130290 A JP 22130290A JP H04105341 A JPH04105341 A JP H04105341A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体装置のリードの曲かり、あるいは浮き
状態の検出方法、検出装置に間するものである。
状態の検出方法、検出装置に間するものである。
［従来の技術］
半導体装置の高集積化、微細化に伴い、半導体装置のリ
ードは、その数を増加させると共に、リードピッチの狭
閉化が進み、半導体！ｉｉｉ置のリードの曲かり、浮き
は、プリント基板上の電極との接続不良の原因となり、
接続信頼性の点て問題となっできている。
ードは、その数を増加させると共に、リードピッチの狭
閉化が進み、半導体！ｉｉｉ置のリードの曲かり、浮き
は、プリント基板上の電極との接続不良の原因となり、
接続信頼性の点て問題となっできている。
ここで、曲がりとは、リード列の配列方向に沿ったリー
ドの変形とし７、浮きとは、リード列の配列方向と直角
な方向のリードの変形とする。 従来の半導体装置のリ
ードの曲がり、浮き検出に関する方法の例（特開昭６３
−５２４３号公報、特開昭６２−７９６４４号公報）を
第６図、第７図に示す。
ドの変形とし７、浮きとは、リード列の配列方向と直角
な方向のリードの変形とする。 従来の半導体装置のリ
ードの曲がり、浮き検出に関する方法の例（特開昭６３
−５２４３号公報、特開昭６２−７９６４４号公報）を
第６図、第７図に示す。
′＃！、６図において、１は半導体装置であり、２は、
半導体装置を保持するヘットであり、３は半導体装置の
リードの曲がりを検出するカメラである。
半導体装置を保持するヘットであり、３は半導体装置の
リードの曲がりを検出するカメラである。
この方法は、カメラによって撮像された、画像データの
リード列を横切る１次元画像データの濃淡パターンのピ
ッチおよび反射光の光量により、半導体装置のリードの
曲がりを検出する方法である。
リード列を横切る１次元画像データの濃淡パターンのピ
ッチおよび反射光の光量により、半導体装置のリードの
曲がりを検出する方法である。
また、第７図において、１は半導体装置てあり、４はビ
ーム光を照射させるための投光器、５は一次元光位置検
出器である。
ーム光を照射させるための投光器、５は一次元光位置検
出器である。
この方法は、半導体装置のリード上にビーム光を照射さ
せ、リードからの反射光パルスを受光し、そのパルス間
隔および反射光の光量により半導体装置のリードの曲が
りを検出する方法である。
せ、リードからの反射光パルスを受光し、そのパルス間
隔および反射光の光量により半導体装置のリードの曲が
りを検出する方法である。
［発明が解決しようとする課題］
上記従来技術の第６図の方法は、反射光の光量で検出し
ているため、リード部の表面状態の影響等を受け、検出
の安定性に問題があり、特に半導体装置のリードの浮き
方向においては、高精度な検出が難しい。
ているため、リード部の表面状態の影響等を受け、検出
の安定性に問題があり、特に半導体装置のリードの浮き
方向においては、高精度な検出が難しい。
また、第７図の方法においても、リード浮き検出におい
ては、反射光の光量で検出しているため、リード部の表
面状態の影響等を受け、検出の安定性に問題があり、さ
らにビーム光を使っている為に、全リードの曲がり、浮
きを検出するには、ビーム光を走査するか、あるいは、
半導体装置のリードを、移動させなければならず、検査
時間が増加すると共に、走査あるいは移動のｔｉ７冒決
め精度が、半導体装置のリードの曲がり、浮きの検出に
影響を与えてしまうという問題があった。
ては、反射光の光量で検出しているため、リード部の表
面状態の影響等を受け、検出の安定性に問題があり、さ
らにビーム光を使っている為に、全リードの曲がり、浮
きを検出するには、ビーム光を走査するか、あるいは、
半導体装置のリードを、移動させなければならず、検査
時間が増加すると共に、走査あるいは移動のｔｉ７冒決
め精度が、半導体装置のリードの曲がり、浮きの検出に
影響を与えてしまうという問題があった。
本発明は、半導体装置のリードの曲がり、浮きの検出を
同ｍ構で１テうことがてき、精度良く検出することがで
き、また検出時間を短くすることを目的としており、さ
らに、半導体装置の搭載装置に本発明を適用させる場合
、半導体装置の位置検出器と光切断線の検出器を兼用さ
せ構成を簡単にすることにより、半導体装置のリードの
曲かり、浮きの検出装置を低コストで提供することを目
的とする。
同ｍ構で１テうことがてき、精度良く検出することがで
き、また検出時間を短くすることを目的としており、さ
らに、半導体装置の搭載装置に本発明を適用させる場合
、半導体装置の位置検出器と光切断線の検出器を兼用さ
せ構成を簡単にすることにより、半導体装置のリードの
曲かり、浮きの検出装置を低コストで提供することを目
的とする。
［課題を解決するための手段］
上記の目的を達成するために、半導体装置のリードに光
切断線を照射し、前記リード部を撮像装置て撮像し、前
記撮像装置で撮像された画面上における各リード部の光
切断線の統計的平均位置を演算し、前記統計的平均位置
に基づいて、リード曲がりまたは浮きの少なくとも一方
を検出するようにしたものである。
切断線を照射し、前記リード部を撮像装置て撮像し、前
記撮像装置で撮像された画面上における各リード部の光
切断線の統計的平均位置を演算し、前記統計的平均位置
に基づいて、リード曲がりまたは浮きの少なくとも一方
を検出するようにしたものである。
［作用コ
半導体装置のリードに光切断線を照射して得られた反射
光の輝度分布によって、リードの三次元情報が得られる
。これらの情報から統計的平均位置を求め、半導体装置
のり−Ｆの浮まを検出すると共に、曲がりも検出するこ
とかできる。
光の輝度分布によって、リードの三次元情報が得られる
。これらの情報から統計的平均位置を求め、半導体装置
のり−Ｆの浮まを検出すると共に、曲がりも検出するこ
とかできる。
［実施例コ
以下、添付図面に従って本発明の一実施例を説明する。
第１図は、半導体装置のリードの曲がり、浮きの検出装
置の全体構成図を示しており、第１図のＡはリード部に
対して垂直方向から光切断線を照射し、斜め方向に撮像
装置を設定した場合の配置を示しており、第１図のＢは
リード部に斜めより光切断線を照射し、垂直方向に撮像
装置を設定した場合の配置を示している。１は半導体装
置、２は半導体装置保持部、３はテレビカメラ、６は光
切断線、７は半導体レーザー光源、８．９はレンズ、１
０は反射ミラー、１］は画像外ＴＭ装置、１２は半導体
装置のリード部である。
置の全体構成図を示しており、第１図のＡはリード部に
対して垂直方向から光切断線を照射し、斜め方向に撮像
装置を設定した場合の配置を示しており、第１図のＢは
リード部に斜めより光切断線を照射し、垂直方向に撮像
装置を設定した場合の配置を示している。１は半導体装
置、２は半導体装置保持部、３はテレビカメラ、６は光
切断線、７は半導体レーザー光源、８．９はレンズ、１
０は反射ミラー、１］は画像外ＴＭ装置、１２は半導体
装置のリード部である。
この実施例は、予め所定の位置に用意されている半導体
装置１を半導体装置保持部２で、テレビカメラ３の視野
内に移動し、半導体レーザー光源７より出力された光を
レンズ８によって、光切断１ｉ１６を発生させ、半導体
装置のリード部１２に昭射し、この時得られるリード部
１２の光切断線６の画像をテレビカメラ３て撮像し・、
画像データとして画像処理装置１１に取り込み記憶する
。この時得られる画像データの例を第２図に示す。ここ
て、６は各リード部の光切断線を示しており、第５図の
検出フローチャートに従って、次のような手順で半導体
装置のリード曲かり、浮きを検出する。
装置１を半導体装置保持部２で、テレビカメラ３の視野
内に移動し、半導体レーザー光源７より出力された光を
レンズ８によって、光切断１ｉ１６を発生させ、半導体
装置のリード部１２に昭射し、この時得られるリード部
１２の光切断線６の画像をテレビカメラ３て撮像し・、
画像データとして画像処理装置１１に取り込み記憶する
。この時得られる画像データの例を第２図に示す。ここ
て、６は各リード部の光切断線を示しており、第５図の
検出フローチャートに従って、次のような手順で半導体
装置のリード曲かり、浮きを検出する。
（１）画像データを２１ａ価処理をして、セグメント化
を行い、各リード部の光切断ｇＡＩｖ８を抽出する。
を行い、各リード部の光切断ｇＡＩｖ８を抽出する。
（２）抽出された光切断線部に対して、第３図に示すよ
うに、Ｘ方向においてＸ （Ｊ）で定義される統計的平
均位置を求める。ここで第３図の■は画面上の位置を示
す画素値であり、Ｍ（１）はその位置での明るさを示し
、明るさＭ（１）がＴＨ以上の場合にのみ、Ｘ （Ｊ）
の計算に朝み込むことにし、Ｌ、Ｍは計算に紐み込まれ
る画素値の範囲を示す。また、Ｙ方向についても同様に
求める。
うに、Ｘ方向においてＸ （Ｊ）で定義される統計的平
均位置を求める。ここで第３図の■は画面上の位置を示
す画素値であり、Ｍ（１）はその位置での明るさを示し
、明るさＭ（１）がＴＨ以上の場合にのみ、Ｘ （Ｊ）
の計算に朝み込むことにし、Ｌ、Ｍは計算に紐み込まれ
る画素値の範囲を示す。また、Ｙ方向についても同様に
求める。
（３）光切断線部の統計的平均位置の分布を直線て近似
する。（１４図の直線１３参照）（４）近似した直［１
３から各統計的平均位置へ垂線を引く。（第４図参照） （５）近似した直線１３から各統計的平均位置までの距
離△Ｉを求める。これよりリード部に対して光切断線を
照射した角度と、撮像装置を設定した角度の差をθと定
義する（θは第１図参照）と、半導体装置のリード浮き
量Δｈは例えば下の式で定義することができる。
する。（１４図の直線１３参照）（４）近似した直［１
３から各統計的平均位置へ垂線を引く。（第４図参照） （５）近似した直線１３から各統計的平均位置までの距
離△Ｉを求める。これよりリード部に対して光切断線を
照射した角度と、撮像装置を設定した角度の差をθと定
義する（θは第１図参照）と、半導体装置のリード浮き
量Δｈは例えば下の式で定義することができる。
第１図（Ａ）の場合
Δｈ＝Δ１／ｌａｎθ
第１図（Ｂ）の場合
△ｈ＝Δｌ／ｓｉｎθ
（６）（４）で得られた垂線の間隔ΔＫを求め、半導体
装置のリードに曲がりのない理想的な間隔をＫとすると
、半導体装置のリード曲がり量△Ｐが次の式で定義され
る。
装置のリードに曲がりのない理想的な間隔をＫとすると
、半導体装置のリード曲がり量△Ｐが次の式で定義され
る。
ΔＰ＝ｌΔに−Ｋ １
以上によって、半導体装置のリードの曲がり、浮きを検
出することが可能となることがわかる。
出することが可能となることがわかる。
また、この検出方法は、リード部の相対位置により検出
しているため一辺のリード全体が曲がっているときは、
各辺の近似直線１３の画面上での相対位置の違いによっ
て検出することが可能である。
しているため一辺のリード全体が曲がっているときは、
各辺の近似直線１３の画面上での相対位置の違いによっ
て検出することが可能である。
さらに第１［ｆｆ１（Ａ）で光切断線の照射角度αを小
さくシ（斜め方向から照射する）、角度θをほぼ９０度
とすればリードの浮きに対するΔｌか拡大されて撮像さ
れるので、浮きの検出精度が高くなる。微少な浮きを検
出するには好適である。
さくシ（斜め方向から照射する）、角度θをほぼ９０度
とすればリードの浮きに対するΔｌか拡大されて撮像さ
れるので、浮きの検出精度が高くなる。微少な浮きを検
出するには好適である。
［発明の効果コ
以上説明したように、本発明によれば、プリント基板へ
の半導体装置の搭載前において、半導体装置のリードの
曲がり、あるいは浮きを検出することによって、プリン
ト基板への半導体装置のリード接続の信頼性が向上する
。それと共に、光切断線を用いることにより、半導体装
置のリードの曲がり、浮きの検出が、同機構で行うこと
ができ、かつ検出時間を短くすることができ、さらに、
半導体装置の搭載Ｈ置に本発明を適用させる場合、半導
体装置の位置検出器と光切断線の検出器を兼用させるこ
とここより、高精度、低コストτ半導体水装置のリード
の曲がり、あるいは浮きの検出装置を提供することをか
できる。
の半導体装置の搭載前において、半導体装置のリードの
曲がり、あるいは浮きを検出することによって、プリン
ト基板への半導体装置のリード接続の信頼性が向上する
。それと共に、光切断線を用いることにより、半導体装
置のリードの曲がり、浮きの検出が、同機構で行うこと
ができ、かつ検出時間を短くすることができ、さらに、
半導体装置の搭載Ｈ置に本発明を適用させる場合、半導
体装置の位置検出器と光切断線の検出器を兼用させるこ
とここより、高精度、低コストτ半導体水装置のリード
の曲がり、あるいは浮きの検出装置を提供することをか
できる。
第１図は、本発明による半導体装置のリード曲がり、あ
るいは浮き検出装置における一実施例の側面図、第２図
は光切断線を面実装型ＩＣのり−Ｆ部に照射したときの
入力画像データを示す図、第３図は光切断線の統計的平
均位置の検出方式を説明する図、第４図はリード曲がり
および浮き検出に対する光切断線の統計的平均位置の関
連を示す図、第５図はリード曲がりおよび浮き検出のフ
ローチャート、第６図および第７図は従来の技術で行わ
れているリード曲がり検出方法の説明図でレビカメラ、
４−・・−・ビーム光を照射させるための投光器、５−
一一一次元光位置検出器、６−・−光切断線、７−＝−
半導体レーザー光源、８．９・・−・・レンズ、１０−
−一反射ミラー、１１−−−−一画像処理装置、１２−
半導体装置のリード部、１３ 光切断線の各統計的
平均位置の分布を近似した直線、＄ ３ 図 ；ＬＭ（Ｉ） −Ｌ
るいは浮き検出装置における一実施例の側面図、第２図
は光切断線を面実装型ＩＣのり−Ｆ部に照射したときの
入力画像データを示す図、第３図は光切断線の統計的平
均位置の検出方式を説明する図、第４図はリード曲がり
および浮き検出に対する光切断線の統計的平均位置の関
連を示す図、第５図はリード曲がりおよび浮き検出のフ
ローチャート、第６図および第７図は従来の技術で行わ
れているリード曲がり検出方法の説明図でレビカメラ、
４−・・−・ビーム光を照射させるための投光器、５−
一一一次元光位置検出器、６−・−光切断線、７−＝−
半導体レーザー光源、８．９・・−・・レンズ、１０−
−一反射ミラー、１１−−−−一画像処理装置、１２−
半導体装置のリード部、１３ 光切断線の各統計的
平均位置の分布を近似した直線、＄ ３ 図 ；ＬＭ（Ｉ） −Ｌ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体装置のリードに光切断線を照射し、前記リー
ド部を撮像装置で撮像し、前記撮像装置で撮像された画
面上における各リード部の光切断線から得られた各リー
ドの三次元情報に基づいて、リード曲がりまたは浮きの
少なくとも一方を検出することを特徴とする半導体装置
のリード曲がり、浮き検出方法。 ２、前記光切断線のリード部に対する照射角度を９０度
より小さくし、前記リード部に対して光切断線を照射し
た角度と、前記撮像装置を設定した角度の差をほぼ９０
度としたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の
リード曲がり、浮き検出方法。 ３、半導体装置のリードに光線を照射し、前記リード部
を撮像装置で撮像し、前記撮像装置で撮像された画面上
における光線反射部の統計的平均位置を演算し、前記統
計的平均位置に基づいて、リード曲がりまたは浮きの少
なくとも一方を検出することを特徴とする半導体装置の
リード曲がり、浮き検出方法。 ４、特許請求の項３において、前記光線は光切断線であ
ることを特徴とする請求項３記載の半導体装置のリード
曲がり、浮き検出方法。 ５、半導体装置のリードに光切断線を照射し、前記リー
ド部を撮像装置で撮像し、前記撮像装置で撮像された画
面上における各リード部の光切断線の統計的平均位置を
演算し、前記統計的平均位置に基づいて、リード曲がり
または浮きの少なくとも一方を検出することを特徴とす
る半導体装置のリード曲がり、浮き検出方法。 ６、半導体装置のリードに光切断線を照射する光切断線
発生装置と、 前記リード部を撮像し画像信号を出力する撮像装置と、 前記画像信号を処理する画像処理装置 を備えたことを特徴とする半導体装置のリード曲がり、
浮き検出装置。 ７、特許請求の項６において、 前記画像処理装置は、 画面上における各リード部の光切断線の統計的平均位置
を演算して、前記統計的平均位置に基づいて、リード曲
がり、あるいは浮きを検出する機能を備えたことを特徴
とする請求項６記載の半導体装置のリード曲がり、浮き
検出装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2221302A JPH04105341A (ja) | 1990-08-24 | 1990-08-24 | 半導体装置のリード曲がり、浮き検出方法及び検出装置 |
| EP19910113130 EP0472041A3 (en) | 1990-08-24 | 1991-08-05 | Method and apparatus for detecting deformations of leads of semiconductor device |
| US07/740,605 US5208463A (en) | 1990-08-24 | 1991-08-05 | Method and apparatus for detecting deformations of leads of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2221302A JPH04105341A (ja) | 1990-08-24 | 1990-08-24 | 半導体装置のリード曲がり、浮き検出方法及び検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04105341A true JPH04105341A (ja) | 1992-04-07 |
Family
ID=16764666
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2221302A Pending JPH04105341A (ja) | 1990-08-24 | 1990-08-24 | 半導体装置のリード曲がり、浮き検出方法及び検出装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5208463A (ja) |
| EP (1) | EP0472041A3 (ja) |
| JP (1) | JPH04105341A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012032271A (ja) * | 2010-07-30 | 2012-02-16 | Kobe Steel Ltd | 測定装置 |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2913967B2 (ja) * | 1991-11-14 | 1999-06-28 | 日本電気株式会社 | リード平坦度測定装置 |
| US5307149A (en) * | 1992-08-14 | 1994-04-26 | Elwin M. Beaty | Method and apparatus for zero force part placement |
| EP0638801B1 (en) * | 1993-08-12 | 1998-12-23 | International Business Machines Corporation | Method of inspecting the array of balls of an integrated circuit module |
| US5648853A (en) * | 1993-12-09 | 1997-07-15 | Robotic Vision Systems, Inc. | System for inspecting pin grid arrays |
| US5628110A (en) * | 1994-07-15 | 1997-05-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Inspecting method of an electronic component during a mounting operation of the same onto a substrate |
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| US6075883A (en) | 1996-11-12 | 2000-06-13 | Robotic Vision Systems, Inc. | Method and system for imaging an object or pattern |
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