JP2913967B2 - リード平坦度測定装置 - Google Patents
リード平坦度測定装置Info
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or adjusting assemblages of electric components
- H05K13/08—Monitoring manufacture of assemblages
- H05K13/081—Integration of optical monitoring devices in assembly lines; Processes using optical monitoring devices specially adapted for controlling devices or machines in assembly lines
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、集積回路パッケージの
リード平坦度を測定するリード平坦度測定装置に関し、
特にＴａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ（以
下、ＴＣＰと記す）の外部リードの平坦度を測定するリ
ード平坦度測定装置に関する。
リード平坦度を測定するリード平坦度測定装置に関し、
特にＴａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ（以
下、ＴＣＰと記す）の外部リードの平坦度を測定するリ
ード平坦度測定装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のリード平坦度測定装置で
は図６に示すように、Ｘ−Ｙステージ７１上に位置決め
されたＴＣＰ７０を上部から顕微鏡６５にて人間が観察
して焦点を合わせ、そのときの顕微鏡６５の鏡筒の位置
をリニアスケール６６でセンスして、Ｚデコーダ６７に
て数値化して１つの測定値（対物レンズの先端から観察
している外部リード７２表面までの距離）、即ち図５の
Ｄａｔａ Ｐｏｉｎｔ６１の１つを得、更に外部リード
７２に沿ってＸ−Ｙステージ７１を操作しながら、また
Ｘデコーダ６９、Ｙデコーダ６８、Ｚデコーダ６７に示
される数値を記録しながら同様の測定を繰り返すことに
よって、外部リード７２の外形を把握するのに必要な複
数の測定値、即ち図５のＤａｔａ Ｐｏｉｎｔ６１の全
てを求めている。
は図６に示すように、Ｘ−Ｙステージ７１上に位置決め
されたＴＣＰ７０を上部から顕微鏡６５にて人間が観察
して焦点を合わせ、そのときの顕微鏡６５の鏡筒の位置
をリニアスケール６６でセンスして、Ｚデコーダ６７に
て数値化して１つの測定値（対物レンズの先端から観察
している外部リード７２表面までの距離）、即ち図５の
Ｄａｔａ Ｐｏｉｎｔ６１の１つを得、更に外部リード
７２に沿ってＸ−Ｙステージ７１を操作しながら、また
Ｘデコーダ６９、Ｙデコーダ６８、Ｚデコーダ６７に示
される数値を記録しながら同様の測定を繰り返すことに
よって、外部リード７２の外形を把握するのに必要な複
数の測定値、即ち図５のＤａｔａ Ｐｏｉｎｔ６１の全
てを求めている。
【０００３】また、これらのＤａｔａ Ｐｏｉｎｔ６１
から、それらの回帰直線Ｌｉｎｅ１，Ｌｉｎｅ１と平行
でＤａｔａ Ｐｏｉｎｔ６１の何れかを通り、Ｌｉｎｅ
１上距離最大であるＬｉｎｅ２、同様にＬｉｎｅ１下距
離最大であるＬｉｎｅ３をそれぞれマニュアル演算にて
算出し、Ｌｉｎｅ２とＬｉｎｅ３の距離を算出すること
によってリード平坦度７３を求めている。
から、それらの回帰直線Ｌｉｎｅ１，Ｌｉｎｅ１と平行
でＤａｔａ Ｐｏｉｎｔ６１の何れかを通り、Ｌｉｎｅ
１上距離最大であるＬｉｎｅ２、同様にＬｉｎｅ１下距
離最大であるＬｉｎｅ３をそれぞれマニュアル演算にて
算出し、Ｌｉｎｅ２とＬｉｎｅ３の距離を算出すること
によってリード平坦度７３を求めている。
【０００４】更に、これらの測定及び演算をＴＣＰ７０
上の全ての外部リード７２について実施し、外部リード
７２毎の平坦度７３を求めるとともに、Ｌｉｎｅ２，Ｌ
ｉｎｅ３が通過するＤａｔａ Ｐｏｉｎｔ６１内の点Ｍ
ａｘ Ｐｏｉｎｔ６２，Ｍｉｎ Ｐｏｉｎｔ６３を記録
してゆき、ＴＣＰ７０各辺毎に最大のＭａｘ Ｐｏｉｎ
ｔ６２，最小のＭｉｎ Ｐｏｉｎｔ６３を求めて、その
差を辺の平坦度として求めていた。
上の全ての外部リード７２について実施し、外部リード
７２毎の平坦度７３を求めるとともに、Ｌｉｎｅ２，Ｌ
ｉｎｅ３が通過するＤａｔａ Ｐｏｉｎｔ６１内の点Ｍ
ａｘ Ｐｏｉｎｔ６２，Ｍｉｎ Ｐｏｉｎｔ６３を記録
してゆき、ＴＣＰ７０各辺毎に最大のＭａｘ Ｐｏｉｎ
ｔ６２，最小のＭｉｎ Ｐｏｉｎｔ６３を求めて、その
差を辺の平坦度として求めていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図６に示す従来のリー
ド平坦度測定装置では、人間がマニュアルで測定作業を
実施するため、１つのＤａｔａ Ｐｏｉｎｔの測定に平
均２分を要している。また、１つの外部リード７２の平
坦度を求めるためには、少なくとも５０個のＤａｔａ
Ｐｏｉｎｔが必要であることから、外部リード７２ １
本当たり１００分を必要としていた。
ド平坦度測定装置では、人間がマニュアルで測定作業を
実施するため、１つのＤａｔａ Ｐｏｉｎｔの測定に平
均２分を要している。また、１つの外部リード７２の平
坦度を求めるためには、少なくとも５０個のＤａｔａ
Ｐｏｉｎｔが必要であることから、外部リード７２ １
本当たり１００分を必要としていた。
【０００６】また、ＴＣＰ７０は、最小でも１００本の
外部リード７２を有するため、辺の平坦度を４辺分求め
るには１０，０００分、即ち１６７時間（７日）以上要
していた。
外部リード７２を有するため、辺の平坦度を４辺分求め
るには１０，０００分、即ち１６７時間（７日）以上要
していた。
【０００７】製造工程でのかかる検査工数の増加は、直
接的にＴＰＣ価格の増加，顧客に対するデリバリタイム
の増加を誘発するという問題がある。また顕微鏡６５を
用いての人間の目視作業であるため、測定者間で測定値
のバラツキが大きく、信頼性に欠けるという問題があっ
た。
接的にＴＰＣ価格の増加，顧客に対するデリバリタイム
の増加を誘発するという問題がある。また顕微鏡６５を
用いての人間の目視作業であるため、測定者間で測定値
のバラツキが大きく、信頼性に欠けるという問題があっ
た。
【０００８】本発明の目的は、従来の顕微鏡観察に比べ
高精度測定，検査時間短縮を図るリード平坦度測定装置
を提供することにある。
高精度測定，検査時間短縮を図るリード平坦度測定装置
を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るリード平坦度測定装置は、集積回路パ
ッケージの外部リードにレーザ光線を照射して該外部リ
ードからの反射光を読み取り該反射光を電圧変換するレ
ーザ変位計と、該レーザ変位計の出力電圧をデジタイズ
する機構と、デジタイズした数値を記憶するメモリと、
前記数値から外部リードの平坦度を算出する演算機構
と、前記数値から前記集積回路パッケージの各辺の平坦
度を算出する演算機構と、前記集積回路パッケージを前
記レーザ変位計の下部に位置決め、かつ移送する稼動ス
テージと、前記２つの演算機構が算出した平坦度を記憶
する外部記憶機構と、前記２つの平坦度を表示する出力
機構と、予め平坦度の規格を記憶する外部記憶装置と、
該記憶装置の規格と前記２つの演算機構が算出した平坦
度とを比較して良否判定を行う機構とを有するものであ
る。
め、本発明に係るリード平坦度測定装置は、集積回路パ
ッケージの外部リードにレーザ光線を照射して該外部リ
ードからの反射光を読み取り該反射光を電圧変換するレ
ーザ変位計と、該レーザ変位計の出力電圧をデジタイズ
する機構と、デジタイズした数値を記憶するメモリと、
前記数値から外部リードの平坦度を算出する演算機構
と、前記数値から前記集積回路パッケージの各辺の平坦
度を算出する演算機構と、前記集積回路パッケージを前
記レーザ変位計の下部に位置決め、かつ移送する稼動ス
テージと、前記２つの演算機構が算出した平坦度を記憶
する外部記憶機構と、前記２つの平坦度を表示する出力
機構と、予め平坦度の規格を記憶する外部記憶装置と、
該記憶装置の規格と前記２つの演算機構が算出した平坦
度とを比較して良否判定を行う機構とを有するものであ
る。
【００１０】
【作用】ＴＣＰの個々の外部リードの平坦度及び各辺の
平坦度を、レーザ変位計と稼動ステージを組み合わせた
機構により測定する。
平坦度を、レーザ変位計と稼動ステージを組み合わせた
機構により測定する。
【００１１】
【実施例】次に、本発明を図面を参照して説明する。
【００１２】（実施例１）図１は、本発明の実施例１を
示すシステム構成図、図３はＴＣＰ外形図、図４はレー
ザアレイ変位計の詳細を示す機構図、図５はＴＣＰの外
部リード上の測定位置を示す説明図である。
示すシステム構成図、図３はＴＣＰ外形図、図４はレー
ザアレイ変位計の詳細を示す機構図、図５はＴＣＰの外
部リード上の測定位置を示す説明図である。
【００１３】図において、測定対象のＴＣＰ２８は、回
転ステージ１８上に、図３の位置決め穴５８で位置決め
され固定される。回転ステージ１８上には、図３の位置
決め穴５８と同形状・同ピッチの突起が存在し、それに
よって常に回転ステージ１８の同位置にＴＣＰ２８が固
定できる。
転ステージ１８上に、図３の位置決め穴５８で位置決め
され固定される。回転ステージ１８上には、図３の位置
決め穴５８と同形状・同ピッチの突起が存在し、それに
よって常に回転ステージ１８の同位置にＴＣＰ２８が固
定できる。
【００１４】図１のレーザアレイ変位計１は、図４の半
導体レーザ７６が１６６７個，３０μｍ（図５の測定分
解能６４に同意）ピッチで一列に並んだ投光部７３（長
さ５０ｍｍ）と、その反射光を受光する同幅のエリアＣ
ＣＤ７５の受光部７４を持ち、エリアＣＣＤ７５は、投
光部７３からの距離に応じた電位レベルを１６６７個の
半導体レーザ７６毎に出力する。
導体レーザ７６が１６６７個，３０μｍ（図５の測定分
解能６４に同意）ピッチで一列に並んだ投光部７３（長
さ５０ｍｍ）と、その反射光を受光する同幅のエリアＣ
ＣＤ７５の受光部７４を持ち、エリアＣＣＤ７５は、投
光部７３からの距離に応じた電位レベルを１６６７個の
半導体レーザ７６毎に出力する。
【００１５】図１のレーザアレイ変位計パワーサプライ
２は、図４の半導体レーザ７６及びエリアＣＣＤ７５に
デバイス駆動電力を供給している。
２は、図４の半導体レーザ７６及びエリアＣＣＤ７５に
デバイス駆動電力を供給している。
【００１６】図１のレーザアレイ変位計コントローラ３
は、図４の個々の半導体レーザ７６について投光部７３
からｄ１の距離にある測定対象の外部リード７２の反射
光によるエリアＣＣＤ７５の出力電圧Ｖ（ｄ１）が、予
め記録した投光部７３から既知の距離ｄ０にある基準面
７８からの反射光によるエリアＣＣＤ７５の出力電圧Ｖ
（ｄ０）と、 ｄ０：ｄ１＝Ｖ（ｄ０）：Ｖ（ｄ１） …（１） のリニアリティを保つように電圧出力の補正制御を行
う。
は、図４の個々の半導体レーザ７６について投光部７３
からｄ１の距離にある測定対象の外部リード７２の反射
光によるエリアＣＣＤ７５の出力電圧Ｖ（ｄ１）が、予
め記録した投光部７３から既知の距離ｄ０にある基準面
７８からの反射光によるエリアＣＣＤ７５の出力電圧Ｖ
（ｄ０）と、 ｄ０：ｄ１＝Ｖ（ｄ０）：Ｖ（ｄ１） …（１） のリニアリティを保つように電圧出力の補正制御を行
う。
【００１７】図１のＡ／Ｄ変換器４は、レーザアレイ変
位計コントローラ３から送られてくる１６６７個の電位
レベルをデジタル変換して数値化し、Ｉ／Ｏ５を通じて
電圧・距離変換部６へ送信する。
位計コントローラ３から送られてくる１６６７個の電位
レベルをデジタル変換して数値化し、Ｉ／Ｏ５を通じて
電圧・距離変換部６へ送信する。
【００１８】電圧・距離変換部６は、ＣＰＵ７９内にあ
って、Ｉ／Ｏ５から入力された数値を式（１）に基づい
て距離に変換し、結果を単位値リード平坦度演算部７へ
引き渡す。
って、Ｉ／Ｏ５から入力された数値を式（１）に基づい
て距離に変換し、結果を単位値リード平坦度演算部７へ
引き渡す。
【００１９】回転ステージ１８がセットされた１軸ステ
ージ１９は図１のＡＢ（又はＤＣ）方向に、サーボモー
タ１３によって稼動させられ、その移動量はリニアスケ
ール１４の電位変化によってトレースされる。
ージ１９は図１のＡＢ（又はＤＣ）方向に、サーボモー
タ１３によって稼動させられ、その移動量はリニアスケ
ール１４の電位変化によってトレースされる。
【００２０】リニアスケール１４の出力電位は、デコー
ダ１５によってデジタイズされ、正規化されてサーボモ
ータコントローラ１２へ伝えられる。
ダ１５によってデジタイズされ、正規化されてサーボモ
ータコントローラ１２へ伝えられる。
【００２１】サーボモータコントローラ１２は、外部パ
ラメータファイル２４に予め蓄積された初期値、シフト
移動量をＩ／Ｏ２０，制御部１０，内部メモリ８，Ｉ／
Ｏ１１を通じて伝達されており、デコーダ１５を通じて
送られてくる数値と比較して回転ステージ１８上のＴＣ
Ｐ２８の位置制御を行うと共に、常時この位置情報をＩ
／Ｏ１１，内部メモリ８を通じて制御部１０へ送信す
る。
ラメータファイル２４に予め蓄積された初期値、シフト
移動量をＩ／Ｏ２０，制御部１０，内部メモリ８，Ｉ／
Ｏ１１を通じて伝達されており、デコーダ１５を通じて
送られてくる数値と比較して回転ステージ１８上のＴＣ
Ｐ２８の位置制御を行うと共に、常時この位置情報をＩ
／Ｏ１１，内部メモリ８を通じて制御部１０へ送信す
る。
【００２２】パラメータファイル２４には、ＴＣＰ２８
のどの部分の測定データが必要であるかを示した初期値
とシフト移動量、及びリード平坦度の許容規格が予め記
録されている。
のどの部分の測定データが必要であるかを示した初期値
とシフト移動量、及びリード平坦度の許容規格が予め記
録されている。
【００２３】図３に示す、閉領域Ｌａ−Ｌｂ−Ｌｆ−Ｌ
ｇ，閉領域Ｌｃ−Ｌｄ−Ｌｆ−Ｌｇ，閉領域Ｌｂ−Ｌｃ
−Ｌｅ−Ｌｆ，閉領域Ｌｂ−Ｌｃ−Ｌｇ−Ｌｌが、ＴＣ
Ｐ２８の外部リードに相当する部分であり、測定対象で
ある。
ｇ，閉領域Ｌｃ−Ｌｄ−Ｌｆ−Ｌｇ，閉領域Ｌｂ−Ｌｃ
−Ｌｅ−Ｌｆ，閉領域Ｌｂ−Ｌｃ−Ｌｇ−Ｌｌが、ＴＣ
Ｐ２８の外部リードに相当する部分であり、測定対象で
ある。
【００２４】制御部１０は、パラメータファイル２４の
初期値の中から閉領域Ｌｂ−Ｌｃ−Ｌｅ−Ｌｆ，閉領域
Ｌｂ−Ｌｃ−Ｌｇ−Ｌｌ内（即ち図３の測定対象部５９
ｂ，測定対象部５９ｄ）のＴＣＰ２８の辺ＡＤに最も近
い外部リードまでの距離を研削し、この初期値とサーボ
モータコントローラ１２から送られてくる現状のＴＣＰ
２８の位置を比較して、レーザアレイ変位計１の投光部
７３と測定対象内の外部リードが平行になる位置までＴ
ＣＰ２８が送られたのを確認して、単一リード平坦度演
算部７にデータ取り込み開始の指示を出す。
初期値の中から閉領域Ｌｂ−Ｌｃ−Ｌｅ−Ｌｆ，閉領域
Ｌｂ−Ｌｃ−Ｌｇ−Ｌｌ内（即ち図３の測定対象部５９
ｂ，測定対象部５９ｄ）のＴＣＰ２８の辺ＡＤに最も近
い外部リードまでの距離を研削し、この初期値とサーボ
モータコントローラ１２から送られてくる現状のＴＣＰ
２８の位置を比較して、レーザアレイ変位計１の投光部
７３と測定対象内の外部リードが平行になる位置までＴ
ＣＰ２８が送られたのを確認して、単一リード平坦度演
算部７にデータ取り込み開始の指示を出す。
【００２５】またパラメータファイル２４には、シフト
移動量として外部リードのリード間ピッチが記述されて
おり、制御部１０は最初の外部リードを測定した後、Ｔ
ＣＰ２８がシフト移動量分移動する毎に単一リード平坦
度演算部７にデータ取り込み開始の指示を繰り返す。
移動量として外部リードのリード間ピッチが記述されて
おり、制御部１０は最初の外部リードを測定した後、Ｔ
ＣＰ２８がシフト移動量分移動する毎に単一リード平坦
度演算部７にデータ取り込み開始の指示を繰り返す。
【００２６】単一リード平坦度演算部７では、制御部１
０から指示される毎に、電圧・距離変換部６から送られ
てくる数値群を取り込み、測定対象部５９ｂ，測定対象
部５９ｄ以外を切り捨て、測定対象部５９ｂ，測定対象
部５９ｄそれぞれについて、図５に示す回帰直線Ｌｉｎ
ｅ１を最小自乗法によって算出し、更にＬｉｎｅ１と平
行でＤａｔａ Ｐｏｉｎｔ６１の何れかを通り、Ｌｉｎ
ｅ１上距離最大であるＬｉｎｅ２、同様にＬｉｎｅ１下
距離最大であるＬｉｎｅ３をそれぞれ算出し、Ｌｉｎｅ
２とＬｉｎｅ３の距離を算出することによって、１つの
外部リードに対するリード平坦度９３を求め、結果を内
部メモリ８へ転送する。１つの外部リードの測定からリ
ード平坦度算出までに１０秒を要する。
０から指示される毎に、電圧・距離変換部６から送られ
てくる数値群を取り込み、測定対象部５９ｂ，測定対象
部５９ｄ以外を切り捨て、測定対象部５９ｂ，測定対象
部５９ｄそれぞれについて、図５に示す回帰直線Ｌｉｎ
ｅ１を最小自乗法によって算出し、更にＬｉｎｅ１と平
行でＤａｔａ Ｐｏｉｎｔ６１の何れかを通り、Ｌｉｎ
ｅ１上距離最大であるＬｉｎｅ２、同様にＬｉｎｅ１下
距離最大であるＬｉｎｅ３をそれぞれ算出し、Ｌｉｎｅ
２とＬｉｎｅ３の距離を算出することによって、１つの
外部リードに対するリード平坦度９３を求め、結果を内
部メモリ８へ転送する。１つの外部リードの測定からリ
ード平坦度算出までに１０秒を要する。
【００２７】また、単一リード平坦度演算部７は、測定
対象部５９ｂ，測定対象部５９ｄ内の全ての測定値を一
旦内部メモリ８に転送する。
対象部５９ｂ，測定対象部５９ｄ内の全ての測定値を一
旦内部メモリ８に転送する。
【００２８】制御部１０は、１軸ステージ１９をリード
間ピッチで微小送りをしながら、上述の測定及び演算を
繰り返し、測定対象部５９ｂ，測定対象部５９ｄ内の全
ての外部リードを測定し終えた時点で、１辺平坦度演算
部９に対して演算開始の指示を出すと共に、Ｉ／Ｏ１７
を通じて回転ステージコントローラ１６，サーボモータ
コントローラ１２にも指示を出す。１軸ステージ１９の
ピッチ送りには、１回当たり３秒を要し、回転ステージ
１８の回転には１回当たり２秒を要する。
間ピッチで微小送りをしながら、上述の測定及び演算を
繰り返し、測定対象部５９ｂ，測定対象部５９ｄ内の全
ての外部リードを測定し終えた時点で、１辺平坦度演算
部９に対して演算開始の指示を出すと共に、Ｉ／Ｏ１７
を通じて回転ステージコントローラ１６，サーボモータ
コントローラ１２にも指示を出す。１軸ステージ１９の
ピッチ送りには、１回当たり３秒を要し、回転ステージ
１８の回転には１回当たり２秒を要する。
【００２９】１辺平坦度演算部９は、測定対象部５９
ｂ，測定対象部５９ｄ内の全ての測定値を個々に内部メ
モリ８から読みだして、読みだした全測定値についてＬ
ｉｎｅ２，Ｌｉｎｅ３が通過するＤａｔａ Ｐｏｉｎｔ
６１内の点Ｍａｘ Ｐｏｉｎｔ６２，Ｍｉｎ Ｐｏｉｎ
ｔ６３を求め、更にその中から最大のＭａｘＰｏｉｎｔ
６２，最小のＭｉｎ Ｐｏｉｎｔ６３を求めて、その差
を辺の平坦度として求め、内部メモリ８へ転送する。１
辺の平坦度の演算には１秒を要する。
ｂ，測定対象部５９ｄ内の全ての測定値を個々に内部メ
モリ８から読みだして、読みだした全測定値についてＬ
ｉｎｅ２，Ｌｉｎｅ３が通過するＤａｔａ Ｐｏｉｎｔ
６１内の点Ｍａｘ Ｐｏｉｎｔ６２，Ｍｉｎ Ｐｏｉｎ
ｔ６３を求め、更にその中から最大のＭａｘＰｏｉｎｔ
６２，最小のＭｉｎ Ｐｏｉｎｔ６３を求めて、その差
を辺の平坦度として求め、内部メモリ８へ転送する。１
辺の平坦度の演算には１秒を要する。
【００３０】回転ステージコントローラ１６は、制御部
１０の指示に従って回転ステージ１８を右回りに９０°
回転させ、サーボモータコントローラ１２はサーボモー
タ１３を駆動して１軸ステージ１９を原点まで復帰させ
る。
１０の指示に従って回転ステージ１８を右回りに９０°
回転させ、サーボモータコントローラ１２はサーボモー
タ１３を駆動して１軸ステージ１９を原点まで復帰させ
る。
【００３１】制御部１０は、１辺平坦度演算部９が演算
を終了するのを待って、内部メモリ８から各外部リード
毎のリード平坦度と、各辺（図３のＡＢ辺，ＤＣ辺）の
１辺平坦度を読みだして、Ｉ／Ｏ２１を通じてデータ蓄
積ファイル２５へ保存すると共に、パラメータファイル
２４に記録されているリード平坦度と１辺平坦度とを比
較して良否判定を行い、辺毎の結果及び良否判定結果を
ＣＲＴ２７に表示し、内部メモリ８をリセットする。
を終了するのを待って、内部メモリ８から各外部リード
毎のリード平坦度と、各辺（図３のＡＢ辺，ＤＣ辺）の
１辺平坦度を読みだして、Ｉ／Ｏ２１を通じてデータ蓄
積ファイル２５へ保存すると共に、パラメータファイル
２４に記録されているリード平坦度と１辺平坦度とを比
較して良否判定を行い、辺毎の結果及び良否判定結果を
ＣＲＴ２７に表示し、内部メモリ８をリセットする。
【００３２】これに続く、図３の閉領域Ｌａ−Ｌｂ−Ｌ
ｆ−Ｌｇ，閉領域Ｌｃ−Ｌｄ−Ｌｆ−Ｌｇ内の外部リー
ドの測定については、上述の閉領域Ｌｂ−Ｌｃ−Ｌｅ−
Ｌｆ，閉領域Ｌｂ−Ｌｃ−Ｌｇ−Ｌｌ内の測定と同様で
あるため割愛する。
ｆ−Ｌｇ，閉領域Ｌｃ−Ｌｄ−Ｌｆ−Ｌｇ内の外部リー
ドの測定については、上述の閉領域Ｌｂ−Ｌｃ−Ｌｅ−
Ｌｆ，閉領域Ｌｂ−Ｌｃ−Ｌｇ−Ｌｌ内の測定と同様で
あるため割愛する。
【００３３】（実施例２）図２は、本発明の実施例２を
示すシステム構成図である。
示すシステム構成図である。
【００３４】測定対象のＴＣＰ２８はＸ−Ｙステージ５
７上に、図３の位置決め穴５８で位置決めされ固定され
る。
７上に、図３の位置決め穴５８で位置決めされ固定され
る。
【００３５】図２のレーザ変位計２９，レーザ変位計パ
ワーサプライ３０，レーザ変位計コントローラ３１，Ａ
／Ｄ変換器３２，電圧・距離変換部３４の原理及び役割
は実施例１と同等であるため割愛する。
ワーサプライ３０，レーザ変位計コントローラ３１，Ａ
／Ｄ変換器３２，電圧・距離変換部３４の原理及び役割
は実施例１と同等であるため割愛する。
【００３６】図１のリニアスケール５２，リニアスケー
ル５３の出力電位は、Ｘデコーダ５４，Ｙデコーダ５０
によってデジタイズされ、正規化されてサーボモータコ
ントローラ５５，サーボモータコントローラ４９へ伝え
られる。
ル５３の出力電位は、Ｘデコーダ５４，Ｙデコーダ５０
によってデジタイズされ、正規化されてサーボモータコ
ントローラ５５，サーボモータコントローラ４９へ伝え
られる。
【００３７】サーボモータコントローラ５５，サーボモ
ータコントローラ４９は、外部パラメータファイル３９
に予め蓄積された初期値，シフト移動量をＩ／Ｏ４４，
制御部３８，内部メモリ３５，Ｉ／Ｏ４８，Ｉ／Ｏ４７
を通じて伝達されており、Ｘデコーダ５４，Ｙデコーダ
５０を通じて送られてくる数値と比較してＸ−Ｙステー
ジ５７上のＴＣＰ２８の位置制御を行うと共に、常時こ
の位置情報を制御部３８へ送信する。
ータコントローラ４９は、外部パラメータファイル３９
に予め蓄積された初期値，シフト移動量をＩ／Ｏ４４，
制御部３８，内部メモリ３５，Ｉ／Ｏ４８，Ｉ／Ｏ４７
を通じて伝達されており、Ｘデコーダ５４，Ｙデコーダ
５０を通じて送られてくる数値と比較してＸ−Ｙステー
ジ５７上のＴＣＰ２８の位置制御を行うと共に、常時こ
の位置情報を制御部３８へ送信する。
【００３８】パラメータファイル３９には、ＴＣＰ２８
のどの部分の測定データが必要であるかを示した初期値
とシフト移動量、及びリード平坦度の許容規格が予め記
録されている。
のどの部分の測定データが必要であるかを示した初期値
とシフト移動量、及びリード平坦度の許容規格が予め記
録されている。
【００３９】制御部３８は、パラメータファイル３９の
初期値の中から、図３のＴＣＰ２８の角Ａから閉領域Ｌ
ａ−Ｌｂ−Ｌｆ−Ｌｇ（即ち図３の測定対象部５９ｃ）
の最もＬｆ寄りの外部リードの最もＬａに近い点のＸ−
Ｙステージ５７上での座標を読みだし、この初期値と、
サーボモータコントローラ５５，サーボモータコントロ
ーラ４９から送られてくる現状のＴＣＰ２８の位置を比
較して、レーザ変位計２９の投光部７３が外部リードと
重なる位置までＴＣＰ２８が送られたのを確認して、内
部メモリ３５にデータ取り込み開始の指示を出す。
初期値の中から、図３のＴＣＰ２８の角Ａから閉領域Ｌ
ａ−Ｌｂ−Ｌｆ−Ｌｇ（即ち図３の測定対象部５９ｃ）
の最もＬｆ寄りの外部リードの最もＬａに近い点のＸ−
Ｙステージ５７上での座標を読みだし、この初期値と、
サーボモータコントローラ５５，サーボモータコントロ
ーラ４９から送られてくる現状のＴＣＰ２８の位置を比
較して、レーザ変位計２９の投光部７３が外部リードと
重なる位置までＴＣＰ２８が送られたのを確認して、内
部メモリ３５にデータ取り込み開始の指示を出す。
【００４０】またパラメータファイル３９のシフト移動
量には、外部リードのリード間ピッチ及びデータ取り込
み間隔（図５の測定分解能６４に同意）が記述されてお
り、制御部３８はＸ−Ｙステージ５７がＴＣＰ２８を辺
ＡＢに平行に、ＡからＢに向かって測定分解能６４の間
隔で送るのに合わせて測定を行うように制御し、更に直
線Ｌａ−Ｌｂ間の送りを終了すると、辺ＡＤに平行に、
ＡからＤに向かってリード間隔分シフトするよう制御す
る。
量には、外部リードのリード間ピッチ及びデータ取り込
み間隔（図５の測定分解能６４に同意）が記述されてお
り、制御部３８はＸ−Ｙステージ５７がＴＣＰ２８を辺
ＡＢに平行に、ＡからＢに向かって測定分解能６４の間
隔で送るのに合わせて測定を行うように制御し、更に直
線Ｌａ−Ｌｂ間の送りを終了すると、辺ＡＤに平行に、
ＡからＤに向かってリード間隔分シフトするよう制御す
る。
【００４１】この一連の測定を繰り返して測定対象部５
９ｃ内の全外部リードを測定終了した時点で、制御部３
８は単一リード平坦度演算部３７と１辺平坦度演算部３
６に指示を出し、内部メモリ３５をリセットする。
９ｃ内の全外部リードを測定終了した時点で、制御部３
８は単一リード平坦度演算部３７と１辺平坦度演算部３
６に指示を出し、内部メモリ３５をリセットする。
【００４２】単一リード平坦度演算部３７は、内部メモ
リ３５から外部リード１本分のデータを読み込んで、前
述の実施例１と同様の手法でリード平坦度を算出し、こ
れを外部リード本数分繰り返す。
リ３５から外部リード１本分のデータを読み込んで、前
述の実施例１と同様の手法でリード平坦度を算出し、こ
れを外部リード本数分繰り返す。
【００４３】各平坦度算出以降の制御部３８の機能，デ
ータ蓄積ファイル４０，ＣＲＴ４２の機能は、実施例１
と同様であるため割愛する。
ータ蓄積ファイル４０，ＣＲＴ４２の機能は、実施例１
と同様であるため割愛する。
【００４４】制御部３８は、１辺の測定が終了すると、
閉領域Ｌｅ−Ｌｆ−Ｌｂ−Ｌｃ（即ち図３の測定対象部
５９ｂ），閉領域Ｌｃ−Ｌｄ−Ｌｆ−Ｌｇ（即ち図３の
測定対象部５９ａ），閉領域Ｌｇ−Ｌｈ−Ｌｂ−Ｌｃ
（即ち図３の測定対象部５９ｄ）の順番に、Ｘ−Ｙステ
ージ５７を駆動し、４辺全てについて測定及び平坦度算
出を実施する。
閉領域Ｌｅ−Ｌｆ−Ｌｂ−Ｌｃ（即ち図３の測定対象部
５９ｂ），閉領域Ｌｃ−Ｌｄ−Ｌｆ−Ｌｇ（即ち図３の
測定対象部５９ａ），閉領域Ｌｇ−Ｌｈ−Ｌｂ−Ｌｃ
（即ち図３の測定対象部５９ｄ）の順番に、Ｘ−Ｙステ
ージ５７を駆動し、４辺全てについて測定及び平坦度算
出を実施する。
【００４５】本実施例では、１辺ずつ４回に分けて測定
しているため、２辺ずつ処理する前述の実施例１に比べ
て内部メモリ３５を節約できるという特徴があり、４辺
独立して測定するため、対辺の外部リードの配置及び数
が異なるようなＴＣＰ２８でも測定でき、対辺が対象で
あるＴＣＰ２８しか測定できない前述の実施例１に比べ
て自由度が高いという特徴がある。
しているため、２辺ずつ処理する前述の実施例１に比べ
て内部メモリ３５を節約できるという特徴があり、４辺
独立して測定するため、対辺の外部リードの配置及び数
が異なるようなＴＣＰ２８でも測定でき、対辺が対象で
あるＴＣＰ２８しか測定できない前述の実施例１に比べ
て自由度が高いという特徴がある。
【００４６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、測
定から平坦度算出まで自動で行うため、従来の測定装置
に比べて測定者による測定値のバラツキを排除すること
ができ、レーザ変位計を用いた計測機構と、サーボモー
タを用いた位置決め機構により測定時間を大幅に短縮で
きる（従来の１／５００）という効果がある。
定から平坦度算出まで自動で行うため、従来の測定装置
に比べて測定者による測定値のバラツキを排除すること
ができ、レーザ変位計を用いた計測機構と、サーボモー
タを用いた位置決め機構により測定時間を大幅に短縮で
きる（従来の１／５００）という効果がある。
【図１】本発明の実施例１を示すシステム構成図であ
る。
る。
【図２】本発明の実施例２を示すシステム構成図であ
る。
る。
【図３】ＴＣＰ外形図である。
【図４】レーザアレイ変位計の詳細を示す機構図であ
る。
る。
【図５】ＴＣＰの外部リード上の測定位置を示す説明図
である。
である。
【図６】従来技術を示す説明図である。
１ レーザアレイ変位計 ２ レーザアレイ変位計パワーサプライ ３ レーザアレイ変位計コントローラ ４，３２ Ａ／Ｄ変換器 ５，１１，１７，２０〜２３，４３〜４８ Ｉ／Ｏ ６，３４ 電圧・距離変換部 ７，３７ 単一リード平坦度演算部 ８，３５ 内部メモリ ９，３６ １辺平坦度演算部 １０，３８ 制御部 １２，４９，５５ サーボモータコントローラ １３，５１，５６ サーボモータ １４，５２，５３ リニアスケール １５ デコーダ １６ 回転ステージコントローラ １８ 回転ステージ １９ １軸ステージ ２４，３９ パラメータファイル ２５，４０ データ蓄積ファイル ２６，４１ キーボード ２７，４２ ＣＲＴ ２８，７０ ＴＣＰ ２９ レーザ変位計 ３０ レーザ変位計パワーサプライ ３１ レーザ変位計コントローラ ５０，６８ Ｙデコーダ ５４，６９ Ｘデコーダ ５７，７１ Ｘ−Ｙステージ ５８ 位置決め穴 ５９ａ〜５９ｄ 測定対象部 ６０，７９ ＣＰＵ ６１ Ｄａｔａ Ｐｏｉｎｔ ６２ Ｄａｔａ Ｐｏｉｎｔの最大値 ６３ Ｄａｔａ Ｐｏｉｎｔの最小値 ６４ 測定分解能 ６５ 顕微鏡 ６７ Ｚデコーダ ７２ 外部リード ７３ 投光部 ７４ 受光部 ７５ エリアＣＣＤ ７６ 半導体レーザ ７７ レンズ ７８ 基準面
Claims (1)
- 【請求項１】 集積回路パッケージの外部リードにレー
ザ光線を照射して該外部リードからの反射光を読み取り
該反射光を電圧変換するレーザ変位計と、 該レーザ変位計の出力電圧をデジタイズする機構と、 デジタイズした数値を記憶するメモリと、 前記数値から外部リードの平坦度を算出する演算機構
と、 前記数値から前記集積回路パッケージの各辺の平坦度を
算出する演算機構と、 前記集積回路パッケージを前記レーザ変位計の下部に位
置決め、かつ移送する稼動ステージと、 前記２つの演算機構が算出した平坦度を記憶する外部記
憶機構と、 前記２つの平坦度を表示する出力機構と、 予め平坦度の規格を記憶する外部記憶装置と、 該記憶装置の規格と前記２つの演算機構が算出した平坦
度とを比較して良否判定を行う機構とを有することを特
徴とするリード平坦度測定装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3326462A JP2913967B2 (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | リード平坦度測定装置 |
| US07/985,941 US5268743A (en) | 1991-11-14 | 1992-11-16 | Apparatus for measuring flatness of outer lead |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3326462A JP2913967B2 (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | リード平坦度測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05136237A JPH05136237A (ja) | 1993-06-01 |
| JP2913967B2 true JP2913967B2 (ja) | 1999-06-28 |
Family
ID=18188082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3326462A Expired - Fee Related JP2913967B2 (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | リード平坦度測定装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5268743A (ja) |
| JP (1) | JP2913967B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5402505A (en) * | 1993-10-18 | 1995-03-28 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor device lead inspection system |
| JP5385703B2 (ja) * | 2009-06-29 | 2014-01-08 | 株式会社ニッケ機械製作所 | 検査装置、検査方法および検査プログラム |
| CN105259178B (zh) * | 2015-11-20 | 2019-03-15 | 云南卡索实业有限公司 | 一种剪切类线性痕迹激光检测系统 |
| CN118293833B (zh) * | 2024-06-04 | 2024-08-30 | 河南鑫亨佳建筑工程有限公司 | 一种建筑工程平整度检测装置及方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2805909B2 (ja) * | 1989-11-10 | 1998-09-30 | 松下電器産業株式会社 | 電子部品のリードの計測装置及び計測方法 |
| JP2890578B2 (ja) * | 1989-12-25 | 1999-05-17 | ソニー株式会社 | Ｉｃリード検査装置とｉｃリード検査方法 |
| JPH04105341A (ja) * | 1990-08-24 | 1992-04-07 | Hitachi Ltd | 半導体装置のリード曲がり、浮き検出方法及び検出装置 |
-
1991
- 1991-11-14 JP JP3326462A patent/JP2913967B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-11-16 US US07/985,941 patent/US5268743A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05136237A (ja) | 1993-06-01 |
| US5268743A (en) | 1993-12-07 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |