KR960002515A - 노광방법 및 이 방법을 사용한 노광장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 제1물체패턴을 제2물체에 투영하는 투영광학계, 제2물체 위에 형성된 마크의 위치를 검출하기 위해 투영광학계에 대해 미리 결정된 위치에서 검출지대를 지닌 마크위치검출광학계, 및 제2물체의 표면위치를 검출하기 위해 투영광학계에 대해 미리 결정된 다른 위치에서 다른 검출지대를 지닌 복수의 표면위치검출장치를 구비한 노광장치의 노광방법으로, 이 방법에서 마크위치검출광학계의 검출지대내에 마크를 위치시키고, 표면위치검출장치를 사용하여 제2물체의 표면위치를 검출하여, 복수의 검출결과를 각각 표면위치검출장치로 생성하며, 또 마크위치검출광학계를 통해 마크의 위치를 검출하기 위해, (ⅰ) 표면위치의 검출결과 및 (ⅱ) 마크위치검출광학계의 검출지대와 표면위치검출장치의 검출지대 사이의 위치관계에 따라, 마크와 마크위치검출광학계의 초점면 사이의 편차를 결정하는 단계로 이루어진다.

Description

노광방법 및 이 방법을 사용한 노광장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 실시예에 따른 스탭앤드리핏형 노광장치의 사시도.
제4도는 본 발명에 따른 위치맞춤계에 의한 축소투영노광장치의 개략도.

Claims (13)

  1. 제1물체의 패턴을 제2물체상에 투영하는 투영광학계와, 투영광학계에 대해 미리 결정된 위치에서 검출지대를 지니고, 제2물체상에 형성된 마크위치를 검출하는 마크위치검출광학계와, 투영광학계에 대해 미리 결정된 다른 위치에서 다른 검출지대를 지니고, 제2물체의 표면위치를 검출하는 복수의 표면위치 검출장치를 구비한 노광장치의 노광방법으로, 마크위치검출광학계의 검출지대 내에 마크를 위치시키는 단계; 표면위치검출장치를 사용하여 제2물체의 표면위치를 검출하여, 표면위치검출장치로 복수의 검출결과를 생성하는 단계; 및 마크위치검출광학계를 통해 마크의 위치를 검출하기 위해, (ⅰ) 표면위치의 상기 검출결과 및 (ⅱ) 마크위치검출광학계의 검출지대와 표면위치검출장치의 검출지대 사이의 위치관계에 의거하여, 마크와 마크위치검출광학계의 초정면 사이의 편차를 결정하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 결정단계는, 제2물체의 마크의 미리 검출된 위치에 의거하여 상기 검출단계에서 검사결과 중의 적어도 하나를 선택하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 결정단계는 마크위치검출광학계의 검출지대와 표면위치검추장치의 검출지대 사이의 거리에 따라, 상기 검출단계에서의 결과를 가중하고, 편차를 계산하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 결정단계는 상기 검출단계에서의 결과에 의거하여 제2물체의 근사평면을 계산하여 편차를 결정하는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  5. 제1물체의 패턴을 제2물체상에 투영하는 투영광학계; 제2물체 위의 마크위치를 검출하기 위해, 상기 투영광학계에 대해 미리 결정된 위치에서 검출지대를 지닌 마크위치검출광학계; 제2물체의 표면위치를 검출하기 위해, 상기 투영광학계에 대해 미리 결정된 다른 위치에서 다른 검출지대를 지닌 복수의 표면위치검출수단; 상기 투영광학계의 광축에 수직방향으로 제2물체를 이동시키는 구동수단; 및 상기 마크위치검출광학계의 검출지대내에 마크를 위치시키도록 상기 구동수단을 작동시키며; 상기 복수의 표면위치검출수단을 사용하여 제2물체의 표면위치를 검출함으로서 복수의 검출결과를 생성시키며; 상기 마크위치검출광학계를 통해 마크의 위치를 검출하기 위해 (ⅰ) 상기 표면위치검출결과, 및 (ⅱ) 상기 마크위치검출광학계의 검출지대와 상기 복수의 포면위치검출수단의 검출지대 사이의 위치관계에 의거하여 마크와 마크검출광학계의 초점면간의 편차를 결정하는 제어수단을 구비한 것을 특징으로 하는 노광장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제어수단은 제2물체의 마크의 미리 검출된 위치에 의거하여 상기 검출결과 중의 적어도 하나를 선택하는 것을 특징으로서 하는 노광장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 제어수단은 상기 마크위치검출광학계의 검출지대와 상기 복수의 표면위치검출수단의 검출지대간의 거리에 따라 상기 검출결과를 가중하고, 편차를 계산하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  8. 제5항에 있어서, 상기 제어수단은 상기 검출결과에 의거하여 제2물체의 근사평면을 계산하고 편차를 결정하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  9. 동일패턴구조가 형성된 노광지대가 배열된 제1물체를 순차 이동하고, 제2물체패턴을, 노광스테이션에 순차 공급된 제1물체의 노광지대에 프린트하는 노광계와, 다른 위치에서 제1물체의 표면위치를 검출하기 위해, 노광계에 대해 미리 결정된 다른 검출지대를 지니는 표면위치검출수단을 구비한 노광장치의 노광방법으로, 상기 표면위치검출수단을 통해 제1물체의 표면위치검출시, 노광지대의 미리 결정된 것에 관한 것으로 패턴구조에 의존하는 오차가 다른 노광지대에 관한 유사오차와 다른 경우, 미리 결정된 노광지대가 노광스테이션에 인접한 미리 결정된 위치에 있고, 패턴구조에 의존하는 표면위치의 검출시의 오차를 검출하는 오차검출단계; 미리 결정된 노광지대를 미리 결정된 위치로 이동시키고, 다른 위치에서 표면위치검출수단을 통해 제1물체의 표면위치를 검출하는 표면위치 검출단계; 검출오차에 의거하여, 상기 표면위치검출단계에서 얻은 측정값을 보정하는 보정단계; 및 제2물체의 패턴을 미리 결정된 위치에서 노광스테이션으로 이동해 있는 미리 결정된 노광지대 위에 프린트하기 전에 보정된 측정값에 의거하여 제1물체의 자세를 조정하는 조정단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 방법은 미리 결정된 노광지대를 노광스테이션으로 이동시키고 다른 위치에서 표면위치검출수단을 사용하여 제1물체의 표면위치를 검출하는 제2표면위치검출단계 및, 상기 제2표면위치검출단계에서 얻은 표면위치의 검출결과 중의 적어도 하나에 의거하여 제1, 제2물체 사이의 간격방향에 대해 제1물체의 위치를 조정하는 제2조정단계로 더욱 이루이지는 것을 특징으로 하는 노광방법.
  11. 동일패턴구조가 형성된 노광지대가 배열된 제1물체를 순차 이동하고, 노광계를 통해 제2물체패턴을, 노광스테이션에 순차 공급된 제1물체의 노광지대에 프린트하는 노광장치로서, 상기 노광장치는 제1물체를 이동시키는 제1구동수단; 제1물체의 자세를 변화시키는 제2구동수단; 제1물체의 표면위치를 다른 위치에서 검출하기 위해, 상기 노광계에 대해 미리 결정된 다른 검출지대를 지니는 표면위치검출수단; 및 제어수단으로 이루어지고, 상기 표면위치검출수단을 통해 제1물체의 표면위치를 검출할 때, 노광지대의 미리 결정된 것에 관련되고, 패턴구조에 의존하는 오차가 다른 노광지대에 관한 유사오차와 다를 경우, 상기 제어수단은, 미리 결정된 노광지대가 노광스테이션에 인접한 미리 결정된 위치에 있고 패턴구조에 의존하는 표면위치검출시의 오차를 검출하도록 작용하고; 미리 결정된 노광지대를 미리 결정된 위치로 이동시키고, 다른 위치에서 상기 표면위치검출수단을 통해 제1물체의 표면위치를 검출하도록 작용하고; 검출오차에 의거하여 표면위치의 측정값을 보정하도록 작용하고; 상기 제2구동수단을 통해 제2물체의 패턴이 미리 결정된 위치에서 노광스테이션으로 이동한 미리 결정된 노광지대상에 프린트되기 전에 보정된 측정값에 의거하여 제1물체의 자세를 조정하도록 작용하는 제어수단을 구비한 것을 특징으로 하는 노광장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제어수단은 미리 결정된 노광지대에서 미리 결정된 스테이션으로 이동시키고, 다른 위치에서 상기 표면위치검출수단을 사용하여 제1물체의 표면위치를 검출하며, 표면위치검출결과 중의 적어도 하나에 의거하여 제1, 제2물체간의 간격 방향에 대해 제1물체의 위치를 조정하는 작용을 하는 것을 특징으로 하는 노광장치.
  13. 동일패턴 구조가 형성된 노광지대가 배열된 레지스트피복웨이퍼를 순차 이동하고, 마스크패턴을 노광스테이션에 순차 공급된 웨이퍼의 노광지대에 프린트하는 노광계, 다른 위치에서 웨이퍼의 표면위치를 검출하기 위해 노광계에 대해 미리 결정된 다른 검출지대를 지니는 표면위치검출수단을 구비한 노광장치를 사용하여 소자를 제조하는 방법으로, 표면위치검출수단을 통해 웨이퍼의 표면위치검출시, 노광지대의 미리 결정된 것에 관한 것으로 패턴구조에 의존하는 오차가 따른 노광지대에 관한 유사오차와 다른 경우, 미리 결정된 노광지대가 노광스테이션에 인접한 미리 결정된 위치이고, 패턴구조에 의존하는 표면위치의 검출시의 오차를 검출하는 오차검출단계; 미리 결정된 노광지대를 미리 결정된 위치로 이동시키고 다른 위치에서 표면위치검출수단을 통해 웨이퍼의 표면위치를 검출하는 표면위치검출단계; 검출오차에 의거하여, 상기 표면위치검출단계에서 얻은 측정값을 보정하는 보정단계; 및 마스크의 패턴을 미리 결정된 위치에서 노광스테이션으로 이동해 있는 미리 결정된 노광지대위에 프린트하기 전에 보정된 측정값에 의거하여 웨이퍼의 자세를 조정하는 조정단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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