JP2001203148A - 露光における間隙測定装置および間隙測定方法 - Google Patents

露光における間隙測定装置および間隙測定方法

Info

Publication number
JP2001203148A
JP2001203148A JP2000012538A JP2000012538A JP2001203148A JP 2001203148 A JP2001203148 A JP 2001203148A JP 2000012538 A JP2000012538 A JP 2000012538A JP 2000012538 A JP2000012538 A JP 2000012538A JP 2001203148 A JP2001203148 A JP 2001203148A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gap
photomask
substrate
gap measuring
mark
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2000012538A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Miyake
健 三宅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
San Ei Giken Inc
Original Assignee
San Ei Giken Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by San Ei Giken Inc filed Critical San Ei Giken Inc
Priority to JP2000012538A priority Critical patent/JP2001203148A/ja
Priority to TW089103786A priority patent/TW417040B/zh
Priority to US09/523,725 priority patent/US6320659B1/en
Priority to DE60000057T priority patent/DE60000057T2/de
Priority to EP00105553A priority patent/EP1118835B1/en
Priority to KR1020000013263A priority patent/KR20010076131A/ko
Publication of JP2001203148A publication Critical patent/JP2001203148A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7023Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
    • G03F9/703Gap setting, e.g. in proximity printer
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/14Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring distance or clearance between spaced objects or spaced apertures

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 露光装置において被露光基板とフォトマスク
との間隔を正確に、かつ、安価に測定することのできる
間隙測定装置および間隙測定方法を提供する 【解決手段】 フォトマスク102に設けられる間隙測
定用マーク103の位置に対する、基板101に映り込
む投影間隔測定用マークの像103aの位置をCCDカ
メラを用いて画像データとして取込み、演算装置により
画像処理計算する。その結果、間隙測定用マーク103
と投影間隔測定用マーク103aとの相対的位置関係に
基づいて、間隔調整装置によりフォトマスク102と基
板101との間隔を所定の値に正確に調節する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、間隙測定装置お
よび間隙測定方法に関し、より特定的には、露光装置に
おいて、フォトマスクと基板との間隙を調節するために
用いられる間隙測定装置および間隙測定方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、フォトマスクと基板とが接触せ
ず、わずかな間隙をもって、フォトマスクに描かれたパ
ターンを基板に露光する方法が広く用いられている。こ
のような露光方法は、オフコンタクト露光方法またはプ
ロキシミティ露光方法と呼ばれている。
【0003】このオフコンタクト露光方法およびプロキ
シミティ露光方法では、フォトマスクと基板との間隙を
調節するために、信頼性の高い方法でフォトマスクと基
板との間隙を測定する必要がある。たとえば、フォトマ
スクと基板との間隙は、一般的には0.05mm〜0.
5mmに調節される。
【0004】ここで、従来のフォトマスクと基板との間
隙を測定する方法の一例について、図8を参照して説明
する。図8には、フォトマスクと基板との間隙を測定す
るための間隙測定装置300と、距離G3の間隙をあけ
て配置される基板101およびフォトマスク102が開
示されている。
【0005】間隙測定装置300は、ボックス301内
に、基板101およびフォトマスク102の上方斜め方
向から光302aを照射するためのレーザー光源302
と、基板101およびフォトマスク102から反射する
光を検出する光センサ303とを備える。
【0006】レーザー光源302から照射された光30
2aは、フォトマスク102の基板101に対向する面
102aで反射する反射光302bと、基板101のフ
ォトマスク102に対向する面101aで反射する反射
光302cとを形成する。反射光302bと反射光30
2cとは光センサ303に検知され、演算手段(図示省
略)により反射光302bと反射光302cとの距離S
3が算出される。
【0007】ここで、距離S3と距離G3との間には、
比例関係があるため、あらかじめ定められた距離S3と
なるように距離G3が調整される。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
間隙測定装置300は高価であり、たとえば基板101
とフォトマスク102との間隙を複数箇所測定するため
に、複数台の間隙測定装置300を備える必要がある場
合コストの観点から問題が生じる。
【0009】また、従来の間隙測定装置300は、フォ
トマスク102と基板101の位置合せに用いられるの
とは別の演算装置を備えなければならないため、コスト
の観点から問題が生じ、かつ間隙測定装置の構成が複雑
になる。
【0010】また、従来の間隙測定装置300は、フォ
トマスク102と基板101との位置合せに用いられる
のとは別にレーザー光源302および光センサー303
を備えなければならず、間隙測定装置の構成が複雑にな
る。
【0011】さらに、フォトマスク102に描かれたパ
ターンを基板101に露光する場合には、間隔測定装置
300をフォトマスク101の外側に移動させるための
機構が必要であり、間隙測定装置の機構が複雑になる。
【0012】したがって、この発明の目的は、基板とフ
ォトマスクとの間隙を正確にかつ安価に測定することの
できる間隙測定装置および間隙測定方法を提供すること
にある。
【0013】また、この発明の他の目的は、基板とフォ
トマスクとの間隙を複数箇所測定する場合においても容
易にかつ安価に測定することのできる間隙測定装置およ
び間隙測定方法を提供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】この発明に基づいた間隙
測定装置においては、フォトマスクを通して露光光を基
板に照射することにより、上記フォトマスクに描かれた
パターンを上記基板上に転写する露光装置において、上
記フォトマスクと上記基板との間隙を測定し、その測定
データに基づいて上記フォトマスクと上記基板との間隙
を所定の値に調節するための間隙測定装置であって、上
記フォトマスクは、上記基板に対向する面の所定位置に
間隙測定用マークを有し、上記間隙測定用マーク、及び
上記間隙測定用マークを含む領域に対して光が照射され
ることによって、上記基板面に映る上記間隙測定用マー
クの像を検出するための少なくとも1つの光センサと、
上記間隙測定用マークに対する上記間隙測定用マークの
像の相対的位置関係に基づいて、上記フォトマスクと上
記基板との間隙を算出する演算手段と、上記演算手段の
算出結果に基づいて上記フォトマスクと上記基板とを相
対的に移動させることにより、上記フォトマスクと上記
基板との間隙を所定の値に調節する間隙調整手段とを備
える。
【0015】また、この発明に基づいた間隙測定方法に
おいては、フォトマスクを通して露光光を基板に照射す
ることにより、上記フォトマスクに描かれたパターンを
上記基板上に転写する露光装置において、上記フォトマ
スクと上記基板との間隙を測定し、その測定データに基
づいて上記フォトマスクと上記基板との間隙を所定の値
に調節するために間隙測定用マークを有するフォトマス
クが用いられる間隙測定方法であって、上記間隙測定用
マークを含む領域に対して光が照射されることによっ
て、上記基板面に映る上記間隙測定用マークの像の上記
間隙測定用マークに対する相対的位置関係に基づいて上
記フォトマスクと上記基板との間隙を算出し、その算出
結果に基づいて上記フォトマスクと上記基板とを相対的
に移動させることにより、上記フォトマスクと上記基板
との間隙を所定の値に調節する。
【0016】この間隙測定装置および間隙測定方法によ
れば、フォトマスクの間隙測定用マークを含む領域に光
が照射された場合、フォトマスクと基板とが所定の間隙
をもって配置されていると、基板面に映る間隙測定用マ
ークの像が生じる。
【0017】フォトマスクの間隙測定用マークに対す
る、間隙測定用マークの像の相対的位置関係として、た
とえば両者の位置ずれ量は、フォトマスクと基板との間
隙に応じて変化する。つまり、フォトマスクの間隙測定
用マークに対する間隙測定用マークの像の位置ずれ量
は、フォトマスクと基板との間隙に比例する。
【0018】したがって、フォトマスクの間隙測定用マ
ークおよび間隙測定用マークの像を光センサーを用いて
検出し、たとえば画像処理等の演算装置を用いてフォト
マスクの間隙測定用マークと間隙測定用マークの像の位
置ずれ量等を算出することができる。
【0019】その結果、この算出結果に基づいて、間隙
調整装置によりフォトマスクと基板との間隙を所定の値
に正確に調節することが可能になる。
【0020】また、上記間隙測定装置および間隙測定方
法をより好ましい状態で実現するために、上記間隙測定
用マークに対する上記間隙測定用マークの像の形状変化
量等に基づいて、間隙調整装置によりフォトマスクと基
板との間隙を所定の値に正確に調節してもよい。
【0021】また、上記間隙測定装置および間隙測定方
法をより好ましい状態で実現するために、たとえば、上
記間隙測定用マークは、その形状が長方形または円形が
用いられる。これにより、上記間隙測定用マークと上記
間隙測定用マークの像との位置ずれ量または形状変化量
等を容易に測定することが可能になる。
【0022】また、好ましくは、上記間隙測定用マーク
として、上記フォトマスクと上記基板との位置合わせの
ための位置合わせマークが用いられたり、上記基板に転
写するための上記フォトマスク上に描かれたパターンの
一部が利用されてもかまわない。これにより、フォトマ
スクに形成すべきパターンを増加させることなく、本発
明に基づく間隙測定装置および間隙測定方法を実現させ
ることが可能になる。
【0023】また、好ましくは、上記フォトマスク面の
X、Y方向に移動可能な機構を備えた上記光センサが用
いられる。これにより、上記光センサが上記フォトマス
ク面のX、Y方向に移動可能となるため、基板とフォト
マスクとの間隙を複数箇所測定する場合においても容易
に測定することが可能になる。
【0024】また、上記間隙測定装置および間隙測定方
法をより好ましい状態で実現するために、上記光センサ
は、上記フォトマスク面に対して、鉛直方向に移動可能
な機構を備えていてもよい。
【0025】また、上記間隙測定装置および間隙測定方
法をより好ましい状態で実現するために、上記光センサ
ーの角度を調節することが可能な機構を備えていてもよ
い。
【0026】また、上記間隙測定装置および間隙測定方
法をより好ましい状態で実現するために、上記光センサ
が上記間隙測定用マークまたは上記間隙測定用マークの
像を検出するために、その光学系に少なくとも1つの鏡
を用いてもよい。
【0027】また、好ましくは、上記演算手段として、
上記フォトマスクと上記基板との位置合わせ用の演算装
置を利用する。
【0028】また、上記光センサは、上記フォトマスク
と上記基板との位置合わせに用いられてもよい。これに
より、専用の光センサが不要となり、間隙測定装置の機
構の簡略化を図ることが可能になる。
【0029】また、上記間隙測定装置および間隙測定方
法をより好ましい状態で実現するために、上記間隙測定
用マークを含む領域に対して光を照射するための少なく
とも1つの光照射手段を備えてもよい。
【0030】また、上記光照射手段は、上記フォトマス
クと上記基板の位置合わせに用いられてもよい。これに
より、専用の光照射手段が不要となり、間隙装置の機構
の簡略化を図ることが可能になる。
【0031】また、上記光照射手段として、たとえば、
黄色以上の長波長光を照射する光源が用いられたり、上
記光源にレーザー光を用いてもよい。これにより、上記
光照射による上記フォトマスクのパターンの上記基板へ
の転写性能に対する影響を防ぐことができる。
【0032】また、上記間隙測定装置および間隙測定方
法をより好ましい状態で実現するために上記光照射手段
として、たとえばその光学系に少なくとも1つの鏡を備
えていてもかまわない。
【0033】なお、本出願人と同一の出願人によってな
された、特願平10−268093号「間隙測定装置お
よび間隙測定方法」(以下、先願と称する)に開示され
た発明によれば、上記と同じ課題を解決することを目的
としているが、先願の発明はフォトマスクに設けられる
間隙測定用マークと、基板に投影される間隙測定用マー
クの影との相対的位置関係に基づいて基板とフォトマス
クとの間隙を所定の値に調節する点で、フォトマスクに
設けられる間隙測定用マークと、フォトマスクに設けら
れる間隙測定用マークを含む領域に対して光が照射され
ることによって、基板に映る間隙測定用マークの像との
相対的位置関係に基づいて基板とフォトマスクとの間隙
を所定の値に調節する本願発明とは、相違している。
【0034】つまり、先願の発明の構成においては、間
隙測定用マークの影を用いており、この影は光源の位置
あるいは光源の種類によって、影の生じる位置が異なる
という特性を有する。一方、本願発明の構成において
は、間隙測定用マークの像を用いており、この像は光源
の位置に関係なく、像の生じる位置は一定であるという
特性を有する。したがって、両者の構成は相違する。
【0035】
【発明の実施の形態】以下、この発明に基づいた間隙測
定装置および間隙測定方法の各実施の形態について、図
を参照して説明する。
【0036】(実施の形態1:間隙測定装置100の概
略構成)図1に、実施の形態1における間隙測定装置1
00の概略構成を示す模式図を示す。
【0037】図1を参照して、本実施の形態における間
隙測定装置100の概略構成について説明する。基板1
01の上方に所定の間隙を設けてフォトマスク102が
配置されている。基板101とフォトマスク102との
間隙は、間隙調整装置107により調整可能である。フ
ォトマスク102には基板101に対向する面102a
の所定位置に、間隙測定用マーク103が形成されてい
る。この間隙測定用マーク103の形状については、後
述する。
【0038】フォトマスク102の上方には、間隙測定
用マーク103を含む領域に対して光を照射するための
光照射手段としての光照射器104が配置されている。
【0039】フォトマスク102の斜め上方には光照射
器104から照射された光104aのうち、フォトマス
ク102の基板101に対向する面102aに反射する
光104bを検出するとともに、基板101のフォトマ
スクに対向する面101aに反射する光104cを検出
する光センサーとしてのCCDカメラ105が配置され
ている。
【0040】このCCDカメラ105には、CCDカメ
ラ105で検出された画像パターンを画像処理し、演算
するための演算装置106が接続されている。この演算
装置106の出力データに基づいて、間隙調整装置10
7が制御される。
【0041】(実施の形態2:間隙測定装置200の概
略構成)図2に、実施の形態2における間隙測定装置2
00の概略構成を示す模式図を示す。
【0042】図2を参照して、本実施の形態における間
隙測定装置200の概略構成について説明する。基板1
01の上方に所定の間隙を設けてフォトマスク102が
配置されている。基板101とフォトマスク102との
間隙は、間隙調整装置107により調整可能である。フ
ォトマスク102には基板101に対向する面102a
の所定位置に、間隙測定用マーク103が形成されてい
る。この間隙測定用マーク103の形状については、後
述する。
【0043】フォトマスク102の上方には、間隙測定
用マーク103を含む領域に対して光を照射するための
光照射手段としての光照射器104が配置されている。
【0044】フォトマスク102の上方には光照射器1
04から照射された光104aのうち、フォトマスク1
02の基板101に対向する面102aに反射する光1
04b、および基板101のフォトマスクに対向する面
101aに反射する光成分104cを検出する光センサ
ーとしてのCCDカメラ105が配置され、光104b
および光104cをCCDカメラ105に導くための鏡
108および鏡109が配置されている。
【0045】このように、本実施の形態における間隙測
定装置200においては、CCDカメラ105に入光す
る光104bおよび光104cの光路に、鏡108およ
び鏡109を配置した構成を採用している点で、上記実
施の形態1における間隙測定装置100と相違する。
【0046】このCCDカメラ105には、CCDカメ
ラ105で検出された画像パターンを画像処理し、演算
するための演算装置106が接続されている。この演算
装置106の出力データに基づいて、間隙調整装置10
7が制御される。
【0047】(実施の形態3:間隙測定方法)次に、上
記実施の形態1および上記実施の形態2における間隙測
定装置100,200を用いた間隙測定方法について、
図3および図4を参照して説明する。図3は、間隙測定
用マーク103の形状が長方形の場合を示し、図4は、
間隙測定用マーク103の形状が円形形状の場合を示
す。
【0048】図3を参照して、(a)はCCDカメラ1
05によって検出される画像パターンを示し、(b)は
基板101とフォトマスク102との縦断面を示す。フ
ォトマスク102の間隙測定用マーク103を含む領域
に対して、光照射器104によって光104aが照射さ
れている。
【0049】光104aのうち、フォトマスク102の
基板101に対向する面102aに反射する光104
b、および基板101のフォトマスク102に対向する
面101aに反射する光104cをCCDカメラ105
に導くことによって、間隙測定用マーク103と、基板
101のフォトマスク102に対向する面101aに映
る間隙測定用マークの像103aとが、CCDカメラ1
05にて画像パターンとして検出される。
【0050】次に、図4を参照して、図3と同様に、
(a)はCCDカメラ105によって検出される画像パ
ターンを示し、(b)は基板101とフォトマスク10
2との縦断面を示し、フォトマスク102の間隙測定用
マーク103を含む領域に対して光照射器104によっ
て、光104aが照射されている。
【0051】光104aのうち、フォトマスク102の
基板101に対向する面102aに反射する光104
b、および基板101のフォトマスク102に対向する
面101aに反射する光104cをCCDカメラ105
に導くことによって、CCDカメラ105にて間隙測定
用マーク103と基板101のフォトマスク102に対
向する面101aに映る間隙測定用マークの像103a
とが画像パターンとして検出される。
【0052】図3および図4を参照して、間隙測定用マ
ーク103に対する間隙測定用マークの像103aの位
置ずれ量は、フォトマスク102と基板101との間隙
に応じて変化する。つまり、間隙測定用マーク103に
対する間隙測定用マークの像103aの位置ずれ量(図
3(a)中のS1、図4(a)中のS2)は、フォトマ
スク102と基板101との間隙(図3(b)中のG
1、図4(a)中のG2)に比例する。
【0053】したがって、フォトマスク102の間隙測
定用マーク103と基板面101aに映る間隙測定用マ
ークの像103aとをCCDカメラ105を用いて画像
パターンとして検出し、演算装置106により画像処理
等の演算装置を用いて計算することにより、間隙測定用
マーク103に対する間隙測定用マークの像103aの
位置ずれ量を計算することができる。
【0054】なお、演算装置106は、間隙測定用マー
ク103に対する間隙測定用マークの像103aの位置
ずれ量を計算するための専用の演算装置を設ける以外
に、フォトマスク102と基板101との位置合わせ用
の演算装置のプログラムを変更追加して用いることも可
能である。
【0055】算出された間隙測定用マーク103に対す
る間隙測定用マークの像103aとの位置ずれ量に基づ
いて、間隙調整装置107によりフォトマスク102と
基板101との間隙を所定の値に正確に調節することが
可能になる。
【0056】以上、上記実施の形態における間隙測定装
置および間隙測定方法においては、フォトマスク102
と基板101とが所定の間隙をもって配置されている
と、基板面101aに映る間隙測定用マークの像103
aが生じる。
【0057】フォトマスク102の間隙測定用マーク1
03に対する、間隙測定用マークの像103aの相対的
位置関係は、フォトマスク102と基板101との間隙
に応じて変化する。つまり、フォトマスク102の間隙
測定用マーク103に対する間隙測定用マークの像10
3aの相対的位置関係は、フォトマスクと基板との間隙
に比例する。
【0058】したがって、フォトマスク102の間隙測
定用マーク103および基板面101aで反射した間隙
測定用マークの像103aを光センサーであるCCDカ
メラ105を用いて検出し、たとえば画像処理等の演算
装置を用いてフォトマスク102の間隙測定用マーク1
03と間隙測定用マークの像103aの相対的位置関係
を算出することができる。
【0059】その結果、この算出結果に基づいて、間隙
調整装置106によりフォトマスク102と基板101
との間隙を所定の値に正確に調節することが可能にな
る。
【0060】なお、上記各実施の形態において、間隙測
定用マーク103として、図5に示すように、フォトマ
スク102と基板101との位置合わせのために用いら
れる位置合わせマーク(102B,102C,102
D,102E)を用いることも可能である。また、逆
に、間隙測定用マーク103を、フォトマスク102と
基板101との位置合わせのために用いられる位置合わ
せマークとして用いることも可能である。
【0061】さらに、間隙測定用マーク103として、
図5に示すように、フォトマスク102上の基板101
に転写されるためのパターンP1の一部を用いることも
可能である。これにより、フォトマスク102に形成す
べきパターンを増加させることなく、各実施の形態にお
ける間隙測定装置および間隙測定方法を実現させること
が可能になる。
【0062】また、間隙測定用マーク103と間隙測定
用マークの像103aの相対的位置関係として、上記実
施の形態においては、間隙測定用マーク103に対する
間隙測定用マークの像103aの位置ずれ量を用いてい
るが、間隙測定用マーク103に対する間隙測定用マー
クの像103aの形状変化量を用いることも可能であ
る。
【0063】また、CCDカメラ105には、フォトマ
スク面102aのX−Y方向(図5参照)に移動可能な
機構が備えられることが好ましい。これにより、基板1
01とフォトマスク102との間隙を複数箇所測定する
場合においても容易に測定することが可能になる。
【0064】また、CCDカメラ105には、フォトマ
スク面102aに対して鉛直方向に移動可能な機構(図
6参照、Z方向)が備えられることが好ましい。さら
に、フォトマスク面102aに対して角度を調節するこ
とが可能な機構(図6参照、θ方向)が備えられること
が好ましい。これにより、光104bおよび光104c
の両方を検出する光センサーとして、フォトマスク10
2と基板101の位置合わせに用いられるCCDカメラ
を用いることができるため、光104bおよび光104
cを検出する専用のCCDカメラが不要となり、間隙測
定装置の機構の簡略化を図ることが可能になる。
【0065】また、上記各実施の形態において、光10
4bおよび光104cの両方を検出する光センサーとし
てのCCDカメラ105を1台設けているが、光104
bおよび光104cのそれぞれを検出する2台のCCD
カメラを設けてもかまわない。
【0066】また、上記各実施の形態において、光照射
器104は、CCDカメラ105が設けられる側(フォ
トマスク102から見て基板101が配置される側と反
対側)に設けられる構成が採用されているが、図7に示
すように、CCDカメラ105が設けられる側とは反対
側(フォトマスク102から見て基板101が配置され
る側と同じ側)に設けられる構成を採用することも可能
である。
【0067】また、光照射器104として、黄色以上の
長波長光を照射する光源が用いられたり、上記光源にレ
ーザー光を用いてもよい。これにより、光照射によるフ
ォトマスク102のパターンの基板への転写性能に対す
る影響を防ぐことができる。
【0068】また、光照射器104は、フォトマスク1
02と基板101の位置合わせに用いられる光照射器が
用いられる。これにより、専用の光照射器が不要とな
り、間隙測定装置の機構の簡略化を図ることが可能にな
る。
【0069】なお、上記各実施の形態において、上記光
照射器104は、フォトマスク102に設けられた間隙
測定用マーク103が、基板面101aに明確に間隙測
定用マークの像103aとして映るために設けたもので
あり、たとえば、間隙測定装置100が設置される場所
の既存照明によっても、十分明確に基板面101aに間
隙測定用マークの像103aが映るのであれば、上記光
照射器104を必ずしも設ける必要はなく、間隙測定装
置の機構の簡略化を図ることが可能になる。
【0070】また、光センサーとしてCCDカメラを用
いた場合について説明しているが、他の同様の機能を有
する光センサーを用いることが可能である。
【0071】以上、今回開示した上記各実施の形態はす
べての点で例示であって制限的なものではない。本発明
の技術的範囲は上記各実施の形態に限定されるものでは
なく、特許請求の範囲によって画定され、特許請求の範
囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれ
ることが意図される。
【0072】
【発明の効果】この発明に基づいた間隙測定装置および
間隙測定方法によれば、フォトマスクの間隙測定用マー
クを含む領域に対して光が照射されることによって、フ
ォトマスクと基板とが所定の間隙をもって配置されてい
ると、基板面に映る間隙測定用マークの像が生じる。
【0073】フォトマスクの間隙測定用マークに対す
る、間隙測定用マークの像の相対的位置関係として、た
とえば両者の位置ずれ量または形状変化量は、フォトマ
スクと基板との間隙に応じて変化する。つまり、フォト
マスクの間隙測定用マークに対する間隙測定用マークの
像の位置ずれ量または形状変化量は、フォトマスクと基
板との間隙に比例する。
【0074】したがって、フォトマスクの間隙測定用マ
ークおよび間隙測定用マークの像を光センサを用いて検
出し、たとえば画像処理等の演算装置を用いてフォトマ
スクの間隙測定用マークと間隙測定用マークの像の位置
ずれ量または形状変化量等を算出することができる。
【0075】その結果、この算出結果に基づいて、間隙
調整装置によりフォトマスクと基板との間隙を所定の値
に正確に調節することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施の形態1における間隙測定装置100の
概略構成を示す模式図である。
【図2】 実施の形態2における間隙測定装置200の
概略構成を示す模式図である。
【図3】 実施の形態1における間隙測定装置100お
よび実施の形態2における間隙測定装置200を用いた
第1の間隙測定方法を示す模式図である。
【図4】 実施の形態1における間隙測定装置100お
よび実施の形態2における間隙測定装置200を用いた
第2の間隙測定方法を示す模式図である。
【図5】 フォトマスク102に設けられる位置合わせ
マーク、パターンP1およびフォトマスク面のX−Y方
向を示す図である。
【図6】 CCDカメラに設けられる、フォトマスク面
に対して鉛直方向に移動可能な機構(Z方向)およびフ
ォトマスク面に対して角度を調節することが可能な機構
(θ方向)を示す模式図である。
【図7】 他の実施の形態における間隙測定装置の概略
構成を示す模式図である。
【図8】 従来の技術におけるフォトマスクと被露光基
板との間隔を測定するための間隔測定装置300と、距
離G3の間隔を隔てて配置される被露光基板101およ
びフォトマスク102とを示す図である。
【符号の説明】
100,200,300 間隙測定装置、101 基
板、101a,102a面、102 フォトマスク、1
03 間隙測定用マーク、103a 間隙測定用マーク
の像、104 光照射器、104a,104b,104
c,302a光、105 CCDカメラ、106 演算
装置、107 間隔調整装置、301ボックス、302
レーザー光源、302b,302c 反射光、303
光センサ。

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 フォトマスクを通して露光光を基板に照
    射することにより、前記フォトマスクに描かれたパター
    ンを前記基板上に転写する露光装置において、前記フォ
    トマスクと前記基板との間隙を測定し、その測定データ
    に基づいて前記フォトマスクと前記基板との間隙を所定
    の値に調節するための間隙測定装置であって、 前記フォトマスクは、前記基板に対向する面の所定位置
    に間隙測定用マークを有し、 前記間隙測定用マーク、及び前記間隙測定用マークを含
    む領域に対して光が照射されることによって、前記基板
    面に映る前記間隙測定用マークの像を検出するための少
    なくとも1つの光センサと、 前記間隙測定用マークに対する前記間隙測定用マークの
    像の相対的位置関係に基づいて、前記フォトマスクと前
    記基板との間隙を算出する演算手段と、 前記演算手段の算出結果に基づいて前記フォトマスクと
    前記基板とを相対的に移動させることにより、前記フォ
    トマスクと前記基板との間隙を所定の値に調節する間隙
    調整手段と、を備える間隙測定装置。
  2. 【請求項2】 前記間隙測定用マークとして、前記フォ
    トマスクと前記基板との位置合わせに用いる位置合わせ
    マークが用いられる、請求項1に記載の間隙測定装置。
  3. 【請求項3】 前記間隙測定用マークは、その形状が長
    方形である、請求項1または2に記載の間隙測定装置。
  4. 【請求項4】 前記間隙測定用マークは、その形状が円
    形である、請求項1または2に記載の間隙測定装置。
  5. 【請求項5】 前記間隙測定用マークとして、前記基板
    に転写するために前記フォトマスク上に描かれたパター
    ンの一部が用いられる、請求項1、請求項3または請求
    項4のいずれかに記載の間隙測定装置。
  6. 【請求項6】 前記光センサは、前記フォトマスク面の
    X、Y方向に移動可能な機構を備える、請求項1〜5の
    いずれかに記載の間隙測定装置。
  7. 【請求項7】 前記光センサは、前記フォトマスク面に
    対して、鉛直方向に移動可能な機構を備える、請求項1
    〜6のいずれかに記載の間隙測定装置。
  8. 【請求項8】 前記光センサは、前記フォトマスク面と
    なす角度を調節可能な機構を備える、請求項1〜7のい
    ずれかに記載の間隙測定装置。
  9. 【請求項9】 前記光センサによって前記間隙測定用マ
    ーク及び前記間隙測定用マークの像を検出するための光
    学系に、少なくとも1つの鏡を有する、請求項1〜8の
    いずれかに記載の間隙測定装置。
  10. 【請求項10】 前記演算手段として、前記フォトマス
    クと前記基板との位置合せ用の演算装置を利用する、請
    求項1〜9のいずれかに記載の間隙測定装置。
  11. 【請求項11】 前記光センサとして、前記フォトマス
    クと前記基板との位置合わせ用のCCDカメラが用いら
    れる、請求項1〜10のいずれかに記載の間隙測定装
    置。
  12. 【請求項12】 前記間隙測定用マークを含む領域に対
    して光を照射するための少なくとも1つの光照射手段を
    さらに備える、請求項1〜11のいずれかに記載の間隙
    測定装置。
  13. 【請求項13】 前記光照射手段として、前記フォトマ
    スクと前記基板との位置合わせ用の光照射手段が用いら
    れる、請求項12に記載の間隙測定装置。
  14. 【請求項14】 前記光照射手段は、黄色以上の長波長
    光を照射する光源を有する、請求項12または13に記
    載の間隙測定装置。
  15. 【請求項15】 前記光照射手段の光源には、レーザー
    光が用いられる、請求項12または13に記載の間隙測
    定装置。
  16. 【請求項16】 前記光照射手段は、その光学系に少な
    くとも1つの鏡を有する、請求項12〜15のいずれか
    に記載の間隙測定装置。
  17. 【請求項17】 フォトマスクを通して露光光を基板に
    照射することにより、前記フォトマスクに描かれたパタ
    ーンを前記基板上に転写する露光装置において、前記フ
    ォトマスクと前記基板との間隙を測定し、その測定デー
    タに基づいて前記フォトマスクと前記基板との間隙を所
    定の値に調節するために間隙測定用マークを有するフォ
    トマスクが用いられる間隙測定方法であって、 前記間隙測定用マークを含む領域に対して光が照射され
    ることによって、前記基板面に映る前記間隙測定用マー
    クの像の前記間隙測定用マークに対する相対的位置関係
    に基づいて前記フォトマスクと前記基板との間隙を算出
    し、その算出結果に基づいて前記フォトマスクと前記基
    板とを相対的に移動させることにより、前記フォトマス
    クと前記基板との間隙を所定の値に調節する、間隙測定
    方法。
  18. 【請求項18】 前記間隙測定用マークを含む領域に対
    して、少なくとも1つの光源から光が照射される、請求
    項17に記載の間隙測定方法。
  19. 【請求項19】 前記光は、黄色以上の長波長光が用い
    られる、請求項18に記載の間隙測定方法。
  20. 【請求項20】 前記光源には、レーザー光が用いられ
    る、請求項18に記載の間隙測定方法。
JP2000012538A 1998-09-22 2000-01-21 露光における間隙測定装置および間隙測定方法 Withdrawn JP2001203148A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000012538A JP2001203148A (ja) 2000-01-21 2000-01-21 露光における間隙測定装置および間隙測定方法
TW089103786A TW417040B (en) 2000-01-21 2000-03-03 Device and method for measuring clearance in exposure
US09/523,725 US6320659B1 (en) 1998-09-22 2000-03-13 Clearance measuring device and method for exposure
DE60000057T DE60000057T2 (de) 2000-01-21 2000-03-16 Vorrichtung zur Abstandsmessung und Verfahren zur Belichtung
EP00105553A EP1118835B1 (en) 2000-01-21 2000-03-16 Clearance measuring device and method for exposure
KR1020000013263A KR20010076131A (ko) 2000-01-21 2000-03-16 노광에 있어서의 간극 측정 장치 및 간극 측정 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000012538A JP2001203148A (ja) 2000-01-21 2000-01-21 露光における間隙測定装置および間隙測定方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001203148A true JP2001203148A (ja) 2001-07-27

Family

ID=18540243

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000012538A Withdrawn JP2001203148A (ja) 1998-09-22 2000-01-21 露光における間隙測定装置および間隙測定方法

Country Status (5)

Country Link
EP (1) EP1118835B1 (ja)
JP (1) JP2001203148A (ja)
KR (1) KR20010076131A (ja)
DE (1) DE60000057T2 (ja)
TW (1) TW417040B (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100550521B1 (ko) * 2002-01-07 2006-02-10 엘지전자 주식회사 노광기 및 그 글래스 정렬방법
JP2007149722A (ja) * 2005-11-24 2007-06-14 Canon Inc 加圧加工装置、加圧加工方法および加圧加工用モールド
JP2011124400A (ja) * 2009-12-11 2011-06-23 Dainippon Printing Co Ltd 露光装置及び露光方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100520305B1 (ko) 2003-04-04 2005-10-13 한국전자통신연구원 레이저 변위 센서를 이용하여 마스크와 기판 사이의간격을 측정하는 간격 측정 장치 및 그 방법
FI128443B (en) * 2018-12-21 2020-05-15 Valmet Automation Oy Contactless thickness measurement

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4618261A (en) * 1984-01-16 1986-10-21 Massachusetts Institute Of Technology Optical gap measuring
EP0184820A3 (de) * 1984-12-11 1987-10-07 MANIA Elektronik Automatisation Entwicklung und Gerätebau GmbH Anordnung zur Ausrichtung von unbelichteten Leiterplattenrohlingen und Fotomasken zueinander, sowie Fotomasken zur Verwendung darin
US5573877A (en) * 1994-03-15 1996-11-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Exposure method and exposure apparatus
JPH11194501A (ja) * 1997-12-26 1999-07-21 Dainippon Printing Co Ltd プロキシミティー露光装置、およびプロキシミティー露光装置におけるギャップ調整方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100550521B1 (ko) * 2002-01-07 2006-02-10 엘지전자 주식회사 노광기 및 그 글래스 정렬방법
JP2007149722A (ja) * 2005-11-24 2007-06-14 Canon Inc 加圧加工装置、加圧加工方法および加圧加工用モールド
JP2011124400A (ja) * 2009-12-11 2011-06-23 Dainippon Printing Co Ltd 露光装置及び露光方法

Also Published As

Publication number Publication date
DE60000057D1 (de) 2002-02-28
KR20010076131A (ko) 2001-08-11
EP1118835A1 (en) 2001-07-25
TW417040B (en) 2001-01-01
EP1118835B1 (en) 2002-01-09
DE60000057T2 (de) 2002-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2785146B2 (ja) 自動焦点調整制御装置
JP6380412B2 (ja) 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
JP2004531062A (ja) 裏側アライメントシステム及び方法
JPH01309324A (ja) 露光装置および位置合わせ方法
JP2938187B2 (ja) パターン形成方法及び同方法を実施するための装置
JP4227402B2 (ja) 走査型露光装置
JP3466893B2 (ja) 位置合わせ装置及びそれを用いた投影露光装置
JP2009147332A (ja) リソグラフィ投影装置で使用する透過像検出デバイス及びこのようなリソグラフィ装置のパターニングデバイス及び/又は投影システムの3次歪みを割り出す方法
JP2001203148A (ja) 露光における間隙測定装置および間隙測定方法
JP2000349014A (ja) 重ね合わせ測定装置及び該装置を用いた半導体デバイス製造方法
JP2000299276A (ja) 露光装置
JPH11307436A (ja) 投影露光装置及びレチクル及びレチクルの位置決め方法
EP0807854A1 (en) Exposure method and apparatus
JP3218581B2 (ja) 位置決め方法、該方法を用いた露光方法及びデバイス製造方法、並びに前記製造方法で製造されたデバイス
KR20070049061A (ko) 기판 측정 장치
US6320659B1 (en) Clearance measuring device and method for exposure
JP3735849B2 (ja) 露光装置
JP3295244B2 (ja) 位置決め装置
JP3919689B2 (ja) 露光方法、素子の製造方法および露光装置
JPH09266149A (ja) 投影露光方法及び面位置検出方法
JP2621179B2 (ja) アライメント方法
JP2780302B2 (ja) 露光装置
JPH0412523A (ja) 位置検出装置
JP2000097646A (ja) 間隙測定装置および間隙測定方法
JPH0573934U (ja) 露光装置

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20070403