JPH11194501A - プロキシミティー露光装置、およびプロキシミティー露光装置におけるギャップ調整方法 - Google Patents
プロキシミティー露光装置、およびプロキシミティー露光装置におけるギャップ調整方法Info
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- JPH11194501A JPH11194501A JP9366831A JP36683197A JPH11194501A JP H11194501 A JPH11194501 A JP H11194501A JP 9366831 A JP9366831 A JP 9366831A JP 36683197 A JP36683197 A JP 36683197A JP H11194501 A JPH11194501 A JP H11194501A
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- mask
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- light
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- Liquid Crystal (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 絵柄や基板サイズよらず、マスク、基板間の
ギャップを測定でき、1つのプロキシミティー露光装置
で種々の絵柄や基板サイズに対応できるプロキシミティ
ー露光装置を提供する。 【解決手段】 基板保持台に基板を保持し、マスクと密
着させずに(マスクと基板間に隙間をもたせ)、マスク
を介して平行な露光光を基板に照射することにより、基
板へのパターン露光を行うプロキシミティー露光装置で
あって、基板の厚みを測定する基板厚み測定部と、マス
ク面の位置と基板保持台の面の位置を検出することによ
り、マスク、基板保持台間のギャップを測定するギャッ
プセンサーと、マスク、基板間のギャップを制御する制
御部と、マスク、基板間のギャップを所望の値に設定す
るギャップ設定入力部とを備え、基板厚み測定部の測定
結果と、ギャップセンサーの測定結果に基づき、マス
ク、基板間のギャップを算出し、これとギャップ設定入
力部から入力されたマスク、基板間のギャップとを比較
し、比較結果にもとづき、マスク、基板間のギャップを
制御するものである。
ギャップを測定でき、1つのプロキシミティー露光装置
で種々の絵柄や基板サイズに対応できるプロキシミティ
ー露光装置を提供する。 【解決手段】 基板保持台に基板を保持し、マスクと密
着させずに(マスクと基板間に隙間をもたせ)、マスク
を介して平行な露光光を基板に照射することにより、基
板へのパターン露光を行うプロキシミティー露光装置で
あって、基板の厚みを測定する基板厚み測定部と、マス
ク面の位置と基板保持台の面の位置を検出することによ
り、マスク、基板保持台間のギャップを測定するギャッ
プセンサーと、マスク、基板間のギャップを制御する制
御部と、マスク、基板間のギャップを所望の値に設定す
るギャップ設定入力部とを備え、基板厚み測定部の測定
結果と、ギャップセンサーの測定結果に基づき、マス
ク、基板間のギャップを算出し、これとギャップ設定入
力部から入力されたマスク、基板間のギャップとを比較
し、比較結果にもとづき、マスク、基板間のギャップを
制御するものである。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、プロキシミティー
露光装置に関するもので、特に、基板に作製される電極
配線等の絵柄によらずマスクと基板とのギャップ調整が
できるプロキシミティー露光装置に関する。
露光装置に関するもので、特に、基板に作製される電極
配線等の絵柄によらずマスクと基板とのギャップ調整が
できるプロキシミティー露光装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、プラズマディスプレイパネル(以
下PDPとも記す)は、その奥行きの薄いこと、軽量で
あること、更に鮮明な表示と液晶パネルに比べ視野角が
広いことにより、種々の表示装置に利用されつつある。
例えば、AC型のPDPは、例えば、図7に示すような
構造をしており、2枚の対向するガラス基板710、7
20にそれぞれ規則的に配列した一対の、バス電極であ
る金属電極750と透明電極740からなる複合電極と
アドレス780を設け、その間にネオン、キセノン等を
主体とするガスを封入した構造となっている。そして、
これらの電極間に電圧を印加し、電極周辺の微小なセル
内で放電を発生させることにより、各セルを発光させて
表示を行うようにしている。尚、図7はPDP構成斜視
図であるが、分かり易くするため前面板(ガラス基板7
10)、背面板(ガラス基板720)とを実際より離し
て示してある。また、DC型PDPにあっては、電極は
誘電体層で被膜されていない構造を有する点でAC型と
相違するが、その放電効果は同じである。また、図7に
示すものは、ガラス基板720の一面に下地層767を
設けその上に誘電体層765を設けた構造となっている
が、下地層767、誘電体層765は必ずしも必要とし
ない。
下PDPとも記す)は、その奥行きの薄いこと、軽量で
あること、更に鮮明な表示と液晶パネルに比べ視野角が
広いことにより、種々の表示装置に利用されつつある。
例えば、AC型のPDPは、例えば、図7に示すような
構造をしており、2枚の対向するガラス基板710、7
20にそれぞれ規則的に配列した一対の、バス電極であ
る金属電極750と透明電極740からなる複合電極と
アドレス780を設け、その間にネオン、キセノン等を
主体とするガスを封入した構造となっている。そして、
これらの電極間に電圧を印加し、電極周辺の微小なセル
内で放電を発生させることにより、各セルを発光させて
表示を行うようにしている。尚、図7はPDP構成斜視
図であるが、分かり易くするため前面板(ガラス基板7
10)、背面板(ガラス基板720)とを実際より離し
て示してある。また、DC型PDPにあっては、電極は
誘電体層で被膜されていない構造を有する点でAC型と
相違するが、その放電効果は同じである。また、図7に
示すものは、ガラス基板720の一面に下地層767を
設けその上に誘電体層765を設けた構造となっている
が、下地層767、誘電体層765は必ずしも必要とし
ない。
【0003】そして、プラズマディスプレイ(PDP)
は、AC型の場合、例えば、図6に示すようにして、背
面板、前面板をそれぞれ別個の工程で作製し、両者を用
いてPDPをアセンブリして作製していた。以下、PD
P用の背面板、前面板の作製工程を簡単に説明する。先
ず、背面板の作製工程を説明する。はじめに、ガラス基
板を用意し(S611)、ガラス基板に厚膜印刷法によ
り陰極用(電極配線用)ペーストを所定パターンで印刷
し、これを乾燥、焼成し、電極配線を形成する。(S6
12) 次いで、このガラス基板の電極配線形成側上に障壁(バ
リアリブとも言う)を、印刷法ないしサンドブラスト法
により形成する。(S613) 印刷法の場合、ガラス基板に厚膜印刷法により障壁(バ
リアリブ)形成用ペーストを所定のパターンに印刷し、
これを乾燥する。障壁の層厚は厚く(例えば160り2
00μmの厚さ)1回の厚膜印刷ではこの膜厚が得られ
ないため、障壁形成用ペーストの印刷および乾燥は複数
回行う。所定の膜厚が得られた後、ペーストの焼成がな
される。サンドブラスト法の場合は、障壁形成材料をガ
ラス基板上に塗布し、更にこの上に所定のレシストパタ
ーンを形成した後、研磨砂を吹きかけレジストパターン
に対応した形状に障壁形成材料を加工して、これを焼成
して障壁を形成する。更に、障壁が形成された基板に厚
膜印刷法により蛍光体用ペースト(例えば、酸化インジ
ウム含有の螢光体用ペースト)を所定パターンに印刷
し、次いでその乾燥及び焼成を行い(S614)、背面
板を形成する。(S615)
は、AC型の場合、例えば、図6に示すようにして、背
面板、前面板をそれぞれ別個の工程で作製し、両者を用
いてPDPをアセンブリして作製していた。以下、PD
P用の背面板、前面板の作製工程を簡単に説明する。先
ず、背面板の作製工程を説明する。はじめに、ガラス基
板を用意し(S611)、ガラス基板に厚膜印刷法によ
り陰極用(電極配線用)ペーストを所定パターンで印刷
し、これを乾燥、焼成し、電極配線を形成する。(S6
12) 次いで、このガラス基板の電極配線形成側上に障壁(バ
リアリブとも言う)を、印刷法ないしサンドブラスト法
により形成する。(S613) 印刷法の場合、ガラス基板に厚膜印刷法により障壁(バ
リアリブ)形成用ペーストを所定のパターンに印刷し、
これを乾燥する。障壁の層厚は厚く(例えば160り2
00μmの厚さ)1回の厚膜印刷ではこの膜厚が得られ
ないため、障壁形成用ペーストの印刷および乾燥は複数
回行う。所定の膜厚が得られた後、ペーストの焼成がな
される。サンドブラスト法の場合は、障壁形成材料をガ
ラス基板上に塗布し、更にこの上に所定のレシストパタ
ーンを形成した後、研磨砂を吹きかけレジストパターン
に対応した形状に障壁形成材料を加工して、これを焼成
して障壁を形成する。更に、障壁が形成された基板に厚
膜印刷法により蛍光体用ペースト(例えば、酸化インジ
ウム含有の螢光体用ペースト)を所定パターンに印刷
し、次いでその乾燥及び焼成を行い(S614)、背面
板を形成する。(S615)
【0004】次に、前面板の作製工程を説明する。先
ず、ガラス基板を用意し(S621)、ガラス基板に例
えばITO(Indium Tin Oxide)の蒸
着層をパターニングする。(S621) パターニングは通常のフォトリソ工程(リゾグラフィー
技術)により行う。次いで、Cr−Cu−Cr(クロ
ム、銅、クロム)の3層を蒸着やスパッタリングにより
成膜し(S622)、同様にフォトリソ工程(リゾグラ
フィー技術)によりパターニングして、あるいは電極配
線用ペーストを所定パターンで印刷して、パターニング
されたITO膜とともに、放電用の電極配線を形成す
る。(S623) 次いで、ペースト状にした低融点ガラスのベタ印刷によ
り、透明誘電体層を形成して(S624)、前面板が得
られる。(S625)
ず、ガラス基板を用意し(S621)、ガラス基板に例
えばITO(Indium Tin Oxide)の蒸
着層をパターニングする。(S621) パターニングは通常のフォトリソ工程(リゾグラフィー
技術)により行う。次いで、Cr−Cu−Cr(クロ
ム、銅、クロム)の3層を蒸着やスパッタリングにより
成膜し(S622)、同様にフォトリソ工程(リゾグラ
フィー技術)によりパターニングして、あるいは電極配
線用ペーストを所定パターンで印刷して、パターニング
されたITO膜とともに、放電用の電極配線を形成す
る。(S623) 次いで、ペースト状にした低融点ガラスのベタ印刷によ
り、透明誘電体層を形成して(S624)、前面板が得
られる。(S625)
【0005】このように、PDP用の背面板、前面板の
作製においては、フォトリソ工程(リソグラフィ技術を
伴う工程)が多くあり、これらの工程においては、基板
保持台に基板を保持し、マスクと密着させずに(マスク
と基板間に隙間をもたせ)、マスクを介して平行な露光
光を基板に照射することにより、基板へのパターン露光
を行うプロキシミティー露光装置を用いて、基板のパタ
ーニングを行う場合が多かった。しかし、図5に示すよ
うに、従来のプロキシミティー露光装置においては、ギ
ャップセンサー570により、マスク520の面位置と
基板保持台519上の基板530の反射部530Aの面
位置を検出することにより、マスク、基板間のギャップ
を求め、これに基づいてマスク、基板間のギャップ調整
を行っていた為、1つのプロキシミティー露光装置で、
基板に作製する種々の電極配線の絵柄(パターンとも言
う)に対応できなかった。詳しくは、ギャップセンサー
の検出用の光を透過させるマスク520の光透過窓52
5に対応する位置に、検出用の光を正反射させるの反射
部を基板に設けることが何らかの理由によりできない場
合、例えば、その位置に電極配線の絵柄を設けるため反
射部を設けることができない場合には、マスク、基板間
のギャップ調整が行えなかった。
作製においては、フォトリソ工程(リソグラフィ技術を
伴う工程)が多くあり、これらの工程においては、基板
保持台に基板を保持し、マスクと密着させずに(マスク
と基板間に隙間をもたせ)、マスクを介して平行な露光
光を基板に照射することにより、基板へのパターン露光
を行うプロキシミティー露光装置を用いて、基板のパタ
ーニングを行う場合が多かった。しかし、図5に示すよ
うに、従来のプロキシミティー露光装置においては、ギ
ャップセンサー570により、マスク520の面位置と
基板保持台519上の基板530の反射部530Aの面
位置を検出することにより、マスク、基板間のギャップ
を求め、これに基づいてマスク、基板間のギャップ調整
を行っていた為、1つのプロキシミティー露光装置で、
基板に作製する種々の電極配線の絵柄(パターンとも言
う)に対応できなかった。詳しくは、ギャップセンサー
の検出用の光を透過させるマスク520の光透過窓52
5に対応する位置に、検出用の光を正反射させるの反射
部を基板に設けることが何らかの理由によりできない場
合、例えば、その位置に電極配線の絵柄を設けるため反
射部を設けることができない場合には、マスク、基板間
のギャップ調整が行えなかった。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、従来の
プロキシミティー露光装置においては、特に、基板に作
製される電極配線等の絵柄によっては、検出用の光を正
反射させる反射部を基板に設けるできず、マスク、基板
間のギャップ調整ができず、この対応が求められてい
た。本発明は、これに対応するもので、基板に作製され
る電極配線等の絵柄によらず、マスク、基板間のギャッ
プを測定でき、1つのプロキシミティー露光装置で基板
に作製される電極配線等の種々の絵柄に対応できるプロ
キシミティー露光装置を提供しようとするものである。
プロキシミティー露光装置においては、特に、基板に作
製される電極配線等の絵柄によっては、検出用の光を正
反射させる反射部を基板に設けるできず、マスク、基板
間のギャップ調整ができず、この対応が求められてい
た。本発明は、これに対応するもので、基板に作製され
る電極配線等の絵柄によらず、マスク、基板間のギャッ
プを測定でき、1つのプロキシミティー露光装置で基板
に作製される電極配線等の種々の絵柄に対応できるプロ
キシミティー露光装置を提供しようとするものである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明のプロキシミティ
ー露光装置は、基板保持台に基板を保持し、マスクと密
着させずに(マスクと基板間に隙間をもたせ)、マスク
を介して平行な露光光を基板に照射することにより、基
板へのパターン露光を行うプロキシミティー露光装置で
あって、基板の厚みを測定する基板厚み測定部と、マス
ク面の位置と基板保持台の面の位置を検出することによ
り、マスク、基板保持台間のギャップを測定するギャッ
プセンサーと、マスク、基板間のギャップを制御する制
御部と、マスク、基板間のギャップを所望の値に設定す
るギャップ設定入力部とを備え、基板厚み測定部の測定
結果と、ギャップセンサーの測定結果に基づき、マス
ク、基板間のギャップを算出し、これとギャップ設定入
力部から入力されたマスク、基板間のギャップとを比較
し、比較結果にもとづき、マスク、基板間のギャップを
制御するものであることを特徴とするものである。そし
て、上記において、ギャップセンサーは、検出するため
の検出光を供給する検出光光源部と光学的位置検出部と
を備え、マスクに設けたギャップ測定用の光透過窓で検
出光の一部を反射させ、マスク面の位置を求め、検出光
の一部を透過させ、該光透過窓に対応した位置の基板保
持台の面に設けられた、該光透過窓を透過した検出光を
正反射するための光反射部からの検出光の反射光を、再
度光透過窓を通過させて検出し、その光反射部の面の位
置を求め、基板保持台の面の位置を検出するものである
ことを特徴とするものである。そしてまた、上記におけ
る厚みセンサーは、基板保持台とは別の試料台ないし搬
送部上に基板を載せ、基板の厚さを測定するもので、基
板の表裏面それぞれの変位を検出する2つの変位計とそ
れらの制御部および演算部とを有し、試料台ないし搬送
部の面の位置を基準として、基板の表裏面それぞれの変
位を検出し、検出された結果にもどづき前記演算部にて
演算して、基板厚を測定するものであることを特徴とす
るものである。また、上記において、基板サイズ<マス
クサイズ≦基板保持台サイズ、であることを特徴とする
ものである。また、上記において、マスクには基板のサ
イズより外側にギャップ測定用の光透過窓が設けられて
いることを特徴とするものである。また、上記における
基板は、液晶表示装置(LCD)ないしプラズマディス
プレイパネル(PDP)用の基板であることを特徴とす
るものである。
ー露光装置は、基板保持台に基板を保持し、マスクと密
着させずに(マスクと基板間に隙間をもたせ)、マスク
を介して平行な露光光を基板に照射することにより、基
板へのパターン露光を行うプロキシミティー露光装置で
あって、基板の厚みを測定する基板厚み測定部と、マス
ク面の位置と基板保持台の面の位置を検出することによ
り、マスク、基板保持台間のギャップを測定するギャッ
プセンサーと、マスク、基板間のギャップを制御する制
御部と、マスク、基板間のギャップを所望の値に設定す
るギャップ設定入力部とを備え、基板厚み測定部の測定
結果と、ギャップセンサーの測定結果に基づき、マス
ク、基板間のギャップを算出し、これとギャップ設定入
力部から入力されたマスク、基板間のギャップとを比較
し、比較結果にもとづき、マスク、基板間のギャップを
制御するものであることを特徴とするものである。そし
て、上記において、ギャップセンサーは、検出するため
の検出光を供給する検出光光源部と光学的位置検出部と
を備え、マスクに設けたギャップ測定用の光透過窓で検
出光の一部を反射させ、マスク面の位置を求め、検出光
の一部を透過させ、該光透過窓に対応した位置の基板保
持台の面に設けられた、該光透過窓を透過した検出光を
正反射するための光反射部からの検出光の反射光を、再
度光透過窓を通過させて検出し、その光反射部の面の位
置を求め、基板保持台の面の位置を検出するものである
ことを特徴とするものである。そしてまた、上記におけ
る厚みセンサーは、基板保持台とは別の試料台ないし搬
送部上に基板を載せ、基板の厚さを測定するもので、基
板の表裏面それぞれの変位を検出する2つの変位計とそ
れらの制御部および演算部とを有し、試料台ないし搬送
部の面の位置を基準として、基板の表裏面それぞれの変
位を検出し、検出された結果にもどづき前記演算部にて
演算して、基板厚を測定するものであることを特徴とす
るものである。また、上記において、基板サイズ<マス
クサイズ≦基板保持台サイズ、であることを特徴とする
ものである。また、上記において、マスクには基板のサ
イズより外側にギャップ測定用の光透過窓が設けられて
いることを特徴とするものである。また、上記における
基板は、液晶表示装置(LCD)ないしプラズマディス
プレイパネル(PDP)用の基板であることを特徴とす
るものである。
【0008】本発明のプロキシミティー露光装置におけ
るギャップ調整方法は、基板保持台に基板を保持し、マ
スクと密着させずに(マスクと基板間に隙間をもた
せ)、マスクを介して平行な露光光を基板に照射するこ
とにより、基板へのパターン露光を行うプロキシミティ
ー露光装置における、マスク、基板間のギャップ調整方
法で、予め基板の厚み測定をしておき、且つ、光学的位
置検出部により、マスク面の位置と基板を保持する基板
保持台の面の位置を検出することによりマスク、基板保
持台間のギャップを測定し、マスク、基板間のギャップ
を算出し、算出した結果に基づき、マスク、基板間のギ
ャップを調整することを特徴とするものである。尚、こ
こでは、マスク面とは、マスクの露光するパターンが形
成されている側の面を意味している。
るギャップ調整方法は、基板保持台に基板を保持し、マ
スクと密着させずに(マスクと基板間に隙間をもた
せ)、マスクを介して平行な露光光を基板に照射するこ
とにより、基板へのパターン露光を行うプロキシミティ
ー露光装置における、マスク、基板間のギャップ調整方
法で、予め基板の厚み測定をしておき、且つ、光学的位
置検出部により、マスク面の位置と基板を保持する基板
保持台の面の位置を検出することによりマスク、基板保
持台間のギャップを測定し、マスク、基板間のギャップ
を算出し、算出した結果に基づき、マスク、基板間のギ
ャップを調整することを特徴とするものである。尚、こ
こでは、マスク面とは、マスクの露光するパターンが形
成されている側の面を意味している。
【0009】
【作用】本発明のプロキシミティー露光装置は、このよ
うな構成にすることにより、基板に作製する絵柄によら
ず、マスク、基板間のギャップを測定でき、1つのプロ
キシミティー露光装置で基板に作製する種々の絵柄に対
応できるプロキシミティー露光装置の提供を可能として
いる。具体的には、基板の厚みを測定する基板厚み測定
部と、マスク面の位置と基板保持台の面の位置を検出す
ることにより、マスク、基板保持台間のギャップを測定
するギャップセンサーと、マスク、基板間のギャップを
制御する制御部と、マスク、基板間のギャップを所望の
値に設定するギャップ設定入力部とを備え、基板厚み測
定部の測定結果と、ギャップセンサーの測定結果に基づ
き、マスク、基板間のギャップを算出し、これとギャッ
プ設定入力部から入力されたマスク、基板間のギャップ
とを比較し、比較結果にもとづき、マスク、基板間のギ
ャップを制御するものであることにより、これを達成し
ている。即ち、基板厚み測定部により、予め基板の厚さ
を測定し、且つ、ギャップセンサーによりマスク、基板
保持台間のギャップを測定することにより、両測定結果
からマスク、基板間ギャップを算出でき、これにより、
図5に示す、従来のプロキシミティー露光装置のよう
に、基板面を直接ギャップセンサにより測定する必要は
なく、基板に作製する絵柄に影響を受けずに、マスク、
基板間ギャップを得ることができる。
うな構成にすることにより、基板に作製する絵柄によら
ず、マスク、基板間のギャップを測定でき、1つのプロ
キシミティー露光装置で基板に作製する種々の絵柄に対
応できるプロキシミティー露光装置の提供を可能として
いる。具体的には、基板の厚みを測定する基板厚み測定
部と、マスク面の位置と基板保持台の面の位置を検出す
ることにより、マスク、基板保持台間のギャップを測定
するギャップセンサーと、マスク、基板間のギャップを
制御する制御部と、マスク、基板間のギャップを所望の
値に設定するギャップ設定入力部とを備え、基板厚み測
定部の測定結果と、ギャップセンサーの測定結果に基づ
き、マスク、基板間のギャップを算出し、これとギャッ
プ設定入力部から入力されたマスク、基板間のギャップ
とを比較し、比較結果にもとづき、マスク、基板間のギ
ャップを制御するものであることにより、これを達成し
ている。即ち、基板厚み測定部により、予め基板の厚さ
を測定し、且つ、ギャップセンサーによりマスク、基板
保持台間のギャップを測定することにより、両測定結果
からマスク、基板間ギャップを算出でき、これにより、
図5に示す、従来のプロキシミティー露光装置のよう
に、基板面を直接ギャップセンサにより測定する必要は
なく、基板に作製する絵柄に影響を受けずに、マスク、
基板間ギャップを得ることができる。
【0010】本発明のプロキシミティー露光装置におけ
るギャップ調整方法は、このような構成にすることによ
り、プロキシミティー露光装置において、基板面を直接
ギャップセンサにより測定せずに、マスク、基板間ギャ
ップを得ることを可能としている。
るギャップ調整方法は、このような構成にすることによ
り、プロキシミティー露光装置において、基板面を直接
ギャップセンサにより測定せずに、マスク、基板間ギャ
ップを得ることを可能としている。
【0011】
【発明の実施の形態】本発明のプロキシミティー露光装
置の実施の形態を挙げて説明する。図1は本発明のプロ
キシミティー露光装置の実施の形態の1例の全体構成を
示す概略平面図であり、図2(a)は要部拡大図で、図
2(b)はギャップセンサーとそのギャップ測定原理を
説明するための図で、図3は本発明のプロキシミティー
露光装置におけるギャップ調整法の1例を示したフロー
図で、図4は基板厚さ測定部を説明するための概略断面
図である。尚、各図とも、分かり易くするため、要部以
外の部分については、省略してある。図1、図2中、1
00はプロキシミティー露光装置、110は露光部、1
11はアライメント部、113は光源部、115は露光
光、117はホルダー、119は基板保持台、119A
は反射部、120はマスク、123は光透過窓、125
はマスクライブラリー(保管部)、130は基板、14
0は基板供給部、150は基板排出部、160は基板厚
さ測定部、170はギャップセンサー、173は光学的
位置検出部、175は光源部、180は制御部、190
はギャップ設定入力部、210は半導体レーザ駆動回
路、220は半導体レーザ(発光素子)、230は透光
レンズ、240はレーザ光、245は反射光、250受
光レンズ、260は光位置検出素子(光センサー部)、
270信号増幅回路、280は試料、A0、A1、A2
は試料面(反射部119Aの面)、S0、S1、S2は
光位置検出素子(光センサー部)の光到達位置である。
図1に示すプロキシミティー露光装置は、PDP用の基
板をパターニングするための露光装置で、基板保持台に
基板を保持し、マスクと密着させずに、マスクと基板間
に隙間をもたせ、マスクを介して平行な露光光を基板に
照射することにより、基板へのパターン露光を行うプロ
キシミティー露光装置である。そして、基板130の厚
みを測定する基板厚さ測定部160と、マスク面と基板
保持台の面の位置を検出することにより、マスク、基板
保持台間のギャップを測定するギャップセンサー170
と、マスク、基板間のギャップを制御する制御部180
と、マスク、基板間のギャップを所望の値に設定するギ
ャップ設定入力部190とを備えており、基板厚さ測定
部160の測定結果と、ギャップセンサー170の測定
結果に基づき、マスク、基板間のギャップを算出し、こ
れとギャップ設定入力部190から入力されたマスク、
基板間のギャップとを比較し、比較結果にもとづき、マ
スク、基板間のギャップを制御部180にて制御するも
のである。尚、図1に示すギャップセンサー170は水
平方向、垂直方向(矢印方向)にその位置を移動できる
ものである。
置の実施の形態を挙げて説明する。図1は本発明のプロ
キシミティー露光装置の実施の形態の1例の全体構成を
示す概略平面図であり、図2(a)は要部拡大図で、図
2(b)はギャップセンサーとそのギャップ測定原理を
説明するための図で、図3は本発明のプロキシミティー
露光装置におけるギャップ調整法の1例を示したフロー
図で、図4は基板厚さ測定部を説明するための概略断面
図である。尚、各図とも、分かり易くするため、要部以
外の部分については、省略してある。図1、図2中、1
00はプロキシミティー露光装置、110は露光部、1
11はアライメント部、113は光源部、115は露光
光、117はホルダー、119は基板保持台、119A
は反射部、120はマスク、123は光透過窓、125
はマスクライブラリー(保管部)、130は基板、14
0は基板供給部、150は基板排出部、160は基板厚
さ測定部、170はギャップセンサー、173は光学的
位置検出部、175は光源部、180は制御部、190
はギャップ設定入力部、210は半導体レーザ駆動回
路、220は半導体レーザ(発光素子)、230は透光
レンズ、240はレーザ光、245は反射光、250受
光レンズ、260は光位置検出素子(光センサー部)、
270信号増幅回路、280は試料、A0、A1、A2
は試料面(反射部119Aの面)、S0、S1、S2は
光位置検出素子(光センサー部)の光到達位置である。
図1に示すプロキシミティー露光装置は、PDP用の基
板をパターニングするための露光装置で、基板保持台に
基板を保持し、マスクと密着させずに、マスクと基板間
に隙間をもたせ、マスクを介して平行な露光光を基板に
照射することにより、基板へのパターン露光を行うプロ
キシミティー露光装置である。そして、基板130の厚
みを測定する基板厚さ測定部160と、マスク面と基板
保持台の面の位置を検出することにより、マスク、基板
保持台間のギャップを測定するギャップセンサー170
と、マスク、基板間のギャップを制御する制御部180
と、マスク、基板間のギャップを所望の値に設定するギ
ャップ設定入力部190とを備えており、基板厚さ測定
部160の測定結果と、ギャップセンサー170の測定
結果に基づき、マスク、基板間のギャップを算出し、こ
れとギャップ設定入力部190から入力されたマスク、
基板間のギャップとを比較し、比較結果にもとづき、マ
スク、基板間のギャップを制御部180にて制御するも
のである。尚、図1に示すギャップセンサー170は水
平方向、垂直方向(矢印方向)にその位置を移動できる
ものである。
【0012】図1に示すプロキシミティー露光装置10
0においては、露光するための基板130は、基板供給
部140から露光部110に、基板面を水平にした状態
(P1の状態)で供給され、基板は基板保持台119に
保持され(P2の状態)、略鉛直方向に設けられている
マスクに対向させるために、立てて、マスク面、基板面
がともに鉛直方向になっている状態で両者のアライメン
トを行うものである。そして、露光後には、再度、基板
面を水平の状態に戻され、この状態で、基板130は基
板排出部150側へ排出される。(P3の状態) 尚、このようにマスク120、基板130を、その面が
ともに鉛直方向になるようにしてアライメントし、たり
露光する理由は、マスクは、大きく、その自重により、
たわみを発生するためである。
0においては、露光するための基板130は、基板供給
部140から露光部110に、基板面を水平にした状態
(P1の状態)で供給され、基板は基板保持台119に
保持され(P2の状態)、略鉛直方向に設けられている
マスクに対向させるために、立てて、マスク面、基板面
がともに鉛直方向になっている状態で両者のアライメン
トを行うものである。そして、露光後には、再度、基板
面を水平の状態に戻され、この状態で、基板130は基
板排出部150側へ排出される。(P3の状態) 尚、このようにマスク120、基板130を、その面が
ともに鉛直方向になるようにしてアライメントし、たり
露光する理由は、マスクは、大きく、その自重により、
たわみを発生するためである。
【0013】図2(a)に示すように、ギャップ測定用
に設けたマスク120の光透過窓123は、基板保持台
の反射部119Aと対応するもので、ギャップセンサー
170の光源部175から照射された検出光は、光透過
窓123でその一部がマスク表面で反射され、光学的位
置検出部173へ到達し、マスク面位置が測定される。
更に一部は光透過窓123を透過し、反射部119Aに
て正反射され、反射光が光学的位置検出部173へ到達
し、反射部119Aの面位置が測定される。図2(b)
は、更に、光源部175と光学的検出部173の構造を
具体的に挙げたもので、通常、非接触変位計と呼ばれる
ものである。ここで、図2(b)に示す変位計の位置検
出原理を簡単説明しておく。尚、ここで用いられている
非接触変位計は、三角測量式レーザ変位計とも呼ばれる
ものである。この変位計(ギャップセンサー170)に
おいては、透光レンズ230を介して試料280(反射
部119Aに相当)に照射された反射光が、試料280
(反射部119A)の面が基準位置A0にあるとき受光
レンズ250を介して光位置検出素子260の基準の位
置にS0に到達するようになっており、且つ、試料28
0(反射部119A)の面が基準位置A0からずれたA
1位置にあるとき、これにともない、試料面A1からの
反射光は、光位置検出素子360の基準の位置S0から
所定の距離だけずれた位置S1へ到達するようになって
おり、同様に、試料280(反射部119A)の面が基
準位置A0からずれたA2位置にあるとき、これにとも
ない、試料面A2からの反射光は、光位置検出素子26
0の基準の位置S0から所定の距離だけずれた位置S2
へ到達するようになっている。即ち、光位置検出素子に
おける光到達位置と試料面の位置とが対応がとれるよう
になっている。このため、光位置検出素子における光到
達位置を検出することにより、試料面の位置を検出がで
きるものである。
に設けたマスク120の光透過窓123は、基板保持台
の反射部119Aと対応するもので、ギャップセンサー
170の光源部175から照射された検出光は、光透過
窓123でその一部がマスク表面で反射され、光学的位
置検出部173へ到達し、マスク面位置が測定される。
更に一部は光透過窓123を透過し、反射部119Aに
て正反射され、反射光が光学的位置検出部173へ到達
し、反射部119Aの面位置が測定される。図2(b)
は、更に、光源部175と光学的検出部173の構造を
具体的に挙げたもので、通常、非接触変位計と呼ばれる
ものである。ここで、図2(b)に示す変位計の位置検
出原理を簡単説明しておく。尚、ここで用いられている
非接触変位計は、三角測量式レーザ変位計とも呼ばれる
ものである。この変位計(ギャップセンサー170)に
おいては、透光レンズ230を介して試料280(反射
部119Aに相当)に照射された反射光が、試料280
(反射部119A)の面が基準位置A0にあるとき受光
レンズ250を介して光位置検出素子260の基準の位
置にS0に到達するようになっており、且つ、試料28
0(反射部119A)の面が基準位置A0からずれたA
1位置にあるとき、これにともない、試料面A1からの
反射光は、光位置検出素子360の基準の位置S0から
所定の距離だけずれた位置S1へ到達するようになって
おり、同様に、試料280(反射部119A)の面が基
準位置A0からずれたA2位置にあるとき、これにとも
ない、試料面A2からの反射光は、光位置検出素子26
0の基準の位置S0から所定の距離だけずれた位置S2
へ到達するようになっている。即ち、光位置検出素子に
おける光到達位置と試料面の位置とが対応がとれるよう
になっている。このため、光位置検出素子における光到
達位置を検出することにより、試料面の位置を検出がで
きるものである。
【0014】基板厚さ測定部160は、例えば、図4に
示すようにして、基板480の厚さを測定するものであ
る。簡単には、2つの変位計(光学式センサー410と
接触式センサー420)により、基板搬送面(基板搬送
コロ440の上面)を基準とした時の基板表裏それぞれ
変位を検出し、両者の和(またと差)により基板厚を得
る。尚、2つの変位計は、特に、接触式、非接触式に限
定はされないが、膜面保護の観点から、膜面側には非接
触式を用いることが好ましい。図4に示す例は、基板搬
送コロ440上での基板厚の測定であるが、固定された
試料台上に基板を置いた状態でも、試料台の面を基準と
して、同様に、基板厚の測定ができることは言うまでも
ない。
示すようにして、基板480の厚さを測定するものであ
る。簡単には、2つの変位計(光学式センサー410と
接触式センサー420)により、基板搬送面(基板搬送
コロ440の上面)を基準とした時の基板表裏それぞれ
変位を検出し、両者の和(またと差)により基板厚を得
る。尚、2つの変位計は、特に、接触式、非接触式に限
定はされないが、膜面保護の観点から、膜面側には非接
触式を用いることが好ましい。図4に示す例は、基板搬
送コロ440上での基板厚の測定であるが、固定された
試料台上に基板を置いた状態でも、試料台の面を基準と
して、同様に、基板厚の測定ができることは言うまでも
ない。
【0015】光源部113としては、通常、反射式のも
のが用いられ、平行光がマスク面に照射される。光源と
しては超高圧水銀灯等が用いられる。マスクライブラリ
ー(保管部)125はマスク120を保管するためのも
ので、露光に用いるマスクにゴミや汚れが付着しないよ
うに保管するものである。基板供給部140は基板13
0を供給する所で、ここで基板厚さ測定部160により
基板の厚みを測定する。また、基板排出部150は露光
後の基板を排出する所である。尚、図1に示す装置10
0全体を、空調が管理されているクリーンルーム内、な
いし、クリーンブース内にて使用する。
のが用いられ、平行光がマスク面に照射される。光源と
しては超高圧水銀灯等が用いられる。マスクライブラリ
ー(保管部)125はマスク120を保管するためのも
ので、露光に用いるマスクにゴミや汚れが付着しないよ
うに保管するものである。基板供給部140は基板13
0を供給する所で、ここで基板厚さ測定部160により
基板の厚みを測定する。また、基板排出部150は露光
後の基板を排出する所である。尚、図1に示す装置10
0全体を、空調が管理されているクリーンルーム内、な
いし、クリーンブース内にて使用する。
【0016】次いで、プロキシミティー露光装置100
における基板露光動作を、図1、図2を参照にして図3
に基づいて説明する。同時に本発明のプロキシミティー
露光装置におけるギャップ調整方法の実施の形態の1例
の説明に代える。先ず、マスク120をホルダー117
にセットする。(S311) 図2に示すようにマスクのギャップセンサー用の光透過
窓123は、基板130領域よりも外側に設けられてい
る。次いで、露光するための基板130の厚みを、基板
供給部140において、予め、基板厚さ測定部160に
より測定しておく。(S312) 基板厚さ測定部160による測定は、基板面を水平にし
た状態で行い、この状態で、基板130を露光部110
へ供給し、基板保持台119に保持した(S313)
後、鉛直方向にその面がなるように、ホルダーに固定さ
れているマスク120に対向させるために基板130を
立て、アライメントを行う。(S314) アライメント方法については周知であり、ここでは省略
する。次いで、ギャップセンサー170にて、マスク面
と基板を保持している基板保持台119の反射部119
Aの位置を測定する。(S315) 次いで、上記、基板厚さ測定部160の測定結果および
ギャッフセンサーの測定結果をあわせて、マスク、基板
間のギャップを算出する。(S316) 一方、所望のマスク、基板間ギャップをギャップ設定入
力部190により、入力しておく。(S317) そして、ステップS316で得られたギャップとギャッ
プ設定入力部190から入力されたギャップとを比較す
る。(S318) 両ギャップの差を取り、その値が許容範囲であるか否か
を判断し(S319)、許容範囲である場合には、光源
部113からの露光光115を照射し、マスクを介して
基板への露光がなされる。(S321) 通常は露光光115がマスクへ照射されないようにシャ
ッター(図示していない)にて遮蔽されている。また、
許容範囲にない場合には、両ギャップの差がプラスであ
るか、マイナスであるかにより、所望の方向にギャップ
を変更するが、この制御は制御部180にて行う。尚、
制御部180の詳細については省略する。そして、ギャ
ップセンサー170による測定を行い、算出されたギャ
ップと入力されたギャップとの差が許容範囲に入るまで
繰り返す。
における基板露光動作を、図1、図2を参照にして図3
に基づいて説明する。同時に本発明のプロキシミティー
露光装置におけるギャップ調整方法の実施の形態の1例
の説明に代える。先ず、マスク120をホルダー117
にセットする。(S311) 図2に示すようにマスクのギャップセンサー用の光透過
窓123は、基板130領域よりも外側に設けられてい
る。次いで、露光するための基板130の厚みを、基板
供給部140において、予め、基板厚さ測定部160に
より測定しておく。(S312) 基板厚さ測定部160による測定は、基板面を水平にし
た状態で行い、この状態で、基板130を露光部110
へ供給し、基板保持台119に保持した(S313)
後、鉛直方向にその面がなるように、ホルダーに固定さ
れているマスク120に対向させるために基板130を
立て、アライメントを行う。(S314) アライメント方法については周知であり、ここでは省略
する。次いで、ギャップセンサー170にて、マスク面
と基板を保持している基板保持台119の反射部119
Aの位置を測定する。(S315) 次いで、上記、基板厚さ測定部160の測定結果および
ギャッフセンサーの測定結果をあわせて、マスク、基板
間のギャップを算出する。(S316) 一方、所望のマスク、基板間ギャップをギャップ設定入
力部190により、入力しておく。(S317) そして、ステップS316で得られたギャップとギャッ
プ設定入力部190から入力されたギャップとを比較す
る。(S318) 両ギャップの差を取り、その値が許容範囲であるか否か
を判断し(S319)、許容範囲である場合には、光源
部113からの露光光115を照射し、マスクを介して
基板への露光がなされる。(S321) 通常は露光光115がマスクへ照射されないようにシャ
ッター(図示していない)にて遮蔽されている。また、
許容範囲にない場合には、両ギャップの差がプラスであ
るか、マイナスであるかにより、所望の方向にギャップ
を変更するが、この制御は制御部180にて行う。尚、
制御部180の詳細については省略する。そして、ギャ
ップセンサー170による測定を行い、算出されたギャ
ップと入力されたギャップとの差が許容範囲に入るまで
繰り返す。
【0017】図1に示す例は、基板保持台119の反射
部(図2に示す119A)の面位置を検出し、この面と
マスク120間のギャップを測定し、基板厚さ測定部1
60により測定された基板の厚さとあわせて、基板、マ
スク間のギャップを算出しているが、これの他に、ギャ
ップセンサーを図1に示す位置以外に設け、従来の図5
に示す測定により基板、マスク間のギャップを求める機
能も同時に持たせても良い。尚、図5に示すギャップ測
定の場合は、マスクに設けたギャップ測定用の光透過窓
で一部の検出光を反射させマスク面の位置を検出し、更
に一部の検出光を透過させ、ギャップ測定用の光透過窓
に対応した位置の基板面に設けられた光透過窓を透過し
た検出光を正反射する光反射部からの検出光の反射光
を、再度光透過窓を通過させて検出し、その光反射部の
面の位置を求め、マスクと基板のギャップを得る。
部(図2に示す119A)の面位置を検出し、この面と
マスク120間のギャップを測定し、基板厚さ測定部1
60により測定された基板の厚さとあわせて、基板、マ
スク間のギャップを算出しているが、これの他に、ギャ
ップセンサーを図1に示す位置以外に設け、従来の図5
に示す測定により基板、マスク間のギャップを求める機
能も同時に持たせても良い。尚、図5に示すギャップ測
定の場合は、マスクに設けたギャップ測定用の光透過窓
で一部の検出光を反射させマスク面の位置を検出し、更
に一部の検出光を透過させ、ギャップ測定用の光透過窓
に対応した位置の基板面に設けられた光透過窓を透過し
た検出光を正反射する光反射部からの検出光の反射光
を、再度光透過窓を通過させて検出し、その光反射部の
面の位置を求め、マスクと基板のギャップを得る。
【0018】
【発明の効果】本発明は、上記のように、基板に作製す
る電極配線等の絵柄によらず、マスク、基板間のギャッ
プを測定でき、1つのプロキシミティー露光装置で基板
に作製する種々の絵柄に対応できるプロキシミティー露
光装置の提供を可能としている。特に、ますますの大型
化と、セルの微細化が進み、多種の絵柄、多種の基板サ
イズが用いられる、プラズマディスプレイパネル用の基
板やLCD用の基板のパターニングに有効で、結果、P
DP用の基板やLCD用の基板の量産に対応できるもの
としている。
る電極配線等の絵柄によらず、マスク、基板間のギャッ
プを測定でき、1つのプロキシミティー露光装置で基板
に作製する種々の絵柄に対応できるプロキシミティー露
光装置の提供を可能としている。特に、ますますの大型
化と、セルの微細化が進み、多種の絵柄、多種の基板サ
イズが用いられる、プラズマディスプレイパネル用の基
板やLCD用の基板のパターニングに有効で、結果、P
DP用の基板やLCD用の基板の量産に対応できるもの
としている。
【図1】本発明のプロキシミティー露光装置の実施の形
態の1例の全体構成を示す概略平面図
態の1例の全体構成を示す概略平面図
【図2】図2(a)は要部拡大図で、図2(b)はギャ
ップセンサーとそのギャップ測定原理を説明するための
図
ップセンサーとそのギャップ測定原理を説明するための
図
【図3】本発明のプロキシミティー露光装置におけるギ
ャップ調整法の1例を示したフロー図
ャップ調整法の1例を示したフロー図
【図4】基板厚さ測定部の1例を示した図
【図5】従来のプロキシミティー露光装置におけるギャ
ップ調整方法を説明するための図
ップ調整方法を説明するための図
【図6】PDP用基板の製造工程図
【図7】PDPを説明するための斜視図
100 プロキシミティー露光装置 110 露光部 111 アライメント部 113 光源部 115 露光光 117 ホルダー 119 基板保持台 119A 反射部 120 マスク 123 光透過窓 125 マスクライブラリー(保管部) 130 基板 140 基板供給部 150 基板排出部 160 基板厚さ測定部 170 ギャップセンサー 173 光学的位置検出部 175 光源部 180 制御部 190 ギャップ設定入力部 210 半導体レーザ駆動回路 220 半導体レーザ(発光素子) 230 透光レンズ 240 レーザ光 245 反射光 250 受光レンズ 260 光位置検出素子(光センサー部) 270 信号増幅回路 280 試料(反射部119Aに相当) A0、A1、A2 試料面(反射部119Aの面) S0、S1、S2 光位置検出素子(光センサー部)の
光到達位置 410 光学式センサー 420 接触式センサー 425 接触部 430 装置架台 440 基板搬送コロ 445 基板搬送コロ支持部 480 基板 517 ホルダー 519 基板保持台 520 マスク 525 光透過窓 530 基板 530A 反射部 570 ギャップセンサー 573 光学的位置検出部 575 光源部 710、720 ガラス基板 730 障壁(セル障壁とも言う) 740 透明電極 750 金属電極 760 誘電体層 765 誘電体層 767 下地層 770 保護層(MgO層) 780 アドレス電極 790 螢光面
光到達位置 410 光学式センサー 420 接触式センサー 425 接触部 430 装置架台 440 基板搬送コロ 445 基板搬送コロ支持部 480 基板 517 ホルダー 519 基板保持台 520 マスク 525 光透過窓 530 基板 530A 反射部 570 ギャップセンサー 573 光学的位置検出部 575 光源部 710、720 ガラス基板 730 障壁(セル障壁とも言う) 740 透明電極 750 金属電極 760 誘電体層 765 誘電体層 767 下地層 770 保護層(MgO層) 780 アドレス電極 790 螢光面
Claims (7)
- 【請求項1】 基板保持台に基板を保持し、マスクと密
着させずに、マスクを介して平行な露光光を基板に照射
することにより、基板へのパターン露光を行うプロキシ
ミティー露光装置であって、基板の厚みを測定する基板
厚み測定部と、マスク面の位置と基板保持台の面の位置
を検出することにより、マスク、基板保持台間のギャッ
プを測定するギャップセンサーと、マスク、基板間のギ
ャップを制御する制御部と、マスク、基板間のギャップ
を所望の値に設定するギャップ設定入力部とを備え、基
板厚み測定部の測定結果と、ギャップセンサーの測定結
果に基づき、マスク、基板間のギャップを算出し、これ
とギャップ設定入力部から入力されたマスク、基板間の
ギャップとを比較し、比較結果にもとづき、マスク、基
板間のギャップを制御するものであることを特徴とする
プロキシミティー露光装置。 - 【請求項2】 請求項1において、ギャップセンサー
は、検出するための検出光を供給する検出光光源部と光
学的位置検出部とを備え、マスクに設けたギャップ測定
用の光透過窓で検出光の一部を反射させ、マスク面の位
置を求め、検出光の一部を透過させ、該光透過窓に対応
した位置の基板保持台の面に設けられた、該光透過窓を
透過した検出光を正反射するための光反射部からの検出
光の反射光を、再度光透過窓を通過させて検出し、その
光反射部の面の位置を求め、基板保持台の面の位置を検
出するものであることを特徴とするプロキシミティー露
光装置。 - 【請求項3】 請求項1ないし2における厚みセンサー
は、基板保持台とは別の試料台ないし搬送部上に基板を
載せ、基板の厚さを測定するもので、基板の表裏面それ
ぞれの変位を検出する2つの変位計とそれらの制御部お
よび演算部とを有し、試料台ないし搬送部の面の位置を
基準として、基板の表裏面それぞれの変位を検出し、検
出された結果にもどづき前記演算部にて演算して、基板
厚を測定するものであることを特徴とするプロキシミテ
ィー露光装置。 - 【請求項4】 請求項1ないし3において、基板サイズ
<マスクサイズ≦基板保持台サイズ、であることを特徴
とするプロキシミティー露光装置。 - 【請求項5】 請求項4において、マスクには基板のサ
イズより外側にギャップ測定用の光透過窓が設けられて
いることを特徴とするプロキシミティー露光装置。 - 【請求項6】 請求項1ないし5における基板は、液晶
表示装置(LCD)ないしプラズマディスプレイパネル
(PDP)用の基板であることを特徴とするプロキシミ
ティー露光装置。 - 【請求項7】 基板保持台に基板を保持し、マスクと密
着させずに、マスクを介して平行な露光光を基板に照射
することにより、基板へのパターン露光を行うプロキシ
ミティー露光装置における、マスク、基板間のギャップ
調整方法で、予め基板の厚み測定をしておき、且つ、光
学的位置検出部により、マスク面の位置と基板を保持す
る基板保持台の面の位置を検出することによりマスク、
基板保持台間のギャップを測定し、マスク、基板間のギ
ャップを算出し、算出した結果に基づき、マスク、基板
間のギャップを調整することを特徴とするプロキシミテ
ィー露光装置におけるギャップ調整方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9366831A JPH11194501A (ja) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | プロキシミティー露光装置、およびプロキシミティー露光装置におけるギャップ調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9366831A JPH11194501A (ja) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | プロキシミティー露光装置、およびプロキシミティー露光装置におけるギャップ調整方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11194501A true JPH11194501A (ja) | 1999-07-21 |
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