JP2002031524A - 測長機校正用標準板、機差検定方法およびプラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ＰＤＰ用基板およびフォトマスクを測長する測
長機の校正用標準板、および機差検定方法と該方法で検
定された測長機を用いることで、精度良くパターン形成
され、高い歩留まりで製造することが可能なプラズマデ
ィスプレイパネルの製造方法を提供する。 【解決手段】基板上に測長基準となる複数のマークを設
けた測長機校正用標準板であって、該標準板は熱膨張係
数が−８×１０^-7〜８×１０^-7／℃の材料からなること
を特徴とする測長機校正用標準板。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、大型フォトマスク
やプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）用基板などの
大型基板用測長機の校正用標準板、および機差検定方
法、ならびに該方法により検定された測長機を用いたプ
ラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の製造方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、大型ディスプレイとしてＰＤＰが
注目されている。

【０００３】代表的な方式であるＡＣ型ＰＤＰは、前面
ガラス基板と背面ガラス基板との間に備えられた放電空
間内で、電極間にプラズマ放電を生じさせ、上記放電空
間内に封入されているガスから発生した紫外線を、放電
空間内に設けた蛍光体にあてることにより表示を行うも
のである。

【０００４】図２にＰＤＰの構造例を示す。ＰＤＰは前
面板１と背面板２をはり合わせて構成されている。前面
板１は、ガラス基板３上にイットリウムや酸化錫からな
る透明電極４が形成されている。該透明電極４は、帯状
に複数本形成されており、隣り合う透明電極４間に通常
１０ｋＨｚ〜数１０ｋＨｚのパルス状ＡＣ電圧を印加
し、表示用の放電を得るが、透明電極４のシート抵抗は
数１０Ω／ｃｍ² と高いために、電極抵抗が数１０ｋΩ
程度になり、印加電圧パルスが十分に立ち上がらず、駆
動が困難になる。そこで、透明電極４上に通常金属製の
バス電極５を形成して抵抗値を下げる。

【０００５】次に、これら電極を透明誘電体層６によっ
て被覆する。この透明誘電体層６には低融点ガラスを用
いる。その後、保護膜層７として、ＭｇＯを電子ビーム
蒸着法によって形成する。前面板１に形成される透明誘
電体層６は、放電のための電荷を蓄積するコンデンサー
としての役割をする。

【０００６】上記したＰＤＰの前面板１、背面板２は、
例えば次の方法で製造される。

【０００７】前面板１は基板３上に、ＩＴＯをスパッタ
法で形成後、レジスト塗布し、露光・現像処理、エッチ
ング処理によって透明電極４を形成する。この上に、黒
色金属粉末と有機バインダーからなるペーストを用い
て、フォトリソグラフィ法やパターン印刷法によりバス
電極５を形成する。さらに、電極形成した前面板１上に
透明誘電体ペーストを印刷法やコーター法で塗布し、焼
成を行って透明誘電体層６を形成し、さらに、形成した
透明電極４、黒色バス電極５、透明誘電体層６を一様に
被覆するように電子ビーム蒸着機を用いて、保護膜層
（ＭｇＯ膜）７を形成して製造する。

【０００８】背面板２は、ガラス基板３上に、表示デー
タを書き込む書き込み電極（銀）８を感光性銀ペースト
を用いて作製し、この電極８を誘電体層９で被覆する。
その上に放電空間の確保と電極間距離の規定および誤放
電防止の役割を果たすストライプ状や格子状などの隔壁
１０を形成する。次に、隔壁側面と底部にスクリーン印
刷法により、赤、緑、青の各色に発光する蛍光体を塗布
後、乾燥、焼成を行って蛍光体層１１を形成する。

【０００９】上記の背面板２と前面板１をマトリクス駆
動が可能になるように合わせ、シールガラスで封着した
後、排気し、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｘｅ等の不活性気体の混合ガ
スを充填し、駆動回路を実装してＰＤＰは製造される。

【００１０】このような構造を有するＰＤＰにおいて
は、隣り合う透明電極４の間にパルス状の交流電圧を印
加するとガス放電が生じプラズマが形成される。ここで
生じた紫外線が蛍光体１１を励起して可視光を発光し、
前面板１を通して表示発光を得る。放電を生じる透明電
極４は走査電極と維持電極からなっている。実際のパネ
ル駆動において、放電電極である透明電極４には維持放
電パルスが印加されており、放電を生じさせるときに
は、背面板２上の書き込み電極８との間に電圧を印加し
て対向放電を生じさせ、この放電が維持パルスによって
放電電極間で維持される。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】上記のＰＤＰにおい
て、各パターンの位置精度の向上は正確な放電を行う上
で重要な課題となっている。具体的には、背面板上の隔
壁と書込電極の相対位置精度が悪く、相互に重なる場合
は、各セルの放電電圧が不均一となり、電圧マージンが
とれない問題がある。また、隔壁がワッフル形状や格子
形状の場合は前面板電極の放電部と隔壁で囲まれた放電
空間との相対位置精度を確保することが、正確な駆動を
行い、輝度を確保する上で重要である。今後の高精細
化、駆動電圧の安定化による駆動回路の簡略化のために
は、パターンの形成位置精度は約±１５μｍ以下が望ま
れている。

【００１２】しかし、以下の現象によってパターン位置
精度向上は困難な課題となっている。 第１に焼成毎に
ガラス基板が収縮することによって、パターンのトータ
ルピッチが設計より小さくなる問題がある。これに関し
ては、特開平９−１７１７７０号公報で焼成毎のガラス
基板の収縮量を見込んで、予めパターンを大きく形成し
ておく方法が提案されている。

【００１３】第２は、パターン寸法を測る測長機の精度
に起因する問題である。ＰＤＰのパターンはフォトリソ
グラフィで形成される場合が多く、この場合フォトマス
クが用いられるが、通常フォトマスクはマスクメーカー
で作製される。この際、マスクメーカーの測長機とＰＤ
Ｐメーカーの測長機に機差があったり、測定温度（室
温）が異なることで基板の熱寸法変化が生じると、マス
クメーカーでは設計寸法通りに作製したつもりでも、該
マスクをＰＤＰメーカーで用いる際、所望の寸法になっ
ておらず、ＰＤＰ用基板のパターン精度が得られない問
題があった。また、ＰＤＰメーカー内でも、前面板と背
面板がそれぞれ別の製造、検査ラインで、それぞれ異な
る測長機を用いている場合も、機差や温度差のために前
面板と背面板の各パターン寸法が設計値と異なり、パタ
ーンが整合しない問題があった。

【００１４】特開平１０−８２６３０号公報では測長装
置の精度確認方法として以下の方法が提案されている。
国家標準にトレーサビリティがとれている標準器を使用
して絶対精度の校正作業をした後、測長機ステージに設
けたターゲットの座標値を読みとり、記憶し、これを繰
り返して、繰り返し精度が許容範囲を越えるか否かを判
断する方法である。この方法では、装置単体の絶対精度
と繰り返し精度が確保されるが、絶対精度を確保するた
めの大型標準器が高価である、測定温度差による基板熱
寸法変化分の誤差が解消できないなどの問題があった。

【００１５】そこで本発明は、ＰＤＰ用基板およびフォ
トマスクを測長する測長機の校正用標準板、および機差
検定方法と該方法で検定された測長機を用いることで、
精度良くパターン形成され、高い歩留まりで製造するこ
とが可能なプラズマディスプレイパネルの製造方法を提
供することをその目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記の本発明の目的は、
以下の構成を採用することによって達成される。すなわ
ち、 ［１］基板上に測長基準となる複数のマークを設けた測
長機校正用標準板であって、該標準板は熱膨張係数が−
８×１０−７〜８×１０−７／℃の材料からなることを
特徴とする測長機校正用標準板。

【００１７】［２］ステージ、および基板観察手段を備
えた基板測長機の機差検定方法であって、熱膨張係数が
−８×１０−７〜８×１０−７／℃の材料からなる基板
上に複数のマークを設けた同一標準板のマーク間距離を
複数の測長機で測長し、該測長値の差から各測長機差を
求めることを特徴とする測長機差検定方法。

【００１８】［３］ステージ、および基板観察手段を備
えた基板測長機の機差検定方法であって、２枚の基板
ａ、および基板ｂそれぞれの熱膨張係数が−８×１０−
７〜８×１０−７／℃、および７０×１０−７／℃以上
であり、それぞれの基板には、ある温度Ｔ（℃）で互い
に同一のマーク間距離をもつマークが形成されており、
基板ａのマーク間距離を第一の測長機および第二の測長
機で測長した値をa１、ａ２、基板ｂのマーク間距離を
第一の測長機および第二の測長機２で測長した値をｂ
１、ｂ２（Ｔ（℃）でａ１＝ｂ１）とした場合、第一の
測長機、第二の測長機の機差Ｘと第一の測長機、第二の
測長機２の測定温度差による寸法変化Ｙを、次式（２）
および（３）により求めることを特徴とする測長機差検
定方法。

【００１９】 （ａ１−ａ２）／ａ１＝Ｘ ・・・（２） （ｂ１−ｂ２）／ｂ１−Ｘ＝Ｙ ・・・（３） ［４］前記［２］および［３］記載の方法で校正された
測長機を用いることを特徴とするプラズマディスプレイ
パネル用基板の測長方法。

【００２０】［５]前記［２］および［３］記載の方法
で校正された測長機を用いることを特徴とするプラズマ
ディスプレイパネル用フォトマスクの測長方法。

【００２１】［６］前記［４］記載の測長方法で測長さ
れた基板を用いることを特徴とするプラズマディスプレ
イパネルの製造方法。

【００２２】［７］前記［５］記載の測長方法で測長さ
れたフォトマスクを用いることを特徴とするプラズマデ
ィスプレイパネルの製造方法。

【００２３】

【発明の実施の形態】本発明は、熱膨張係数が−８×１
０^-7〜８×１０^-7／℃の材料からなり、複数の測長用マ
ークを備えた標準板ａを用い、該標準板ａのマーク間距
離を複数の測長機で測長し、各測長機での測長値差か
ら、正確に機差を求め得ることを見いだした。これは、
標準板ａの熱膨張係数が十分小さく、測定温度による寸
法変化がないためである。さらに、上記標準板ａと同一
マーク間距離でマークを形成した熱膨張係数が７０×１
０^-7／℃以上の基板ｂについて同様に測長し、該測長値
を標準板ａの測長値と比較することで、測長値差に占め
る熱寸法変化分と機差分を分離する方法を見いだしたも
のである。

【００２４】以下、本発明をさらに詳しく説明する。

【００２５】標準板ａの材料としては、室温付近での熱
膨張係数が−８×１０^-7〜８×１０ ^-7／℃以下であるこ
とが、測定温度差による熱寸法変化分を無視するために
重要である。熱膨張係数は−５×１０^-7〜５×１０^-7／
℃以下であるとより好ましく、さらに好ましくは−３×
１０^-7〜３×１０^-7／℃以下である。

【００２６】熱膨張係数は示差熱膨張計を用いて測定を
行い、３０〜４００℃の範囲について求めた値である。

【００２７】測長機を設置する室温は約２０〜２５℃が
一般的であり、この場合、最大約５度の温度差が考えら
れるが、熱膨張係数が−８×１０^-7〜８×１０^-7／℃の
材料を用いた、長手寸法１ｍの基板では、５℃の温度上
昇で４μｍの寸法変化であり、これはＰＤＰのパターン
寸法を測長する上で無視できる十分小さい誤差である。
これによって、異なる室温に設置された測長機であって
も、正確に固有の機差を検定できる。具体的な標準板の
材料としては、窒化珪素、チタン酸アルミニウム、石英
ガラスなどが挙げられるが、種々の低膨張結晶化ガラス
が安価で加工しやすい点から好ましい。

【００２８】標準板ａの作製は、基板の成型、切断、研
磨工程およびマーク形成工程からなる。マークの形成方
法としては、感光性ペースト法やパターン印刷法などで
金属ペーストのマークを形成した後、これを焼成してを
焼き付ける方法や、基板にレーザー描画する方法があ
る。マーク形状は測長機に備えた観察手段で観察できる
マークであればいかなるものでも良いが、マークの座標
を精度よく特定するには、＋形状が好ましく、線幅は１
０〜２００μｍ程度のものが好ましい。

【００２９】本発明で用いられる測長機としては、例え
ば基板を載置するステージと、基板を観察するための観
察手段と、上記ステージと平行な平面内で上記観察手段
と上記ステージとを相対的に移動させる手段とを備え、
観察手段により被測定物の測定対象となる２点のマーク
の座標値を測定し、その時の相対移動量により被測定物
の長さを求める方式のものが適用できる。観察手段とし
ては、被測定物上の微細マークを観察することができる
ものであり、具体的にはＣＣＤカメラなどが好ましい。
他にも、微細マークを拡大投影する投影機や画像のエッ
ジ部分を検出することのできるセンサ、タッチプローブ
などを使用することもできる。

【００３０】本発明の測長機差検定方法は、上記の熱膨
張係数が−８×１０^-7〜８×１０^-7／℃の材料からなる
同一標準板のマーク間距離を複数の測長機で測長し、該
測長値の差から機差を求める方法である。標準板ａを第
一の測長機および第二の測長機で測長した際の測長値を
それぞれａ１（ｍ）、ａ２（ｍ）とすると機差Ｘは次式
（１）で定義される。

【００３１】 Ｘ＝（ａ１−ａ２）／ａ１ ・・・（１） ここで、Ｘは測長長さ１ｍあたりに生じる機差（ｍ）で
ある。

【００３２】プラズマディスプレイパネルやフォトマス
クなど、熱膨張係数が７０×１０^-7／℃を越える材料か
らなる基板を複数の測長機で測長する際は、測定温度差
によって生じる基板寸法変化と機差とを明確に分離する
必要があり、本発明は以下の方法を見いだした。２枚の
基板ａ、およびｂそれぞれの熱膨張係数が−８×１０ ^-7
〜８×１０^-7／℃、および７０×１０^-7／℃以上であ
り、それぞれの基板には、ある温度Ｔ（℃）で互いに同
一のマーク間距離をもつマークが形成されており、ａの
マーク間距離を第一の測長機および第二の測長機で測長
した値をa１、ａ２、ｂのマーク間距離を第一の測長機
および第二の測長機で測長した値をｂ１、ｂ２（Ｔ
（℃）でａ１＝ｂ１）とした場合、第一の測長機、第二
の測長機の機差Ｘと第一の測長機および第二の測長機の
測定温度差による寸法変化Ｙは、次式（２）および
（３）により求められる。

【００３３】 （ａ１−ａ２）／ａ１＝Ｘ ・・・（２） （ｂ１−ｂ２）／ｂ１−Ｘ＝Ｙ ・・・（３） ＹもＸと同様、測長長さ１ｍあたりに生じる基板寸法変
化（ｍ）である。

【００３４】次に、本発明のプラズマディスプレイパネ
ルを製造する好ましい方法を以下に順を追って説明す
る。

【００３５】本発明のプラズマディスプレイパネルの製
造方法は、従来技術と同様に、前面板、背面板の製造と
該基板の封着、排気、不活性混合ガスの充填、駆動回路
の実装工程からなる。

【００３６】前面板、および背面板に用いるガラス基板
はソーダライムガラス、ＰＤ２００（旭硝子製）などの
高歪み点ガラスいずれでも良い。これらの熱膨張係数は
７０×１０^-7／℃〜９０×１０^-7／℃の範囲であること
が好ましく、前面板と背面板との熱膨張係数差は１０×
１０^-7／℃以下であることが重要である。前面板と背面
板との熱膨張係数差が１０×１０^-7／℃を越えると、封
着の際、応力が発生し基板が割れることがあるので好ま
しくない。より好ましくは、前面板、背面板が互いに同
じ材料であると、封着時の基板の破損を防ぐのに有効で
ある。

【００３７】前面板は基板上に、ＩＴＯをスパッタ法で
形成後、レジスト塗布し、露光・現像処理、エッチング
処理によって透明電極を形成する。この上に、黒色金属
粉末と有機バインダーからなるペーストを用いて、フォ
トリソグラフィ法またはパターン印刷法によりバス電極
を形成する。さらに、電極形成した前面板上に透明誘電
体ペーストを印刷法やコーター法で塗布し、焼成を行っ
て透明誘電体操を形成し、さらに、形成した透明電極、
黒色電極、誘電体層を一様に被覆するように電子ビーム
蒸着機を用いて、ＭｇＯ膜を形成して製造する。

【００３８】背面板は、ガラス基板上に、表示データを
書き込む書き込み電極を感光性銀ペーストを用いてフォ
トリソグラフィ法で作製し、この電極を誘電体層で被覆
する。その上に放電空間の確保と電極間距離の規定およ
び誤放電防止の役割を果たすストライプ状や格子状など
の隔壁をパターン印刷法、サンドブラスト法、感光性ペ
ースト法によって形成する。次に、隔壁側面と底部にス
クリーン印刷法や感光性ペースト法により、赤、緑、青
の各色に発光する蛍光体を塗布後、乾燥、焼成を行って
蛍光体層を形成する。

【００３９】前面板、および背面板作製工程のうち、前
面板の透明電極、バス電極、背面板の書き込み電極、隔
壁はフォトリソグラフィ法で形成されることが好まし
く、このときフォトマスクが用いられる。

【００４０】ＰＤＰ用フォトマスクはソーダライムガラ
スの支持基板にマスクパターンが描画された膜が形成さ
れており、膜にはエマルジョン、クロムがある。エマル
ジョンマスクの製法は基板上にエマルジョン（写真乳
剤）を塗布した後、塗布膜にＣＡＤで作成されたパター
ンデータをフォトプロッターもしくはＥＢ描画装置で描
画、写真現像して形成される。クロムマスクの場合は、
基板上へのクロム蒸着、フォトレジスト膜形成、露光、
現像、エッチング、レジスト剥離を経て作製される。フ
ォトマスクを作製する際、フォトマスクを測長する測長
機と、前、背面板製造ラインの測長機の間に機差がある
と、フォトマスクのパターン寸法が所望通りに作製され
ないため、測長機の機差を明確にし、パターンデータの
補正値を求める必要がある。

【００４１】また、作製された前面板、背面板も、それ
ぞれを測長する測長機の機差を定量し、各測長機の測長
値に補正をかけることが重要である。補正をかけない場
合、見かけ上設計通りの寸法であっても、実際は設計値
よりずれており、封着の際、前面板と背面板のパターン
ズレを起こす場合がある。以下に、フォトマスクおよび
前面板、背面板の測長値補正方法を示す。

【００４２】前面板、背面板およびフォトマスクの製造
ラインをそれぞれ０、１、２としたとき、各ラインの測
長機をＳ0、Ｓ1、Ｓ2、測長温度（℃）をＴ0、Ｔ1、Ｔ2
とする。本発明の標準板をａ、前面板、背面板、フォト
マスクと同じく、熱膨張係数が８０〜９０×１０^-7／℃
のガラスからなる基板をｂとし、標準板ａ、基板ｂはあ
る温度Ｔ（℃）で同一のマーク間距離をもつ２点のマー
クが形成されている。標準板ａのマーク間距離を測長機
Ｓ0、Ｓ1およびＳ2で測長した値をａ0、a１、ａ２、基
板ｂのマーク間距離を測長機Ｓ0、Ｓ1およびＳ2で測長
した値をｂ0、ｂ１、ｂ２（Ｔ（℃）でａ0＝ｂ0）とし
た場合、Ｓ0とＳ1の機差Ｘ01、Ｓ0とＳ2の機差Ｘ02およ
びＳ1とＳ2の機差Ｘ12は前記（２）式に従い、次式
（４）（５）（６）により求められる。

【００４３】 （ａ0−ａ1）／ａ0＝Ｘ01 ・・・（４） （ａ0−ａ2）／ａ0＝Ｘ02 ・・・（５） （ａ1−ａ2）／ａ1＝Ｘ12 ・・・（６） 測定温度差による基板の寸法変化Ｙは、次式（７）〜
（９）により求められる。

【００４４】 （ｂ0−ｂ1）／ｂ0−Ｘ01＝Ｙ01 ・・・（７） （ｂ0−ｂ2）／ｂ0−Ｘ02＝Ｙ02 ・・・（８） （ｂ1−ｂ2）／ｂ1−Ｘ12＝Ｙ12 ・・・（９） ここで、ＰＤＰのパターンのある部分の設計寸法をＣ
（ｍ）とし、測長機の基準機をＳ0としたとき、Ｓ1、Ｓ
2でＣを測長する際は、次式（10）（11）により求めら
れる補正された値Ｃ1、Ｃ2で表現される。

【００４５】 Ｃ1＝Ｃ（１−Ｘ01−Ｙ01） ・・・（10） Ｃ2＝Ｃ（１−Ｘ02−Ｙ02）＝Ｃ1（１−Ｘ12−Ｙ12） ・・・（11） したがって、フォトマスクを設計、描画する際は、（1
1）式に従って補正をかける。また、背面板を測長する
際は、（10）式に従って測長値を補正する。また、前面
板、背面板の封着がＴ0、Ｔ1、Ｔ2以外の温度Ｔxで行わ
れる場合は、Ｔxを基準として、Ｓ0、Ｓ1、Ｓ2でＣを測
定した値は次式（12）〜（15）で求められる補正された
値Ｃ0、Ｃ1、Ｃ2で表される。

【００４６】 Ｃ0＝Ｃ／｛（１＋α（Ｔx−Ｔ0）｝ ・・・（12） Ｃ1＝Ｃ｛１−Ｘ01−Ｙ01（Ｔx−Ｔ0）／（Ｔ0−Ｔ1）｝ ・・・（13） Ｃ2＝Ｃ｛１−Ｘ02−Ｙ02（Ｔx−Ｔ0）／（Ｔ0−Ｔ2）｝ ・・・（14） ＝Ｃ〔１−Ｘ12−Ｙ12（Ｔx−Ｔ1）／（Ｔ1−Ｔ2）〕 ・・・（15） ここで、αは前面板の熱膨張係数を示す。フォトマスク
補正は（14）、（15）式に従って行い、前面板、背面板
の測長値の補正はそれぞれ（12）、（13）によって行
う。

【００４７】このように補正されたフォトマスクを用い
作製された前、背面板を機差を補正した測長機で測長
し、設計寸法通りに作製されているかどうかをチェック
する。寸法のズレは±２０μｍ以下、好ましくは±１５
μｍ以下であると、正確な電圧駆動を行うことができ
る。

【００４８】上記の背面板と前面板をマトリクス駆動が
可能になるように合わせ、シールガラスで封着した後、
排気し、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｘｅ等の不活性気体の混合ガスを
充填し、駆動回路を実装してＰＤＰは製造される。

【００４９】

【実施例】以下に、本発明を実施例を用いて、具体的に
説明する。ただし、本発明はこれに限定はされない。

【００５０】＜実施例１＞ （１）測長機校正用標準板の作製 以下の２種の基板を用いた。

【００５１】 標準板Ａ：低膨張結晶化ガラス基板（日本電気硝子社製 ネオセラムＮ−０） 熱膨張係数：−６．５×１０^-7／℃ サイズ ：１２００×７００×２．８ｍｍ 標準板Ｂ：高歪み点ガラス（旭硝子製 ＰＤ２００） 熱膨張係数：８３×１０^-7／℃ サイズ ：１２００×７００×２．８ｍｍ 各基板には、全面に感光性銀ペースト（デュポン社製
「フォーデルＤＣ２０２」をにスクリーン印刷した後、
フォトマスク露光、現像、焼成を行って図１に示すイ〜
ニの位置に＋パターンを形成した。露光時の基板温度は
２２℃であった。 （２）基板の測長および測長値の補正 標準板Ａ、Ｂについて第一の測長機、第二の測長機で測
長を行った。ここで第一の測長機、第二の測長機はいず
れも図３に示す構造のものである。それぞれの設置温度
は第一の測長機が２２℃、第二の測長機が２５℃であっ
た。架台３４上に載置された測長機のステージ３２と、
ＣＣＤカメラ３５は平行な平面内において相対的にＸＹ
移動させることができ（Ｙ方向はレール３３上を移
動）、駆動はモータ駆動である。観察へッド３６をもつ
ＣＣＤカメラ３５は、焦点合わせのため、Ｚ方向に移動
可能である。ディスプレイ３７には、被観察物の拡大像
とカメラ中心位置（＋マーク）が表示されており、基板
３１マーク中心とカメラ中心を目視合わせを行い、この
ときの座標値を読みとった。座標はＸＹ座標によって示
され、各座標値から基板マーク間距離を求めた。標準板
Ａ、Ｂのイ−ロ間距離を第一の測長機および第二の測長
機で測長した際の測長値をそれぞれＡ１、Ｂ１、Ａ２、
Ｂ２（単位：ｍ）、とすると機差Ｘ12、基板寸法変化Ｙ
12を次式で求めた。

【００５２】Ｘ12＝（Ａ１−Ａ２）／Ａ１ Ｙ12＝（Ｂ１−Ｂ２）／Ｂ１−Ｘ12 ここで、Ｘ12、Ｙ12は測長長さ１ｍあたりに生じる機
差、寸法変化（ｍ）である。第二の測長機の第一の測長
機に対する誤差を補正するため、補正係数βを以下の通
りとした。

【００５３】β＝１−Ｘ12−Ｙ12 Ｃ2＝γ×Ｃ1 Ｃ1、Ｃ２は第一の測長機、第二の測長機の測長値であ
る。表１に第一の測長機、第二の測長機の測定温度、Ａ
１、Ｂ１、Ａ２、Ｂ２、Ｘ12、Ｙ12、γの値を示した。 （３）ＰＤＰ用基板の測長 次に、基板上に電極、誘電体、隔壁を形成した背面板に
ついて、電極と隔壁のトータルピッチを測定した。測長
機１の実測値にβを乗じた値と、測長機２の実測値は良
い一致を示し、補正が正しく行われていることを示し
た。結果を表１に示す。

【００５４】

【表１】

【００５５】＜実施例２＞実施例１で補正した第一の測
長機、第二の測長機を用いて、ＰＤＰの製造を行った。
前面板、背面板作製工程のうち、前面板の透明電極、バ
ス電極、背面板の書込電極、隔壁はフォトリソグラフィ
法で形成するため、フォトマスクを作製した。この際、
マスクパターン寸法は第一の測長機を基準に設計した。
フォトマスクはソーダライムガラスの支持基板上にエマ
ルジョン（写真乳剤）を塗布した後、塗布膜にＣＡＤで
作成されたパターンデータをＥＢ描画／測長兼用機で描
画した後、写真現像して形成し、最後にＥＢ描画／測長
兼用機で寸法確認を行った。前面板用フォトマスクは、
第三のマスクメーカーで作製し、背面板用フォトマスク
は第四のマスクメーカーで作製した。第三のマスクメー
カーの描画／第三の測長機の描画／測定温度は２０℃、
第四のマスクメーカーの描画／第四の測長機の描画／測
定温度は２３℃であった。描画／測長機は実施例１と同
様、標準板Ａ、Ｂを用いて補正を行った。標準板Ａ、Ｂ
のイ−ロ間距離を描画／第三の測長機、第四の測長機で
測長した値をそれぞれＡ３、Ａ４、Ｂ３、Ｂ４、第一の
測長機との機差をＸ13、Ｘ14、基板寸法変化Ｙ13、Ｙ1
4、補正係数をγ、Δとした。各値を表１に示す。ま
た、計算方法を以下に示す。

【００５６】Ｘ13＝（Ａ１−Ａ３）／Ａ１ Ｙ12＝（Ｂ１−Ｂ３）／Ｂ１−Ｘ13 γ＝１−Ｘ13−Ｙ13 Ｃ3＝γ×Ｃ1 Δ＝１−Ｘ13−Ｙ13 Ｃ４＝Δ×Ｃ１ Ｃ1はマスクパターンの設計値、Ｃ３、Ｃ４は描画／測
長機の補正値である。

【００５７】作製したフォトマスクを用いて、以下の手
順でＰＤＰを作製した。

【００５８】まず、１２５０×７５０×２．８ｍｍサイ
ズのガラス基板（旭硝子社製 ＰＤ２００）上に書き込
み電極として感光性銀ペースト（デュポン社製 フォー
デルＤＣ２０２）を用いてフォトリソグラフィ法によ
り、ピッチ３００μｍ、線幅１８０μｍ、焼成後厚み４
μｍのストライプ状電極を形成した。この基板に誘電体
ペースト（ノリタケカンパニーリミテド社製 ＮＰ−７
８５８）を塗布した後、５５０℃で焼成して厚み１０μ
ｍの誘電体層を形成した。誘電体上には感光性ペースト
をスクリーン印刷によって厚膜塗布し、この膜を露光、
現像、焼成し、ピッチ３００μｍ、高さ１２０μｍ、幅
８０μｍのストライプ状隔壁を形成した。光学顕微鏡に
て形成パターンを確認したところ、電極、隔壁の重なり
などのパターンズレはなく、精度は良好であった。

【００５９】このように形成された隔壁に、赤、青、緑
に発光する蛍光体ペーストをスクリーン印刷法を用いて
塗布し、これらを焼成（５００℃、３０分）して隔壁の
側面および底部に蛍光体層を形成した。

【００６０】次に、前面板を以下の工程によって作製し
た。先ず、背面板と同じガラス基板上に、ＩＴＯをスパ
ッタ法で形成後、レジスト塗布し、露光・現像処理、エ
ッチング処理によって焼成厚み０．１μｍ、線幅２００
μｍの透明電極を形成した。また、黒色銀粉末からなる
感光性銀ペーストを用いて、フォトリソグラフィ法によ
り、焼成後厚み１０μｍのバス電極を形成した。電極は
ピッチ３００μｍ、線幅６０μｍのものを作製した。

【００６１】さらに、電極形成した前面板上に透明誘電
体ペーストを２０μｍ塗布し、４３０℃で２０分間保持
して焼き付けた。次に、形成した透明電極、黒色電極、
誘電体層を一様に被覆するように電子ビーム蒸着機を用
いて、厚みは０．５μｍのＭｇＯ膜を形成して前面板を
完成させた。

【００６２】得られた前面ガラス基板を、前記の背面ガ
ラス基板と張り合わせ封着した。封着用のアライメント
マーク（マーク間距離１２３０ｍｍ）で前、背面板パタ
ーンのズレを確認したところ、１０μｍ以下であった。

【００６３】＜比較例＞第一の測長機、第二の測長機、
ＥＢ描画／第三の測長機、第四の測長機の補正を行わな
かった以外は、実施例２と同様にＰＤＰの製造を行っ
た。前面板、背面板の封着の際、封着用アライメントマ
ークで前、背面板のズレを確認したところ、前面板に対
して背面板が１０６μｍ小さく形成されていた。

【００６４】

【発明の効果】基板上に測長基準となる複数のマークを
設けた測長機校正用標準板であって、標準板材料の熱膨
張係数が−８×１０^-7〜８×１０^-7／℃のものからなる
測長機校正用標準板と、該標準板のマーク間距離を複数
の測長機で測長し、該測長値の差から機差を求めること
で各測長機差を検定する方法および該方法で検定された
測長機を用いてＰＤＰの製造を行うことで、パターン加
工精度を向上し、歩留まりを上げることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１、実施例２に用いる標準板のマーク位
置を示す平面図である。

【図２】ＰＤＰの断面図である。

【図３】本発明に適用する測長機の一例を示す概略図で
ある。

【符号の説明】

１：前面板 ２：背面板 ３：基板 ４：透明電極 ５：バス電極 ６：透明誘電体層 ７：保護膜層（ＭｇＯ膜） ８：書き込み電極 ９：誘電体層 １０：隔壁 １１：蛍光体層 ３１：基板 ３２：ステージ ３３：レール ３４：架台 ３５：ＣＣＤカメラ ３６：観察へッド ３７：ディスプレイ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F069 AA31 CC06 FF07 GG07 GG71 RR03 5C012 AA09 5C040 JA40 MA24 MA30 5C058 AA11 AB01 BA35 5C061 BB05 CC05

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】基板上に測長基準となる複数のマークを設
   けた測長機校正用標準板であって、該標準板は熱膨張係
   数が−８×１０^-7〜８×１０^-7／℃の材料からなること
   を特徴とする測長機校正用標準板。
2. 【請求項２】ステージ、および基板観察手段を備えた基
   板測長機の機差検定方法であって、熱膨張係数が−８×
   １０^-7〜８×１０^-7／℃の材料からなる基板上に複数の
   マークを設けた同一標準板のマーク間距離を複数の測長
   機で測長し、該測長値の差から各測長機差を求めること
   を特徴とする測長機差検定方法。
3. 【請求項３】ステージ、および基板観察手段を備えた基
   板測長機の機差検定方法であって、２枚の基板ａ、およ
   び基板ｂそれぞれの熱膨張係数が−８×１０^-7〜８×１
   ０^-7／℃、および７０×１０^-7／℃以上であり、それぞ
   れの基板には、ある温度Ｔ（℃）で互いに同一のマーク
   間距離をもつマークが形成されており、基板ａのマーク
   間距離を第一の測長機および第二の測長機で測長した値
   をa１、ａ２、基板ｂのマーク間距離を第一の測長機お
   よび第二の測長機２で測長した値をｂ１、ｂ２（Ｔ
   （℃）でａ１＝ｂ１）とした場合、第一の測長機、第二
   の測長機の機差Ｘと第一の測長機、第二の測長機２の測
   定温度差による寸法変化Ｙを、次式（２）および（３）
   により求めることを特徴とする測長機差検定方法。 （ａ１−ａ２）／ａ１＝Ｘ ・・・（２） （ｂ１−ｂ２）／ｂ１−Ｘ＝Ｙ ・・・（３）
4. 【請求項４】請求項２および３記載の方法で校正された
   測長機を用いることを特徴とするプラズマディスプレイ
   パネル用基板の測長方法。
5. 【請求項５】請求項２および３記載の方法で校正された
   測長機を用いることを特徴とするプラズマディスプレイ
   パネル用フォトマスクの測長方法。
6. 【請求項６】請求項４記載の測長方法で測長された基板
   を用いることを特徴とするプラズマディスプレイパネル
   の製造方法。
7. 【請求項７】請求項５記載の測長方法で測長されたフォ
   トマスクを用いることを特徴とするプラズマディスプレ
   イパネルの製造方法。