JPH09171770A - プラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法Info
- Publication number
- JPH09171770A JPH09171770A JP7997A JP7997A JPH09171770A JP H09171770 A JPH09171770 A JP H09171770A JP 7997 A JP7997 A JP 7997A JP 7997 A JP7997 A JP 7997A JP H09171770 A JPH09171770 A JP H09171770A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
ガラス基板上に絶縁層を挟んで配置される電極のパター
ンとクロストーク防止用隔壁のパターンとを適度な位置
関係で形成することを目的とする。 【解決手段】ガラス基板上に所定パターンの電極を形成
し、その上に所定温度で焼成される絶縁層を形成した
後、所定パターンのクロストーク防止用隔壁を形成する
プラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法にお
いて、ガラス基板上に所定ピッチで相互に平行な複数本
の線状電極を形成する際、電極の幅方向のピッチと全電
極の占有幅が絶縁層を焼成する時のガラス基板の収縮量
を見込んだ寸法分だけ所定寸法よりも大きな寸法となる
パターンで形成し、この後、絶縁層をガラスペーストを
塗布し焼成することにより形成し、さらに絶縁層上に電
極パターンの間に位置する関係で所定間隔の平行なパタ
ーンによりクロストーク防止用隔壁を形成する。
ンとクロストーク防止用隔壁のパターンとを適度な位置
関係で形成することを目的とする。 【解決手段】ガラス基板上に所定パターンの電極を形成
し、その上に所定温度で焼成される絶縁層を形成した
後、所定パターンのクロストーク防止用隔壁を形成する
プラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法にお
いて、ガラス基板上に所定ピッチで相互に平行な複数本
の線状電極を形成する際、電極の幅方向のピッチと全電
極の占有幅が絶縁層を焼成する時のガラス基板の収縮量
を見込んだ寸法分だけ所定寸法よりも大きな寸法となる
パターンで形成し、この後、絶縁層をガラスペーストを
塗布し焼成することにより形成し、さらに絶縁層上に電
極パターンの間に位置する関係で所定間隔の平行なパタ
ーンによりクロストーク防止用隔壁を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、プラズマディス
プレイパネル用基板構体の製造方法に係り、特に電極の
絶縁層やクロストーク防止用隔壁の焼成工程におけるガ
ラス基板の収縮による寸法誤差を補償した電極あるいは
クロストーク防止用隔壁のパターン形成法に関する。
プレイパネル用基板構体の製造方法に係り、特に電極の
絶縁層やクロストーク防止用隔壁の焼成工程におけるガ
ラス基板の収縮による寸法誤差を補償した電極あるいは
クロストーク防止用隔壁のパターン形成法に関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマディスプレイパネル（以下ＰＤ
Ｐと記す）を構成する一対の基板（基板構体）の内の一
方の基板には、所定パターンの電極、ガラスの絶縁層
（以下ＩＦ層と略す）、隣接放電セルのクロストーク防
止用隔壁を順次積層したものや、前記クロストーク防止
用隔壁上にさらに電極を形成したものがある。一方、そ
れら電極、クロストーク防止用隔壁のパターンは高密度
化、多素子化が進み、ピッチ３６０μｍ、パターン層１
００μｍ、パターン総数６４０本に及んでいる。
Ｐと記す）を構成する一対の基板（基板構体）の内の一
方の基板には、所定パターンの電極、ガラスの絶縁層
（以下ＩＦ層と略す）、隣接放電セルのクロストーク防
止用隔壁を順次積層したものや、前記クロストーク防止
用隔壁上にさらに電極を形成したものがある。一方、そ
れら電極、クロストーク防止用隔壁のパターンは高密度
化、多素子化が進み、ピッチ３６０μｍ、パターン層１
００μｍ、パターン総数６４０本に及んでいる。
【０００３】従って、精度が高く、作業効率の良いパネ
ル用基板構体の製造方法が要望されていた。
ル用基板構体の製造方法が要望されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＰＤＰ用基板構体のベ
ースとなるガラス基板にはソーダライムガラスが用いら
れるが、この材質はクロストーク防止用隔壁やＩＦ層の
焼成温度である５００〜６００℃を経過後、図２に代表
例にて示す如く焼成前の寸法に対し、焼成１回で収縮代
０．０３２３％、収縮後０．９９９６７９、同じく２回
でそれぞれ０．０５３７％、０．９９９４７３になる。
尚、これら収縮代は焼成条件により、それぞれ０．０２
６１〜０．０３９８％、０．０４０７〜０．０５４９％
のばらつきがある。
ースとなるガラス基板にはソーダライムガラスが用いら
れるが、この材質はクロストーク防止用隔壁やＩＦ層の
焼成温度である５００〜６００℃を経過後、図２に代表
例にて示す如く焼成前の寸法に対し、焼成１回で収縮代
０．０３２３％、収縮後０．９９９６７９、同じく２回
でそれぞれ０．０５３７％、０．９９９４７３になる。
尚、これら収縮代は焼成条件により、それぞれ０．０２
６１〜０．０３９８％、０．０４０７〜０．０５４９％
のばらつきがある。
【０００５】この収縮は、２３０ｍｍのガラス基板では
それぞれ７４μｍ、１２４μｍに及ぶ。従来ピッチが大
きく、パターン幅も大きく、総本数が少ない場合には、
この程度の誤差は無視できたが、既述の如く最近はピッ
チ３６０μｍ、電極幅１００μｍ、総数６４０本の微
小、多数パターンが用いられるようになり、これらの収
縮値は無視できない値となってきた。
それぞれ７４μｍ、１２４μｍに及ぶ。従来ピッチが大
きく、パターン幅も大きく、総本数が少ない場合には、
この程度の誤差は無視できたが、既述の如く最近はピッ
チ３６０μｍ、電極幅１００μｍ、総数６４０本の微
小、多数パターンが用いられるようになり、これらの収
縮値は無視できない値となってきた。
【０００６】この発明は、以上のような従来の状況か
ら、簡易な方法で精度の高い電極およクロストーク防止
用隔壁のパターン形成が可能なＰＤＰ用基板構体の製造
方法を提供することを目的としている。
ら、簡易な方法で精度の高い電極およクロストーク防止
用隔壁のパターン形成が可能なＰＤＰ用基板構体の製造
方法を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、ガラス基板
上に所定パターンの電極を形成し、その上に所定温度で
焼成される絶縁層を形成した後、所定パターンのクロス
トーク防止用隔壁を形成するプラズマディスプレイパネ
ル用基板構体の製造において、前記ガラス基板上に所定
ピッチで相互に平行な複数本の線状電極を形成する際、
当該電極の幅方向のピッチと全電極の占有幅が前記絶縁
層を焼成する時のガラス基板の収縮量を見込んだ寸法分
だけ所定寸法よりも大きな寸法となるパターンで形成
し、この後前記絶縁層をガラスペーストを塗布し焼成す
ることにより形成し、さらに該絶縁層上に前記電極パタ
ーンの間に位置する関係で所定間隔の平行なパターンに
よりクロストーク防止用隔壁を形成することを特徴とす
るプラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法を
提供するものである。
上に所定パターンの電極を形成し、その上に所定温度で
焼成される絶縁層を形成した後、所定パターンのクロス
トーク防止用隔壁を形成するプラズマディスプレイパネ
ル用基板構体の製造において、前記ガラス基板上に所定
ピッチで相互に平行な複数本の線状電極を形成する際、
当該電極の幅方向のピッチと全電極の占有幅が前記絶縁
層を焼成する時のガラス基板の収縮量を見込んだ寸法分
だけ所定寸法よりも大きな寸法となるパターンで形成
し、この後前記絶縁層をガラスペーストを塗布し焼成す
ることにより形成し、さらに該絶縁層上に前記電極パタ
ーンの間に位置する関係で所定間隔の平行なパターンに
よりクロストーク防止用隔壁を形成することを特徴とす
るプラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法を
提供するものである。
【０００８】ガラス基板上に形成された前記電極のパタ
ーンは、その上に絶縁層を形成した時に所定量収縮する
けれども、その収縮パターンが絶縁層上に形成されるク
ロストーク防止用隔壁のパターンと適度な位置関係にな
るので、電極およびクロストーク防止用隔壁のパターン
間の位置ずれは実質的に皆無になる。
ーンは、その上に絶縁層を形成した時に所定量収縮する
けれども、その収縮パターンが絶縁層上に形成されるク
ロストーク防止用隔壁のパターンと適度な位置関係にな
るので、電極およびクロストーク防止用隔壁のパターン
間の位置ずれは実質的に皆無になる。
【０００９】
〔第１の実施形態〕図１は第１の実施形態に係るメモリ
形ＰＤＰにおける一方の基板構体の構成図である。図に
おいて、１はガラス基板、２は線状パターンの電極、３
はＩＦ層、４はクロストーク防止用隔壁である。
形ＰＤＰにおける一方の基板構体の構成図である。図に
おいて、１はガラス基板、２は線状パターンの電極、３
はＩＦ層、４はクロストーク防止用隔壁である。
【００１０】電極パターン２は、ガラス基板１上に蒸着
やスパッタ等の方法により形成される。ＩＦ層３は、電
極パターン２上にガラスペーストを塗布した後、５００
〜６００℃にて焼成することで形成される。クロストー
ク防止用隔壁４は、上記ＩＦ層焼成後の電極パターン２
に位置合わせ、すなわち隔壁４のピッチの中央に電極パ
ターン２が正しく配置されるようにしてプリント法によ
り形成される。
やスパッタ等の方法により形成される。ＩＦ層３は、電
極パターン２上にガラスペーストを塗布した後、５００
〜６００℃にて焼成することで形成される。クロストー
ク防止用隔壁４は、上記ＩＦ層焼成後の電極パターン２
に位置合わせ、すなわち隔壁４のピッチの中央に電極パ
ターン２が正しく配置されるようにしてプリント法によ
り形成される。
【００１１】今、これらパターンの寸法を具体的な数値
により説明する。完成後の電極パターンがピッチ３６０
μｍ、総数６４０本の場合、ガラス基板上のこの全パタ
ーンが占める幅（全電極パターンの占有幅）は０．３６
×（６４０−１）＝２３０．０４ｍｍである。従って、
ＩＦ層３を焼成する前の電極パターン２のピッチおよび
全電極パターンの占有幅は、ＩＦ層焼成条件により０．
９９９６〜０．９９９８倍にばらついて収縮するので、
実際の焼成条件に適応した収縮比を選択して適用する
が、今その代表的な値として、収縮率の中心値０．９９
９７を用いると次のように求められる。即ち、 ピッチ＝３６０／０．９９９７＝３６０．１１μｍ 占有幅＝２３０．０４／０．９９９７＝２３０．１１ｍｍ である。この寸法による電極パターン２を形成後、ＩＦ
層形成のためにＩＦ層用ガラス３を塗布し、５００〜６
００℃の所定の温度で焼成すると、前述したように電極
パターンはガラス基板１と共に収縮するが、収縮後のピ
ッチおよび全パターン占有幅はこの上に位置合わせされ
るクロストーク防止用隔壁パターン４のピッチおよび全
パターン占有幅と一致する。
により説明する。完成後の電極パターンがピッチ３６０
μｍ、総数６４０本の場合、ガラス基板上のこの全パタ
ーンが占める幅（全電極パターンの占有幅）は０．３６
×（６４０−１）＝２３０．０４ｍｍである。従って、
ＩＦ層３を焼成する前の電極パターン２のピッチおよび
全電極パターンの占有幅は、ＩＦ層焼成条件により０．
９９９６〜０．９９９８倍にばらついて収縮するので、
実際の焼成条件に適応した収縮比を選択して適用する
が、今その代表的な値として、収縮率の中心値０．９９
９７を用いると次のように求められる。即ち、 ピッチ＝３６０／０．９９９７＝３６０．１１μｍ 占有幅＝２３０．０４／０．９９９７＝２３０．１１ｍｍ である。この寸法による電極パターン２を形成後、ＩＦ
層形成のためにＩＦ層用ガラス３を塗布し、５００〜６
００℃の所定の温度で焼成すると、前述したように電極
パターンはガラス基板１と共に収縮するが、収縮後のピ
ッチおよび全パターン占有幅はこの上に位置合わせされ
るクロストーク防止用隔壁パターン４のピッチおよび全
パターン占有幅と一致する。
【００１２】なお収縮には、焼成条件により２．３０〜
３．９８×１０4 のばらつきがあるので、その焼成条件
に従った最適値が上記範囲から決定される。 〔第２の実施形態〕本発明者らが先に特願昭６０−１６
０９５２号（特開昭６２−２２３５２号）により提案し
た面放電型ガス放電パネルにおいては、一方のガラス基
板に電極、ＩＦ層、クロストーク防止用隔壁、電極が順
次積層して形成されており、ＩＦ層およびクロストーク
防止用隔壁の形成において５００〜６００℃の焼成工程
が含まれる。
３．９８×１０4 のばらつきがあるので、その焼成条件
に従った最適値が上記範囲から決定される。 〔第２の実施形態〕本発明者らが先に特願昭６０−１６
０９５２号（特開昭６２−２２３５２号）により提案し
た面放電型ガス放電パネルにおいては、一方のガラス基
板に電極、ＩＦ層、クロストーク防止用隔壁、電極が順
次積層して形成されており、ＩＦ層およびクロストーク
防止用隔壁の形成において５００〜６００℃の焼成工程
が含まれる。
【００１３】このように焼成工程が２回の場合、図２に
示す如く更に収縮が進み、第１回目焼成前の寸法から
０．０５３７％収縮する。従って、２回の焼成工程を有
する場合は、その２回目の焼成後に位置合わせされるパ
ターンの寸法を０．９９９３〜０．９９９６の中から、
焼成条件に適して選ばれた収縮比で割った値を第１回目
焼成前の寸法とする。
示す如く更に収縮が進み、第１回目焼成前の寸法から
０．０５３７％収縮する。従って、２回の焼成工程を有
する場合は、その２回目の焼成後に位置合わせされるパ
ターンの寸法を０．９９９３〜０．９９９６の中から、
焼成条件に適して選ばれた収縮比で割った値を第１回目
焼成前の寸法とする。
【００１４】焼成工程が３回以上に及ぶ場合も、同様の
考え方を適用する。
考え方を適用する。
【００１５】
【発明の効果】この発明によれば、極めて簡易な方法
で、高精度の電極パターンおよびクロストーク防止用隔
壁パターンがガラス基板上に効率よく形成できるので、
ＰＤＰの品質向上と原価低減に寄与しその工業的効果は
頗る大である。
で、高精度の電極パターンおよびクロストーク防止用隔
壁パターンがガラス基板上に効率よく形成できるので、
ＰＤＰの品質向上と原価低減に寄与しその工業的効果は
頗る大である。
【図１】第１実施形態に係るプラズマディスプレイパネ
ル用基板構体の要部断面図、
ル用基板構体の要部断面図、
【図２】焼成によるガラス基板の収縮測定値を説明する
ための図である。
ための図である。
１ ガラス基板、 ２ 電極パターン、 ３ ＩＦ層、 ４ クロストーク防止用隔壁
Claims (1)
- 【請求項１】 ガラス基板上に所定パターンの電極を形
成し、その上に所定温度で焼成される絶縁層を形成した
後、所定パターンのクロストーク防止用隔壁を形成する
プラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法であ
って、 前記ガラス基板上に所定ピッチで相互に平行な複数本の
線状電極を形成する際、当該電極の幅方向のピッチと全
電極の占有幅が前記絶縁層を焼成する時のガラス基板の
収縮量を見込んだ寸法分だけ所定寸法よりも大きな寸法
となるパターンで形成し、この後前記絶縁層をガラスペ
ーストを塗布し焼成することにより形成し、さらに該絶
縁層上に前記電極パターンの間に位置する関係で所定間
隔の平行なパターンによりクロストーク防止用隔壁を形
成することを特徴とするプラズマディスプレイパネル用
基板構体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7997A JP2685048B2 (ja) | 1997-01-06 | 1997-01-06 | プラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7997A JP2685048B2 (ja) | 1997-01-06 | 1997-01-06 | プラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61022560A Division JPH0831304B2 (ja) | 1986-02-03 | 1986-02-03 | プラズマディスプレイパネルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09171770A true JPH09171770A (ja) | 1997-06-30 |
| JP2685048B2 JP2685048B2 (ja) | 1997-12-03 |
Family
ID=11464161
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7997A Expired - Lifetime JP2685048B2 (ja) | 1997-01-06 | 1997-01-06 | プラズマディスプレイパネル用基板構体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2685048B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002031524A (ja) * | 2000-07-18 | 2002-01-31 | Toray Ind Inc | 測長機校正用標準板、機差検定方法およびプラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| US8156687B2 (en) | 2005-05-16 | 2012-04-17 | Japan Tobacco Inc. | Method for evaluating deep rooting property of plant |
-
1997
- 1997-01-06 JP JP7997A patent/JP2685048B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002031524A (ja) * | 2000-07-18 | 2002-01-31 | Toray Ind Inc | 測長機校正用標準板、機差検定方法およびプラズマディスプレイパネルの製造方法 |
| US8156687B2 (en) | 2005-05-16 | 2012-04-17 | Japan Tobacco Inc. | Method for evaluating deep rooting property of plant |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2685048B2 (ja) | 1997-12-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19970715 |
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| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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