KR20030087939A - 플라즈마 디스플레이 패널 - Google Patents

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KR20030087939A
KR20030087939A KR10-2003-0028789A KR20030028789A KR20030087939A KR 20030087939 A KR20030087939 A KR 20030087939A KR 20030028789 A KR20030028789 A KR 20030028789A KR 20030087939 A KR20030087939 A KR 20030087939A
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후지츠 히다찌 플라즈마 디스플레이 리미티드
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Abstract

본 발명의 과제는 전극의 양측이나 표면의 공극의 발생에 영향을 받지 않고, 방전 공간의 밀폐성이 유지되는 플라즈마 디스플레이 패널을 제공한다.
상기 과제를 해결하기 위한 해결 수단으로, 복수의 전극(11)의 각각의 일부를 유전체층(13)으로부터 표출시키고, 그 표출시킨 각 전극(11)의 일부와 밀봉 부재(3)가 직접 접하고 있으므로, 복수의 전극(11)의 양측이나 표면에 공극을 발생하지 않기 때문에 방전 공간이 복수의 전극(11)의 양측이나 표면의 공극을 통해서 밖과 통하지 않고, 그 밀봉 부재(3)에 의해 방전 공간의 밀폐를 유지하여 장기간 안정된 방전에 의한 양호한 표시를 할 수 있다.

Description

플라즈마 디스플레이 패널{PLASMA DISPLAY PANEL}
본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것으로, 특히 밀봉 구조에 의해 방전 공간과 외계(外界)를 차단하는 AC형 플라즈마 디스플레이 패널에 관한 것이다.
종래의 AC형 플라즈마 디스플레이 패널에 대해서, 도 6 내지 도 8에 기초하여 설명한다. 도 6은 AC형 패널의 대표예로서 알려진 3전극 면방전형 플라즈마 디스플레이 패널의 부분 사시도, 도 7은 그 패널의 전면(前面) 기판의 요부 상면도 및 단면도, 도 8은 그 패널의 요부 단면도를 나타낸다.
상기 각 도면에 있어서 종래의 3전극 면방전형 플라즈마 디스플레이 패널은 표시 방전용의 주(主)전극쌍(111)을 배치한 전면 기판(101)과 어드레스 방전용의 어드레스 전극(121)을 배치한 배면 기판(102)로 이루어지고, 이 전면 기판(101)과 배면 기판(102)의 사이에 형성되는 방전 공간에 크세논을 네온에 혼합한 방전가스를 봉입하고 있는 구성이다. 전면 기판(101)과 배면 기판(102)의 사이에서 표시 영역(ES)의 주연부(周緣部)에는 방전 공간을 밖으로부터 밀봉하기 위한 밀봉 부재(103)가 설치되어 있다.
상기 전면 기판(101) 상의 주전극쌍(111)은 이 전면 기판(101)의 기재(基材)가 되는 유리 기판(112)의 내면에 서로 인접하도록 평행하게 배열되고, 그 한 쪽이 어드레스 전극(121)의 사이에서 어드레스 방전을 발생시키기 위한 스캔 전극으로서 이용된다. 이것들 주전극쌍(111)은 투명 전극(111a)과 버스 전극(111b)으로 이루어지고, 두께 30㎛ 정도의 유전체층(113)으로 피복되어 있다. 이 유전체(113)의 표면에는 MgO로 이루어지는 두께 수 천 옹스트롬의 보호막(1140이 설치되어 있다.
상기 배면 기판(102) 상의 어드레스 전극(121)은 이 배면 기판(102)의 기재가 되는 유리 기판(122)의 내면에 상기 주전극쌍(111)과 교차하도록 배열되어 있고, 두께 10㎛ 정도의 유전체층(123)으로 피복되어 있다. 이 유전체층(123) 위에는, 높이 150㎛의 스트라이프 형상의 격벽(124)이 각 어드레스 전극(121)의 사이에1개씩 설치되어 있다.
다음에 플라즈마 디스플레이의 제조 방법에 대해서 설명한다. 상기 전면 기판(101)은 유리 기판(112) 상에 스퍼터링법에 의해 투명 전극(111a)을 형성하고, 투명 전극(111a)이 형성된 유리 기판(112) 상에 Cr-Cu-Cr막을 연속 성막하고, 이 Cr-Cu-Cr막을 레지스트 패터닝 뒤 순서대로 투명 전극(111a)에 대응하도록 에칭함으로써 버스 전극(111b)을 형성하여 주전극쌍(111)을 구성하고, 주전극쌍(111)이 구성된 유리 기판(112) 상에 CVD법 등의 기상법(氣相法)에 의해 SiO2등을 성막하여 유전체층(113)을 형성하고, 마지막으로 MgO를 진공 증착하여 보호막(114)을 형성하여 작성되어 있었다.
배면 기판(102)도 작성한 뒤, 전면 기판(101)과 배면 기판(102)의 접합시키는 단계에 있어서, 우선 전면 기판(101) 상에 밀봉용 유리 페이스트를 표시 영역(ES)의 주연(周緣)의 유전체층(113)에 디스펜서법에 의해 칠한다(이 때의 전면 기판(101)의 요부 상면도 및 단면도가 도 7의 (a),(b)가 된다). 그 다음에 작성 완료한 전면 기판(101) 및 배면 기판(102)을 대향 배치하여 열처리를 행한다. 이 열처리에 의해 유리 페이스트가 소성(燒成)된 밀봉 유리가 되고, 방전 공간을 밀폐한다(도 8 참조).
여기서, 유전체층(113)은 CVD법 등의 기상법에 의해 SiO2등을 성막하여 형성했지만, 그 밖에도 ZnO계의 플리트 유리로 형성할 수도 있다. 이것들 SiO2의 성막 등 방법에 의하기 이전에는, PbO계 등의 납을 포함하는 플리트 유리로 형성되어있었지만, 최근에는 환경 문제, 리사이클의 관점에서 이용되지 않는 경향으로 되고 있다.
종래의 AC형 플라즈마 디스플레이 패널은 이상과 같이 구성되어 있던 것으로부터, 상기 전면 기판(101)에 있어서 투명 전극(111a)이 형성된 유리 기판(112) 상에 Cr-Cu-Cr막을 연속 성막하고, 이 Cr-Cu-Cr막을 레지스트 패터닝한 뒤 순서대로 투명 전극(111a)에 대응하도록 에칭함으로써 버스 전극(111b)을 형성한 경우에 버스 전극(111b)이 오버행(overhang) 형상으로 되면, 유전체층(113)의 형성시에 CVD법 등의 기상법에서는 커버되지 않고 버스 전극(111b)의 양측에 공극을 생기게 하는 경우가 있다. 이 버스 전극(111b)의 양측에 공극이 있는 상태에서 보호막(114)을 형성하여 전면 기판(101)을 작성하고, 이 전면 기판(101)과 배면 기판(102)을 접합시켜 밀봉 유리(103)로 밀봉하고, 방전 가스를 봉입하여 플라즈마 디스플레이 패널을 완성시키면, 버스 전극(111b) 양측의 공극에 의해 패널 내의 방전 공간이 패널 외부로 통해 밀폐성이 유지되지 않는다고 하는 과제를 갖는다. 그리고, 유전체층(113)이 PbO 등의 납을 포함하지 않는 플리트 유리로 형성되어 있는 경우, 버스 전극(111b)과의 밀착성이 나쁘고, 버스 전극(111b) 표면에 공극을 갖는 현상이 생겨, 같은 과제를 갖는다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것으로, 전극의 양측이나 표면의 공극의 발생에 영향을 받지 않고, 방전 공간의 밀폐성이 유지되는 AC형 플라즈마 디스플레이 패널을 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에서의 전면(前面) 기판의 요부 상면도 및 단면도.
도 2는 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 요부 단면도.
도 3은 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에서의 전면 기판의 요부 상면도 및 단면도.
도 4는 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 요부 단면도.
도 5는 본 발명의 제 1 실시형태의 변형 태양에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 요부 단면도.
도 6은 AC형 패널의 대표예로서 알려진 3전극 면방전형 플라즈마 디스플레이 패널의 부분 사시도.
도 7은 도 6의 전면 기판의 요부 상면도 및 단면도.
도 8은 도 6의 요부 단면도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
1, 102 : 전면 기판
2, 102 : 배면 기판
3, 103 : 밀봉 유리
11, 111 : 주(主)전극쌍
11a, 111a : 투명 전극
11b, 111b : 버스 전극
12, 22, 112, 122 : 유리 기판
13, 13', 23, 113, 123 : 유전체층
14, 114 : 보호막
21, 121 : 어드레스 전극
24, 124 : 격벽(隔璧)
25, 125 : 형광체
ES : 표시 영역
β : 홈
본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 소정의 간극을 통해서 대향하고 그 대향면에 복수의 전극을 갖는 한 쌍의 기판이 주변부를 밀봉 부재에 의해 봉착(封着)되어 밀폐되고, 또한 상기 복수의 전극을 유전체층으로 피복하여 이루어지는 AC형 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 상기 복수의 전극의 일부에 유전체층에 의해 피복되지 않는 표출부를 갖고, 그 표출부에 상기 밀봉 부재가 접하도록 설치되어 있는 것이다. 이와 같이 본 발명에 있어서, 복수의 전극의 일부를 상기 유전체층으로부터 표출시키고, 그 표출시킨 각 전극의 일부와 밀봉 부재가 직접 접하고 있으므로, 복수의 전극의 양측이나 표면에 공극을 발생하지 않기 때문에 방전 공간이 복수의 전극의 양측이나 표면의 공극을 통해서 밖과 통하지 않고, 그 밀봉 부재에 의해 방전 공간의 밀폐를 유지하여 장기간 안정된 방전에 의한 양호한 표시를 할 수 있다.
그리고, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서, 유전체층은
절제(切除)부가 그 외주 영역에 형성되어 있고, 상기 표출부와 밀봉 부재는 유전체층의 절제부를 통해서 접하고 있다. 이와 같이 본 발명에 있어서는, 유전체층의 단부를 삭제하지 않고 표출부가 유전체층의 외주변 근방에 형성되고, 상기 밀봉 부재가 복수의 전극과 직접 접하고 있으므로, 밀봉 부재에 의해 방전 공간의 밀폐를 유지함과 동시에, 상기 복수의 전극의 양단에 성형된 유전체층에 대해서 용이하게 에칭을 행할 수 있다.
그리고, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 필요에 따라서, 상기유전체층이 납을 함유하지 않는 플리트 유리로 구성되는 것이다. 이와 같이 본 발명에 있어서는, 납을 함유하지 않는 플리트 유리로 구성되는 상기 유전체층에 의해 상기 복수의 전극이 피복되고, 상기 밀봉 부재가 복수의 전극과 직접 접하고 있으므로, 밀봉 부재에 의해 방전 공간의 밀폐를 유지함과 동시에, 폐기 처리시에 납을 구성물질로 하는 오염물질을 발생하지 않게 된다.
그리고, 본 발명에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은 필요에 따라서, 상기 복수의 전극이 다층의 박막 전극으로 이루어지는 것이다. 이와 같이 본 발명에 있어서는, 상기 다층의 박막 전극으로 이루어지는 복수의 전극이 상기 기판에 배설(配設)되고, 그 복수의 전극에 유전체층을 적층하고, 상기 밀봉 부재가 복수 전극과 직접 접하고 있으므로, 상기 복수의 전극과 유전체층과의 공극이 생겼다고 해도 밀봉 부재에 의해 방전 공간의 밀폐를 유지할 수 있다.
[제 1 실시형태]
이하, 제 1 실시형태에 따른 플라즈마 디스플레이 패널을 도 1 또는 도 2에 기초하여 설명한다. 도 1은 본 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에서의 전면 기판의 요부 상면도 및 단면도, 도 2는 본 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 요부 단면도를 나타낸다.
상기 각 도면에 있어서 본 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널은, 종래의 플라즈마 디스플레이 패널과 마찬가지로, 표시 방전용의 주전극쌍(11)을 배치한 전면 기판(1)과 어드레스 방전용의 어드레스 전극(21)을 배치한 배면 기판(2)을 구비하고, 이 전면 기판(1)과 배면 기판(2)은 이간(離間)해서 대향 배치되고, 밀봉된방전 공간을 형성하기 위해서 밀봉 유리(3)가 유전체층(13)을 통하지 않고 직접 전극에 접촉 상태로 배설시킨 구성이다.
전면 기판(1) 상의 주전극쌍(11)은 이 전면 기판(1)의 기재가 되는 유리 기판(12)의 내면에 서로 인접하도록 평행 배열되고, 그 한쪽이 어드레스 전극(21)과의 사이에서 어드레스 방전을 발생시키기 위한 스캔 전극으로서 이용된다. 이것들 주전극쌍(11)은 투명 전극(11a)와 버스 전극(11b)으로 이루어지고, 두께 30㎛ 정도의 유전체층(13)으로 피복되어 있다. 이 유전체(13)의 표면에는 MgO로 이루어지는 두께 수 천 옹스트롬의 보호막(14)이 설치되어 있다.
배면 기판(2) 상의 어드레스 전극(21)은 이 배면 기판(2)의 기재가 되는 유리 기판(22)의 내면에 상기 주전극쌍(11)과 교차하도록 배열되어 있고, 두께 10㎛ 정도의 유전체층(23)으로 피복되어 있다. 이 유전체층(23) 위에는, 높이 150㎛의 스트라이프 형상의 격벽(24)이 각 어드레스 전극(21)의 사이에 1개씩 설치되어 있다.
밀봉 유리(3)는 전면 기판(1)과 배면 기판(2)의 사이에서 표시 영역(ES)의 주연부에 배설되고, 전면 기판(1)의 주전극쌍(11)과 접촉하고 있어, 유전체층(13) 중에 기포가 생긴 경우조차도, 밀봉된 방전 공간을 유지한다.
다음에, 본 실시형태에 따른 플라즈마 디스플레이 패널의 형성 동작을 전면 기판(1)의 형성 동작, 배면 기판(2)의 형성 동작, 전면 기판(1)과 배면 기판(2)의 접합시키는 순으로 설명한다.
우선 전면 기판(1)의 기재(基材)인 유리 기판(12)의 주면(主面)에 투명전극(11a)을 성형한다. 이 투명 전극(11a)은 스퍼터링법에 의해 유리 기판(12) 전면에 산화 주석 및 인듐과 주석의 합금 산화막을 유리 기판(12) 전체면에 배치하고, 포토 그래피에 의해 소정의 패턴으로 성형된다.
투명 전극(11a)이 성형된 유리 기판(12)에 버스 전극(11b)을 성형한다. 이 버스 전극(11b)은 Cr-Cu-Cr의 3층을 스퍼터링 등에 의해 연속 성막하고, 투명 전극(11a)과 마찬가지로, 포토 그래피에 의해 소정의 패턴으로 성형된다. 투명 전극(11a) 및 버스 전극(11b)이 유리 기판(12)에 성형되는 것으로, 주전극쌍이 형성되게 된다.
주전극쌍(11)이 형성된 유리 기판(12)에 플라즈마 CVD법에 의해 유전체층(13)을 성형한다. 이 플라즈마 CVD법은 플라즈마를 발생시켜 대상물에 소정의 물질을 체적(體積)시키는 방법이다. 유전체층(13)을 성형하는 경우에, 전면 기판(1)의 전체면에 성형하는 것은 아니고, 도 1의 (a)에 나타내는 바와 같이 외부로부터의 도통(導通)을 확보하기 위해서 버스 전극(11b)의 양단을 없애서 전면 기판(1)으로 성형한다. 혹은, 일단 전체면에 유전체층(13)을 성형한 뒤에 버스 전극(11b)의 양단의 유전체층(13)을 에칭하여 없애도 좋다. 이 유전체층(13)을 성형한 뒤에 계속 MgO로 이루어지는 보호막(14)을 진공 증착하고 성형하여, 전면 기판(1)이 형성된다.
다음에, 배면 기판(2)은 전면 기판(1)과 마찬가지로 우선 유리 기판(22) 상에 어드레스 전극(21)을 성형한다. 이 어드레스 전극(21)의 성형은 각종 방법이 제안되어 있고, 전극의 재료(Ag 등)를 인쇄에 의해 쌓아올리는 패턴 인쇄, 전극의재료를 기판 전체에 칠해 소성(燒成)하는 화학 에칭 및 드라이 필림 포토레지스트를 기판 전체에 붙여 패터닝하는 리프트 오프법 등에 의한다.
어드레스 전극(21)을 성형한 유리 기판(22)에 유전체층(23)을 전면 기판(1)의 유전체층(13)과 마찬가지로 성형한다. 다음에 유전체층(23)을 성형한 유리 기판(22)에 격벽(24)을 형성한다. 이 격벽(24) 형성은 격벽 재료의 저융점 유리 페이스트를 유리 기판(22) 전체면에 도포하고 그 위에 드라이 필림 포토레지스트를 붙여, 노광 및 에칭하여, 레지스트가 제거된 부분에 대해서 샌드 브러스트에 의해 격벽(24)의 형상으로 하는 방법이나 그 밖에도 각종 방법이 제안되어 있다. 격벽(24)이 형성된 유리 기판(22)에 대해서 형광체(25)를 배설하는 것으로, 배면 기판(2)의 작성이 종료된다.
전면 기판(1)과 배면 기판(2)의 접합은, 도 1의 (a), (b)에 나타내는 바와 같이 전면 기판(1) 상에 밀봉용의 유리 페이스트를 표시 영역(ES)의 주연에 디스펜서법에 의해 칠하는 것으로써, 유리 페이스트가 유전체층(13)에 덮이지 않는 버스 전극(11b)에 직접 접촉한 상태에서 배설되고, 이 뒤에, 작성 완료한 전면 기판(1) 및 배면 기판(2)을 대향 배치하여 열처리를 행한다. 이 열처리에 의해 유리 페이스트가 소성된 밀봉 유리(3)가 되고, 방전 공간을 밀폐한다(도 2 참조).
이 전면 기판(1)과 배면 기판(2)의 접합 뒤에, 기판 사이의 방전 공간을 배기(排氣)하고나서 Ne 및 Xe 등의 방전 가스를 충전하는 것으로써, 플라즈마 디스플레이 패널이 완성된다.
이와 같이 본 실시형태의 플라즈마 디스플레이 패널에 의하면, 상기 밀봉 유리(3)가 양측이나 표면에 공극을 만드는 버스 전극(11b)의 단부 부근을 덮고 있으므로, 방전 공간이 버스 전극(11b)의 양측이나 표면의 공극을 통해서 밖과 통하는 일 없이, 방전 공간의 밀폐성을 유지할 수 있고, 장기간 안정된 방전으로 표시가 가능하다.
[제 2 실시형태]
또한, 상기 제 1 실시형태에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에서는, 버스 전극(11b)의 양단에 유전체층(13)을 성형하지 않고, 이 버스 전극(11b)의 양단에 직접 밀봉 유리(3)를 성형하고 있지만, 유전체층(13)에 버스 전극(11b)을 표출시키는 개구부(β)를 형성하고, 도 3의 (b) 및 도 4에 나타내는 바와 같이 이 개구부(β)에 밀봉 유리(3)을 배설할 수도 있고, 버스 전극(11b)의 양단 근방에 밀봉 유리(3)를 성형하여 버스 전극(11b)의 양단에 유전체층(13')이 성형되어 있으므로, 밀봉 유리(3)에 의해 방전 공간의 밀폐를 유지함과 동시에, 버스 전극(11b)의 양단에 성형된 유전체층(13')에 대하여 용이하게 에칭하게 된다.
그리고, 상기 제 1 실시형태의 변형 태양에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에서는, 도 5에 나타내는 바와 같이, 밀봉 유리(3)가 유전체층(13)으로 접하지 않고, 직접 버스 전극(11b)에 접촉 상태로 배설할 수도 있다.
그리고, 상기 제 1 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 패널에서는, 밀봉 유리(3)가 직접 버스 전극(11b)에 접촉 상태로 배설하고 있지만, 버스 전극(11b)과 마찬가지로 어드레스 전극(21)에도 이와 같이 적용할 수 있고, 밀봉 유리(3)가 유전체층(23)을 통하지 않고 직접 어드레스 전극(21)에 접촉 상태로 배설할 수 있다.
[실시예 1]
전면 기판(1) 상에 스퍼터링에 의해 형성된 Cr-Cu-Cr을 패터닝하여 버스 전극(11b)을 형성한 후, 상기 플라즈마 CVD법을 실시할 수 있는 평행 평판형 플라즈마 CVD 장치를 사용하고, 이하의 조건으로 SiO2를 도 2의 유전체층(13)을 나타내는 위치에 5.O㎛성막하고, 계속해서 MgO를 보호막(14)으로서 1.O㎛ 증착했다.
도입 가스와 유량: SiH/900sccm
도입 가스와 유량: N2O/9000sccm
고주파 출력: 2.0kW
기판 온도: 400℃
진공도: 3.0 Torr
다음에, 연화점(軟化點) 430℃의 유리 페이스트를 도 2의 밀봉 유리(3)의 위치에 디스펜서법에 의해 도포하고, 500℃로 소성했다. 이 전면 기판(1)과 배면 기판(2)을 450℃로 소성하여 접합시키고, 방전 공간을 진공으로 하고, Ne-Xe 혼합 가스를 봉입하고, 플라즈마 디스플레이 패널을 작성했다.
이 플라즈마 디스플레이 패널에 대해서, 120℃, 2기압, 100％ 습도의 고온 고습도 시험을 12시간에 걸쳐서 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 특성을 평가한 바, 변동은 볼 수 없었다.
[실시예 2]
상기 실시예 1과 마찬가지로 전면 기판(1)의 버스 전극(11b) 형성 뒤, ZnO-B203-Bi203의 혼합계에 의한 플리트 유리를 도 2의 유전체층(13)의 위치에 30㎛ 성막하고, 계속해서 MgO를 보호막(14)으로서 1.0㎛증착했다.
다음에, 연화점 430℃의 유리 페이스트를 도 2의 밀봉 유리(3)의 위치에 디스펜서법에 의해 도포하고, 500℃으로 소성했다. 이 전면 기판(1)과 배면 기판(2)을 450℃로 소성해서 접합시키고, 방전 공간을 진공으로 하고, Ne-Xe 혼합 가스를 봉입하고, 플라즈마 디스플레이 패널을 작성했다.
이 플라즈마 디스플레이 패널에 대해서, 120℃, 2기압, 100％ 습도의 고온 고습도 시험을 12시간에 걸쳐서 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 특성을 평가한 바, 변동은 볼 수 없었다.
[실시예 3]
전면 기판에 Ag 페이스트에 의해 버스 전극(11b) 형성 뒤, 평행 평판형 플라즈마 CVD 장치를 사용하고, 이하의 조건으로 SiO2를 도 2의 유전체층(13)의 위치에 5.0㎛ 성막하고, 계속해서 MgO를 보호막(14)으로서 1.0㎛증착했다.
도입 가스와 유량: SiH/900sccm
도입 가스와 유량: N20/9000sccm
고주파 출력: 2.0kW
기판 온도: 400℃
진공도: 3.0 Torr
다음에, 연화점 430℃의 유리 페이스트를 도 2의 밀봉 유리(3)의 위치에 디스펜서법에 의해 도포하고, 500℃에서 소성했다. 이 전면 기판(1)과 배면 기판(2)을 450℃에서 소성해서 접합시키고, 방전 공간을 진공으로 하고, Ne-Xe 혼합 가스를 봉입하고, 플라즈마 디스플레이 패널을 작성했다.
이 플라즈마 디스플레이 패널에 대해서, 120℃, 2기압, 100％ 습도의 고온 고습도 시험을 12시간에 걸쳐서 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 특성을 평가한 바, 변동은 볼 수 없었다.
[종래의 실시예]
실시예 1과 마찬가지로 전면 기판(1)의 버스 전극(11b) 형성 뒤, 평행 평판형 플라즈마 CVD 장치를 사용하고, 이하의 조건으로 SiO2를 도 8의 유전체층(13)의 위치에 5.0㎛ 성막하고, 계속해서 MgO를 보호막(14)으로서 1.O㎛증착했다.
도입 가스와 유량: SiH/900sccm
도입 가스와 유량: N2O/9000sccm
고주파 출력: 2.0kW
기판 온도: 400℃
진공도: 3.0Torr
다음에, 연화점 430℃의 유리 페이스트를 도 8의 밀봉 유리(3)의 위치에 디스펜서법에 의해 도포하고, 500℃에서 소성했다. 이 전면 기판(1)과 배면 기판(2)을 450℃에서 소성해서 접합시키고, 방전 공간을 진공으로 하고, Ne-Xe 혼합 가스를 봉입하고, 플라즈마 디스플레이 패널을 작성했다.
이 플라즈마 디스플레이 패널에 대해서, 120℃, 2기압, 100％ 습도의 고온 고습도 시험을 12시간에 걸쳐서 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 특성을 평가한 바, 패널 단부에서 방전 전압이 상승하고, 점등하지 않는 부분이 생겼다.
이상과 같이 본 발명에 있어서는, 복수의 전극의 각각의 일부를 상기 유전체층으로부터 표출시키고, 그 표출시킨 각 전극의 일부와 밀봉 부재가 직접 접하고 있으므로, 복수의 전극의 양측이나 표면에 공극을 생기지 않기 때문에 방전 공간이 복수의 전극의 양측이나 표면의 공극을 통해서 밖과 통하지 않고, 그 밀봉 부재에 의해 방전 공간의 밀폐를 유지하여 장기간 안정한 방전에 의해 양호한 표시를 할 수 있는 효과를 나타낸다.
그리고, 본 발명에 있어서는, 유전체층의 단부를 삭제하지 않고 표출부가 유전체층의 외주(外周)변 근방에 형성되어, 상기 밀봉 부재가 각 전극의 노출하고 있는 일부와 직접 접하고 있으므로, 밀봉 부재에 의해, 방전 공간의 밀폐를 유지함과 동시에, 상기 복수의 전극의 양단에 성형된 유전체층에 대해서 용이하게 에칭을 행할 수 있는 효과를 갖는다.
그리고, 본 발명에 있어서는, 납을 함유하지 않는 플리트 유리로 구성되는 상기 유전체층에 의해 상기 복수의 전극이 피복되고, 상기 밀봉 부재가 복수의 전극과 직접 접하고 있으므로, 밀봉 부재에 의해 방전 공간의 밀폐를 유지함과 동시에, 폐기 처리시에 납을 구성 물질로 하는 오염 물질을 발생하지 않게 되는 효과를 갖는다.
그리고, 본 발명에 있어서는, 상기 다층의 박막 전극으로 이루어지는 복수의 전극이 상기 기판에 배설되어, 그 복수의 전극에 유전체층을 적층하고, 상기 밀봉 부재가 복수 전극과 직접 접하고 있으므로, 상기 복수의 전극과 유전체층의 공극이 생겼다고 해도 밀봉 부재에 의해 방전 공간의 밀폐를 유지할 수 있는 효과를 갖는다.

Claims (5)

  1. 소정의 간극을 통해서 대향하고 그 대향면에 복수의 전극을 갖는 한 쌍의 기판이 주변부를 밀봉 부재에 의해 봉착(封着)되어 밀폐되고, 또한 상기 복수의 전극을 유전체층으로 피복하여 이루어지는 AC형 플라즈마 디스플레이 패널로서,
    상기 복수의 전극의 일부에 유전체층에 의해 피복되지 않는 표출부를 갖고, 상기 표출부에 상기 밀봉 부재가 접하도록 설치되어 있는 플라즈마 디스플레이 패널.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 표출부가 유전체층의 외주변 근방의 일부를 절제(切除)해서 형성되는 플라즈마 디스플레이 패널.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 유전체층이 납을 함유하지 않는 플리트 유리로 구성되는 플라즈마 디스플레이 패널.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    플라즈마 디스플레이 패널에 상기 복수의 전극이 다층의 박막 전극으로 이루어지는 플라즈마 디스플레이 패널.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유전체층이 CVD법에 의해서 형성되는 플라즈마 디스플레이 패널.
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