WO2007086105A1 - プラズマディスプレイパネルの製造方法 - Google Patents

プラズマディスプレイパネルの製造方法 Download PDF

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WO2007086105A1
WO2007086105A1 PCT/JP2006/301052 JP2006301052W WO2007086105A1 WO 2007086105 A1 WO2007086105 A1 WO 2007086105A1 JP 2006301052 W JP2006301052 W JP 2006301052W WO 2007086105 A1 WO2007086105 A1 WO 2007086105A1
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electrode
metal electrode
dielectric layer
glass
forming
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Inventor
Minoru Hasegawa
Shinya Fukuta
Akira Tokai
Original Assignee
Fujitsu Hitachi Plasma Display Limited
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    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
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    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
    • H01J11/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space
    • H—ELECTRICITY
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    • H01J11/20—Constructional details
    • H01J11/22—Electrodes, e.g. special shape, material or configuration
    • H01J11/24—Sustain electrodes or scan electrodes
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    • H01J2211/24—Sustain electrodes or scan electrodes
    • H01J2211/245—Shape, e.g. cross section or pattern

Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a plasma display panel (hereinafter referred to as “PDP”), and more specifically, a metal electrode is formed on at least one of a pair of substrates constituting the panel, and the present invention relates to a method of manufacturing a plasma display panel in which a metal electrode is covered with a dielectric layer that also has glass power.
  • PDP plasma display panel
  • Electrodes, dielectric layers, barrier ribs, phosphor layers, and the like are formed on the inner surfaces of two glass substrates constituting the display panel.
  • a plurality of display electrodes capable of surface discharge are formed in a certain direction on the inner surface side of the front substrate, a dielectric layer is formed thereon, and a protective film is formed thereon.
  • a plurality of address electrodes for selecting light emitting cells are formed on the inner surface side of the substrate on the back side in a direction intersecting with the display electrodes, a dielectric layer is formed thereon, a partition is formed thereon, and the partition and A phosphor layer is formed in the groove between the barrier ribs, and the intersection between the display electrode and the address electrode is defined as one cell (unit light emitting region).
  • the front-side substrate and the back-side substrate thus manufactured are opposed to each other, a sealing material is arranged in the periphery, and the sealing material is melted by heating to seal both substrates. It is manufactured by enclosing a discharge gas inside the panel.
  • the display electrode described above improves conductivity on a transparent electrode made of ITO, SnO, ZnO or the like.
  • a metal electrode is formed.
  • a Cr / CuZCr laminated film or a thick film in which a glass component is mixed with Ag is generally used.
  • the dielectric layer is formed by applying a glass paste obtained by mixing a glass powder (glass frit) with a binder resin and a solvent as a dielectric material, and applying and baking this glass paste on a substrate.
  • the binder resin and solvent are removed by firing, and the glass powder is sintered to form a dielectric layer (see Patent Document 1).
  • a method of forming a dielectric layer by firing a green sheet (unsintered glass sheet) that has glass powder strength is also known.
  • the metal powder when the dielectric layer is formed on the front substrate, the metal powder is sintered in the process of sintering the glass paste or the unsintered glass sheet. Bubbles are generated on the contact surface between the metal electrode and the dielectric layer due to the reaction between the electrode and the glass, or due to the rough surface of the metal electrode resulting in poor packing of the glass powder around the metal electrode. There is.
  • the present invention has been made in consideration of such circumstances, and formed a undulating portion at a position corresponding to the partition wall of the metal electrode, and contact surface with the metal electrode during firing of the glass paste or the unsintered glass sheet.
  • a reduction in the dielectric strength of the dielectric layer is prevented.
  • the present invention forms a plurality of display electrodes including a transparent electrode and a metal electrode overlapping thereon on one of a pair of substrates constituting a panel, and the display electrode includes a dielectric layer including a glass layer.
  • a method of manufacturing a plasma display panel comprising a body layer and a barrier rib for partitioning a discharge space on the other substrate, wherein when the display electrode is formed, the metal electrode is undulated at a position corresponding to the barrier rib.
  • a display panel manufacturing method The invention's effect
  • undulations are formed at positions corresponding to the partition walls of the metal electrode serving as the bus electrode of the display electrode, and the glass paste for the dielectric layer is applied to the metal electrode or the unsintered glass sheet.
  • the foam is generated at the contact surface between the metal electrode and the glass paste or green glass sheet when the glass paste or green glass sheet is baked, and gathers in the undulations. A decrease in withstand voltage of the dielectric layer in the discharge region is prevented.
  • FIG. 1 is an explanatory diagram showing a configuration of a PDP manufactured by a manufacturing method of the present invention.
  • FIG. 2 is an explanatory view showing the manufacturing method of Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 3 is an enlarged view of a step portion of a bus electrode according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line IV-IV in FIG.
  • FIG. 5 is an explanatory diagram showing a manufacturing method according to Embodiment 2 of the present invention.
  • FIG. 6 is an explanatory diagram showing a manufacturing method according to Embodiment 3 of the present invention.
  • FIG. 7 is an explanatory diagram showing a manufacturing method according to Embodiment 4 of the present invention.
  • FIG. 8 is an explanatory diagram showing a manufacturing method according to Embodiment 5 of the present invention.
  • a substrate such as glass, quartz, and ceramics, and an electrode, an insulating film, a dielectric layer, a protective film, and the like on these substrates are used.
  • a substrate on which the desired composition is formed is included.
  • a plurality of transparent electrodes may be formed on one substrate of a pair of substrates in a certain direction! / ⁇ .
  • This transparent electrode can be formed using various materials and methods known in the art. Examples of materials used for the transparent electrode include ITO, SnO, and ZnO.
  • a thin film forming technique having a physical deposition method or a chemical deposition method can be used.
  • physical deposition methods include vapor deposition and sputtering.
  • chemical deposition methods include thermal CVD, photo CVD, and plasma CVD.
  • the metal electrode may be formed on the transparent electrode. This metal electrode is also called a bus electrode.
  • the metal electrode can be formed using various materials and methods known in the art. Examples of the material used for the metal electrode include metal conductive materials such as Ag, Au, Al, and Cu.
  • As a method for forming the metal electrode for example, it may be formed by using a thick film forming technique such as printing !, or may be formed by using a thin film forming technique having a physical deposition method or a chemical deposition method. Good. Examples of thick film formation techniques include screen printing.
  • examples of physical deposition methods include vapor deposition and sputtering. Examples of chemical deposition methods include thermal CVD, photo CVD, and plasma CVD.
  • the dielectric layer may be any layer that can be formed by applying and baking a dielectric paste made of glass material covering the transparent electrode and the metal electrode.
  • This dielectric layer consists of a glass powder (glass frit), a binder resin, and a glass paste that also has solvent power.
  • a sintered dielectric sheet can be attached and fired.
  • glass powder The glass materials such as acid silicon, borosilicate glass, acid aluminum, yttrium oxide and lead oxide can be applied.
  • the partition walls can be formed in a stripe shape or a mesh shape by a sandblast method, a printing method, a photoetching method, or the like.
  • a sand blasting method a glass paste having low melting point glass frit, Noinder resin, solvent and the like is applied on a dielectric layer and dried, and then a cutting mask having an opening of a partition pattern is formed on the glass paste layer. It can be formed by spraying cutting particles in the provided state, cutting the glass paste layer exposed in the opening of the mask, and firing it.
  • a photosensitive resin is used for the Noinda resin, and it can be formed by baking after exposure and development using a mask. .
  • undulations are formed at positions corresponding to the partition walls of the metal electrode.
  • the undulating portion means a portion where the surface is not flat, such as a concave portion, a convex portion, a concave and convex portion, a step, or a rough surface.
  • the undulating portion only needs to be formed at a position corresponding to the partition wall of the metal electrode.
  • This undulation may be formed on the metal electrode, may be formed on the transparent electrode immediately below the metal electrode, or may be formed on the substrate immediately below the transparent electrode.
  • the transparent electrode and the metal electrode are formed by a thin film formation process known in the art. For this reason, when the film is formed, the transparent electrode and the metal electrode are formed in accordance with the undulation of the formation surface.
  • the undulation of the substrate or the undulation of the transparent electrode gives the undulation to the metal electrode located on the top. For this reason, if the undulation is formed on the substrate or the transparent electrode, the same result as that when the undulation is directly formed on the metal electrode is produced.
  • the undulating portion of the metal electrode may be formed by providing a step in the transparent electrode and forming a metal electrode in the step. Moreover, you may form by forming a rough surface part in the surface of a metal electrode. In addition, a rough surface region or a convex portion is formed on the substrate, a thin film of a transparent electrode is formed on the rough surface region or the convex portion, and a thin film of a metal electrode is formed thereon. May be.
  • FIG. 1 (a) and FIG. 1 (b) are explanatory views showing the structure of a PDP manufactured by the manufacturing method of the present invention.
  • Fig. 1 (a) is an overall view
  • Fig. 1 (b) is a partially exploded perspective view.
  • This PDP is an AC-driven 3-electrode surface discharge PDP for color display.
  • the PDP 10 includes a front substrate 11 and a rear substrate 21 on which components that function as PDPs are formed.
  • a glass substrate, a quartz substrate, a ceramic substrate, or the like can be used as the substrate 11 on the front side and the substrate 21 on the back side.
  • Display electrodes X and Y are arranged at equal intervals in the horizontal direction on the inner side surface of the substrate 11 on the front side.
  • the display line L is entirely between the adjacent display electrode X and display electrode Y.
  • Each display electrode X, Y includes a wide transparent electrode 12 such as ITO, SnO, ZnO, and Ag,
  • Au, Al, Cu, Cr, and their laminated bodies are composed of a narrow bus electrode 13 made of metal that also has the same force.
  • a thick film forming technique such as screen printing is used for Ag and Au, and a thin film forming technique such as a vapor deposition method and a sputtering method and an etching technique are used for others.
  • This PDP shows a so-called ALIS structure PDP in which the display electrode X and the display electrode Y are arranged at equal intervals, and the display line L is entirely between the adjacent display electrode X and the display electrode Y.
  • the present invention is not limited to this, and the present invention can be applied even to a PDP having a structure in which the pair of display electrodes X and Y are arranged with a gap (non-discharge gap) at which no discharge occurs. .
  • a dielectric layer 17 is formed on the display electrodes X and Y so as to cover the display electrodes X and Y.
  • the dielectric layer 17 is formed by applying a glass paste to the front substrate 11 by a screen printing method, or attaching an unsintered glass sheet and baking.
  • a protective film 18 is formed on the dielectric layer 17 to protect the dielectric layer 17 from damage caused by ion collision caused by discharge during display.
  • This protective film is made of MgO.
  • Protective films are well known in the art, such as electron beam evaporation or sputtering. The thin film formation process can be used.
  • a plurality of address electrodes A are formed on the inner side surface of the substrate 21 on the back side in a direction intersecting with the display electrodes X and Y in plan view, and the dielectric layer 24 covers the address electrodes A. Is formed.
  • the address electrode A generates an address discharge for selecting a lighting cell at the intersection with the Y electrode, and is formed with a three-layer structure of CrZCuZCr.
  • the address electrode A can be formed of Ag, Au, Al, Cu, Cr, or the like.
  • address electrode A uses thick film formation technology such as screen printing for Ag and Au, and thin film formation technology and etching technology such as vapor deposition and sputtering for the others. By using it, it can be formed with a desired number, thickness, width and interval.
  • the dielectric layer 24 can be formed using the same material and the same method as the dielectric layer 17.
  • the shape of the barrier ribs 29 is not limited to this, and may be a mesh shape (box shape) that partitions the discharge space for each cell.
  • the partition wall 29 can be formed by a sandblast method, a printing method, a photoetching method, or the like.
  • a glass paste made of a low melting point glass frit, a binder resin, a solvent or the like is applied on the dielectric layer 24 and dried, and then a cutting having an opening of a partition pattern on the glass paste layer.
  • a photosensitive resin is used as a binder resin, and after exposure and development using a mask, it is formed by baking.
  • the red (R), blue (B), and green (G) phosphor layers 28R, 28B, and 28G are formed on the side surfaces of the partition walls 29 and on the dielectric layer 24 between the partition walls.
  • the phosphor layer containing the phosphor layer 28R, 28B, 28Gi, phosphor powder, binder resin and solvent is screen-printed in the concave discharge space between the barrier ribs 29 or by a method using a dispenser. It is formed by coating, repeating this for each color, and firing.
  • the phosphor layers 28R, 28B, and 28G are formed by photolithography using a sheet-like phosphor layer material (V, so-called green sheet) containing phosphor powder, photosensitive material, and binder resin. You can also. this In this case, a sheet of a desired color is attached to the entire display area on the substrate, and exposure and development are performed. By repeating this for each color, a phosphor layer of each color can be formed between the corresponding barrier ribs. .
  • the front-side substrate 11 and the rear-side substrate 21 on which such components are formed face each other so that the display electrodes X, Y and the address electrodes A intersect, and the periphery is sealed.
  • the discharge space 30 surrounded by the partition wall 29 is filled with a discharge gas mixed with Xe and Ne.
  • the discharge space 30 at the intersection of the display electrodes X and Y and the address electrode A is one cell (unit light emitting region) which is the minimum unit of display.
  • One pixel consists of three cells, R, B, and G.
  • a undulating portion is provided at a position corresponding to the partition wall of the bus electrode 13 of the substrate 11 on the front side (a boundary portion between the cells).
  • a specific embodiment provided with the undulating portion will be described.
  • FIG. 2 (a) and FIG. 2 (b) are explanatory views showing the manufacturing method of Embodiment 1 of the present invention.
  • a notch portion is provided at a position corresponding to the partition wall of the transparent electrode so that a step as a undulating portion is formed at a position corresponding to the partition wall of the bus electrode.
  • a transparent electrode material layer of ITO, SnO, ZnO or the like is formed on the entire surface of the front substrate by a known film formation method such as a sputtering wet method. next, a known film formation method such as a sputtering wet method.
  • the transparent electrode material layer is patterned by laser processing or a combination of resist patterning and wet etching.
  • resist patterning a dry film resist or a liquid resist is applied on a transparent electrode material layer, exposed and developed through a photomask corresponding to the shape of the electrode to be formed, and a resist pattern is formed on the transparent electrode material layer.
  • Form a screen That is, a resist pattern is formed by a photolithographic technique.
  • portions other than the resist pattern of the transparent electrode material layer are removed by etching to form the transparent electrode 12 (see FIG. 2 (a)).
  • the shape of the transparent electrode 12 is a shape corresponding to the partition wall 29 according to the feature of the present invention as shown in FIG. 2A, that is, a shape in which a notch 12a is provided at the boundary between cells.
  • bus electrode 13 is formed on the transparent electrode 12 (see FIG. 2B).
  • Bus electrode 13 Any of methods such as patterning of photosensitive material, a combination of sputtering, resist patterning, and wet etching, dispensing, ink jetting, and transfer may be used.
  • the nose electrode 13 needs to be formed across the notch 12a of the transparent electrode. For this reason, a method having an alignment accuracy that allows such formation is used.
  • a photosensitive bus electrode material layer is formed on the entire substrate, and it is bumped into a desired shape by a photolithographic method.
  • the bus electrode is formed by firing.
  • a nose electrode material layer is formed on the entire substrate by a film formation method such as sputtering, and a resist is formed thereon by a photolithographic method.
  • a bus electrode is formed by forming a pattern and removing portions other than the resist pattern by wet etching.
  • a paste electrode material is applied onto a transparent electrode using a dispenser or the like, dried, and then fired to form the bus electrode.
  • a nose electrode by an inkjet method an ink-like electrode material is sprayed onto a transparent electrode, dried, and then fired to form a bus electrode.
  • a transfer intaglio plate having a recess at a corresponding portion of the bus electrode is used, and a paste electrode material is transferred onto the transparent electrode using the transfer intaglio plate, dried, and then fired.
  • a bus electrode is formed.
  • the bus electrode is formed in a linear strip shape by using any one of the methods.
  • a step 13a is formed on the bus electrode at the notch 12a of the transparent electrode.
  • a dielectric layer is formed by applying a glass paste in which a glass powder is mixed with a resin and a solvent to the whole substrate and baking it.
  • the dielectric layer may be formed by forming a green sheet of glass powder and firing it. This completes the process up to the formation of the dielectric layer.
  • FIG. 3 is an enlarged view of a step portion of the bus electrode.
  • a step 13a is formed in the bus electrode 13 in the notch 12a.
  • FIG. 4 is a sectional view taken along line IV-IV in FIG.
  • the transparent electrode 12 is formed with a thickness t
  • the bus electrode 13 is formed thereon with a thickness t.
  • the edge of the transparent electrode 12 and the edge of the bus electrode 13 are orthogonal to each other so that the step 13 a is generated in the bus electrode 13. Due to the step 13a, bubbles generated on the contact surface between the bus electrode and the dielectric paste are collected at the step when the dielectric paste is applied to the transparent electrode and the display electrode such as the bus electrode and fired. .
  • the contact area between the dielectric material mainly composed of glass and the bus electrode that is a metal increases, and the reaction between the metal and the glass tends to occur.
  • the unevenness at the steps increases, and the filling of the glass powder around the nose electrode tends to deteriorate.
  • bubbles are likely to be generated in the dielectric layer at the level difference 13a.
  • the surrounding small bubbles are also attracted to the stepped portion, and as a result, generation of bubbles other than the stepped portion can be suppressed.
  • the withstand voltage of the dielectric layer in the discharge region in the cell (the central part of the cell) is prevented from lowering.
  • a decrease in the transmittance of the front substrate is prevented. Since discharge does not occur at the bulkhead-corresponding position, a decrease in withstand voltage or transmittance is not a problem.
  • FIG. 5 (a) and FIG. 5 (b) are explanatory views showing the manufacturing method of Embodiment 2 of the present invention.
  • a cut portion is provided at the position corresponding to the partition wall of the transparent electrode so that a step as an undulating portion is formed at the position corresponding to the partition wall of the bus electrode.
  • the transparent electrode 12 is formed by the same method as in the first embodiment (see FIG. 5 (a)). In this formation, when the transparent electrode is patterned by laser processing, the cut portion 12b is removed by one laser irradiation. For patterning by a combination of resist patterning and wet etching, a photomask having a shape having a cut portion 12b is used. Then, the bus electrode 13 is formed as in the first embodiment (see FIG. 5B).
  • the nose electrode is formed in a linear strip shape.
  • a step 13a is formed on the bus electrode at the cut portion 12b of the transparent electrode.
  • the protruding shape of the discharge region (cell central portion) of the transparent electrode is rectangular.
  • the force is a ⁇ -shape.
  • the difference in shape is merely an example and has no meaning.
  • a rough surface portion is formed as a undulating portion at a position corresponding to the partition wall of the bus electrode.
  • the rough surface portion is formed by cutting the bus electrode by sandblasting, etching, laser irradiation or the like.
  • the transparent electrode 12 is formed on the front substrate (see FIG. 6 (a)), and the bus electrode 13 is formed thereon (see FIG. 6 (b)).
  • the rough surface portion 13 b is formed on the bus electrode 13 by cutting the portion of the opening K with the upper force sand blast of the resist pattern R.
  • the rough surface portion 13b is formed on the bus electrode 13 by eroding the portion of the opening K from above the resist pattern R by acid etching (see FIG. 6D). Then remove the resist pattern (see Fig. 6 (e)).
  • the bus electrode 13 is formed by cutting directly with a laser.
  • the rough surface portion may be formed only on the transparent electrode.
  • the bus electrode is a thin film, and its film thickness follows the undulations of the formation surface. As a result, a rough surface is formed on the bus electrode. Become.
  • FIG. 7 (a) to FIG. 7 (e) are explanatory views showing the manufacturing method of Embodiment 4 of the present invention.
  • a rough surface region is formed as a undulation portion at a position corresponding to the partition wall of the substrate on the front surface side, and a rough surface as a undulation portion is formed at a position corresponding to the partition wall of the nose electrode.
  • This rough surface area is formed by cutting the substrate on the front side by sandblasting, etching, laser irradiation, or the like.
  • a rough surface region is formed by acid etching such as sandblasting or hydrofluoric acid.
  • acid etching such as sandblasting or hydrofluoric acid.
  • a resist pattern R having an opening K at a position corresponding to a partition wall is formed on the front substrate (see FIG. 7 (a)).
  • a rough surface region 11a is formed on the front substrate by cutting the portion of the opening K with the upper force sandblasting of the resist pattern R.
  • the upper surface of the resist pattern R also erodes the portion of the opening K by acid etching to form a rough surface region 11a on the front substrate (see FIG. 7 (b)). Then remove the resist pattern (see Fig. 7 (c)).
  • the substrate on the front side is formed by directly cutting with a laser.
  • the transparent electrode 12 is formed on the rough surface region 11a (see FIG. 7 (d)), and the bus electrode 13 is formed thereon (see FIG. 7 (e)).
  • the transparent electrode and the bus electrode are thin films, and the film thickness thereof is the formation surface. As a result, a rough surface is formed on the bus electrode, and the same effect as that of the above-described embodiment can be obtained.
  • FIG. 8A to FIG. 8C are explanatory views showing the manufacturing method of Embodiment 5 of the present invention.
  • a convex portion is provided at the position corresponding to the partition wall of the substrate on the front side so that a step as an undulating portion is formed at the position corresponding to the partition wall of the bus electrode.
  • the convex portion may be formed of the same material as the transparent electrode, or may be formed of a different material. As another material, for example, SiO, Al 2 O 3
  • Examples include metal oxides such as 2 2 3.
  • a convex portion l ib is formed at a position corresponding to the partition wall of the substrate on the front side (see FIG. 8A).
  • This protrusion is formed by depositing a SiO film on the entire substrate by sputtering or the like,
  • the transparent electrode 12 is formed on the convex portion l ib (see FIG. 8 (b)), and the bus electrode 13 is formed thereon (see FIG. 8 (c)). Thereby, a step 13a of the bus electrode is formed at the position of the convex portion l ib.
  • the transparent electrode and the bus electrode are formed thereon. Even if it is formed, the transparent electrode and the bus electrode are thin films, and the film thickness follows the undulations of the formation surface, and as a result, a step 13a is formed in the bus electrode. The same effect can be obtained. The same effect can be obtained even if the convex part is formed on the transparent electrode or the nose electrode.
  • a front panel assembly for a PDP was produced.
  • the transparent electrodes and bus electrodes that make up the display electrodes have the shape shown in Fig. 5.
  • ITO was formed as the transparent electrode 12 with a film thickness of 2000 A, and a metal electrode having a three-layer structure of CrZCuZCr was formed as the bus electrode 13.
  • the width B W of the bus electrode 13 was 100 m
  • the width RW of the partition wall 29 was 80 m
  • the cell width (inner dimension between the partition walls) SW was 280 ⁇ m.
  • the electrode length of the region corresponding to “partition corresponding position” is approximately 80 ⁇ m per cycle, and the electrode length of “other regions” is approximately 280 m per cycle.
  • the ratio of the electrode length of the “corresponding position to the partition wall” is approximately 22 (80 / (80 + 280))%.
  • a "step 13a" occurred at the position of the cut portion 12b of the transparent electrode.
  • the size of the step 13a is 2000 A corresponding to the film thickness of the transparent electrode.
  • a ZnO—B 2 O—SiO-based glass paste containing no lead is applied on the display electrode composed of the bus electrode and the transparent electrode.
  • undulations are formed at positions corresponding to the partition walls of the metal bus electrode to facilitate the reaction between the metal and the glass.
  • the firing temperature of the dielectric layer is fired after a structure such as a transparent electrode or a metal electrode is formed, there is a restriction that it cannot be increased so much.
  • Low melting glass When the dielectric layer is formed by using the glass paste, since the soft spot is low, foaming is relatively small when the glass paste is fired.
  • lead-free products have been desired for environmental conservation. In order to cope with this, glass paste with a reduced lead content tends to be used, and the power of increasing the occurrence of bubble stagnation is correspondingly increased. By applying the present invention, no lead is contained. It is possible to use a glass paste having a high soft saddle point.
  • the present invention As a measure for applying a thick glass paste as a measure for preventing foam stagnation in the dielectric layer, in the present invention, it is possible to collect bubbles in a portion that does not affect the discharge. There is no need to apply a thick coating. For this reason, the dielectric layer can be made thin to lower the discharge start voltage.

Abstract

　表示電極のバス電極となる金属電極の隔壁対応位置に起伏部を形成し、誘電体層用ガラス材の焼成時に金属電極との接触面に発生する泡をその起伏部に集中させることで、誘電体層の耐電圧の低下を防止する。 　プラズマディスプレイパネルの製造方法において、パネルを構成する一対の基板の一方の基板上に、透明電極とその上に重なる金属電極とからなる複数の表示電極を形成するとともに、表示電極をガラス層からなる誘電体層で被覆し、他方の基板上に放電空間を区画する隔壁を形成してなるプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、表示電極を形成する際、金属電極の隔壁対応位置に起伏部を形成し、起伏部を持つ金属電極を覆うように誘電体層用のガラスペーストまたは未焼結のガラスシートを設けて焼成することで誘電体層を形成する。

Description

明 細 書
プラズマディスプレイパネルの製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、プラズマディスプレイパネル（以下「PDP」と記す)の製造方法に関し、さ らに詳しくは、パネルを構成する一対の基板の少なくとも一方の基板に金属電極を形 成し、その金属電極をガラス力もなる誘電体層で覆ったプラズマディスプレイパネル の製造方法に関する。
背景技術
[0002] 一般に、自発光形式の表示パネルである PDPでは、それを構成する 2枚のガラス 基板の内面側に電極、誘電体層、隔壁、蛍光体層などを形成する。
[0003] 具体的には、前面側の基板の内面側に面放電が可能な表示電極を一定の方向に 複数形成し、その上に誘電体層を形成し、その上に保護膜を形成する。また、背面 側の基板の内面側に発光セル選択用のアドレス電極を表示電極と交差する方向に 複数設形成し、その上に誘電体層を形成し、その上に隔壁を形成し、隔壁と隔壁と の間の溝内に蛍光体層を形成し、表示電極とアドレス電極との交差部を 1つのセル（ 単位発光領域)としている。
[0004] PDPは、このように作製した前面側の基板と背面側の基板とを対向させ、周辺に封 着材を配置し、加熱により封着材を溶融させて両基板を封着した後、パネル内部に 放電ガスを封入することにより製造されて 、る。
[0005] 上述した表示電極は、 ITO, SnO , ZnO等の透明電極の上に、導電性を向上させ
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るために金属電極を形成する。金属電極としては Cr/CuZCrの積層膜を用いるか 、 Agにガラス成分を混合した厚膜を用いるのが一般的である。誘電体層は、誘電体 材料としてガラス粉末 (ガラスフリット）にバインダー榭脂と溶剤とを混合したガラスべ 一ストを用い、このガラスペーストを基板上に塗布して焼成することにより形成する。 焼成によりバインダー榭脂と溶剤が除去され、ガラス粉末が焼結して誘電体層が形 成される（特許文献 1参照)。なお、ガラス粉末力 なるグリーンシート (未焼結のガラ スシート）を焼成することで誘電体層を形成する方法も知られて 、る。 [0006] 特許文献 1 :特開 2001— 155625号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0007] し力しながら、このような PDPにおいては、前面側の基板に誘電体層を形成する際 、ガラスペーストまたは未焼結ガラスシートの焼成工程でガラス粉末が焼結する過程 において、金属電極とガラスが反応したり、金属電極の表面荒れによって金属電極 周囲でのガラス粉末の充填性が悪くなることに起因して、金属電極と誘電体層との接 触面に泡が発生することがある。
[0008] この泡が結合して大きくなると、誘電体層中に空隙を生じるためセル内で放電を発 生させる際の耐電圧が低下し、電圧印加によって誘電体層上に壁電荷を形成する 際に誘電体層が破壊されることがある。また、誘電体層の光透過率が低下してパネ ルの輝度が低下する。
[0009] 本発明は、このような事情を考慮してなされたもので、金属電極の隔壁対応位置に 起伏部を形成し、ガラスペーストまたは未焼結ガラスシートの焼成時に金属電極との 接触面に発生する泡をその起伏部に集中させることで、誘電体層の耐電圧の低下を 防止するものである。
課題を解決するための手段
[0010] 本発明は、パネルを構成する一対の基板の一方の基板上に、透明電極とその上に 重なる金属電極とからなる複数の表示電極を形成するとともに、表示電極をガラス層 からなる誘電体層で被覆し、他方の基板上に放電空間を区画する隔壁を形成してな るプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、前記表示電極を形成する際、金 属電極の隔壁対応位置に起伏部を形成し、起伏部を持つ金属電極を覆うように誘電 体層用のガラスペーストまたは未焼結のガラスシートを設けて焼成することで前記誘 電体層を形成する工程を備えてなるプラズマディスプレイパネルの製造方法である。 発明の効果
[0011] 本発明によれば、表示電極のバス電極となる金属電極の隔壁対応位置に起伏部を 形成して、金属電極上に誘電体層用のガラスペーストを塗布または未焼結ガラスシ ートを配置するので、ガラスペーストまたは未焼結ガラスシートを焼成した際に金属電 極とガラスペーストまたは未焼結ガラスシートとの接触面に発生する泡がその起伏部 に集まり、セル内の放電領域における誘電体層の耐電圧低下が防止される。
図面の簡単な説明
[0012] [図 1]本発明の製造方法で製造した PDPの構成を示す説明図である。
[図 2]本発明の実施形態 1の製造方法を示す説明図である。
[図 3]実施形態 1のバス電極の段差の部分の拡大図である。
[図 4]図 3の IV— IV断面図である。
[図 5]本発明の実施形態 2の製造方法を示す説明図である。
[図 6]本発明の実施形態 3の製造方法を示す説明図である。
[図 7]本発明の実施形態 4の製造方法を示す説明図である。
[図 8]本発明の実施形態 5の製造方法を示す説明図である。
符号の説明
[0013] 10 PDP
11 前面側の基板
11a 粗面領域
l ib 凸部
12 透明電極
12a 切り欠き部
12b 切断部
13 バス電極
13b 粗面部
17, 24 誘電体層
18 保護膜
21 背面側の基板
28R, 28G, 28B 蛍光体層
29 隔壁
30 放電空間 A アドレス電極
L 表示ライン
X, Y 表示電極
発明を実施するための最良の形態
[0014] 本発明にお 、て、パネルを構成する一対の基板としては、ガラス、石英、セラミック ス等の基板や、これらの基板上に、電極、絶縁膜、誘電体層、保護膜等の所望の構 成物を形成した基板が含まれる。
[0015] 透明電極は、一対の基板の一方の基板に一定の方向に複数形成したものであれ ばよ!/ヽ。この透明電極は当該分野で公知の各種の材料と方法を用いて形成すること ができる。透明電極に用いられる材料としては、例えば、 ITO、 SnO、 ZnOなどが挙
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げられる。透明電極の形成方法としては、例えば、物理的堆積法または化学的堆積 法力もなる薄膜形成技術を用いることができる。物理的堆積法としては、蒸着法ゃス パッタ法などが挙げられる。化学的堆積方法としては、熱 CVD法や光 CVD法、ある いはプラズマ CVD法などが挙げられる。
[0016] 金属電極は、透明電極上に形成されたものであればよい。この金属電極はバス電 極とも呼ばれる。金属電極は当該分野で公知の各種の材料と方法を用いて形成する ことができる。金属電極に用いられる材料としては、例えば、 Ag、 Au、 Al、 Cu、 な どの金属の導電性材料が挙げられる。金属電極の形成方法としては、例えば、印刷 などの厚膜形成技術を用いて形成してもよ!、し、物理的堆積法または化学的堆積法 力もなる薄膜形成技術を用いて形成してもよい。厚膜形成技術としては、スクリーン 印刷法などが挙げられる。薄膜形成技術の内、物理的堆積法としては、蒸着法ゃス パッタ法などが挙げられる。化学的堆積方法としては、熱 CVD法や光 CVD法、ある いはプラズマ CVD法などが挙げられる。
[0017] 誘電体層は、透明電極と金属電極を覆ってガラス材カゝらなる誘電体ペーストを塗布 して焼成することで形成できるものであればよい。この誘電体層は、ガラス粉末 (ガラ スフリット）とバインダー榭脂と溶媒力もなるガラスペーストを基板上に透明電極と金属 電極を覆ってスクリーン印刷法で塗布するカゝ、ガラス粉末のグリーンシート (未焼結の 誘電体シート)を貼り付けて、焼成することで形成することができる。ガラス粉末として は、酸ィ匕シリコン、ホウケィ酸ガラス、酸ィ匕アルミニウム、酸化イットリウム、酸化鉛等の ガラス材を適用することができる。
[0018] 隔壁は、サンドブラスト法、印刷法、フォトエッチング法等によりストライプ状又はメッ シュ状に形成することができる。例えば、サンドブラスト法では、低融点ガラスフリット、 ノインダー榭脂、溶媒等力もなるガラスペーストを誘電体層上に塗布して乾燥させた 後、そのガラスペースト層上に隔壁パターンの開口を有する切削マスクを設けた状態 で切削粒子を吹きつけて、マスクの開口に露出したガラスペースト層を切削し、さらに 焼成することにより形成することができる。また、フォトエッチング法では、切削粒子で 切削することに代えて、ノインダー榭脂に感光性の榭脂を使用し、マスクを用いた露 光及び現像の後、焼成することにより形成することができる。
[0019] 本発明にお 、ては、一方の基板に誘電体ペーストを塗布、または未焼結の誘電体 シートを貼り付ける前に、金属電極の隔壁対応位置に起伏部を形成し、それよつて誘 電体ペーストまたは未焼結誘電体シートを焼成した際に金属電極と誘電体ペースト または未焼結誘電体シートとの接触面に発生する泡がその起伏部に集まるようにす る。
[0020] 本発明において、起伏部とは、凹部、凸部、凹凸部、段差、粗面等の表面が平坦 でない状態の部分を意味する。起伏部は、金属電極の隔壁対応位置に形成されて いればよい。この起伏部は、金属電極に形成してもよいし、金属電極の直下の透明 電極に形成してもよいし、透明電極の直下の基板に形成してもよい。透明電極と金属 電極は、当該分野で公知の薄膜形成プロセスで形成する。このため、成膜した場合 、透明電極と金属電極は、その形成面の起伏にならって形成される。したがって、基 板の起伏または透明電極の起伏は、その上部に位置する金属電極に起伏を与える ことになる。このため、基板または透明電極に起伏を形成すれば、金属電極に直接 起伏を形成したのと同じ結果を生むことになる。
[0021] 具体的には、金属電極の起伏部は、透明電極に段差を設け、その段差に金属電 極を形成することで形成してもよい。また、金属電極の表面に粗面部を形成すること で形成してもよい。また、基板に粗面領域または凸部を形成し、その粗面領域または 凸部に透明電極の薄膜を成膜し、その上に金属電極の薄膜を成膜することで形成し てもよい。
[0022] 以下、図面に示す実施形態に基づいて本発明を詳述する。なお、本発明はこれに よって限定されるものではなぐ各種の変形が可能である。
[0023] 図 1 (a)および図 1 (b)は本発明の製造方法で製造した PDPの構成を示す説明図 である。図 1 (a)は全体図、図 1 (b)は部分分解斜視図である。この PDPはカラー表 示用の AC駆動型の 3電極面放電型 PDPである。
[0024] PDP10は、 PDPとして機能する構成要素が形成された前面側の基板 11と背面側 の基板 21から構成されている。前面側の基板 11と背面側の基板 21としては、ガラス 基板、石英基板、セラミックス基板等を使用することができる。
[0025] 前面側の基板 11の内側面には、水平方向に表示電極 Xと表示電極 Yが等間隔に 配置されて ヽる。隣接する表示電極 Xと表示電極 Yとの間が全て表示ライン Lとなる。 各表示電極 X, Yは、 ITO、 SnO、 ZnOなどの幅の広い透明電極 12と、例えば Ag、
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Au、 Al、 Cu、 Cr及びそれらの積層体 (例えば CrZCuZCrの積層構造)等力もなる 金属製の幅の狭いバス電極 13から構成されている。表示電極 X, Yは、 Ag、 Auにつ いてはスクリーン印刷のような厚膜形成技術を用い、その他については蒸着法、スパ ッタ法等の薄膜形成技術とエッチング技術を用いることにより、所望の本数、厚さ、幅 及び間隔で形成することができる。
[0026] なお、本 PDPでは、表示電極 Xと表示電極 Yが等間隔に配置され、隣接する表示 電極 Xと表示電極 Yとの間が全て表示ライン Lとなる、いわゆる ALIS構造の PDPを 示したが、これに限定されず、対となる表示電極 X, Yが放電の発生しない間隔 (非 放電ギャップ)を隔てて配置された構造の PDPであっても、本発明を適用することが できる。
[0027] 表示電極 X, Yの上には、表示電極 X, Yを覆って誘電体層 17が形成されている。
誘電体層 17は、ガラスペーストを、前面側の基板 11上にスクリーン印刷法で塗布、ま たは未焼結のガラスシートを貼り付け、焼成することにより形成している。
[0028] 誘電体層 17の上には、表示の際の放電により生じるイオンの衝突による損傷から 誘電体層 17を保護するための保護膜 18が形成されている。この保護膜は MgOで形 成されている。保護膜は、電子ビーム蒸着法ゃスパッタ法のような、当該分野で公知 の薄膜形成プロセスによって形成することができる。
[0029] 背面側の基板 21の内側面には、平面的にみて表示電極 X, Yと交差する方向に複 数のアドレス電極 Aが形成され、そのアドレス電極 Aを覆って誘電体層 24が形成され ている。アドレス電極 Aは、 Y電極との交差部で点灯セルを選択するためのアドレス 放電を発生させるものであり、 CrZCuZCrの 3層構造で形成されている。このアドレ ス電極 Aは、その他に、例えば Ag、 Au、 Al、 Cu、 Cr等で形成することもできる。アド レス電極 Aも、表示電極 X, Yと同様に、 Ag、 Auについてはスクリーン印刷のような厚 膜形成技術を用い、その他については蒸着法、スパッタ法等の薄膜形成技術とエツ チング技術を用いることにより、所望の本数、厚さ、幅及び間隔で形成することができ る。誘電体層 24は、誘電体層 17と同じ材料、同じ方法を用いて形成することができる
[0030] 隣接するアドレス電極 Aとアドレス電極 Aとの間の誘電体層 24上には、ストライプ状 の複数の隔壁 29が形成されている。隔壁 29の形状はこれに限定されず、放電空間 をセルごとに区画するメッシュ状 (ボックス状)であってもよい。隔壁 29は、サンドブラ スト法、印刷法、フォトエッチング法等により形成することができる。例えば、サンドブラ スト法では、低融点ガラスフリット、バインダー榭脂、溶媒等からなるガラスペーストを 誘電体層 24上に塗布して乾燥させた後、そのガラスペースト層上に隔壁パターンの 開口を有する切削マスクを設けた状態で切削粒子を吹きつけて、マスクの開口に露 出したガラスペースト層を切削し、さらに焼成することにより形成する。また、フォトエツ チング法では、切削粒子で切削することに代えて、バインダー榭脂に感光性の榭脂 を使用し、マスクを用いた露光及び現像の後、焼成することにより形成する。
[0031] 隔壁 29の側面及び隔壁間の誘電体層 24上には、赤 (R)、青 (B)、緑 (G)の蛍光 体層 28R, 28B, 28G力形成されて!ヽる。 光体層 28R, 28B, 28Giま、 光体粉 末とバインダー榭脂と溶媒とを含む蛍光体ペーストを隔壁 29間の凹溝状の放電空間 内にスクリーン印刷、又はディスペンサーを用いた方法などで塗布し、これを各色毎 に繰り返した後、焼成することにより形成している。この蛍光体層 28R, 28B, 28Gは 、蛍光体粉末と感光性材料とバインダー榭脂とを含むシート状の蛍光体層材料 (V、 わゆるグリーンシート）を使用し、フォトリソグラフィー技術で形成することもできる。この 場合、所望の色のシートを基板上の表示領域全面に貼り付けて、露光、現像を行い 、これを各色毎に繰り返すことで、対応する隔壁間に各色の蛍光体層を形成すること ができる。
[0032] PDP10は、このような構成要素を形成した前面側の基板 11と背面側の基板 21とを 、表示電極 X, Yとアドレス電極 Aとが交差するように対向配置し、周囲を封着し、隔 壁 29で囲まれた放電空間 30に Xeと Neとを混合した放電ガスを充填することにより作 製されている。この PDPでは、表示電極 X, Yとアドレス電極 Aとの交差部の放電空 間 30が、表示の最小単位である 1つのセル（単位発光領域）となる。 1画素は R、 B、 Gの 3つのセルで構成される。
[0033] 本発明にお!/、ては、前面側の基板 11のバス電極 13の隔壁対応位置（セルとセルと の境界部分）に起伏部を設ける。以下に、この起伏部を設けた具体的な実施形態を 説明する。
[0034] 実施形態 1
図 2 (a)および図 2 (b)は本発明の実施形態 1の製造方法を示す説明図である。本 実施形態においては、透明電極の隔壁対応位置に切り欠き部を設け、バス電極の隔 壁対応位置に起伏部としての段差ができるようにする。
[0035] 具体的な製造方法を説明する。まず、前面側の基板の全面にスパッタゃウエット法 等の公知の成膜法により ITO、 SnO、 ZnO等の透明電極材料層を形成する。次に、
2
透明電極材料層をレーザー加工や、レジストパターユングとウエットエッチングの組み 合わせの手法によりパターユングする。レジストパターユングは、透明電極材料層上 にドライフィルムレジストまたは液状レジストを塗布し、形成しょうとする電極の形状に 対応するフォトマスクを介して露光、現像を行って、透明電極材料層上にレジストバタ ーンを形成する。つまり、フォトリソグラフの手法でレジストパターンを形成する。そし て、透明電極材料層のレジストパターン以外の部分をエッチングにより除去して、透 明電極 12を形成する（図 2 (a)参照)。透明電極 12の形状は図 2 (a)に示すような、本 発明の特徴に従った隔壁 29対応位置、つまりセルとセルとの境界部分に切り欠き部 12aを設けた形状にする。
[0036] 次に、透明電極 12の上にバス電極 13を形成する（図 2 (b)参照）。バス電極 13は、 感光性材料のパター-ング、スパッタとレジストパターユングとウエットエッチングの組 み合わせ、デイスペンス、インクジェット、転写などの手法のどれを用いてもよい。しか し、ノ ス電極 13は、透明電極の切り欠き部 12aをまたいで形成する必要がある。この ため、この形成を可能にする程度の位置合わせ精度を持つ手法を用いる。
[0037] 上記感光性材料のパターニングの手法でノ ス電極を形成するには、感光性のバス 電極材料層を基板全体に形成し、それをフォトリソグラフの手法で所望の形状にバタ 一ユングし、焼成することでバス電極を形成する。スパッタとレジストパターユングとゥ エツトエッチングの組み合わせの手法でバス電極を形成するには、スパッタ等の成膜 法でノ ス電極材料層を基板全体に形成し、その上にフォトリソグラフの手法でレジスト パターンを形成し、レジストパターン以外の部分をウエットエッチングで除去することで バス電極を形成する。デイスペンスの手法でバス電極を形成するには、ペースト状の 電極材料を、ディスペンサー等を用いて透明電極上に塗布して乾燥後、焼成するこ とでバス電極を形成する。インクジェットの手法でノ ス電極を形成するには、インク状 の電極材料を透明電極上に吹き付けて乾燥後、焼成することでバス電極を形成する 。転写の手法でバス電極を形成するには、バス電極の対応箇所に凹部を有する転写 凹版を用い、この転写凹版を用いてペースト状の電極材料を透明電極上に転写して 乾燥後、焼成することでバス電極を形成する。
[0038] 以上述べた 、ずれかの手法を用いて、バス電極を直線的な帯状に形成する。この ようにバス電極を直線的な帯状に形成すると、透明電極の切り欠き部 12aの部分で バス電極に段差 13aができる。
[0039] ノ ス電極 13を形成した後は、ガラス粉末に榭脂 '溶媒を混合したガラスペーストを 基板全体に塗布して焼成することにより、誘電体層を形成する。この誘電体層の形成 は、ガラス粉末のグリーンシートを成膜し、これを焼成することで形成してもよい。これ により、誘電体層形成までの工程が完了する。
[0040] 図 3はバス電極の段差の部分の拡大図である。
図に示すように、透明電極 12の切り欠き部 12aの部分にバス電極 13が形成される ため、バス電極 13にはその切り欠き部 12aの部分で段差 13aができる。
[0041] 図 4は図 3の IV— IV断面図である。 透明電極 12は厚み t で成膜されており、その上にバス電極 13を t の厚みで成膜
12 13
すると、合計の厚みは t +t =tであり、合計の厚み tと t の部分で段差 13aができ
12 13 S S 13
る。
[0042] このように、隔壁対応位置で、透明電極 12のエッジとバス電極 13のエッジが直交 するようにして、バス電極 13に段差 13aが生じるようにする。この段差 13aにより、透 明電極とバス電極カゝらなる表示電極上に誘電体ペーストを塗布して焼成した際にバ ス電極と誘電体ペーストとの接触面に発生する泡がその段差に集まる。
[0043] すなわち、バス電極 13の段差 13aの部分では、ガラスを主成分とする誘電体材料と 金属であるバス電極との接触面積が多くなり、金属とガラスとの反応が起きやすくなる 。また、段差で凹凸が増すことによって、ノ ス電極周辺でのガラス粉末の充填性の悪 化が起きやすくなる。これにより段差 13aの部分の誘電体層中には泡が発生しやすく なる。泡がこの段差部分に集中することで、その周囲の小さな泡もこの段差部分に引 きつけられ、その結果、この段差部分以外の泡の発生を抑制することができる。これ により、セル内の放電領域 (セルの中央部分）における誘電体層の耐電圧低下が防 止される。また、前面側の基板の透過率の低下が防止される。隔壁対応位置では放 電は起きな 、ので、耐電圧や透過率の低下は問題にならな 、。
[0044] 実施形態2
図 5 (a)および図 5 (b)は本発明の実施形態 2の製造方法を示す説明図である。本 実施形態においては、透明電極の隔壁対応位置に切断部を設け、バス電極の隔壁 対応位置に起伏部としての段差ができるようにする。
[0045] 透明電極 12は実施形態 1と同じ手法で形成する（図 5 (a)参照)。この形成に際し、 レーザー加工で透明電極をパターユングする場合には、切断部 12bの部分をレーザ 一照射で除去する。また、レジストパターユングとウエットエッチングの組み合わせの 手法でパター-ングするには、切断部 12bを有する形状のフォトマスクを用る。そして 、実施形態 1と同様にバス電極 13を形成する（図 5 (b)参照)。
[0046] ノ ス電極は直線的な帯状に形成する。このようにバス電極を直線的な帯状に形成 すると、透明電極の切断部 12bの部分でバス電極に段差 13aができる。
[0047] なお、本実施形態では、透明電極の放電領域 (セルの中央部分)の突出形状が矩 形であり、実施形態 1では τ字状である力 この形状の違いは例を示しただけで特に 意味はない。
[0048] 実施形態 3
図 6 (a)〜図 6 (e)は本発明の実施形態 3の製造方法を示す説明図である。本実施 形態においては、バス電極の隔壁対応位置に起伏部として粗面部を形成する。この 粗面部は、バス電極をサンドブラスト、エッチング、レーザー照射等で切削することで 形成する。
[0049] 製造方法は、まず、前面側の基板に透明電極 12を形成し（図 6 (a)参照）、その上 にバス電極 13を形成する（図 6 (b)参照)。
次に、サンドブラストやフッ酸等の酸エッチングで粗面部を形成する場合には、バス 電極 13の上に、隔壁対応位置に開口 Kを有するレジストパターン Rを形成する（図 6 (c)参照)。
[0050] 次に、レジストパターン Rの上力 サンドブラストで開口 Kの部分を切削することで、 バス電極 13に粗面部 13bを形成する。あるいは、レジストパターン Rの上から酸エツ チングで開口 Kの部分を侵食させることで、バス電極 13に粗面部 13bを形成する（図 6 (d)参照)。その後レジストパターンを取り除 図 6 (e)参照)。レーザー照射で粗面 部 13bを形成する場合には、バス電極 13を直接レーザーで切削して形成する。
[0051] このように、透明電極とバス電極に粗面部を形成することにより、前述の実施形態と 同じ効果を得ることができる。粗面部は、透明電極だけに形成してもよぐこの場合、 バス電極は薄膜であり、その膜厚は形成面の起伏に倣うので、結果的にバス電極に 粗面が形成されることになる。
[0052] 実施形態 4
図 7 (a)〜図 7 (e)は本発明の実施形態 4の製造方法を示す説明図である。本実施 形態にお ヽては、前面側の基板の隔壁対応位置に起伏部として粗面領域を形成し 、ノ ス電極の隔壁対応位置に起伏部としての粗面ができるようにする。この粗面領域 は、前面側の基板をサンドブラスト、エッチング、レーザー照射等で切削することで形 成する。
[0053] 製造方法は、サンドブラストやフッ酸等の酸エッチングで粗面領域を形成する場合 には、まず、前面側の基板に、隔壁対応位置に開口 Kを有するレジストパターン Rを 形成する（図 7 (a)参照)。
[0054] 次に、レジストパターン Rの上力 サンドブラストで開口 Kの部分を切削することで、 前面側の基板に粗面領域 11aを形成する。あるいは、レジストパターン Rの上力も酸 エッチングで開口 Kの部分を侵食させることで、前面側の基板に粗面領域 11aを形 成する（図 7 (b)参照)。その後レジストパターンを取り除く（図 7 (c)参照)。レーザー 照射で粗面領域 1 laを形成する場合には、前面側の基板を直接レーザーで切削し て形成する。
[0055] 次に、粗面領域 11aの上に透明電極 12を形成し（図 7 (d)参照）、その上にバス電 極 13を形成する（図 7 (e)参照)。
[0056] このように、前面側の基板に粗面領域を形成した後、その上に透明電極とバス電極 を形成しても、透明電極とバス電極は薄膜であり、その膜厚は形成面の起伏に倣うの で、結果的にバス電極に粗面が形成されることになり、これにより前述の実施形態と 同じ効果が得られる。
[0057] 実施形態 5
図 8 (a)〜図 8 (c)は本発明の実施形態 5の製造方法を示す説明図である。本実施 形態においては、前面側の基板の隔壁対応位置に凸部を設け、バス電極の隔壁対 応位置に起伏部としての段差ができるようにする。凸部は、透明電極と同じ材料で形 成してもよいし、別の材料で形成してもよい。別の材料としては、例えば SiO、 Al O
2 2 3 等の金属酸ィ匕物が挙げられる。
[0058] 製造方法は、まず、前面側の基板の隔壁対応位置に凸部 l ibを形成する（図 8 (a) 参照)。この凸部の形成は、 SiO膜をスパッタ等で基板全体に成膜し、フォトレジスト
2
を塗布して凸部 l ibの形状にパターユングし、 CFガスで反応性エッチングを行い、
4
その後フォトレジストを除去する、という工程にて行う。
[0059] 次に、その凸部 l ibの上に透明電極 12を形成し（図 8 (b)参照）、その上にバス電 極 13を形成する（図 8 (c)参照）。これにより、凸部 l ibの位置にバス電極の段差 13a が形成される。
[0060] このように、前面側の基板に凸部を形成した後、その上に透明電極とバス電極を形 成しても、透明電極とバス電極は薄膜であり、その膜厚は形成面の起伏に倣うので、 結果的にバス電極に段差 13aが形成されることになり、これにより前述の実施形態と 同じ効果が得られる。凸部は透明電極上またはノ ス電極上に形成してもよぐ同様の 効果が得られる。
実施例 1
[0061] PDP用の前面側のパネルアセンブリを作製した。表示電極を構成する透明電極と バス電極は図 5の形状とした。透明電極 12として ITOを膜厚 2000 Aで形成し、バス 電極 13として CrZCuZCrの三層構造の金属電極を形成した。バス電極 13の幅 B Wは 100 mとし、隔壁 29の幅 RWは 80 m、セル幅（隔壁間の内のり寸法） SWは 280 μ mとした。
[0062] この PDPでは、「隔壁対応位置」の領域の電極長は 1周期あたりおよそ 80 μ m、「そ れ以外の領域」の電極長は 1周期あたりおよそ 280 mであり、「全電極長」に占める 「隔壁対応位置」の電極長の割合はおよそ 22 (80/ (80 + 280) ) %である。
[0063] ノ ス電極 13には、透明電極の切断部 12bの位置で「段差 13a」が生じた。この段差 13aの大きさは、透明電極の膜厚分の 2000 Aである。このバス電極と透明電極から なる表示電極上に ZnO— B O -SiO系の鉛を含有しないガラスペーストを塗布して
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、 600°Cで焼成し、誘電体層を形成した。
[0064] このときバス電極近傍に発生した誘電体層中の 1053個の直径 10ミクロン以上の泡 について、泡の発生位置を調査した。その結果、「隔壁対応位置」には 539個（泡総 数の 51. 2%)の泡の発生を確認した。それぞれの領域長を考慮すれば、「隔壁対応 位置」の泡発生確率は「それ以外の領域」の 3. 5倍の泡存在確率となり、「隔壁対応 位置」への泡集中化効果が確認された。
[0065] 以上説明したように、本発明においては、金属製のバス電極の隔壁対応位置に起 伏部を形成して、金属とガラスの反応を生じやすくし、これにより、その起伏部にガラ スペーストを焼成した際に発生する泡を集中させて、起伏部以外の部分の泡の発生 を抑制し、セル内の放電領域における誘電体層の耐電圧低下を防止する。
[0066] また、誘電体層の焼成温度は、透明電極や金属電極等の構造物を形成した後に 焼成を行うため、それほど上げることができないという制約がある。低融点ガラス材を 用いて誘電体層を形成した場合、軟ィ匕点が低 ヽためガラスペーストを焼成した際の 泡嚙みは比較的少ない。しかし、近年では環境保全の観点力 鉛フリー製品が望ま れている。これに対処するため、鉛の含有率を下げたガラスペーストが用いられる傾 向にあり、それに応じて泡嚙みの発生率も多くなつている力 本発明を適用すること により、鉛を含有しない高軟ィ匕点のガラスペーストの使用が可能となる。
さらに、従来では、誘電体層の泡嚙み防止策としてガラスペーストを厚めに塗布す るようにしていた力 本発明では、放電に影響のない部分に泡を集めることができる ので、ガラスペーストを厚めに塗布する必要がない。このため、誘電体層を薄くして、 放電開始電圧を低くすることができる。

Claims

請求の範囲
[1] パネルを構成する一対の基板の一方の基板上に、透明電極とその上に重なる金属 電極とからなる複数の表示電極を形成するとともに、表示電極をガラス層からなる誘 電体層で被覆し、他方の基板上に放電空間を区画する隔壁を形成してなるプラズマ ディスプレイパネルの製造方法であって、
前記表示電極を形成する際、金属電極の隔壁対応位置に起伏部を形成し、起伏 部を持つ金属電極を覆うように誘電体層用のガラスペーストまたは未焼結のガラスシ ートを設けて焼成することで前記誘電体層を形成する工程を備えてなるプラズマディ スプレイパネルの製造方法。
[2] 前記金属電極の起伏部が、透明電極に段差を設け、その段差に金属電極を形成 することで形成されてなる請求項 1記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
[3] 前記金属電極の起伏部が、金属電極の表面に粗面部を形成することで形成されて なる請求項 1記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
[4] 前記金属電極の起伏部が、基板に粗面領域または凸部を形成し、その粗面領域ま たは凸部に透明電極の薄膜を成膜し、その上に金属電極の薄膜を成膜することで形 成されてなる請求項 1記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
[5] 請求項 1〜4のいずれか 1つに記載の製造方法によって製造されたプラズマデイス プレイパネノレ。
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