JP2004253334A - プラズマディスプレイパネルの電極形成方法 - Google Patents

Abstract

【課題】電極形成時の現像プロセスやエッチングプロセスでのウエット工程において、現像液やエッチング液の流れる方向を考慮することにより、レジストの剥離や電極の剥離を防止して、後の工程での電極と誘電体層との反応を抑制し、電極の断線や誘電体層のはじき等を防止する。
【解決手段】電極形成時に、形成するべき帯状の電極パターンが、細帯状パターンの一部が太帯状パターンとなった電極パターンである場合、ウエット工程で、基板に対して液をシャワー状に浴びせるとともに、そのシャワーの放出方向を帯状の電極パターンの延出方向と交差する方向にスイングさせ、それによって液がスイングの方向に流れるようにして、太帯状パターンのエッジ角部のダメージを防止する。
【選択図】 図４

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）の電極形成方法に関し、さらに詳しくは、パネル基板に設けられた電極をフォトエッチングの手法で形成するＰＤＰの電極形成方法に関する。ＰＤＰは、広視野角をもった薄型表示デバイスとして注目されており、ハイビジョン分野などへの用途拡大に向けて高精細化および大画面化が進められている。
【０００２】
【従来の技術】
ＰＤＰは、前面側の基板と背面側の基板とを微少間隔を設けて対向配置し、周辺を封止して放電空間に放電ガスを充填し、放電空間での放電発生時の発光を利用して表示を行う自己発光型の表示パネルである。
【０００３】
このＰＤＰでは、一般に、前面側の基板と背面側の基板にガラスを用い、これらのガラス基板の一方、または両方の内側面に帯状の電極を形成する。
通常、この電極は、ガラス基板上に、印刷などの厚膜形成技術や、蒸着、スパッタ等の薄膜形成技術を用いて導電性材料膜を形成し、その導電性材料膜をリソグラフィ技術とエッチング技術を用いて所望形状の電極パターンに形成し、ＡＣ型のＰＤＰの場合には、その電極パターンを誘電体層で覆うようにしている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
このようなＰＤＰでは、基板上に形成する電極パターンは、通常、均一な太さの帯状電極であるが、近年、電極間の放電効率を向上させるために、細帯状パターンの一部を太帯状にした電極パターンが出現している（例えば、特許文献２参照）。
【０００５】
【特許文献１】
特開昭６３−２５２３３８号公報
【特許文献２】
特開２００１−１２６６２９号公報（図５）
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような電極パターンを形成するには、以下のような問題がある。すなわち、導電性材料膜をエッチングする際、太帯状パターンのエッジ角部が剥離し、導電性材料膜が、例えばクロム／銅／クロムの３層構造であるような場合、そのエッジ角部で銅が剥き出しになり、後の工程の誘電体層の被覆工程で、誘電体層となる低融点ガラスペーストを電極パターン上に塗布して焼成する際、剥き出しとなった銅が低融点ガラスペースト中の樹脂成分と反応して泡かみ等が発生することがあり、これにより電極パターンの断線や誘電体層のはじき等が発生することがあった。
【０００７】
本発明は、このような事情を考慮してなされたもので、電極形成時の現像プロセスやエッチングプロセスでのウエット工程において、現像液やエッチング液の流れる方向を考慮することにより、レジストの剥離や電極の剥離を防止して、後の工程での電極と誘電体層との反応を抑制し、電極の断線や誘電体層のはじき等を防止することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、基板上に導電性材料膜を形成し、その導電性材料膜上にレジストを塗布した後、そのレジストを露光し、現像液を用いて現像することで形成するべき帯状の電極パターンと同じ形状のレジストパターンを形成し、次にエッチング液を用いて導電性材料膜をレジストパターンと同じ形状にエッチングすることからなるプラズマディスプレイパネルの電極形成方法であって、形成するべき帯状の電極パターンが、細帯状パターンの一部が太帯状パターンとなった電極パターンである場合、現像液を用いる現像プロセスとエッチング液を用いるエッチングプロセスとのウエット工程で、基板に対して現像液またはエッチング液をシャワー状に浴びせるとともに、そのシャワーの放出方向を前記帯状の電極パターンの延出方向と交差する方向にスイングさせ、それによって現像液またはエッチング液が前記スイングの方向に流れるようにすることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの電極形成方法である。
【０００９】
本発明によれば、電極パターン形成時のウエット工程で、基板に対して現像液またはエッチング液をシャワー状に浴びせるとともに、そのシャワーの放出方向を帯状の電極パターンの延出方向と交差する方向にスイングさせ、それによって現像液またはエッチング液がスイングの方向に流れるようにするので、細帯状パターンの一部が太帯状となった電極パターンを形成する際、レジストおよび電極の太帯状パターンのエッジ角部の剥離が防止される。
【００１０】
したがって、導電性材料膜が、例えばクロム／銅／クロムの３層構造であっても、電極パターンの形成時に銅が剥き出しにならず、後の工程の誘電体層の被覆工程で、誘電体層となる低融点ガラスペーストを電極パターン上に塗布して焼成しても、剥き出しとなった銅が低融点ガラスペースト中の樹脂成分と反応して泡かみ等が発生することがなくなり、電極パターンの断線や誘電体層のはじき等が防止される。
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明において、基板としては、ガラス、石英、セラミック等の基板や、これらの基板上に、電極、絶縁膜、誘電体層、保護膜等の所望の構成物を形成した基板が含まれる。
【００１２】
導電性材料膜としては、当該分野で公知の各種の材料を適用することができる。具体的には、例えば、ＩＴＯ、ＳｎＯ_２などの透明な導電性材料や、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒなどの金属の導電性材料が挙げられる。
【００１３】
導電性材料膜を形成する場合、導電率の高い金属を用いることが望ましいが、例えば銅のような金属は樹脂との反応性が高い。このため、そのような金属を用いる場合には、導電性材料膜として、樹脂との反応性が低い金属の間に反応性が高い金属を挟んだ積層構造の金属膜、例えばクロム／銅／クロムの３層構造の金属膜などを適用することが望ましい。
【００１４】
導電性材料膜の形成方法としては、当該分野で公知の各種の方法を適用することができる。たとえば、この導電性材料膜は、印刷などの厚膜形成技術を用いて形成してもよいし、物理的堆積法または化学的堆積法からなる薄膜形成技術を用いて形成してもよい。厚膜形成技術としては、スクリーン印刷法などが挙げられる。薄膜形成技術の内、物理的堆積法としては、蒸着法やスパッタ法などが挙げられる。化学的堆積方法としては、熱ＣＶＤ法や光ＣＶＤ法、あるいはプラズマＣＶＤ法などが挙げられる。
【００１５】
レジストは、導電性材料膜上に塗布できるものであればよく、当該分野で公知の各種の材料をいずれも適用することができる。また、レジストの露光プロセス、および現像液を用いた現像プロセスとしては、当該分野で公知のフォトリソグラフィー技術を適用することができる。
【００１６】
このレジストの露光プロセスでは、フォトマスクを用い、このフォトマスクを介してレジストに紫外線を照射するようにしてもよいが、望ましくは、レジストにレーザ光を直接照射して、所望パターンの描画を行う、いわゆるレーザ露光を行うようにする。レーザ露光で、細帯状パターンの一部が太帯状パターン（膨大したパターン）となったレジストパターンを形成する際には、太帯状パターンのエッジ角部近傍のレーザ露光量を調整し、それによって太帯状パターンのエッジ角部のレジストが剥離しないようにすることが望ましい。
【００１７】
この場合、レーザ露光量の調整は、レーザ強度の調整またはレーザ走査速度の調整、あるいはそれらの両方を調整することで行うことができる。
【００１８】
レジストの現像プロセスで用いる現像液としては、当該分野で公知の各種の現像液を適用することができる。また、導電性材料膜のエッチングプロセスで用いるエッチング液も、当該分野で公知の各種のエッチング液を適用することができる。
【００１９】
本発明においては、形成するべき帯状の電極パターンが、細帯状パターンの一部が太帯状パターンとなった電極パターンである場合、ウエット工程で、基板に対して現像液またはエッチング液をシャワー状に浴びせるとともに、そのシャワーの放出方向を帯状の電極パターンの延出方向と交差する方向にスイングさせ、それによって現像液またはエッチング液がスイングの方向に流れるようにする。
【００２０】
上記において、基板に対して現像液またはエッチング液をシャワー状に浴びせる方法としては、たとえば、基板の一端から他端に渡したホースに多数のノズル孔を設け、このノズル孔から現像液またはエッチング液を基板に向けて放出するなどの方法を適用することができる。その際の液の放出量および放出距離などは状況により適宜設定する。
【００２１】
そして、その際の、シャワーの放出方向を帯状の電極パターンの延出方向と交差する方向にスイングさせる具体的方法としては、たとえば、基板の一端から他端に渡したホースを、帯状の電極パターンの延出方向と交差する方向にスイングさせればよい。この際のスイング量およびスイング周期などは状況により適宜設定する。
【００２２】
このようにして、現像液またはエッチング液が帯状の電極パターンの延出方向と交差する方向に流れるようにすることで、細帯状パターンの一部が太帯状となったレジストパターンを形成する際、現像液によるレジストの太帯状パターンのエッジ角部の剥離、およびエッチング液による電極の太帯状パターンのエッジ角部の剥離を防止することができる。
【００２３】
本発明において、細帯状パターンの一部が太帯状パターンとなったレジストパターンを形成する際には、太帯状パターンのエッジ角部を円滑にすることが望ましい。この太帯状パターンのエッジ角部とは、細帯状パターンと太帯状パターンとの切り替わり部分における、太帯状パターンの角部である。この部分の肩の角をとり、なで肩にする。なで肩の形状は、角部が円滑になればよく、ほぼ９０度で張り出した肩の部分を４５度に削り落としたり、円弧状に形成したり、各種の形状を選択することができる。
【００２４】
以上の工程に加えて、さらに、エッチングを行った帯状の電極パターン上に樹脂成分を含む低融点ガラスペーストを塗布し、それを焼成することで帯状の電極パターン上に誘電体層を形成する工程を実施してもよい。
【００２５】
本発明は、また、上記に記載のプラズマディスプレイパネルの電極形成方法によって電極が形成された基板を備えたプラズマディスプレイパネルである。
【００２６】
以下、図面に示す実施の形態に基づいて本発明を詳述する。なお、本発明はこれによって限定されるものではなく、各種の変形が可能である。
【００２７】
図１は本発明の電極形成方法を用いてアドレス電極を形成したＰＤＰの構成を示す部分分解斜視図である。このＰＤＰはカラー表示用のＡＣ型３電極面放電形式のＰＤＰである。
【００２８】
本ＰＤＰは、前面側（表示面側）の基板１１を含む前面側のパネルアセンブリと、背面側の基板２１を含む背面側のパネルアセンブリから構成されている。前面側の基板１１と背面側の基板２１としては、ガラス基板、石英基板、セラミック基板等を使用することができる。
【００２９】
前面側の基板１１の内側面には、水平方向に複数の対となる表示電極Ｘと表示電極Ｙが等間隔に形成されている。各表示電極Ｘ，Ｙは、ＩＴＯ、ＳｎＯ_２などの幅の広い透明電極１２と、例えばＡｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ及びそれらの積層体（例えばＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層構造）等からなる金属製の幅の狭いバス電極１３から構成されている。表示電極Ｘ、Ｙは、Ａｇ、Ａｕについてはスクリーン印刷のような厚膜形成技術を用い、その他については蒸着法、スパッタ法等の薄膜形成技術とエッチング技術を用いることにより、所望の本数、厚さ、幅及び間隔で形成することができる。
【００３０】
表示電極Ｘ、Ｙの上には、表示電極Ｘ、Ｙを覆うように交流（ＡＣ）駆動用の誘電体層１７が形成されている。誘電体層１７は、低融点ガラスペーストを、前面側の基板１１上にスクリーン印刷法で塗布し、焼成することにより形成している。
【００３１】
誘電体層１７の上には、表示の際の放電により生じるイオンの衝突による損傷から誘電体層１７を保護するための保護膜１８が形成されている。この保護膜は、例えば、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ等からなる。
【００３２】
背面側の基板２１の内側面には、平面的にみて表示電極Ｘ、Ｙと交差する方向に複数のアドレス電極（信号電極やデータ電極などとも呼ばれる）Ａが形成され、そのアドレス電極Ａを覆って誘電体層２４が形成されている。アドレス電極Ａは、スキャン用の表示電極との交差部で発光セルを選択するためのアドレス放電を発生させるものであり、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層構造で形成されている。このアドレス電極Ａは、その他に、例えばＡｇ、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ等で形成することもできる。アドレス電極Ａも、表示電極Ｘ、Ｙと同様に、Ａｇ、Ａｕについてはスクリーン印刷のような厚膜形成技術を用い、その他については蒸着法、スパッタ法等の薄膜形成技術とエッチング技術を用いることにより、所望の本数、厚さ、幅及び間隔で形成することができる。誘電体層２４は、誘電体層１７と同じ材料、同じ方法を用いて形成することができる。
【００３３】
隣接するアドレス電極Ａとアドレス電極Ａとの間の誘電体層２４上には、複数の隔壁２９が形成されている。隔壁２９は、サンドブラスト法、印刷法、フォトエッチング法等により形成することができる。例えば、サンドブラスト法では、低融点ガラスフリット、バインダー樹脂、溶媒等からなるガラスペーストを誘電体層２４上に塗布して乾燥させた後、そのガラスペースト層上に隔壁パターンの開口を有する切削マスクを設けた状態で切削粒子を吹きつけて、マスクの開口に露出したガラスペースト層を切削し、さらに焼成することにより形成する。また、フォトエッチング法では、切削粒子で切削することに代えて、バインダー樹脂に感光性の樹脂を使用し、マスクを用いた露光及び現像の後、焼成することにより形成する。
【００３４】
隔壁２９の側面及び隔壁間の誘電体層２４上には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の蛍光体層２８Ｒ、２８Ｇ、２８Ｂが形成されている。蛍光体層２８Ｒ、２８Ｇ、２８Ｂは、蛍光体粉末とバインダー樹脂と溶媒とを含む蛍光体ペーストを隔壁２９間の凹溝状の放電空間内にスクリーン印刷、又はディスペンサーを用いた方法などで塗布し、これを各色毎に繰り返した後、焼成することにより形成している。この蛍光体層２８Ｒ、２８Ｇ、２８Ｂは、蛍光体粉末と感光性材料とバインダー樹脂とを含むシート状の蛍光体層材料（いわゆるグリーンシート）を使用し、フォトリソグラフィー技術で形成することもできる。この場合、所望の色のシートを基板上の表示領域全面に貼り付けて、露光、現像を行い、これを各色毎に繰り返すことで、対応する隔壁間に各色の蛍光体層を形成することができる。
【００３５】
ＰＤＰは、上記した前面側のパネルアセンブリと背面側のパネルアセンブリとを、表示電極Ｘ、Ｙとアドレス電極Ａとが交差するように対向配置し、周囲を封止し、隔壁２９で囲まれた放電空間３０に放電ガスを充填することにより作製されている。このＰＤＰでは、表示電極Ｘ、Ｙとアドレス電極Ａとの交差部の放電空間３０が表示の最小単位である１つのセル領域（単位発光領域）となる。１画素はＲ、Ｇ、Ｂの３つのセルで構成される。
【００３６】
表示は、まず、Ｙ側の表示電極群をスキャン電極として用いて、それら各表示電極Ｙに順次スキャン電圧を印加してゆき、その間に所望のアドレス電極Ａにアドレス電圧を印加し、選択されたアドレス電極Ａと表示電極Ｙとの間でアドレス放電を発生させることで発光すべきセルを選択する。この発光セル対応の誘電体層上には壁電荷が形成されるので、次に、Ｙ側の表示電極群とＸ側の表示電極群との間に交互にサスティン電圧を印加して、当該壁電荷の蓄積されたセルにおいて再び放電（維持放電または表示放電と呼称）を発生させることで、セルを発光させる。このセルの発光は、表示放電によって発生された紫外線で蛍光体層中の蛍光体を励起して、蛍光体から所望の色の可視光を発生させることにより行われる。
【００３７】
図２は図１のＰＤＰを平面的に見た状態を示す説明図である。
アドレス電極Ａは、幅の狭い細帯部Ａ１と、幅の広い太帯部Ａ２とで構成されており、スキャン電極として用いられるＹ側の表示電極に対応する部分が太帯部Ａ２となっている。
【００３８】
図３（ａ）〜図３（ｅ）はアドレス電極の形成方法を示す説明図である。
アドレス電極Ａの形成は、まず、背面側の基板２１の全面にＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒの３層構造の電極層Ｄをスパッタ法を３回繰り返すことにより形成した後、その電極層Ｄ上にフォトレジストＲを塗布し、乾燥させる（図３（ａ）参照）。このフォトレジストＲとしては、市販のネガ型のものを用いる。
【００３９】
次に、フォトレジストＲのレーザ露光を行う。すなわち、レーザ照射装置Ｓを用いて、レーザ光ＬをフォトレジストＲに直接照射し、このレーザ光Ｌでアドレス電極Ａのパターンの描画を行うことにより、フォトレジストＲの露光を行う（図３（ｂ）参照）。そして、この際、電極の場所ごとに露光量を変える。つまり、形成しようとする電極パターンの場所により、レーザ光Ｌの露光量を変える。これについては後述する。
【００４０】
次に、フォトレジストＲの現像を行う。この現像は、背面側の基板２１を、アドレス電極パターンの延出方向に沿って搬送しながら、フォトレジストＲに対し、ホースＨに設けたノズルから現像液をシャワー状に降りかけることにより行う（図３（ｃ）参照）。そして、この際、ホースＨを、アドレス電極パターンの延出方向と垂直な方向にスイングさせて、現像液がアドレス電極パターンの延出方向と垂直な方向に流れるようにする。この際のスイング量およびスイング周期などは状況により適宜設定する。現像液は市販のものを用いる。その後、洗浄水で基板を洗浄するが、その際にも同様に洗浄水をシャワー状に降りかけてスイングさせる。
【００４１】
次に、電極層Ｄのエッチングを行う。このエッチングは、背面側の基板２１を、アドレス電極パターンの延出方向に沿って搬送しながら、電極層Ｄに対し、ホースＨに設けたノズルからエッチャント（エッチング液）をシャワー状に降りかけることにより行う（図３（ｄ）参照）。そして、この際、ホースＨを、アドレス電極パターンの延出方向と垂直な方向にスイングさせて、エッチャントがアドレス電極パターンの延出方向と垂直な方向に流れるようにする。この際のスイング量およびスイング周期などは状況により適宜設定する。エッチャントは当該分野で公知の市販のものを用いる。その後、洗浄水で基板を洗浄するが、その際にも同様に洗浄水をシャワー状に降りかけてスイングさせる。
【００４２】
最後に、フォトレジストＲを除去して、洗浄水で基板を洗浄するが、その際にも同様に洗浄水をシャワー状に降りかけてスイングさせる。これにより、背面側の基板２１上に所望パターンのアドレス電極Ａを形成する（図３（ｅ）参照）。
【００４３】
図４はアドレス電極を形成する際のレジストパターンの形状を示す説明図である。
アドレス電極は、上述したように、背面側の基板上にベタ膜として形成した電極層をエッチングすることにより形成するのであるが、このエッチングの際には、図２で示したアドレス電極Ａに細帯部Ａ１と太帯部Ａ２が形成されるように、フォトレジストＲのパターンを形成する。
【００４４】
そのため、図４に示すように、フォトレジストＲを、細帯状パターンＲ１と太帯状パターンＲ２に形成する。細帯状パターンＲ１の部分が、図２で示したアドレス電極Ａの細帯部Ａ１に対応し、太帯状パターンＲ２の部分が、アドレス電極Ａの太帯部Ａ２に対応している。
【００４５】
そして、太帯状パターンＲ２のエッジ角部を円滑にする。つまり、太帯状パターンＲ２のエッジの角部Ｋを斜めにカットし、なで肩状にする。
【００４６】
また、レーザ露光を行う際には、露光領域を作りたい電極パターンの形状と同じにし、形成しようとする電極パターンの場所により、レーザ光Ｌの露光量を変える。この露光量の変化は、レーザ光Ｌの露光強度を変えてもよいし、照射時間を変えてもよい。あるいはそれらの両方を変えてもよい。
【００４７】
具体的には、太帯状パターンＲ２のエッジ角部Ｋ近傍のレーザ露光量を多くする。このレーザ露光量の調整は、レーザ光Ｌの露光強度を強めるようにしてもよいし、レーザ光Ｌの描画の走査スピードを遅くして、照射時間を多くしてもよい。あるいはこれらを同時に調整してもよい。これにより、太帯状パターンＲ２のエッジ角部Ｋ近傍を他の部分より固く硬化させ、太帯状パターンＲ２のエッジ角部Ｋ近傍のレジストが剥離しないようにする。
【００４８】
また、現像プロセス、エッチングプロセスおよび洗浄プロセスでのウエット工程において、ノズルを設けたホースＨをアドレス電極パターンの延出方向（図中ｙで示す）と垂直な方向（図中ｘで示す）にスイングさせ、液の流れがアドレス電極パターンの延出方向と垂直方向になるようにする。つまり、液の流れが帯状の電極パターンと垂直方向になるようにする。これにより、ウエット工程におけるレジストおよび電極の太帯状パターンのエッジ角部のダメージをなくす。
【００４９】
この後、アドレス電極Ａの上に低融点ガラスペーストを塗布して乾燥させ、それを焼成することで、アドレス電極Ａの上に誘電体層を形成する。
【００５０】
図５は比較例であり、レジストの太帯状パターンのエッジ角部が鋭角である場合を示す説明図である。
このように、フォトレジストＲの太帯状パターンのエッジ角部Ｋが鋭角になっている場合には、エッジ角部Ｋが、現像やエッチング、洗浄の際のウエット工程でダメージを受けやすいが、エッジ角部Ｋを斜めにカットすることでダメージを防止することができる。
【００５１】
以上述べたように、ウエット工程において、シャワーノズルをアドレス電極パターンの延出方向と垂直な方向にスイングさせ、液の流れがアドレス電極パターンの延出方向と垂直方向になるようにすることにより、ウエット工程におけるレジストおよび電極の太帯状パターンのエッジ角部のダメージをなくすことができる。
【００５２】
また、レーザ露光を行う際に、レジストの太帯パターンのエッジ角部の露光量を多くすることにより、レジストのエッジ角部の剥離を防止し、エッジ角部のダメージをなくすことができる。
【００５３】
さらに、形成しようとするアドレス電極のパターン形状を、太帯状パターンのエッジ角部を斜めにカットした形状にして、電極のエッジ部分をウエット工程でダメージを受けにくい形状とすることにより、レジストおよび電極のエッジ角部の剥離を防止し、エッジ角部のダメージをなくすことができる。
【００５４】
そして、これらの方法の少なくとも１つを採用することにより、電極形成後の工程で、誘電体層を形成する際の、電極のエッジ部分と誘電体層との反応を抑制し、電極の断線や誘電体層のはじき等の不具合を防止して、歩留まりを向上させることができる。
【００５５】
【発明の効果】
本発明によれば、電極パターン形成時の現像プロセスとエッチングプロセスのウエット工程で、基板に対して現像液またはエッチング液をシャワー状に浴びせるとともに、そのシャワーの放出方向を帯状の電極パターンの延出方向と交差する方向にスイングさせ、それによって現像液またはエッチング液がスイングの方向に流れるようにするので、細帯状パターンの一部が太帯状となった電極パターンを形成する際、レジストおよび電極の太帯状パターンのエッジ角部の剥離を防止することができる。したがって、導電性材料膜が、例えばクロム／銅／クロムの３層構造であっても、電極パターンの形成時に銅が剥き出しにならず、後の工程の誘電体層の被覆工程で、誘電体層となる低融点ガラスペーストを電極パターン上に塗布して焼成しても、剥き出しとなった銅が低融点ガラスペースト中の樹脂成分と反応して泡かみ等が発生することがなくなり、電極パターンの断線や誘電体層のはじき等を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電極形成方法を用いてアドレス電極を形成したＰＤＰの構成を示す部分分解斜視図である。
【図２】図１のＰＤＰを平面的に見た状態を示す説明図である。
【図３】アドレス電極の形成方法を示す説明図である。
【図４】アドレス電極を形成する際のレジストパターンの形状を示す説明図である。
【図５】レジストの太帯状パターンのエッジ角部を円滑にしていない場合の比較例を示す説明図である。
【符号の説明】
１１ 前面側の基板
１２ 透明電極
１３ バス電極
１７，２４ 誘電体層
２１ 背面側の基板
２８，２８Ｒ、２８Ｇ、２８Ｂ 蛍光体層
２９ 隔壁
３０ 放電空間
Ａ アドレス電極
Ａ１ 細帯部
Ａ２ 太帯部
Ｄ 電極層
Ｈ ホース
Ｌ レーザ光
Ｒ フォトレジスト
Ｒ１ 細帯状パターン
Ｒ２ 太帯状パターン
Ｓ レーザ照射装置
Ｘ、Ｙ 表示電極

Claims (8)

1. 基板上に導電性材料膜を形成し、その導電性材料膜上にレジストを塗布した後、そのレジストを露光し、現像液を用いて現像することで形成するべき帯状の電極パターンと同じ形状のレジストパターンを形成し、次にエッチング液を用いて導電性材料膜をレジストパターンと同じ形状にエッチングすることからなるプラズマディスプレイパネルの電極形成方法であって、
   形成するべき帯状の電極パターンが、細帯状パターンの一部が太帯状パターンとなった電極パターンである場合、現像液を用いる現像プロセスとエッチング液を用いるエッチングプロセスとのウエット工程で、基板に対して現像液またはエッチング液をシャワー状に浴びせるとともに、そのシャワーの放出方向を前記帯状の電極パターンの延出方向と交差する方向にスイングさせ、それによって現像液またはエッチング液が前記スイングの方向に流れるようにすることを特徴とするプラズマディスプレイパネルの電極形成方法。
2. レジストの露光プロセスが、レジストにレーザ光を直接照射して所望パターンの描画を行うレーザ露光からなり、
   細帯状パターンの一部が太帯状パターンとなったレジストパターンを形成する際、太帯状パターンのエッジ角部近傍のレーザ露光量を調整し、それによって太帯状パターンのエッジ角部近傍のレジストが剥離しないようにすることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの電極形成方法。
3. 前記レーザ露光量の調整が、レーザ強度の調整またはレーザ走査速度の調整、あるいはそれらの両方を調整することからなる請求項２記載のプラズマディスプレイパネルの電極形成方法。
4. 細帯状パターンの一部が太帯状パターンとなったレジストパターンを形成する際、太帯状パターンのエッジ角部を円滑にしたことを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの電極形成方法。
5. 導電性材料膜が、樹脂との反応性の低い金属の間に反応性の高い金属を挟んだ積層構造の金属膜からなる請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの電極形成方法。
6. 導電性材料膜が、クロム／銅／クロムの３層構造の金属膜からなる請求項５記載のプラズマディスプレイパネルの電極形成方法。
7. エッチングを行った帯状の電極パターン上に樹脂成分を含む低融点ガラスペーストを塗布し、それを焼成することで帯状の電極パターン上に誘電体層を形成する工程をさらに含んでなる請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの電極形成方法。
8. 請求項１〜７のいずれか１つに記載のプラズマディスプレイパネルの電極形成方法によって電極が形成された基板を備えたプラズマディスプレイパネル。

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