TWI225268B - Plasma display panel - Google Patents

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TWI225268B
TWI225268B TW092110180A TW92110180A TWI225268B TW I225268 B TWI225268 B TW I225268B TW 092110180 A TW092110180 A TW 092110180A TW 92110180 A TW92110180 A TW 92110180A TW I225268 B TWI225268 B TW I225268B
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Hideki Harada
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Fujitsu Hitachi Plasma Display
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Description

玫、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 發明領域 本發明係有關一種電漿顯示面板,且更特別在於一種 具有一密封構造,用以使放電空間與外部環境隔絕之交流 裂(AC)電漿顯示面板。 I:先前技術】 發明背景 參考第6到8圖說明一種習用之AC電漿顯示面板。第6 圖係為一部份立體圖,其顯示一種三極體表面放電型之電 漿顯示面板(其熟知為一典型AC面板);且第7(a)與7⑻圖 分別係為俯視圖以及剖面圖,其顯示該電漿顯示面板之前 板的主要部份。第8圖係為一剖面圖,其顯示該電漿顯示面 板之主要部份。 包括了前板m ’其具有成對之主要電極⑴,用以顯示放 電、=及-後板,其具有定址電極m,以作為定址放電之 用。乳/氖氣體混合物之放電氣體係充滿—放電空間,該空 間係由前板1〇1與後板102之間加以界定。一密封構件 設置於該前板1G1與後板1G2之間,且圍繞—顯示區卿, 用以密封職電空間,使其與外部環境隔離。 各對之主要電極⑴仙平行鄰接的_佈置於該前 ㈣1之-玻璃基板112的内表面上。各對主要電極ιη其中 者係作為-掃描電極’用以與任何定址電極⑵配合產生 定址放電。該等主要電極111各包括一透明電極11 la與一匯 流電極uib ’且係以一厚度約為3〇微米之介電質層U3加以 覆蓋。一厚度為數千埃之氧化錳(MgO)保護薄膜114係設置 於該介電質層113的表面上。 定址電極121係以與主要電極對ill成交叉之關係佈置 於後板102的玻璃基板122之一内表面上,並以一厚度約為 10微米之介電質層123加以覆蓋。阻隔柵124(其高度為150 微米)係以條狀構造設置於該介電質層123上的定址電極 121之間,以致於使該等阻隔柵124與定址電極121係以交替 之關係加以佈置。 接著將說明如何製造該電漿顯示面板。為了製備前板 101,該等透明電極11 la首先係藉由喷濺法形成於玻璃基板 112上。接著,鉻、銅與鉻薄膜係依序形成於該玻璃基板112 上之透明電極111a上,且一抗蝕圖案係形成於該鉻、銅與 鉻薄膜上’其接著係加以蝕刻,用以形成匯流電極111b與 相關之透明電極111&,從而形成主要電極對丨丨1。接著,藉 由一氣相方法(諸如一化學蒸氣沉積(CVD)法),將二氧化矽 (Si〇2)沉積於形成主要電極對111之玻璃基板112上,用以形 成介電質層113。最後,藉著真空蒸氣沉積法,將氧化錳沉 積於該介電質層113上,用以形成保護薄膜114。 在後板102製備完成以後,以下述方法使前板101與後 板102結合。藉由分配法,圍繞顯示區域ES將一密封玻璃漿 施加於前板101之介電質層U3上(此狀態係顯示於第7(A)與 7(B)圖中’其分別以平面與剖面顯示該前板1〇1)。接著,該 1225268 前板101與後板102係以相對之關係加以結合,並進行熱處 理。在熱處理中,玻璃漿係加以烘烤,用以形成密封玻璃 構件103,從而密封放電空間(參看第8圖)。 儘管在上述方法中係藉由氣相法(例如化學蒸氣沉積 5 法)沉積二氧化矽,以達成介電質層113之形成。另外係使 用一氧化辞(ZnO)為主之燒結玻璃作為該介電質層ina之 材料。在先前技藝中,含鉛之燒結玻璃(例如以氧化鉛(Pb〇) 為主的燒結玻璃)亦用以形成介電質層113,但是近來由於 環保議題與資源回收之觀點,含鉛之燒結玻璃則逐漸淘汰。 10 在具有前述構造之習用交流型電漿顯示面板的製備方 面’當藉由依序在前板1〇丨之玻璃基板112上的透明電極 111a上形成鉻、銅與鉻薄膜、在該鉻、銅與鉻薄膜上形成 一抗餘圖案、以及蝕刻該等鉻、銅與鉻薄膜形成匯流電極 111b與相關之透明電極illa時,該等匯流電極11115可能會突 15起。如此使其無法藉由氣相方法(例如化學蒸氣沉積法)使介 電質層113確實地覆蓋該等匯流電極η讣。因此,在該等匯 流電極111b之反面可能會存有空隙。如果該前板101係藉著 在介電質層113上形成保護薄膜,而該等匯流電極lllb之相 反侧上存有空隙加以製備,且電漿顯示面板係藉由結合如 20此製備之前板101與後板102、藉由密封玻璃構件103密封該 前板101與後板102、以及以放電氣體充填放電空間加以製 造’則該放電空間可能經由存在於該等匯流電極lllb之相 反側上的空隙與外界相通。因此無法使放電空間保持氣 密。另外,介電質層113係由一不含氧化鉛之燒結玻璃形成 7 匯流電極111b之間_合相當不良。 匯流電極uib之間可能會存有空隙。 時,該介電質層113與 因此,介電質層113與 【發明内容】 發明概要 1=7述缺點,本發明旨在_種交流型電漿顯示面 盘反W ^間保持氣密,而不會受到存在於電極表面 一反面之空隙的影響。 根據本發明提供一種交流型電漿顯示面板,其包含· 對面板,該對面板係以相對隔開之關係加以配置,且各 具有複數個電極形成於其相反表面上,㈣等電極大部份 係以-介電質層加以覆蓋;以及—密封構件,其密封該對 面板之周圍;其中該等電極各具有—部份並未覆蓋介電質 層,且密封構件係配置成與該等電極之未覆蓋部份相接 觸。在本糾t,該等電_各具有未覆蓋介電質層之部 份:且密封構件直接接觸該等電極之未覆蓋部份。因此, 該等電極之表面與相反_會存有空隙,以致於能夠藉由 密封構件使該對面板之間所界㈣放電空間保持氣^密 封,而不會與顯示面板之外界相通(否則會由於該等電極之 表面與相反側上存有空隙而發生此情況)。所以,該電聚顯 示面板能夠藉由穩定之電子放電,確保—段長時間的正確 顯示。 在本發明之電漿顯示面板中,該介電質層在其周圍區 域中形成-切除部份’且密封構件經由介電質層之切除部 份與該等電極的未覆蓋部份相接觸。在此案例中,該切除 部份並未形成於介電質層之周_緣上,而是形成於該介 電質=㈣區域巾’且密封構件直接地接觸該等電極之 未覆蓋部份。因此’其_藉由密封構件歸放電空間之 氣雄进封且⑧夠&易祕刻介電質層位於該等電極之縱 向相反尾端上的部份。 在本發月之電聚顯示面板中,該介電質層係由一無鉛 燒結玻璃所構成。在此案财,料電極大部份係以並錯 燒結玻璃之介電質層加以覆蓋,且密封構件直接地與該等 電極之未覆蓋部份相接觸。因此,其能夠藉由該密封構件 使放電㈣保持氣密密封。另外,當顯示面板廢棄時 不會產生以含鉛為主所造成之污染。 在本發明之電聚顯示面板中,該等電極各包含複數個 薄電極薄膜。在此案例中,該等各包含複數個薄電極薄膜 之電極係設置於面板上’且大部份係以介電質層加以覆 蓋,且密封構件直接地與料電極之未覆蓋部份相接觸。 所以’即使該等電極與介電質層之間存有間隙,其亦能夠 藉由該密封構件使放電空間保持氣密密封。 圖式簡單說明 第1(A)與1(B)圖分別係為一俯視圖與剖面圖,其顯示 根據本發明之第一實施例,一電漿顯示面板之前板的主要 部份; 第2圖係為一剖面圖,其顯示根據該第一實施例之電漿 顯示面板的主要部份; 第3(A)與3(B)圖分別係為一俯視圖與剖面圖,其分別 ”、、員示根據本發明之第二實施例,一電漿顯示面板之前板的 主要部份; 第4圖係為一剖面圖,其顯示根據該第二實施例之電漿 顯示面板的主要部份; 5 第5圖係為一剖面圖,其顯示根據本發明之該第一實施 例的修正案例,一電漿顯示面板之主要部份; 第6圖係為一部份立體圖,其顯示一熟知為典型交流型 面板之二極體表面放電型的電漿顯示面板; 第7(A)與7(B)圖分別係為一俯視圖與剖面圖,其分別 1〇顯示第6圖中所示之該電漿顯示面板的前板之主要部份; 第8圖係為一剖面圖,其顯示第6圖中所示之該電漿顯 示面板的主要部份。 C實施方式3 本發明之詳細說明 15第一實施例 以下將參考第1(A)、1(B)與第2圖,說明根據本發明之 一第一實施例的電漿顯示面板。第1(八)與1(]8)圖分別係為一 俯視圖以及剖面圖,其顯示根據此實施例,一電漿顯示面 板之前板的主要部份;且第2圖係為一剖面圖,其顯示根據 20此實施例’該電漿顯示面板的主要部份。 如圖顯示,根據本發明,該電漿顯示面板包括一前板 1 ’其具有一對顯示放電用之主要電極U、以及一後板2, 其具有定址放電用之定址電極21,與習用之電漿顯示面板 類似。前板1與後板2係以相對隔開之關係加以配置,且一 密封構件3係設置於該前板丨與後板2之間,與該等電極直接 接觸,而無須以一介電質層13界定出一密封放電空間。 各對主要電極11係以平行鄰接之關係佈置於前板1的 一玻璃基板12之内部表面上。各對主要電極丨丨其中一者係 5作為一掃描電極,用以與任何定址電極21配合產生定址放 電。該等主要電極11各包括一透明電極lla與一匯流電極 11b,且大部份係以介電質層13加以覆蓋,該介電質層之厚 度約為30微米。厚度為數千埃之一氧化錳保護薄膜14係設 置於該介電質層13的表面上。 1〇 定址電極21係與主要電極對11以交叉關係部置於該後 板2之一玻璃基板22的内部表面上,並以厚度約為1〇微米之 介電質層23加以覆蓋。阻隔柵24(其高度為15〇微米)係以條 狀構造設置於該介電質層23上的定址電極21之間,以致於 使該等阻隔栅24與定址電極21係以交替之關係加以佈置。 15 密封玻璃構件3係圍繞一顯示區域ES配置於前板1與後 板2之間,並與該前板丨上之主要電極丨丨保持接觸。即使介 電質層13中具有氣泡,其亦能夠使放電空間保持氣密密封。 接著將說明在製造根據此實施例之電漿顯示面板中, 如何形成前板1、如何形成後板2,以及如何結合該前板1與 20後板2。 首先,透明電極lla係形成於前板1之玻璃基板12的主 要表面上。透明電極lla之形成係藉由喷濺法,在整個玻璃 基板12上形成一錫氧化物薄膜以及一銦/錫氧化物薄膜丨並 藉由一光蝕刻法使這些薄膜產生圖案加以達成。 11 1225268 接著,匯流電極lib係形成於具有該等透明電極lla之 玻璃基板12上。匯流電極丨11)之形成係藉由一喷濺法,在玻 璃基板12上覆蓋鉻、銅與鉻薄膜;且接者藉由大體上與形 成透明電極lla相同方式之光蝕刻法,使這些薄膜具有預定 5 構造之圖案加以達成。該等形成於玻璃基板12上之透明電 極lla與匯流電極lib構成主要電極對11。 接著,藉由一電漿化學蒸氣沉積法,在具有該等主要 電極對11之玻璃基板12上形成介電質層13。在電漿電漿化 學蒸氣沉積法中,一預定物質係藉著產生電漿而配置於一 10 物件上。介電質層13並非形成於前板1之整個玻璃基板12 上,而係形成覆蓋該玻璃基板除了匯流電極Hb之縱向相反 尾端部份以外,用以使該等匯流電極與外部電源之間電力 連接的一部份,如第1(A)圖中所示。或者,介電質層13之 形成能夠藉由一次在玻璃基板之整個表面上形成一介電質 15薄膜,並蝕刻掉覆蓋該等匯流電極lib之縱向相反尾端部份 的介電質薄膜加以達成。接著,氧化錳之保護薄膜14係藉 由一真空蒸氣沉積法形成於該介電質層13上,從而完成前 板1之製備。 20 接著’定址電極21係以大體上與前板丨相同之製備方式 形成於後板2的玻赫板22上。料定址電㈣之形成係藉 由迄今提出之任何方法加讀成,示紐之方法包括一圖 案印刷法,其中-電極材料(例如銀)係藉由印刷沉積於一基 —化學侧法,其卜電極材料係施加於整個基板 ’接著進行烘烤與化學侧、以及—剝料,其中一乾 板上 上 12 1225268 膜光阻劑係施加於整個基板上,且接著形成圖案。 介電質層23大體上係以與在前板丨上形成介電質層13 相同之方式,形成於該具有定址電極21的玻璃基板22上。 接著,阻隔柵24係形成於介電質層23上,該介電質層23係 5係成於玻璃基板22上。阻隔柵24之形成典型係藉由在玻璃 基板22上施加一低熔點玻璃漿作為一阻隔栅材料、在所產 生之玻璃漿層上施加一乾膜光阻劑、曝光與韻刻該乾膜光 阻劑、以及對於該玻璃漿層進行喷砂,藉由移除該玻璃漿 層曝露於光阻劑之開孔部分,使其成為預定之肋柵圖案加 1〇以達成。或者,可使用迄今提出之任何其他方法形成阻隔 柵24。接著,螢光層25係形成於玻璃基板22上之該等阻隔 栅24之間,從而完成後板2之製備。 為了結合前板1與後板2,藉由一分配法將密封玻璃漿 圍繞顯示區域ES施加於該前板丨之上,如第1(八)與1(則圖中 15所示。因此,該玻璃漿係直接接觸匯流電極lib未覆蓋介電 質層13之部分。接著,前板1與後板2係以相對關係加以結 合,且接著進行一熱處理。藉由該熱處理烘烤玻璃漿,用 以形成雄、封玻璃構件3。因此,前板丨與後板2之間所界定的 放電空間係藉由該密封玻璃構件3加以密封(參看第2圖)。 2〇 在别板1與後板2結合之後,該前板與後板之間所界定 的放電m係加以排空,且接著以_放電氣體(諸如氛/氣氣 體混合物)加以充填。從而完成電漿顯示面板之製備。 在根據本發明之電漿顯示面板中,該密封玻璃構件3 覆蓋匯流電極lib之尾端部分,否則空隙有可能會產生於該 13 等匯流電極lib之相反側與表面上。因此能夠使放電空間保 持氣密密封,W會與錢顯㈣板之外界相通,^會 由於該等匯流電極lib之相反側與表面上存有空隙而產生 與外界相通的情況。因此,對於長時間之顯示而言,該電 製顯示面板能夠確保穩定的電子放電。 第一實施例 儘管根據本發明之該第一實施例建構該電漿顯示面 板,使該等匯流電極Ub之相反尾端並未以介電質層13加以 覆蓋,且密封玻璃構件3係設置成與該等匯流電極llb之相 反尾端直接接觸。根據本發明之一第二實施例建構出一種 電漿顯示面板,以致於在介電質層13中係形成孔隙p,以便 邠伤曝露出該等匯流電極llb之相反尾端,且密封玻璃構件 3係設置成填入該等孔隙β,如第3(B)圖與4圖中所示。因 此,密封玻璃構件3係配置於匯流電極llb之相反尾端部份 上,且介電質層13之部份13,仍存在於該等匯流電極llb之 相反尾端部份上。所以,能夠藉由密封玻璃構件3使放電空 間保持氣密密封,並能夠容易地蝕刻配置於匯流電極llb之 相反尾端部份上的介電質層部份13,。 根據該第一實施例如第5圖中所示之一修正案,該密封 玻璃構件3能夠與介電質層13隔開,同時直接接觸該等匯流 電極llb。 在根據該第一實施例之電漿顯示面板中,該密封坡鳴 構件3係配置成直接與匯流電極llb相接觸。同樣地,該密 封玻璃構件3能夠直接接觸定址電極21,而沒有介電質層23 1225268 之干預。 範例1 鉻、銅與鉻薄膜係藉由噴濺法形成於一前板丨之上,並 使其形成圖案,以形成匯流電極1 1 b。接著,在下列條件下 5 (其藉著一平行板類型之電漿化學蒸氣沉積裝置),以電漿化 學蒸氣沉積法於該等匯流電極lib上沉積出5 0微米厚度之 二氧化矽,以便在一區域中形成一介電質層13,如第2圖中 所示接者,氧化猛係藉由蒸氣沉積法,在該介電質層13 上沉積出1.0微米之厚度,以形成一保護薄膜14。 〇 引入氣體與流動速率:矽甲烷(SiH4y9〇〇sccm ; 引入氣體與流動速率:氧化亞氮(N2〇)/9〇〇〇scem; 輻射頻率輸出:2.0 kw ; 基板溫度:400。(:; 真空度· 3.〇托爾(τ〇ΓΓ)。 5 接著,藉由分配法,將軟化點為43(rc之玻璃漿施加於 一密封玻璃構件3的區域中,如第2圖中所示,並以5〇〇〇c加 以烘烤。前板1與後板2係以450°C加以烘烤,以便以相對之 關係加以結合。接著係排空該前板與後板之間所界定的放 電空間,並以氖/氙氣體混合物填入該放電空間。從而完成 〕一電漿顯示面板之製備。 、對於該電軸示面板進行12小時之高溫度且高渥度的 測武(120C,2大氣壓,相對渥度1〇〇%),並同時估算該電 聚顯不面板之電子放電特性。結果,在電子放電特性方面 沒有觀察到任何變化。 15 範例2 在匯流電極lib以與範例丨相同之方式形成於一前板i 上以後’一氧化辞_氧化硼_氧化鈹(Zn〇_B2〇3_Bi2〇3)混合燒 結玻璃係在該等匯流電極llb上沉積出約3〇微米之厚度,以 5便在一區域中形成一介電質層13,如第2圖中所示。接著, 氧化錳係藉著蒸氣沉積法,在該介電質層13上沉積出1.0微 米之厚度,以形成一保護薄膜14。 接著’軟化點為430°C之玻璃漿係藉著分配法施加於一 岔封玻璃構件3的一區域中,如第2圖中所示,並以5〇〇亡加 1〇以烘烤。前板1與後板2係於450°C烘烤,以便以相對之關係 加以結合。接著,該前板與後板之間所界定之放電空間係 加以排空’並以氖/氙氣體混合物係充填該放電空間,從而 完成一電漿顯示面板之製備。 對於該電漿顯示面板進行12小時之高溫度且高溼度的 15 /則试(120 C,2大氣壓,相對溼度100%),並同時估算該電 漿顯不面板之電子放電特性。結果,在電子放電特性方面 ;又有觀察到任何變化。 範例3 一銀漿係施加於前板1上,以便形成匯流電極lib,且 2〇接著在下列條件下(其藉著一平行板類型之電漿化學蒸氣 ’儿積裝置),於該等匯流電極ub上沉積出5〇微米厚度之二 氧化石夕以便在一區域中形成一介電質層13,如第2圖中所 示接著,氧化猛係藉由蒸氣沉積法,在該介電質層13上 /儿積出1.0微米之厚度,以形成一保護薄膜14。 16 1225268 引入氣體與流動速率:矽甲烷(SiH4)/900 seem ; 引入氣體與流動速率:氧化亞氮(N20)/900〇sccm; 輻射頻率輸出·· 2.〇kW ; 基板溫度:400°C ; 5 真空度:3.0托爾(T0rr)。 接著,藉由分配法,將軟化點為430°C之玻璃漿施加於 一密封玻璃構件3之區域中,如第2圖中所示,並以5〇〇°c加 以烘烤。前板1與後板2係以450°C加以烘烤,以便以相對之 關係加以結合。接著係排空該前板與後板之間所界定的放 10電空間,並以氖/氙氣體混合物充填入該放電空間,從而完 成一電漿顯示面板之製備。 對於該電漿顯示面板進行12小時之高溫度且高溼度的 /貝J4(12〇c,2大氣壓,相對溼度1〇〇%),並同時估算該電 15漿"員不面板之電子放電特性。結果,在電子放電特性方面 、又有觀察到任何變化。 比較範例 ^在以與範例1相同之方式於前板1上形成 匯流電極lib 、、j後,在下列條件下(其藉著一平行板類型之電漿化學蒸氣 2〇 Γ積裝置),於該等匯流電極仙上沉積出5·〇微米厚度之二 ^匕石々 厂 乂便在區域中形成一介電質層13,如第8圖中所 r接著,氧化錳係藉由蒸氣沉積法,在該介電質層13上 積出1.0微米之厚度,以形成一保護薄膜14。 弓丨入氣體與流動速率:矽甲烷(siH4)/900 sccm; 弓1入氣體與流動速率··氧化亞氣(N2Q)/9_Sam; 17 輻射頻率輪出:2.0 kW ; 基板溫度:400°G ; 真空度· 3·0托爾(Torr)。 接著,藉由分配法,將軟化點為430°C之玻璃漿施加於 一密封玻璃構件3之區域中,如第8圖中所示,並以500°C加 以烘烤。前板1與後板2係以450°C加以烘烤,以便以相對關 係加以結合。接著係排空該前板與後板之間所界定的放電 空間’並以氖/氙氣體混合物充填入該放電空間,從而完成 一電漿顯示面板之製備。 對於該電製顯示面板進行12小時之高溫度且高溼度的 測試(120°C,2大氣壓,相對溼度1〇〇%),並同時估算該電 漿顯示面板之電子放電特性。結果,在電子放電特性方面 沒有觀察到任何變化。 如以上所述,在本發明中,各電極具有部份並未以介 電質層加以覆蓋’且密封構件直接接觸電極之未覆蓋部 份。所以,在電極之相反側與表面上不會產生空隙 ,以致 於能夠藉由密封構件使放電空間保持氣密密封,而不會與 顯示面板的外界相通㈤彳會—在雜之相賴與表面 上存有⑽而發生此情況)。因此,該電賴示面板能夠藉 由穩定之電子放電’確保—段長時間的正確顯示。 在本發明之中,5亥切除部份並非形成於介電質層之周 圍邊緣上,而是形成在該介電質層之區域中,且密封 構件直接接觸該等電極之未覆蓋部份。因此,能夠藉由該 密封構件使放電空間__密封,域夠輕㈣蚀刻位 1225268 於該等電極之縱向相反尾端上的介電質層。 在本發明中,電極大部份係以不含錯之燒結玻璃介電 質層力以覆蓋且进、封構件直接接觸該等電極之未覆蓋部 份。因此’能夠藉由該密封構件使放電空間保持氣密密封。 此外’當電賴⑽板廢棄料會產以含料主所造成 10 15 在本發明中,各個包含複數個薄電極薄膜之電極係設 置於面板之上’且大部份係以介電f層加 =直接_輪之未編份。㈣,即使該等電 ==電質層之間存有空隙,其亦能夠藉由該密封構件確 保放電空間之氣密密封。 I:圖式簡單說明】 第1⑷娜)圖分別係為一俯視圖與剖面圖,其顯示 部份本發明之第—實施例,—電漿顯示面板之前板的主要 第2圖係為一剖面圖,其顯示根據該第 顯示面板的主要部份; 一實施例之電漿 20 第3(A)與3(B)圖分別係為— 顯示根據本發明之第二實施例, 主要部份; 俯視圖與剖面圖,其分別 一電漿顯示面板之前板的 第4圖係為-剖面圖,其顯示根據該第二實施例之電浆 顯示面板的主要部份; 第5圖係為-剖面圖,其顯示根據本發明之該第一實施 例的修正案例’―電漿顯示面板之主要部份; 19 1225268 第6圖係為一部份立體圖,其顯示一熟知為典型交流型 面板之三極體表面放電型的電漿顯示面板; 第7(A)與7(B)圖分別係為一俯視圖與剖面圖,其分別 顯示第6圖中所示之該電漿顯示面板的前板之主要部份; 5 第8圖係為一剖面圖,其顯示第6圖中所示之該電漿顯 示面板的主要部份。 【圖式之主要元件代表符號表】 β...孔隙 101...前板 ES...顯示區域 102·.·後板 1...前板 103...密封玻璃構件 2...後板 111…主要電極 3...密封構件 111a···透明電極 11 b...匯流電極 111b...匯流電極 12…玻璃基板 112…玻璃基板 13...介電質層 113...介電質層 13’...介電質層部份 114…保護薄膜 21…定址電極 121…定址電極 22...玻璃基板 122…玻璃基板 23...介電質層 123…介電質層 24...阻隔柵 124…阻隔栅 25··.螢光層
20

Claims (1)

1225268 拾、申請專利範圍: 1 ·種父流型電聚顯示面板,其包含: 5 一對以隔開相對之關係加以配置的面板,且 板具有複數個電極形成於其相反表面上,且大部面 一介電質層加以覆蓋;及 /、从 一密封構件,其密封該對面板之周圍; 觸 其中該等電極各具有一部份並未覆蓋介電質層, 且該费封構件㈣置成與該等電極之未覆蓋部份相接 10 2· 一種交流型電漿顯示面板,其包含: 一對以隔開相對之關係加以配置的面板,且各面 板具有複數個電極形成於其相反表面上,且大部份係以 一介電質層加以覆蓋;及 一密封構件,其密封該對面板之周圍; 15 其中該等電極各具有一部份並未覆蓋介電質層, 且該密封構件隙配置成與該等電極之未覆蓋部份相接 觸;且 該"電質層在其周圍區域中形成一切除部份,且 密封構件係經由介電質層之該切除部份與該等電極的 20 未覆蓋部份相接觸。 3·如申請專利範圍第1項之電漿顯示面板,其中該介電質 層係由一不含鉛之燒結玻璃所構成。 4·如申請專利範圍第2項之電漿顯示面板,其中該介電質 層係由一不含鉛之燒結玻璃所構成。 21 1225268 5. 如申請專利範圍第1項之電漿顯示面板,其中該等電極 各包含一個層疊之薄電極薄膜,其係由複數個薄電極薄 膜層堆而成。 6. 如申請專利範圍第2項之電漿顯示面板,其中該等電極 5 各包含一個層疊之薄電極薄膜,其係由複數個薄電極薄 膜層堆而成。 7. 如申請專利範圍第3項之電漿顯示面板,其中該等電極 各包含一個層疊之薄電極薄膜,其係由複數個薄電極薄 膜層堆而成。 10 8.如申請專利範圍第4項之電漿顯示面板,其中該等電極 各包含一個層疊之薄電極薄膜,其係由複數個薄電極薄 膜層堆而成。 9.如申請專利範圍第1、2、3、4、5、6、7或8項之電漿顯 示面板,其中該介電質層係藉由化學蒸汽沉積法所形 15 成。 22
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