KR20080060141A - 격벽 형성방법 - Google Patents

Abstract

레지스트 마스크를 제거하는 공정에 있어서 격벽(隔璧) 패턴 재료층의 도괴

(倒壞)를 방지하도록 한 격벽 형성방법이 기술된다.

기판과 격벽 재료층의 사이에 접착층이 형성되고, 그 접착층은 격벽 패턴 형성 후의 레지스트 마스크를 상기 격벽 재료층으로부터 박리 제거하는 공정에서는 상기 격벽 재료층을 기판상에 유지할 수 있는 접착력을 가지며, 격벽 패턴 형성 후의 격벽 재료층을 소성(燒成)하는 공정에서는 소실하는 열소실성(熱燒失性) 재료로 구성된다.

격벽 패턴, 열소실성 재료, PES

Description

격벽 형성방법{Method of fabricating barrier rib}

본 발명은, 격벽 형성방법에 관한 것이며, 더 자세하게는, 레지스트 마스크를 이용한 패터닝으로 격벽 패턴의 재료층을 형성한 후, 그 격벽 패턴의 재료층으로부터 레지스트 마스크를 제거하는 공정을 갖는 격벽 형성방법에 관한 것이다.

격벽을 갖는 표시 패널로서, 플라즈마 디스플레이 패널(이하 「PDP」로 개재한다)이 알려져 있으며, 그 중에서도(특히) AC면 방전형의 PDP가 잘 알려져 있다.이 PDP는, 전면측 기판과 배면측 기판을 하나로 붙이고, 내부에 방전 가스가 봉입된 구조로 되어 있다. 전면측 기판의 내면에는 복수의 표시 전극이 평행으로 형성되며, 이 표시 전극이 유전체층(誘電體層)과 보호층으로 덮여 있다. 배면측 기판에는, 방전 공간을 구획하기 위한 격벽(隔璧)이 형성되며, 격벽과 격벽의 사이에는 3원색인 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)의 형광체층이 구분되도록 칠하여 형성되어 있다.

인접하는 한 쌍의 표시 전극 사이에 전압을 인가하면, 격벽에 의해 구획된 방전 공간에서 방전이 일어나고, 그 방전에 따라 자외선이 발생되며, 이 자외선에 의해 형광체층을 여기(勵起) 발광시킴으로써 컬러 표시를 행한다. 그런데 상기 격 벽의 형성에는, 샌드 블라스트법이나 에칭법과 같은 제거(subtract)법이 널리 이용되고 있다(예컨대, 특개평2-301934호 공보 참조).

샌드 블라스트법을 사용한 격벽형성 프로세스에서는, 우선, 기판 상에 격벽 재료층을 형성하고, 이 격벽 재료층 상에 감광성 드라이 필름을 박층(薄層)하거나, 또는 액상의 감광성 레지스트를 도포하고, 노광, 현상함으로써 격벽 패턴의 레지스트 마스크를 형성한다.

그리고, 그 레지스트 마스크(격벽 패턴 마스크)로부터 노출된 격벽 재료층을 샌드 블라스트로 제거한 후, 박리액을 이용해서 레지스트 마스크를 세정 제거함으로써 격벽 패턴의 재료층을 형성하고, 그 격벽 패턴의 재료층을 소성(燒成)함으로써 격벽을 형성한다.

이 샌드 블라스트법을 사용한 격벽 형성 프로세스에서는, 레지스트 마스크로부터 노출된 격벽 재료층에 절삭입자를 내뿜는 절삭공정과, 그 절삭공정 후에 레지스트 마스크를 제거하는 공정이 필수적이다.

그렇지만, 레지스트 마스크의 제거 공정에 있어서, 격벽 패턴으로서 남아야 할 격벽 재료층이 도괴(倒壞)하여 결함이 되는 문제가 발생한다. 이러한 문제는, 화질이 고화질, 고선명도가 되고, 격벽의 폭이 좁으며, 애스펙트비가 높아짐 따라서 현저해진다.

본 발명은, 이러한 사정을 고려하여 이루어진 것으로, 기판과 격벽 재료층의 사이에, 격벽 패턴 재료층을 소성할 때에 소실되도록 접착층을 형성해 둠으로써 레지스트 마스크 제거 공정에 있어서의 격벽 패턴 재료층의 도괴를 방지하는 것이다.

본 발명의 격벽 형성방법은, 기판 상에 격벽 재료층을 형성하고, 그 위에 레지스트막을 형성해서 레지스트막의 패터닝을 행하며, 패터닝 한 레지스트막을 마스크로서 이용해서, 해당 마스크로부터 노출한 격벽 재료층을 제거함으로써 격벽 패턴의 재료층을 형성한 후, 그 격벽 패턴의 재료층으로부터 레지스트막을 제거하고, 그 후, 격벽 패턴의 재료층을 소성함으로써 격벽을 형성하는 공정으로 이루어지며, 상기 기판과 격벽 재료층의 사이에 접착층을 형성하는 공정을 구비하고, 상기 접착층이, 격벽 패턴의 재료층으로부터 레지스트막을 제거할 경우에는 상기 격벽 패턴의 재료층을 기판 상에 유지할 수 있는 접착력을 가지며, 또한 격벽 패턴의 재료층을 소성한 경우에는 소실하는 열소실성의 재료로 이루어진 것을 특징으로 한다.

본 발명에 의하면, 레지스트 마스크를 제거하는 공정 시에 격벽이 도괴하는일이 없어지므로, 격벽의 불량율을 저하시킬 수 있다. 또한, 본 발명을 표시 패널의 제조에 적용했을 경우에는, 격벽의 폭을 가늘게 하여도 격벽의 도괴가 없으므로, 보다 고화질, 고선명도인 표시 패널의 제조가 가능해진다.

본 발명의 격벽 형성방법은, 격벽 재료층의 형성면과 격벽 재료층의 사이에 수지를 주성분으로 하는 열소실성 접착층을 설치한 상태에서 격벽의 패터닝을 행하 는 것을 골자로 하는 것이다. 접착층은, 격벽 재료층 건조 단계의 열처리에는 견딜 수 있으며, 패터닝 후의 소성 공정에서는 격벽 재료 내의 바인더 성분과 함께 소실하는 재료인 것을 이용한다.

본 발명의 격벽 형성방법은, 샌드 블라스트법에 의한 패터닝에 적합하지만, 레지스트 마스크의 박리 공정을 따르는 화학 에칭법에도 적용할 수가 있다. 또한, 대상이 되는 PDP도 AC면 방전형의 PDP뿐만 아니라, DC형의 PDP이여도 좋고, 격벽이 전면측 기판이나, 전면측 기판과 배면측 기판의 양쪽에 형성되어 있는 PDP이여도, 본 발명을 적용할 수 있다.

본 발명에 있어서, 기판으로서는, 유리, 석영, 세라믹스 등의 기판이나, 이들 기판 상에, 전극, 절연막, 유전체층, 보호막 등의 원하는 구성 요소를 형성한 기판이 포함된다.

상기전극은, 해당 분야에서 공지의 각종 재료와 방법을 이용해서 형성할 수가 있다. 전극에 이용할 수 있는 재료로서는, 예컨대, ITO, SnO₂ 등의 투명한 도전성 재료나, Ag, Au, Al, Cu, Cr 등의 금속 도전성 재료를 들 수 있다. 전극의 형성 방법으로서는, 해당 분야에서 공지의 각종 방법을 적용할 수가 있다. 예를 들면, 인쇄 등의 후막(厚膜) 형성 기술을 이용해서 형성해도 좋고, 물리적 퇴적법 또는 화학적 퇴적법으로 이루어진 박막 형성 기술을 이용해서 형성해도 좋다. 후막 형성 기술로서는, 스크린 인쇄법 등을 들 수 있다. 박막 형성 기술 중, 물리적 퇴적법으로서는, 증착법이나 스퍼터법 등을 들 수 있다. 화학적 퇴적 방법으로서는, 열CVD 법이나 광CVD법, 혹은 플라즈마 CVD법 등을 들 수 있다.

본 발명에 있어서, 격벽 재료층은, 해당 분야에서 공지의 각종 재료와 방법을 이용해서 형성할 수가 있다. 예를 들면, 유리 프릿, 바인더 수지, 용매 등으로 이루어진 페이스트 상태의 격벽재료를 이용하며, 이 격벽재료를 스크린 인쇄법 등으로 도포해서 건조시킴으로써 형성할 수가 있다.

레지스트막은, 해당 분야에서 공지의 각종 재료와 방법을 이용해서 형성할 수가 있다. 예를 들면, 감광성 드라이 필름 레지스트를 이용하여, 이것을 박층함으로써 형성해도 좋다. 또는, 액상의 감광성 레지스트를 이용하여, 이것을 공지의 코트법으로 도포함으로써 형성해도 좋다. 레지스트막의 패터닝은, 포토리소그래프

(photo-lithograph)의 수법과 같은, 해당 분야에서 공지의 각종 방법을 이용해서 할 수 있다.

본 발명은, 레지스트 마스크를 이용한 패터닝으로 격벽 패턴의 재료층을 형성한 후, 그 격벽 패턴의 재료층으로부터 레지스트 마스크를 제거하는 공정을 갖는 방법으로 격벽을 형성하는 것이라면, PDP에 한하지 않고, 모든 패널의 제조 방법에 적용할 수가 있다.

상기 격벽 형성방법, 즉 레지스트 마스크를 이용한 패터닝으로 격벽 패턴의 재료층을 형성한 후, 그 격벽 패턴의 재료층으로부터 레지스트 마스크를 제거하는 공정을 갖는 격벽 형성방법으로서는, 예를 들면, 샌드 블라스트법이나 습식 에칭법과 같은 제거법을 이용한 격벽 형성방법을 들 수 있다.

샌드 블라스트법을 이용할 경우에는, 레지스트 마스크를 형성한 격벽 재료층 에 절삭입자를 내뿜어서 격벽형성에 불필요한 부분의 격벽 재료층을 제거하고, 그 후, 박리액을 이용해서 레지스트 마스크를 세정 제거함으로써 격벽 패턴의 재료층을 형성하고, 그 격벽 패턴의 재료층을 소성함으로써 격벽을 형성할 수가 있다. 또한, 습식 에칭법을 이용할 경우에는, 레지스트 마스크를 형성한 격벽 재료층을 에칭액으로 침지(浸漬)하거나, 또는 에칭 액으로 세정함으로써 불필요한 부분의 격벽 재료층을 제거하고, 그 후, 박리액을 이용해서 레지스트 마스크를 세정 제거함으로써 격벽 패턴의 재료층을 형성하고, 그 격벽 패턴의 재료층을 소성함으로써 격벽을 형성 할 수가 있다.

본 발명의 격벽 형성방법은, 폭 100μm 이하의 격벽을 형성할 때에 특히 가장 알맞게 이용할 수 있다.

접착층은, 기판과 격벽 재료층의 사이에 형성할 수 있는 것이면 되며, 격벽 패턴의 재료층으로부터 레지스트막을 제거할 때는 격벽 패턴의 재료층을 기판 상에 유지할 수 있는 정도의 접착력을 가지며, 또한 격벽 패턴의 재료층을 소성한 경우에는 소실하는 열소실성인 재료로 형성된 것이면 된다. 이 접착층은, 적어도 200℃까지는 소실하지 않는 내열성 수지를 주성분으로 하는 재료로 형성되어 있는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 접착층은, 폴리에테르계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리카보네이트, 폴리4불화에틸렌 및 폴리페닐렌 설파이트의 그룹에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 합성 수지를 주성분으로 하는 재료로 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이 접착층은, 10μm 이하의 두께로 형성되어 있는 것이 바람직하다.

이하, 도면에 나타낸 실시 형태에 근거해서 본 발명을 상술한다. 또, 본 발 명은 이것에 의해 한정되는 것은 아니며, 각종 변형이 가능하다.

도 1은 본 발명의 격벽 형성방법을 적용해서 제조된 PDP의 일례를 설명하기 위한 도이며, 도 1(a)은 전면측 기판의 부분 분해 사시도, 도 1(b)은 배면측 기판의 부분 분해 사시도이다.

이 실시예에 의한 PDP는 컬러 표시용의 AC면 방전형 PDP이다.

PDP는, PDP로서 기능하는 구성 요소가 형성된 전면측 기판(11)과 배면측 기판(21)로 구성되어 있다. 전면측 및 배면측 기판(21)의 기판소재로서는, 유리 기판을 이용하고 있지만, 유리 기판 이외에, 석영기판, 세라믹스 기판 등도 사용할 수가 있다.

상기 전면측 기판(11)의 내측면에는, 수평방향에 표시 전극(X)과 표시 전극(Y)이 같은 간격으로 교대로 배치되어 있다. 표시 전극(X)은 유지 방전용의 전극이며, 표시 전극(Y)은 주사용(走査用) 전극이다. 인접하는 표시 전극(X)과 표시 전극(Y)의 사이가 모두 표시 라인이 된다. 각 표시 전극(X, Y)은, ITO, SnO₂ 등의 폭의 넓은 투명전극(12)과, 예컨대 Ag, Au, Al, Cu, Cr 및 그들의 적층체(예컨대 Cr/Cu/Cr의 적층구조) 등으로 이루어진 금속제의 폭이 좁은 버스 전극(13)으로 구성되어 있다.

표시 전극(X, Y)은, Ag, Au 에 관해서는 스크린 인쇄와 같은 후막 형성 기술을 이용하고, 그 밖에 있어서는 증착법, 스퍼터법 등의 박막형성 기술과 에칭 기술을 이용함으로써, 원하는 개수, 두께, 폭 및 간격으로 형성할 수가 있다. 이후, 표 시 전극(X)을 X전극으로 칭하고, 표시 전극(Y)를 Y전극으로 칭할 때도 있다.

또, 본 PDP에서는, 표시 전극(X)과 표시 전극(Y)이 같은 간격으로 배치되며, 인접하는 표시 전극(X)과 표시 전극(Y)의 사이가 모두 표시 라인이 되는, 소위 ALIS구조의 PDP가 되어 있지만, 쌍이 되는 표시 전극(X, Y)이 방전이 발생하지 않는 간격(비방전 갭)을 두고 배치된 구조의 PDP여도, 본 발명을 적용할 수가 있다.

표시 전극(X, Y) 상에는, 그들 전극을 덮도록 제1 유전체층(17)이 형성되어 있다. 이 제1 유전체층(17)은, 유리 프릿, 바인더 수지 및 용매로 이루어진 유리 페이스트를, 전면측 기판(11) 상에 스크린 인쇄법으로 도포한 후, 소성함으로써 형성하고 있다. 또, 이 유전체층(17)은, 플라즈마 CVD법으로 SiO₂막을 성막함으로써 형성해도 좋다.

제1 유전체층(17) 위에는, 표시의 때의 방전에 의해 생기는 이온의 충돌에 의한 손상으로부터 유전체층(17)을 보호하기 위한 보호막(18)이 형성되어 있다. 이 보호막(18)은 MgO로 형성되어 있다. 보호막은, 전자 빔 증착법이나 스퍼터법과 같은, 해당 분야에서 공지의 박막형성 프로세스에 의해 형성할 수가 있다.

배면측 기판(21)의 내측면에는, 평면적으로 보아서 표시 전극(X, Y)과 교차하는 방향으로 복수의 어드레스 전극(A)이 형성되고, 그 어드레스 전극(A)을 덮어서 제2 유전체층(24)이 형성되어 있다. 어드레스 전극(A)은, Y전극과의 교차부에서 발광셀을 선택하기 위한 어드레스 방전을 발생시키는 것이며, Cr/Cu/Cr의 3층 구조로 형성되어 있다. 이 어드레스 전극(A)은, 그 밖에, 예컨대 Ag, Au, A1, Cu, Cr 등으로 형성할 수도 있다.

상기 어드레스 전극(A)도, 표시 전극(X, Y)과 같이, Ag, Au에 대해서는 스크린 인쇄와 같은 후막 형성 기술을 이용하고, 기타에 관해서는 증착법, 스퍼터법 등의 박막형성 기술과 에칭 기술을 이용함으로써, 원하는 개수, 두께, 폭 및 간격으로 형성할 수가 있다. 제2 유전체층(24)은, 제1 유전체층(17)과 같은 재료, 같은 방법을 이용해서 형성할 수가 있다.

인접하는 어드레스 전극(A)과 어드레스 전극(A) 사이의 제2 유전체층(24) 상에는, 방전 공간을 열(列) 방향으로 구획하는 직선모양의 격벽(29)이 형성되어 있다. 격벽(29)은, 예컨대 박스 리브나 와플 리브, 메쉬 모양 리브 등으로 불리는 격자(格子) 모양의 격벽이어도 좋다. 격벽(29)은, 전사(轉寫)법, 샌드 블라스트법, 감광성 페이스트법 등으로 형성할 수가 있다. 예컨대, 전사법에서는, 격벽형상의 오목부(凹部)를 갖는 전사 요판(凹板)을 이용하여, 이 전사 요판의 오목부에, 유리 프릿, 바인더 수지, 용매 등으로 이루어진 유리 페이스트를 충전해서 기판(21) 위로 전사한 후, 이것을 소성함으로써 격벽을 형성한다. 샌드 블라스트법에서는, 유리 프릿, 바인더 수지, 용매 등으로 이루어진 유리 페이스트를 제2 유전체층(24) 상에 도포해서 건조시킨 후, 그 유리 페이스트층 위로 격벽 패턴의 개구(開口)를 갖는 절삭 마스크를 설치한 상태에서 절삭입자를 뿜어 칠하여, 마스크의 개구에 노출한 유리 페이스트층을 절삭하고, 이 절삭한 유리 페이스트층을 소성함으로써 격벽을 형성한다. 또한, 감광성 페이스트법에서는, 절삭입자로 절삭하는 것에 대신하여, 바인더 수지로 감광성의 수지를 사용하고, 마스크를 이용한 노광 및 현상 후, 소성함으로써 형성한다.

격벽(29)과 격벽(29)의 사이에 형성되는 가늘고 긴 홈(溝) 내의 측면 및 저면에는, 자외선에 의해 여기 되어, 빨강(R), 초록(G), 파랑(B)의 가시광을 발생하는 형광체층(28R, 28G, 28B)이 형성되어 있다. 형광체층(28R, 28G, 28B)은, 형광체 분말과 바인더 수지와 용매를 포함하는 형광체 페이스트를, 격벽(29) 사이의 홈 내에 스크린 인쇄, 또는 디스펜서를 이용한 방법 등으로 도포하고, 이것을 각 색마다 반복한 후, 소성함으로써 형성하고 있다. 이 형광체층(28R, 28G, 28B)은, 형광체 분말과 감광성 재료와 바인더 수지를 포함하는 시트 모양의 형광체층 재료(소위 그린 시트)를 사용하며, 사진 식각 기술로 형성할 수도 있다. 이 경우, 원하는 색의 시트를 기판(21) 상의 표시 영역 전면에 붙이고, 노광, 현상을 하며, 이것을 각색 마다 반복함으로써 대응하는 셀(溝) 내에 각 색의 형광체층을 형성할 수가 있다.

PDP는, 상기의 전면측 기판(11)과 배면측 기판(21)을, 표시 전극(X, Y)과 어드레스 전극(A)이 교차하도록 대향 배치한 후, 그 기판 주위를 봉하여 붙이고(封着), 격벽(29)으로 둘러싸인 방전 공간에 Xe와 Ne를 혼합한 방전 가스를 충전함으로써 완성된다. 방전 가스의 봉입 압력은 66.4kPa(500Torr)정도이다. 이 PDP에서는, 표시 전극(X, Y)과 어드레스 전극(A)의 교차부 방전 공간이, 표시의 최소단위인 하나의 셀(단위 발광 영역)이 된다. 1화소는 R, G, B의 3개의 셀로 구성된다. 또한, 방전 공간을 열(列)방향으로 구획하는 세로격벽(縱隔璧)과, 행(行)방향으로 구획하는 가로격벽(橫隔璧)을 갖는 격자 셀 구조의 PDP일지라도, 본 발명을 적용하는 것이 가능하다.

상기의 PDP에 있어서, 풀(full) HD규격의 화소 배열은, 종(縱)방향이 1080화소, 횡(橫)방향이 1920 화소이며, 화소 구성을 R, G, B의 3셀 횡배열 구성으로 하면, 횡방향의 셀수는 5760개가 된다.

이러한 셀 배열을 종횡비(縱橫比) 9대 16에서 대각(對角) 42인치의 장방형 화면으로 실현하려고 하면, 유효 화면 치수는 수평 920mm, 수직 518mm가 되므로, 횡방향의 셀 피치는 159μm이 되고, 이 셀을 구분하고 있는 세로 격벽에는 필연적으로 바닥 폭 100μm이하의 것이 요구되게 된다.

대각치수가 55인치 정도의 큰 화면에서 XGA정도의 해상도를 얻을 경우에는, 격벽은 바닥 폭이 130μm정도까지 허용되므로, 통상의 샌드 블라스트법으로 격벽의 패터닝을 행하여도 문제는 생기지 않는다. 그러나, 격벽의 바닥 폭이 10Oμm이하가 되는 가공에서는, 격벽 패터닝을 행하면, 패터닝된 미소성(未燒成) 상태의 격벽 재료층(격벽 패턴 재료층)과 유전체층의 접착력이 약하고, 격벽 패턴 재료층으로부터 레지스트 마스크를 제거하는 마스크 박리 공정에서 격벽 패턴 재료층의 도괴가 일어나서, 높은 정밀도로 격벽을 만들 수 없다는 문제가 생긴다.

또, 상기 격벽의 바닥 폭이란, 배면측 기판의 제2 유전체층 표면으로부터 격벽 높이의 20％ 위치에서 측정한 격벽의 폭을 말하는 것으로 한다.

도 2(a)∼도 2(g)는, 본 발명의 격벽 형성방법을 공정 순으로 나타낸 설명 도이다. 도 2(a)는 배면측 기판(21) 상에 어드레스 전극(A)을 형성한 상태를 나타내고 있다. 또한, 도 2(b)는 어드레스 전극(A)을 덮도록 저융점 연(鉛) 유리로 이루어진 제2 유전체층(24)을 형성한 상태를 나타내고 있다. 여기까지의 공정은 종래 와 같다.

다음으로, 도 2(c)에 나타낸 공정에서는 본 발명의 특징에 근거하여, 격벽 형성면이 되는 제2 유전체층(24) 상에 열소실성(熱燒失性)의 접착층(31)을 형성한다. 이 접착층(31)은, 예컨대 폴리에테르계의 수지인 PES(Polyethersulphone)를 부틸카비톨(Butyl carbitol)에 용해한 수지용액을 똑같이 도포 건조시키고, 수 미크론의 두께, 바람직하게는 1∼10μm의 두께가 되도록 형성된다. 예시한 PES는, 후(後) 공정에 있어서의 격벽 재료층을 건조시키는 온도 200℃까지 내열성을 갖는 한편, 격벽 패턴 재료층을 소성하는 500℃를 넘는 온도에서는 소실하는 특성을 가진다.

이렇게, 소정온도까지는 내열성을 가진 열소실성 수지는, 그 외에도 여러 가지 선택가능하다. 예를 들면, 폴리이미드계 수지, 폴리카보네이트, 폴리4불화에틸렌, 폴리페닐렌 설파이트등을 이용할 수 있다.

다음으로, 도 1(d)에 나타낸 공정에서는 접착층(31) 상에 건조시킴으로써 격벽 재료층이 되는 저융점 유리 페이스트를, 스크린 인쇄 등으로, 격벽의 높이에 알맞는, 예컨대 150μm의 두께로 도포하고, 약 180℃에서 건조시켜서, 격벽 재료층(32)을 형성한다. 저융점 유리 페이스트로서는, 산화연(酸化鉛)유리(PbO)와, 구조체를 강고(强固)하게 하기 위한 알루미늄(Al₂0₃)이나 지르코니아(ZrO₂) 등의 강고재료(골재)를, 에틸 셀룰로스, 유기 바인더, 유기용제 등으로 이루어진 유기물질에 분산제를 가해서 혼합한 것을 이용한다.

그리고, 그 격벽 재료층(32) 상에 감광성의 레지스트막을 붙이고, 포토 마스크을 통해서 노광(露光)하여 현상함으로써 격벽 패턴의 레지스트 마스크(33)를 형성한다. 감광성의 레지스트막은, 감광성 드라이 필름 레지스트를 박층(薄層)함으로써 형성해도 좋고, 액상의 레지스트를 도포해서 건조시키는 것으로 형성해도 좋다.

그 후, 도 2(e)에 나타내는 공정에서는 샌드 블라스트 가공에 의해 격벽 재료층(32)을 절삭해서 격벽의 패터닝을 행함으로써 격벽 패턴의 재료층(29a)를 얻는다.

그 후, 도 2(f)에 나타낸 공정에서는 샌드 블라스트 가공면에 레지스트 박리액을 샤워 상태로 흘리고, 레지스트 마스크(33)를 박리 제거한다.

이 레지스트 마스크(33)의 박리 공정에 있어서, 본 실시 형태에서는, 박리액

으로 팽윤(澎潤)한 레지스트 마스크(33)의 박리력보다도 격벽 패턴 재료층(29a)과 제2 유전체층(24) 사이의 접착력이 커지도록 접착층(31)이 기능하고 있으므로, 격벽 패턴 재료층(29a)이 도괴(倒壞)하는 일은 없다. 따라서, 패널의 불량율을 저하시킬 수 있다. 또한, 격벽의 폭을 가늘게 해도 격벽 패턴 재료층의 도괴가 없으므로, 보다 고화질이고 선명한 표시 패널의 제조가 가능해진다.

마지막으로, 도 2(g)에 나타낸 공정에서는 격벽 패턴 재료층(29a)을 560℃의 온도에서 소성함으로써 소결(燒結)된 격벽(29)이 완성된다.이 소성 프로세스에 있어서, 접착층(31)은 격벽 재료 내의 바인더 성분 등과 함께 소실(燒失)하므로, 이후의 전면측 기판과의 조립공정이나, 완성된 패널의 특성에 악영향을 미치게 하는 일은 없다.

상기의 실시 형태에서는, 제2 유전체층에 저융점 연(鉛)유리를 이용하고, 격벽 재료층에 대해서도 저융점 연유리를 이용하는 구성에 대해서 말했지만, 이들의 한쪽 또는 양쪽을, 예컨대 아연(ZnO)계 유리와 같은 비연(非鉛)유리로 구성할 경우에도 본 발명은 유익하다.

특히, 제2 유전체층과 격벽 재료층의 양쪽을 아연(ZnO)계의 저융점 유리로 구성했을 경우에는, 이들 양쪽을 산화연(PbO)계의 저융점 유리로 구성했을 경우보다도, 제2 유전체층과 격벽 재료층 사이의 접착 강도가 뒤떨어지는 현상을 보인다.따라서, 제2 유전체층과 격벽 재료층의 양쪽에 무연계의 저융점 유리를 이용할 경우에, 본 발명의 효과는 보다 현저하다.

또, 제2 유전체층은, 저융점 유리에 한하지 않고, CVD법으로 성막한 산화 규소(SiO₂)의 박막일지라도, 본 발명을 적용하는 것이 가능하다.

상기의 실시 형태에 있어서는, 격벽구조가 스트레이트 패턴인 경우에 대해서 설명했다. 스트레이트 패턴(또는 스트라이프 패턴)의 경우, 종방향의 격벽이 각각 독립되어 있으므로, 횡방향으로 도괴하기 쉬운 구조로 되어서, 본 발명의 효과를 보다 크게 기대할 수 있다. 그렇지만, 그 이외의 구조, 예컨대 미앤더패턴(meander pattern)의 격벽구조나 격자모양 패턴의 격벽구조에서도, 본 발명을 적용함으로써, 바닥 폭이 100μm이하의 높은 정밀도의 격벽을 높은 효율로 제조하는 것이 가능해 진다.

더욱이, 상술한 샌드 블라스트법 이외에, 습식 에칭법과 같은 레지스트 박리 공정을 따르는 제거법에 의한 격벽 형성법을 이용할 경우라도, 본 발명을 같이 적용해서 효과를 얻을 수 있다.

또한, 이상의 실시 형태에 있어서는, AC형의 PDP에 대해서 설명해 왔지만, DC형의 PDP인 경우에 있어서도 마찬가지로 본 발명을 적용할 수가 있다.

본 발명은, 여러 가지 형식의 플라즈마 디스플레이 장치의 제조에 이용할 수가 있다. 예컨대, 퍼스널 컴퓨터나 워크스테이션 등의 디스플레이 장치, 평면형 벽걸이 텔레비전, 또는, 광고나 정보 등을 표시하기 위한 장치로서 이용되는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조에 즈음해서 폭넓게 이용할 수가 있다.

도 1은, 본 발명의 격벽 형성방법을 적용해서 제조된 PDP의 일예를 나타낸 설명도이다.

도 2는, 본 발명의 격벽 형성방법을 공정 순(順)으로 나타낸 설명도이다.

Claims (7)

1. 기판 상에 격벽 재료층을 형성하고, 그 위에 레지스트막을 형성하여 레지스트막의 패터닝을 행하며, 패터닝 한 레지스트막을 이용해서 불필요한 부분의 격벽 재료층을 제거함으로써 격벽 패턴의 재료층을 형성한 후, 그 격벽 패턴의 재료층으로부터 레지스트막을 제거하고, 그 후, 격벽 패턴의 재료층을 소성(燒成)함으로써 격벽을 형성하는 공정으로 이루어지며,

   상기 기판과 격벽 재료층의 사이에 접착층을 형성하는 공정을 구비하고, 상

   기 접착층이, 격벽 패턴의 재료층으로부터 레지스트막을 제거할 경우에는 상기 격벽 패턴의 재료층을 기판 상에 유지할 수 있는 접착력을 가지며, 또한 격벽 패턴의 재료층을 소성한 경우에는 소실되는 열소실성(熱燒失性) 재료로 이루어진 격벽 형성방법.
2. 제1항에 있어서,

   상기 접착층은, 적어도 200℃까지는 소실(燒失)되지 않는 내열성 수지를 주성분으로 하는 재료로 형성되어 있는 격벽 형성방법.
3. 제1항에 있어서,

   상기 접착층은, 폴리에테르계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리카보네이트, 폴리4불화 에틸렌 및 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide)의 그룹으로 선택 된 하나 또는 둘 이상의 합성 수지를 주성분으로 하는 재료로 형성되어 있는 격벽 형성방법.
4. 제1항에 있어서,

   상기 접착층이, 10μm이하의 두께로 형성되어 있는 격벽 형성방법.
5. 제1항에 있어서,

   상기 격벽이, 100μm이하의 폭으로 형성되어 있는 격벽 형성방법.
6. 기판 상의 격벽 형성면에 500℃를 넘는 온도에서 소실되는 접착층을 형성하는 공정과,

   상기 접착층 위로 격벽 재료층을 형성하고, 상기 접착층에 의해 상기 격벽 재료층이 상기 기판의 격벽 형성면에 접착되는 공정과,

   상기 격벽 재료층 상에, 소정의 격벽형상에 대응한 패턴의 개구(開口)를 갖는 격벽 패턴 마스크를 형성하는 공정과,

   상기 격벽 패턴 마스크의 개구로부터 노출된 상기 격벽 재료층의 일부를 제거해서 격벽 패턴의 재료층을 형성하는 공정과,

   상기 격벽 패턴의 재료층으로부터 상기 격벽 패턴 마스크를 박리해 제거하는 공정과,

   상기 격벽 패턴의 재료층을 500℃이상의 온도에서 소성(燒成)하는 공정, 이 공정으로 인해 격벽이 형성되며, 또한 상기 접착층이 소실되는 소성 공정으로 구성되는

   플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 형성방법.
7. 제6항에 있어서,

   상기 접착층은, 폴리에테르계(系) 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리카보네이트, 폴리4불화 에틸렌 및 폴리페닐렌 설파이드의 그룹에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 합성 수지를 주성분으로 하는 재료로 형성되어 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽 형성방법.

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