JPH02198129A - 縮小投影露光装置 - Google Patents
縮小投影露光装置Info
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- JPH02198129A JPH02198129A JP1018718A JP1871889A JPH02198129A JP H02198129 A JPH02198129 A JP H02198129A JP 1018718 A JP1018718 A JP 1018718A JP 1871889 A JP1871889 A JP 1871889A JP H02198129 A JPH02198129 A JP H02198129A
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- Japan
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- thickness
- exposure time
- film thickness
- photosensitive resin
- film
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- Pending
Links
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置製造に用いる半導体製造装置、特に
縮小投影露光装置に関するものである。
縮小投影露光装置に関するものである。
従来は同−設定照射時間で露光を行い、レチクル上の所
定のパターンを該半導体基板上に形成していた。
定のパターンを該半導体基板上に形成していた。
従来の露光方式では、同−設定照射時間で露光を行うた
め、該半導体基板上に塗布された感光性樹脂の面内の膜
厚変化により、現像後に形成されるパターン寸法長が変
動するという問題点が生じていた。この問題はトランジ
スタ特性を大きく左右するゲート寸法において、特に大
きな影響を受け、品質９歩留りの低下を招く大きな原因
となっていた。
め、該半導体基板上に塗布された感光性樹脂の面内の膜
厚変化により、現像後に形成されるパターン寸法長が変
動するという問題点が生じていた。この問題はトランジ
スタ特性を大きく左右するゲート寸法において、特に大
きな影響を受け、品質９歩留りの低下を招く大きな原因
となっていた。
本発明の目的は前記問題点を解消した縮小投影露光装置
を提供することにある。
を提供することにある。
上述した従来の縮小投影露光装置に対し、本発明は該半
導体基板上に塗布された感光性樹脂の膜厚の変化に対し
、一定のパターン寸法長を得るべき最適照射時間を決定
することができる相違点を有する。
導体基板上に塗布された感光性樹脂の膜厚の変化に対し
、一定のパターン寸法長を得るべき最適照射時間を決定
することができる相違点を有する。
前記目的を達成するため、本発明は光源からの光をレチ
クル及び縮小レンズを通して、ウェハ−ステージ上の半
導体基板に照射し、該基板に前記レチクル上のパターン
を縮小投影露光する縮小投影露光装置において、半導体
基板上に形成された膜の膜厚を計測するための膜厚測定
機構と、その測定値をもとに最高露光時間を決定する機
構とを有するものである。
クル及び縮小レンズを通して、ウェハ−ステージ上の半
導体基板に照射し、該基板に前記レチクル上のパターン
を縮小投影露光する縮小投影露光装置において、半導体
基板上に形成された膜の膜厚を計測するための膜厚測定
機構と、その測定値をもとに最高露光時間を決定する機
構とを有するものである。
次に本発明について図面を参照して説明する。
（実施例１）
第１図は本発明の実施例１を示す構成図である。
図において、ウェハー７を搭載するウェハーステージ８
の真上に縮小投影レンズ６を設置し、該縮小投影レンズ
６の光軸上に光源としての水銀灯１をランプハウス１６
に支持し、その間にシャッター２．コンデンサーレンズ
３及びレチクル４と該レチクルを支持するレチクル支持
台５を設置する。
の真上に縮小投影レンズ６を設置し、該縮小投影レンズ
６の光軸上に光源としての水銀灯１をランプハウス１６
に支持し、その間にシャッター２．コンデンサーレンズ
３及びレチクル４と該レチクルを支持するレチクル支持
台５を設置する。
さらに、該ウェハーステージ８上の空間には、光源（ハ
ロゲンランプ）９．レンズ１１．露光光軸を挟んでスリ
ット１２．フォトマル１０からなる膜厚測定機構１７と
、シャッター２に連結した露光時間コントローラ１３と
を設置する。
ロゲンランプ）９．レンズ１１．露光光軸を挟んでスリ
ット１２．フォトマル１０からなる膜厚測定機構１７と
、シャッター２に連結した露光時間コントローラ１３と
を設置する。
実施例において、ウェハー７中の露光するショットに対
し、光源９より放出したハロゲン光の反射光をフォトマ
ル１０で感知し、ウェハー７上に塗布された感光性樹脂
の膜厚を算出する。
し、光源９より放出したハロゲン光の反射光をフォトマ
ル１０で感知し、ウェハー７上に塗布された感光性樹脂
の膜厚を算出する。
さらに算出した該感光性樹脂の膜厚データを露光時間コ
ントローラ１３に転送し、予め設定された該感光性樹脂
膜厚と露光時間変更データにて、最適露光時間を決定し
照射を行う。
ントローラ１３に転送し、予め設定された該感光性樹脂
膜厚と露光時間変更データにて、最適露光時間を決定し
照射を行う。
（実施例２）
第２図は本発明の実施例２を示す構成図である。
本実施例に係る膜厚測定機構１８はハロゲンランプ９２
反射ミラー１４．プリズム１５．フォトマル１０からな
り、該膜厚測定機構１８は露光光軸に対し同一空間に設
置する。
反射ミラー１４．プリズム１５．フォトマル１０からな
り、該膜厚測定機構１８は露光光軸に対し同一空間に設
置する。
この実施例では、膜厚測定機構１８が露光光軸に対し同
一空間に設置できるため、空間スペースを有効に利用す
ることができ、装置のコンパクト化ができるという利点
がある。
一空間に設置できるため、空間スペースを有効に利用す
ることができ、装置のコンパクト化ができるという利点
がある。
以上説明したように本発明によれば、感光性樹脂の膜厚
変化に対し、露光時間をコントロールするため、該感光
性樹脂の膜厚差で生ずるパターン寸法長の変動を抑える
ことができ、ウェハー内。
変化に対し、露光時間をコントロールするため、該感光
性樹脂の膜厚差で生ずるパターン寸法長の変動を抑える
ことができ、ウェハー内。
ウェハー間におけるパターン寸法幅を均一に形成するこ
とができる効果を有する。
とができる効果を有する。
さらに、ウェハー内、ウェハー間の寸法変動を抑えるこ
とにより、製品特性の安定化を図ることが可能となるた
め、従来以上にウェハー歩留り。
とにより、製品特性の安定化を図ることが可能となるた
め、従来以上にウェハー歩留り。
品質を向上することができる効果を有する。
第１図は本発明の実施例１を示す構成図、第２図は本発
明の実施例２を示す構成図である。 １・・・水銀灯 ２・・・シャッター３・
・・コンデンサーレンズ ４・・・レチクル５・・・レ
チクル支持台 ６・・・縮小投影レンズ７・・・ウ
ェハー ８・・・ウェハーステージ９・・・
ハロゲンランプ １ｏ・・・フォトマル１１・・・
レンズ １２・・・スリット１３・・・露
光時間コントローラ １４・・・反射ミラー１５・・・
プリズム １６・・・ランプハウス １７．１８・・・膜厚測定機構
明の実施例２を示す構成図である。 １・・・水銀灯 ２・・・シャッター３・
・・コンデンサーレンズ ４・・・レチクル５・・・レ
チクル支持台 ６・・・縮小投影レンズ７・・・ウ
ェハー ８・・・ウェハーステージ９・・・
ハロゲンランプ １ｏ・・・フォトマル１１・・・
レンズ １２・・・スリット１３・・・露
光時間コントローラ １４・・・反射ミラー１５・・・
プリズム １６・・・ランプハウス １７．１８・・・膜厚測定機構
Claims (1)
- （１）光源からの光をレチクル及び縮小レンズを通して
、ウェハーステージ上の半導体基板に照射し、該基板に
前記レチクル上のパターンを縮小投影露光する縮小投影
露光装置において、半導体基板上に形成された膜の膜厚
を計測するための膜厚測定機構と、その測定値をもとに
最高露光時間を決定する機構とを有することを特徴とす
る縮小投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1018718A JPH02198129A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 縮小投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1018718A JPH02198129A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 縮小投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02198129A true JPH02198129A (ja) | 1990-08-06 |
Family
ID=11979437
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1018718A Pending JPH02198129A (ja) | 1989-01-27 | 1989-01-27 | 縮小投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02198129A (ja) |
-
1989
- 1989-01-27 JP JP1018718A patent/JPH02198129A/ja active Pending
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