JPH0722109B2 - 感光性ラツカ−層の露光量決定方法 - Google Patents
感光性ラツカ−層の露光量決定方法Info
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- JPH0722109B2 JPH0722109B2 JP61226299A JP22629986A JPH0722109B2 JP H0722109 B2 JPH0722109 B2 JP H0722109B2 JP 61226299 A JP61226299 A JP 61226299A JP 22629986 A JP22629986 A JP 22629986A JP H0722109 B2 JPH0722109 B2 JP H0722109B2
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- Japan
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- exposure
- photosensitive
- line width
- substrate
- photosensitive lacquer
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明はマスクを通して露光し、次いで0.5〜２μｍの
範囲のライン幅を有する感光性ラッカーのディテールを
現像した後に正確に再生する必要のあるラッカーパター
ンを基板上に得るために、前記基板上に存在する感光性
ラッカー層の露光量を決定する方法に関するものであ
る。
範囲のライン幅を有する感光性ラッカーのディテールを
現像した後に正確に再生する必要のあるラッカーパター
ンを基板上に得るために、前記基板上に存在する感光性
ラッカー層の露光量を決定する方法に関するものであ
る。
0.5〜２μｍの範囲のラインの場合に極めて正確なライ
ン幅を有するラッカーパターンを得るには、正確な露光
量、普通正確な露光時間における露光が必要である。露
光量が適正でないとライン幅にずれが生じる。最近の半
導体技術では、極小寸法を極めて高い精度で加工するこ
とが極めて重要である。
ン幅を有するラッカーパターンを得るには、正確な露光
量、普通正確な露光時間における露光が必要である。露
光量が適正でないとライン幅にずれが生じる。最近の半
導体技術では、極小寸法を極めて高い精度で加工するこ
とが極めて重要である。
所望のライン幅を得るための適正露光量を決定するため
に異なる期間露光した後に得られるライン幅を測定する
場合に、上述のミクロン範囲において種々の困難に出会
う。従来の測定方法では光学顕微鏡が使用されている。
しかし、この場合には信頼性が比較的低い。上述の範囲
のライン幅は光学顕微鏡の可能性の限界にあり、ラッカ
ーパターンの厚さを著しく大きくするとラッカーパター
ンの厚さが顕微鏡の視野の深さを越えることがある。適
当露光量を決定する他の可能性のある方法では、走査式
電子顕微鏡によって得られたライン幅を測定する。しか
し、このためにはかかる高価な機器を用意する必要があ
り、また走査式電子顕微鏡を使用してかかる測定を行う
際に必要な条件を満たす必要がある。
に異なる期間露光した後に得られるライン幅を測定する
場合に、上述のミクロン範囲において種々の困難に出会
う。従来の測定方法では光学顕微鏡が使用されている。
しかし、この場合には信頼性が比較的低い。上述の範囲
のライン幅は光学顕微鏡の可能性の限界にあり、ラッカ
ーパターンの厚さを著しく大きくするとラッカーパター
ンの厚さが顕微鏡の視野の深さを越えることがある。適
当露光量を決定する他の可能性のある方法では、走査式
電子顕微鏡によって得られたライン幅を測定する。しか
し、このためにはかかる高価な機器を用意する必要があ
り、また走査式電子顕微鏡を使用してかかる測定を行う
際に必要な条件を満たす必要がある。
本発明の目的は標準露光量を簡単に決定することがで
き、かつこれと同時にラッカー層の厚さ、ラッカーの感
光性、ラッカー焼付け時の炉の温度などのような処理条
件に対する露光量の影響を自動的に補償する方法を提供
することにある。
き、かつこれと同時にラッカー層の厚さ、ラッカーの感
光性、ラッカー焼付け時の炉の温度などのような処理条
件に対する露光量の影響を自動的に補償する方法を提供
することにある。
本発明においては、冒頭に記載した方法において、交互
に透明および不透明で所望の幅を有するライン状領域か
らなるラスターパターンを通して基板上に存在する感光
性ラッカー層を露光し、 次いで前記ラスターパターンをライン幅に等しい距離に
わたってラインの長さ方向に垂直な方向に横に移動した
後に、再び同じ露光量で露光を行い、 かかる処理を数少ない区域で異なる露光量で繰返し、次
いで現像後に感光性ラッカー層に丁度完全に溶解するの
に必要な露光量を確めて標準露光量を決定することを特
徴とする感光性ラッカー層の露光量決定方法により上述
の目的を達成する。
に透明および不透明で所望の幅を有するライン状領域か
らなるラスターパターンを通して基板上に存在する感光
性ラッカー層を露光し、 次いで前記ラスターパターンをライン幅に等しい距離に
わたってラインの長さ方向に垂直な方向に横に移動した
後に、再び同じ露光量で露光を行い、 かかる処理を数少ない区域で異なる露光量で繰返し、次
いで現像後に感光性ラッカー層に丁度完全に溶解するの
に必要な露光量を確めて標準露光量を決定することを特
徴とする感光性ラッカー層の露光量決定方法により上述
の目的を達成する。
本発明は、ラスターの透明部分から不透明部分への過渡
区域において、ラッカー層に入射する光の強さが、散乱
および箇所のために、透明部分におけるより小さくなる
ことを見い出したことに基づく。この際かかる過渡区域
においてラッカー層中に侵入する光の深さは露光時間に
依存する。本発明の場合にそうであるが、所望の最小ラ
イン幅のラスターを露光し、次いでラスターをライン幅
にわたって移動した後に異なる区域において異なる露光
量例えば露光時間において再度露光した場合には、比較
的短かい露光時間においてラッカー層の現像後にラッカ
ービームが残る。かかるラッカービームは散乱および屈
折によって普通の顕微鏡で明瞭に見ることができる。露
光時間が長い場合には、ラッカービームが急に存在しな
くなる。ラッカービームが急激に消失する現像と関連す
る露光量は標準露光量を示す。
区域において、ラッカー層に入射する光の強さが、散乱
および箇所のために、透明部分におけるより小さくなる
ことを見い出したことに基づく。この際かかる過渡区域
においてラッカー層中に侵入する光の深さは露光時間に
依存する。本発明の場合にそうであるが、所望の最小ラ
イン幅のラスターを露光し、次いでラスターをライン幅
にわたって移動した後に異なる区域において異なる露光
量例えば露光時間において再度露光した場合には、比較
的短かい露光時間においてラッカー層の現像後にラッカ
ービームが残る。かかるラッカービームは散乱および屈
折によって普通の顕微鏡で明瞭に見ることができる。露
光時間が長い場合には、ラッカービームが急に存在しな
くなる。ラッカービームが急激に消失する現像と関連す
る露光量は標準露光量を示す。
実験的露光および現像を、例えば、製造の目的で半導体
ウエハーを処理する際の条件と同じ処理条件で行う場合
には、処理条件がずれることはない。標準露光量は所定
のラッカーについて一度だけ決める必要があり、次いで
製造のために処理される半導体ウエハーについてラッカ
ーに対する露光を指示する。
ウエハーを処理する際の条件と同じ処理条件で行う場合
には、処理条件がずれることはない。標準露光量は所定
のラッカーについて一度だけ決める必要があり、次いで
製造のために処理される半導体ウエハーについてラッカ
ーに対する露光を指示する。
半導体ウエハーの処理中に標準露光量すなわちラッカー
ビームが急に消失する露光量で露光が行われるが、この
処理中に得られるライン幅は所望のライン幅に一致しな
い。しかし、所望のライン幅と関連した露光時間を求め
た場合には、標準露光量の場合の露光時間と、測定され
た適正ライン幅と関連した露光量の場合の露光時間との
間の差は、所望のライン幅の全範囲にわたって一定であ
る。この事実を利用する本発明の例では、所定の種類の
感光性ラッカーに対して、所望のライン幅を得るのに必
要な露光量を求め、次いで同じ処理条件において得られ
た標準露光量との差を求め、しかる後に被処理基板の各
ロットに対して、選定すべき処理条件における標準露光
量の合計に等しくなるように露光量を選定し、前記差の
値を求める。
ビームが急に消失する露光量で露光が行われるが、この
処理中に得られるライン幅は所望のライン幅に一致しな
い。しかし、所望のライン幅と関連した露光時間を求め
た場合には、標準露光量の場合の露光時間と、測定され
た適正ライン幅と関連した露光量の場合の露光時間との
間の差は、所望のライン幅の全範囲にわたって一定であ
る。この事実を利用する本発明の例では、所定の種類の
感光性ラッカーに対して、所望のライン幅を得るのに必
要な露光量を求め、次いで同じ処理条件において得られ
た標準露光量との差を求め、しかる後に被処理基板の各
ロットに対して、選定すべき処理条件における標準露光
量の合計に等しくなるように露光量を選定し、前記差の
値を求める。
次に本発明を図面を参照して例について説明する。
第１図は透明ライン形領域１および不透明ライン形領域
２のパターンからなるラスターを示し、このラスターは
支持体３、例えばガラスまたは透明合成材料の支持体上
に設けられている。領域１および２は同じ幅を有する。
ホトラッカーに正確に形成された極小寸法、すなわち0.
5〜２μｍのライン幅を得るために、ホトラッカー層で
被覆された基板に対する露光量を決定するには、多数の
ライン幅を異なる領域１および２を使用し、各ライン幅
に対して多数の強さの異なる露光を選定して露光実験を
行うことができる。
２のパターンからなるラスターを示し、このラスターは
支持体３、例えばガラスまたは透明合成材料の支持体上
に設けられている。領域１および２は同じ幅を有する。
ホトラッカーに正確に形成された極小寸法、すなわち0.
5〜２μｍのライン幅を得るために、ホトラッカー層で
被覆された基板に対する露光量を決定するには、多数の
ライン幅を異なる領域１および２を使用し、各ライン幅
に対して多数の強さの異なる露光を選定して露光実験を
行うことができる。
第１図に示すラスターにおいて、透明領域１の幅および
不透明領域２の幅をそれぞれ１μｍとする。半導体ウエ
ハー上においてホトラッカー露光用マスクを配置するの
が普通である区域で、支持体３にラスターを例えばステ
ップアンドリピートカメラにより設ける。次いでラスタ
ーを例えば120ミリ秒の閃光で露光し、ラスターパター
ンを半導体ウエハーのホトラッカー上に例えば1:1の比
で投映する。
不透明領域２の幅をそれぞれ１μｍとする。半導体ウエ
ハー上においてホトラッカー露光用マスクを配置するの
が普通である区域で、支持体３にラスターを例えばステ
ップアンドリピートカメラにより設ける。次いでラスタ
ーを例えば120ミリ秒の閃光で露光し、ラスターパター
ンを半導体ウエハーのホトラッカー上に例えば1:1の比
で投映する。
第２図はホトラッカー例えばハント（Hunt）社のポジホ
トラッカーHPR204（商品名）で被覆されている基板４の
一部を示し、ラスターパターンを通してこのホトラッカ
ーを露光する。ホトラッカーの露光領域を符号５で示
し、非露光領域を符号６で示す。次いで、基板４例えば
半導体ウエハーを載せた移動台を、これら両領域のピッ
チの1/2に等しい距離にわたって、この例では１μｍに
わたって、領域５および６の長さ方向に対して直角に移
動する。次いで、基板４上にホトラッカーを再度120ミ
リ秒の閃光に露光させる。ラスターの不透明領域２を通
る第１露光によって得たホトラッカーの露光部分５に第
２露光を行う。第３図はこの工程を示す。２回目の露光
領域を符合７で示す。さらに、多数の区域で露光時間を
変えて、例えば130ミリ秒、140ミリ秒など、180ミリ秒
まで変えて、同様な露光を行う。
トラッカーHPR204（商品名）で被覆されている基板４の
一部を示し、ラスターパターンを通してこのホトラッカ
ーを露光する。ホトラッカーの露光領域を符号５で示
し、非露光領域を符号６で示す。次いで、基板４例えば
半導体ウエハーを載せた移動台を、これら両領域のピッ
チの1/2に等しい距離にわたって、この例では１μｍに
わたって、領域５および６の長さ方向に対して直角に移
動する。次いで、基板４上にホトラッカーを再度120ミ
リ秒の閃光に露光させる。ラスターの不透明領域２を通
る第１露光によって得たホトラッカーの露光部分５に第
２露光を行う。第３図はこの工程を示す。２回目の露光
領域を符合７で示す。さらに、多数の区域で露光時間を
変えて、例えば130ミリ秒、140ミリ秒など、180ミリ秒
まで変えて、同様な露光を行う。
露光し、焼付けたポジホトラッカーを現像すると、露光
部分が溶解する。２回の露光によって実験領域が全部露
光されるが、露光時間が比較的短い場合にはホトラッカ
ーの全量が溶解するのではなく、投映中ラスタービーム
８の透明部分と不透明部分との間の過渡区域のホトラッ
カーが残ったままである（第４図参照）。これは光が散
乱および屈折するためにホトラッカー層の下部まで十分
な強さで侵入することができないからである。かかるラ
スタービーム８は普通の顕微鏡で明瞭に観察することが
できる。露光時間が長い場合には、ラスタービームは急
に消失することが分った。関連する露光時間は使用した
処理条件における使用感光層に対する標準露光量であ
る。この標準露光量は簡単に求めることができ、かつホ
トラッカー中に極めて正確な値、上述の例では１μｍの
値を有するライン形領域を得るための露光量を決定する
ための基礎になる。
部分が溶解する。２回の露光によって実験領域が全部露
光されるが、露光時間が比較的短い場合にはホトラッカ
ーの全量が溶解するのではなく、投映中ラスタービーム
８の透明部分と不透明部分との間の過渡区域のホトラッ
カーが残ったままである（第４図参照）。これは光が散
乱および屈折するためにホトラッカー層の下部まで十分
な強さで侵入することができないからである。かかるラ
スタービーム８は普通の顕微鏡で明瞭に観察することが
できる。露光時間が長い場合には、ラスタービームは急
に消失することが分った。関連する露光時間は使用した
処理条件における使用感光層に対する標準露光量であ
る。この標準露光量は簡単に求めることができ、かつホ
トラッカー中に極めて正確な値、上述の例では１μｍの
値を有するライン形領域を得るための露光量を決定する
ための基礎になる。
例えば半導体装置の製造中に、ホトラッカーへの投映の
際に例えば１μｍの幅を占めるライン形領域が存在して
いるマスクを通してウエハー上のホトラッカー層を上述
の露光量で露光した場合には、現像後に形成される領域
は所望の１μｍの幅を示さない。ライン幅が極めて精確
に所望の値（例えば走査式電子顕微鏡によって）を有す
る露光量を実験によって求める場合には、0.5〜２μｍ
の範囲のすべての幅において所要露光量と標準露光量と
の差が一定値であることが分かった。所定の種類のラッ
カーの場合には、この差を一度だけ求める必要がある。
所望の各ライン幅にとって、求めようとする標準露光量
と一度求められた差の値との合計が所要の露光量とな
る。上述のホトカラッカーHPR204の場合には、実験にお
いて差の値が60ミリ秒であることが分った。１μｍの領
域の場合の標準露光量が170ミリ秒と決定した場合に
は、ラッカー層に１μｍの幅を有する領域を正確に得る
のに必要な露光時間は170＋60＝230ミリ秒である。
際に例えば１μｍの幅を占めるライン形領域が存在して
いるマスクを通してウエハー上のホトラッカー層を上述
の露光量で露光した場合には、現像後に形成される領域
は所望の１μｍの幅を示さない。ライン幅が極めて精確
に所望の値（例えば走査式電子顕微鏡によって）を有す
る露光量を実験によって求める場合には、0.5〜２μｍ
の範囲のすべての幅において所要露光量と標準露光量と
の差が一定値であることが分かった。所定の種類のラッ
カーの場合には、この差を一度だけ求める必要がある。
所望の各ライン幅にとって、求めようとする標準露光量
と一度求められた差の値との合計が所要の露光量とな
る。上述のホトカラッカーHPR204の場合には、実験にお
いて差の値が60ミリ秒であることが分った。１μｍの領
域の場合の標準露光量が170ミリ秒と決定した場合に
は、ラッカー層に１μｍの幅を有する領域を正確に得る
のに必要な露光時間は170＋60＝230ミリ秒である。
第１図は透明領域と不透明領域とを交互に有するラスタ
ーの正面図、 第２図は第１図のラスターを通して露光した感光性ラッ
カー層を有する基板の一部を示す略線図、 第３図は２回目の露光を行った第２図の基板の略線図、 第４図は現像後になおラッカービームを有する第３図の
基板の略線図である。 １……透明なライン形領域 ２……不透明なライン形領域 ３……支持体、４……基板 ５……ホトラッカーの露光領域（露光部分） ６……ホトラッカーの非露光領域 ７……２回目の露光領域 ８……ラスタービーム
ーの正面図、 第２図は第１図のラスターを通して露光した感光性ラッ
カー層を有する基板の一部を示す略線図、 第３図は２回目の露光を行った第２図の基板の略線図、 第４図は現像後になおラッカービームを有する第３図の
基板の略線図である。 １……透明なライン形領域 ２……不透明なライン形領域 ３……支持体、４……基板 ５……ホトラッカーの露光領域（露光部分） ６……ホトラッカーの非露光領域 ７……２回目の露光領域 ８……ラスタービーム
Claims (2)
- 【請求項１】マスクを通して露光し、次いで0.5〜２μ
ｍの範囲のライン幅を有する感光性ラッカーのディテー
ルを現像した後に正確に再生する必要のあるラッカーパ
ターンを基板上に得るために、前記基板上に存在する感
光性ラッカー層の露光量を決定するに当り、 交互に透明および不透明で所望の幅を有するライン状領
域からなるラスターパターンを通して基板上に存在する
感光性ラッカー層を露光し、 次いで前記ラスターパターンをライン幅に等しい距離に
わたってラインの長さ方向に直角な方向に横に移動した
後に、再び同じ露光量で露光を行い、 かかる処理を数少ない区域で異なる露光量で繰返し、次
いで現像後に感光性ラッカー層を丁度完全に溶解するの
に必要な露光量を確かめて標準露光量を決定する ことを特徴とする感光性ラッカー層の露光量決定方法。 - 【請求項２】所定の種類の感光性ラッカーに対して、所
望のライン幅を得るのに必要な露光量を求め、 次いで同じ処理条件において得られた標準露光量との差
を求め、 しかる後に被処理基板の各ロットに対して、選定すべき
処理条件における標準露光量の合計に等しくなるように
露光量を選定し、前記差の値を求めることを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8502624A NL8502624A (nl) | 1985-09-26 | 1985-09-26 | Werkwijze voor het bepalen van de belichtingsdosis van een lichtgevoelige laklaag. |
| NL8502624 | 1985-09-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6275442A JPS6275442A (ja) | 1987-04-07 |
| JPH0722109B2 true JPH0722109B2 (ja) | 1995-03-08 |
Family
ID=19846615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61226299A Expired - Lifetime JPH0722109B2 (ja) | 1985-09-26 | 1986-09-26 | 感光性ラツカ−層の露光量決定方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4774158A (ja) |
| EP (1) | EP0217463B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0722109B2 (ja) |
| DE (1) | DE3668710D1 (ja) |
| NL (1) | NL8502624A (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2642188B1 (fr) * | 1988-12-30 | 1991-08-30 | Tissier Annie | Procede de determination de la mise au point d'une machine d'exposition de photolithographie |
| JPH03155112A (ja) * | 1989-11-13 | 1991-07-03 | Nikon Corp | 露光条件測定方法 |
| US5334468A (en) * | 1991-07-09 | 1994-08-02 | Nippon Oil Co., Ltd. | Method for producing color filter |
| DE4408507A1 (de) * | 1994-03-14 | 1995-09-28 | Heidelberg Instruments Mikrotechnik Gmbh | Lithografisches Verfahren |
| US5563012A (en) * | 1994-06-30 | 1996-10-08 | International Business Machines Corporation | Multi mask method for selective mask feature enhancement |
| US5677091A (en) * | 1994-11-01 | 1997-10-14 | International Business Machines Corporation | Lithographic print bias/overlay target and applied metrology |
| JP3287236B2 (ja) * | 1996-10-03 | 2002-06-04 | キヤノン株式会社 | 回折光学素子の製作方法 |
| DE19653357A1 (de) * | 1996-12-20 | 1998-06-25 | Hoechst Ag | Polymerzusammensetzung |
| US6956659B2 (en) * | 2001-05-22 | 2005-10-18 | Nikon Precision Inc. | Measurement of critical dimensions of etched features |
| US6974653B2 (en) * | 2002-04-19 | 2005-12-13 | Nikon Precision Inc. | Methods for critical dimension and focus mapping using critical dimension test marks |
| KR20050052102A (ko) * | 2003-11-29 | 2005-06-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 노광방법 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2495778A (en) * | 1946-05-16 | 1950-01-31 | Donald W Kent | Device, method, and apparatus for the determination of exposure times by alternate opaque and light-transmitting bands |
| US3998639A (en) * | 1974-11-19 | 1976-12-21 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Methods for determining feature-size accuracy of circuit patterns |
| JPS6018983B2 (ja) * | 1975-05-20 | 1985-05-14 | ソニー株式会社 | 露光方法 |
| DE3305977A1 (de) * | 1983-02-21 | 1984-08-23 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Verfahren zur schnellen indirekten bestimmung von fotolacklinienbreiten bei der optischen projektionsbe lichtung |
| JPS60245226A (ja) * | 1984-05-21 | 1985-12-05 | Toppan Printing Co Ltd | パタ−ン形成方法 |
-
1985
- 1985-09-26 NL NL8502624A patent/NL8502624A/nl not_active Application Discontinuation
-
1986
- 1986-09-22 US US06/910,557 patent/US4774158A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-09-23 DE DE8686201644T patent/DE3668710D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1986-09-23 EP EP86201644A patent/EP0217463B1/en not_active Expired
- 1986-09-26 JP JP61226299A patent/JPH0722109B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4774158A (en) | 1988-09-27 |
| JPS6275442A (ja) | 1987-04-07 |
| EP0217463A1 (en) | 1987-04-08 |
| NL8502624A (nl) | 1987-04-16 |
| DE3668710D1 (de) | 1990-03-08 |
| EP0217463B1 (en) | 1990-01-31 |
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