JPH0242214B2 - - Google Patents
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- JPH0242214B2 JPH0242214B2 JP59096706A JP9670684A JPH0242214B2 JP H0242214 B2 JPH0242214 B2 JP H0242214B2 JP 59096706 A JP59096706 A JP 59096706A JP 9670684 A JP9670684 A JP 9670684A JP H0242214 B2 JPH0242214 B2 JP H0242214B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
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-
- G—PHYSICS
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- G03F7/105—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having substances, e.g. indicators, for forming visible images
-
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は写真食刻装置における露光量設定方法
に関する。
に関する。
写真食刻装置は集積回路の製造に使用されてい
る。この技法において、ケイ素ウエハはホトレジ
スト材料で覆われている。紫外線に露光される
と、ホトレジスト材料は重合化されて硬くてしつ
かりくつついて離れない被膜になり、層の非露光
部分は溶媒もしくは現像剤によつて容易に除去可
能になる。透明な線のパターンを除き不透明であ
るマスクもしくはマスタによつて、ホトレジスト
被覆は回路素子の形状と一致するパターンで光に
露光される。ウエハは相継いでマスクでおおわ
れ、マスクの各々は新しいホトレジスト被覆の表
面上に異なるパターンを露光している。相継ぐ露
光でウエハ上に形成される光像は例えば投射印刷
器、原寸走査工具、縮尺走査工具、ステツピング
接触工具の如き広義には写真食刻工具であるパタ
ーン露出工具を使用する事によつて相対位置が厳
密に制御されなければならない。
る。この技法において、ケイ素ウエハはホトレジ
スト材料で覆われている。紫外線に露光される
と、ホトレジスト材料は重合化されて硬くてしつ
かりくつついて離れない被膜になり、層の非露光
部分は溶媒もしくは現像剤によつて容易に除去可
能になる。透明な線のパターンを除き不透明であ
るマスクもしくはマスタによつて、ホトレジスト
被覆は回路素子の形状と一致するパターンで光に
露光される。ウエハは相継いでマスクでおおわ
れ、マスクの各々は新しいホトレジスト被覆の表
面上に異なるパターンを露光している。相継ぐ露
光でウエハ上に形成される光像は例えば投射印刷
器、原寸走査工具、縮尺走査工具、ステツピング
接触工具の如き広義には写真食刻工具であるパタ
ーン露出工具を使用する事によつて相対位置が厳
密に制御されなければならない。
この様にしてホトレジストを露光するのに使用
される代表的写真食刻投射印刷器は米国特許第
4011011号、第4068947号、第3951546号、第
3937556号、第3952217号、第4248508号、第
3957364号、第4240702号に説明される。これ等の
印刷器は屈折部材で形成された投射レンズを使用
する事なく、UV（紫外線）源である事が好まし
い照射源を使用してマスクを走査する事によつて
マスクを通してウエハを露光している。パターン
露光工具の露光時間の制御は走査運動の速度及び
マスク上で照射される領域の幅の制御もしくはシ
ヤツタ速度の変化によつて得られる。
される代表的写真食刻投射印刷器は米国特許第
4011011号、第4068947号、第3951546号、第
3937556号、第3952217号、第4248508号、第
3957364号、第4240702号に説明される。これ等の
印刷器は屈折部材で形成された投射レンズを使用
する事なく、UV（紫外線）源である事が好まし
い照射源を使用してマスクを走査する事によつて
マスクを通してウエハを露光している。パターン
露光工具の露光時間の制御は走査運動の速度及び
マスク上で照射される領域の幅の制御もしくはシ
ヤツタ速度の変化によつて得られる。
現像される像の品質を保証するためには露光量
（ホトレジストに達するエネルギ量）を注意深く
制御する必要がある。UV光に対するホトレジス
ト層の露光量が増大すると、ホトレジスト層はだ
んだん褪色される。良好な写真食刻過程は明確な
褪色レベルで生じ、例えば0.27モルのジアゾケト
ン／ノボラツク・ポジテイブホトレジストの場合
は、約37％の相対光活性化合物褪色レベルで生ず
る事が周知である。しかしながら走査速度及び照
射源強度のゆらぎのために、内部露光量モニタを
有さない周知の写真食刻装置を使用した場合は所
与の一日でも最適露光量を再現する事は極めて困
難である。
（ホトレジストに達するエネルギ量）を注意深く
制御する必要がある。UV光に対するホトレジス
ト層の露光量が増大すると、ホトレジスト層はだ
んだん褪色される。良好な写真食刻過程は明確な
褪色レベルで生じ、例えば0.27モルのジアゾケト
ン／ノボラツク・ポジテイブホトレジストの場合
は、約37％の相対光活性化合物褪色レベルで生ず
る事が周知である。しかしながら走査速度及び照
射源強度のゆらぎのために、内部露光量モニタを
有さない周知の写真食刻装置を使用した場合は所
与の一日でも最適露光量を再現する事は極めて困
難である。
UV写真食刻装置のための従来の露光量測定技
法は周知である。例えば使用されるモード（即ち
UV−４、UV−３もしくはUV−２）のためのす
べての放射線に対応するホトダイオード・プロー
ブが使用されなければならない。ウエハ上にはら
れたた条片の形の薄膜を種々の露光量で露光す
る、市販の露光量測定薄膜を使用する事も周知で
ある。しかしながら、入手可能な薄膜の光感度が
限られているために、この方法はすべての露光モ
ード、即ちすべての波長の紫外線に対して使用す
る事は出来ない。さらにロツト毎に変動があるの
で薄膜の各ロツトには較正曲線が与えられなくて
はならない。さらに光感知材料のPAC褪色以外
の暗黒化を含むこの過程は間接なものにすぎな
い。
法は周知である。例えば使用されるモード（即ち
UV−４、UV−３もしくはUV−２）のためのす
べての放射線に対応するホトダイオード・プロー
ブが使用されなければならない。ウエハ上にはら
れたた条片の形の薄膜を種々の露光量で露光す
る、市販の露光量測定薄膜を使用する事も周知で
ある。しかしながら、入手可能な薄膜の光感度が
限られているために、この方法はすべての露光モ
ード、即ちすべての波長の紫外線に対して使用す
る事は出来ない。さらにロツト毎に変動があるの
で薄膜の各ロツトには較正曲線が与えられなくて
はならない。さらに光感知材料のPAC褪色以外
の暗黒化を含むこの過程は間接なものにすぎな
い。
露光量測定の他の周知の方法には、種々の百分
率の透過率の像を与えるマスクを通してテスト用
ホトレジスト層を露光する方法がある。現像の
後、SEM（走査電子顕微鏡）像解析によつて既知
の処理窓に対する写真食刻装置の露光量の近似値
が得られる。しかしながら、この方法は定量的で
なく、ホトレジスト現像剤及び処理の型に依存し
ている。この方法は又走査電子顕微鏡を必要とす
る。
率の透過率の像を与えるマスクを通してテスト用
ホトレジスト層を露光する方法がある。現像の
後、SEM（走査電子顕微鏡）像解析によつて既知
の処理窓に対する写真食刻装置の露光量の近似値
が得られる。しかしながら、この方法は定量的で
なく、ホトレジスト現像剤及び処理の型に依存し
ている。この方法は又走査電子顕微鏡を必要とす
る。
周知の露光量測定の終点検出方法は穴のあいて
いない石英マスクを通してテスト用ホトレジスト
層を露光しており、その後レーザ終点検出が実行
されて溶解曲線が決定されている。このレーザ終
点検出溶解曲線データをもとにして既知の処理窓
のための写真食刻工具の露光量が推定されてい
る。この方法はレーザ終点検出システムが必要と
され、定量的でなく、ホトレジスト、現像剤及び
レーザ終点検出処理法の型に依存するという欠点
を有する。
いない石英マスクを通してテスト用ホトレジスト
層を露光しており、その後レーザ終点検出が実行
されて溶解曲線が決定されている。このレーザ終
点検出溶解曲線データをもとにして既知の処理窓
のための写真食刻工具の露光量が推定されてい
る。この方法はレーザ終点検出システムが必要と
され、定量的でなく、ホトレジスト、現像剤及び
レーザ終点検出処理法の型に依存するという欠点
を有する。
ホトレジスト像解析が又露光量測定に使用され
る事も周知である。露光及び現像の後に相対的露
光量が光学もしくは電子顕微鏡技法によつて線幅
の関数として推定される。写真食刻の工具の露光
量はSEM像データをもとにして推定される。こ
の方法の欠点はSEMもしくは他の顕微鏡を必要
とし、定量的でなく、ホトレジスト、現像及び処
理の型に依存する点にある。
る事も周知である。露光及び現像の後に相対的露
光量が光学もしくは電子顕微鏡技法によつて線幅
の関数として推定される。写真食刻の工具の露光
量はSEM像データをもとにして推定される。こ
の方法の欠点はSEMもしくは他の顕微鏡を必要
とし、定量的でなく、ホトレジスト、現像及び処
理の型に依存する点にある。
従つて本発明の目的は走査速度もしくはシヤツ
タ速度の関数としてパターン露光装置の中間
UV、近UVもしくは遠UVの露光量を決定する方
法を与える事にある。
タ速度の関数としてパターン露光装置の中間
UV、近UVもしくは遠UVの露光量を決定する方
法を与える事にある。
本発明に従えば、測定誤差が低く、ホトレジス
ト食刻と直接関連する測定量を与える露光量測定
法が与えられる。
ト食刻と直接関連する測定量を与える露光量測定
法が与えられる。
本発明に従えば、写真食刻装置のパフオーマン
スをホトレジストの各ロツトもしくは荷積みに適
合させる方法が与えられる。
スをホトレジストの各ロツトもしくは荷積みに適
合させる方法が与えられる。
本発明に従えば、接着促進剤もしくは予備焼き
の使用を必要としないホトレジスト被覆デイスク
を使用する簡単な露光量測定法が与えられる。
の使用を必要としないホトレジスト被覆デイスク
を使用する簡単な露光量測定法が与えられる。
本発明は組込まれた光電子プローブを使用する
事なく、写真食刻投射装置の露光量の決定の際の
困難を克服する。さらに具体的には、上述の目的
は石英デイスク上に付着されたテスト用ホトレジ
スト層のUV吸収率を測定する事によつて写真食
刻装置の単位時間当りの露光量を決定する方法に
よつて達成される。この露光量は特定の工具のた
めの特定の日の褪色値を褪色値対露光量の較正曲
線から得られる褪色値と比較する事によつて決定
される。本発明の方法によつて、ホトレジスト応
答は使用される露光工具中の全有効波長範囲にわ
たつてこのレジストのための総有効露光量に特に
一致される。
事なく、写真食刻投射装置の露光量の決定の際の
困難を克服する。さらに具体的には、上述の目的
は石英デイスク上に付着されたテスト用ホトレジ
スト層のUV吸収率を測定する事によつて写真食
刻装置の単位時間当りの露光量を決定する方法に
よつて達成される。この露光量は特定の工具のた
めの特定の日の褪色値を褪色値対露光量の較正曲
線から得られる褪色値と比較する事によつて決定
される。本発明の方法によつて、ホトレジスト応
答は使用される露光工具中の全有効波長範囲にわ
たつてこのレジストのための総有効露光量に特に
一致される。
本発明の方法によつて、所与のホトレジストの
ための所望の相対百分率PAC褪色値を得るため
に所与の装置上の最適露光速度はこの写真食刻製
造装置のために発生された曲線を単に直接参照す
る事によつて決定される。
ための所望の相対百分率PAC褪色値を得るため
に所与の装置上の最適露光速度はこの写真食刻製
造装置のために発生された曲線を単に直接参照す
る事によつて決定される。
ホトレジストの各ロツトのために新しい較正曲
線を発生する事は望ましい事であるが、仕様を狭
くするために、ホトレジストのロツト毎の変動は
３％以下にされる事が決定された。この結果、許
容可能な製造過程の制御はホトレジストの各ロツ
トのための新しい較正曲線を必要とする事なく達
成され得る。
線を発生する事は望ましい事であるが、仕様を狭
くするために、ホトレジストのロツト毎の変動は
３％以下にされる事が決定された。この結果、許
容可能な製造過程の制御はホトレジストの各ロツ
トのための新しい較正曲線を必要とする事なく達
成され得る。
本発明の方法によつて、任意のホトレジストの
ための任意の有用なUV露光範囲、例えば約220
乃至550nmにおける露光速度の決定が可能であ
る。ここで露光速度制御とは例えば走査速度もし
くはシヤツタ速度を変化させる事による、所与の
パターン露光工具による露光制御方法をさしてい
る。
ための任意の有用なUV露光範囲、例えば約220
乃至550nmにおける露光速度の決定が可能であ
る。ここで露光速度制御とは例えば走査速度もし
くはシヤツタ速度を変化させる事による、所与の
パターン露光工具による露光制御方法をさしてい
る。
本発明の方法の主なる段階は次の通りである。
先ず、石英ウエハがホトレジスト層で被覆され
る。ウエハの被覆された表面の半分は次いでアル
ミニウムの如き不透明材料で被覆される。次に露
光量を決定するためにホトダイオード測定プロー
ブが装備された実験装置を使用して、いくつかの
半分被覆されたウエハが既知の波長の紫外線光に
露光された。各被覆ウエハの露光量は例えば異な
るシヤツタ速度を使用する事によつて変化され
る。相対百分率PAC褪色値はUV分光計を使用し
て各ウエハの露光及び非露光部分の吸収率を比較
する事によつて計算された。相対百分率PAC褪
色が測定された露光量に対してプロツトされて較
正曲線が構成された。この様な較正曲線の例が第
１図に示されている。
る。ウエハの被覆された表面の半分は次いでアル
ミニウムの如き不透明材料で被覆される。次に露
光量を決定するためにホトダイオード測定プロー
ブが装備された実験装置を使用して、いくつかの
半分被覆されたウエハが既知の波長の紫外線光に
露光された。各被覆ウエハの露光量は例えば異な
るシヤツタ速度を使用する事によつて変化され
る。相対百分率PAC褪色値はUV分光計を使用し
て各ウエハの露光及び非露光部分の吸収率を比較
する事によつて計算された。相対百分率PAC褪
色が測定された露光量に対してプロツトされて較
正曲線が構成された。この様な較正曲線の例が第
１図に示されている。
次に、同じ型のホトレジストが被覆された、半
分被覆されたウエハは内部露光量測定装置のない
パターン露光工具を使用して、いくつかの異なる
露光速度で露出された。相対的百分率PAC褪色
値がUV分光計によつて上述の如く決定され、相
対的百分率PAC褪色の直線が露出速度に対して
プロツトされた。この様な曲線の例が第２図に示
されている。
分被覆されたウエハは内部露光量測定装置のない
パターン露光工具を使用して、いくつかの異なる
露光速度で露出された。相対的百分率PAC褪色
値がUV分光計によつて上述の如く決定され、相
対的百分率PAC褪色の直線が露出速度に対して
プロツトされた。この様な曲線の例が第２図に示
されている。
一つの好ましい実施例において、実際の露光量
（ｍＪ／cm2）は、ホトレジスト中で同一相対百分率
PAC褪色を得るために必要とされる露光量及び
露光速度を２つの曲線から定めて、所与の写真食
刻装置の露光速度の関数として定量的に決定され
得る。この絶対的決定法は異なるホトレジストも
しくは過程の比較に有用であり、例えば所与のホ
トレジストのロツトのための便利で信頼性ある品
質検査方法を与える。
（ｍＪ／cm2）は、ホトレジスト中で同一相対百分率
PAC褪色を得るために必要とされる露光量及び
露光速度を２つの曲線から定めて、所与の写真食
刻装置の露光速度の関数として定量的に決定され
得る。この絶対的決定法は異なるホトレジストも
しくは過程の比較に有用であり、例えば所与のホ
トレジストのロツトのための便利で信頼性ある品
質検査方法を与える。
任意の所与の走査もしくはシヤツタ速度に関連
する露光量の絶対的定量測定法は多くの場合に有
用である。例えば較正曲線が発生された写真食刻
工具は新しいテスト用ウエハに露光する必要な
く、任意の既知の最適露光量で異なる化学的組
成、濃度もしくは厚さのホトレジストを露光する
のに使用され得る。同様に、異なるパターンの露
光工具のパフオーマンスを直接比較する事もしく
は異なる工具に対して任意の所望の露光量を与え
る事が可能である。
する露光量の絶対的定量測定法は多くの場合に有
用である。例えば較正曲線が発生された写真食刻
工具は新しいテスト用ウエハに露光する必要な
く、任意の既知の最適露光量で異なる化学的組
成、濃度もしくは厚さのホトレジストを露光する
のに使用され得る。同様に、異なるパターンの露
光工具のパフオーマンスを直接比較する事もしく
は異なる工具に対して任意の所望の露光量を与え
る事が可能である。
本発明の広義の実施例が説明されたので、次に
より詳細な説明が特定の実施例を参照して与えら
れる。
より詳細な説明が特定の実施例を参照して与えら
れる。
実施例 １
いくつかの0.159cmの厚さの光学級の石英デイ
スクが6000rpmの回転速度でスピンされ、405nm
の波長に対して0.49±0.020D（光学密度）が得ら
れる様に0.27モルのオルソ−ナプトキノン・ジア
ジド／ノボラツク型ホトレジストで被覆された。
石英デイスク上には接着促進剤で使用されず、又
ホトレジストは石英デイスク上で焼成されなかつ
た。
スクが6000rpmの回転速度でスピンされ、405nm
の波長に対して0.49±0.020D（光学密度）が得ら
れる様に0.27モルのオルソ−ナプトキノン・ジア
ジド／ノボラツク型ホトレジストで被覆された。
石英デイスク上には接着促進剤で使用されず、又
ホトレジストは石英デイスク上で焼成されなかつ
た。
この様にして準備された４つのウエハはその表
面の半分がアルミニウム箔（０％Ｔ）で被覆さ
れ、ホトダイオード・プローブを有する実験装置
を使用し、略30、60、90及び180mJ/cm2の測定露
光量で、310nmの波長を有するUV光に露光され
た（Ｔは透過率）。
面の半分がアルミニウム箔（０％Ｔ）で被覆さ
れ、ホトダイオード・プローブを有する実験装置
を使用し、略30、60、90及び180mJ/cm2の測定露
光量で、310nmの波長を有するUV光に露光され
た（Ｔは透過率）。
各デイスクの半分のUV吸収スペクトルがUV
分光計を使用して405nmの波長で測定された。
405nmの波長はホトレジストの樹脂成分による吸
収を除去するために選択された。なんとなればこ
の波長では測定される唯一の吸収はPACによる
ものであるからである。相対百分率PAC褪色は
次式によつて計算される。
分光計を使用して405nmの波長で測定された。
405nmの波長はホトレジストの樹脂成分による吸
収を除去するために選択された。なんとなればこ
の波長では測定される唯一の吸収はPACによる
ものであるからである。相対百分率PAC褪色は
次式によつて計算される。
相対％PAC褪色＝（１−AEXP／AINIT）×100
ここでAEXP＝露光されたウエハの半分の吸収
率 AINIT＝非露光のウエハの半分の吸収率 ホトレジストのこのロツトのための較正曲線
（第１図）はＹ軸上に log〔（AEXP／AINIT）×100〕 をプロツトし、Ｘ軸上にmJ/cm2を単位とする測定
露光量をプロツトし、 log〔（AEXP／AINIT）×100〕 に対応する上記相対％PAC褪色値の目盛をグラ
フの反対側のＹ軸上に加える事によつて形成され
る。所与の写真食刻装置の印刷過程のための最適
露光量を決定するために、半分がアルミニウム箔
（０％Ｔ）で被覆されたさらの石英が写真食刻装
置におけるパターン・マスクに代つて使用され
た。ホトレジストが被覆されたウエハは代表的写
真食刻製造過程の波長をシミユレートするために
中間UV（UV−３）及び近UV（UV−４）フイル
タを介して露光された。ウエハは６種類の任意の
走査速度で露光された。２重ビームUV分光測光
器を使用する事によつて半分被覆されたウエハの
吸収率を測定する事によつて上述の如く相対百分
率褪色が決定された。走査速度と log〔（AEXP／AINIP）×100〕 の関係を表わす線形曲線がプロツトされた。
率 AINIT＝非露光のウエハの半分の吸収率 ホトレジストのこのロツトのための較正曲線
（第１図）はＹ軸上に log〔（AEXP／AINIT）×100〕 をプロツトし、Ｘ軸上にmJ/cm2を単位とする測定
露光量をプロツトし、 log〔（AEXP／AINIT）×100〕 に対応する上記相対％PAC褪色値の目盛をグラ
フの反対側のＹ軸上に加える事によつて形成され
る。所与の写真食刻装置の印刷過程のための最適
露光量を決定するために、半分がアルミニウム箔
（０％Ｔ）で被覆されたさらの石英が写真食刻装
置におけるパターン・マスクに代つて使用され
た。ホトレジストが被覆されたウエハは代表的写
真食刻製造過程の波長をシミユレートするために
中間UV（UV−３）及び近UV（UV−４）フイル
タを介して露光された。ウエハは６種類の任意の
走査速度で露光された。２重ビームUV分光測光
器を使用する事によつて半分被覆されたウエハの
吸収率を測定する事によつて上述の如く相対百分
率褪色が決定された。走査速度と log〔（AEXP／AINIP）×100〕 の関係を表わす線形曲線がプロツトされた。
このプロセスは異なる日の異なるロツトに対し
て繰返された。結果は第２図に示されている。本
発明の方法を使用して最適露光量を得るために所
与の日の所与の機械に対して必要とされる走査速
度を決定するためには、上述の如くその機械に対
して作成された曲線上の所望の37％PAC褪色値
に対応する点を決定する事だけが必要である。こ
の最適露光量に対応する適切な走査速度（露光時
間に比例する様に選択される）はこの様にして容
易に決定され得る。第２図から、37％の相対百分
率PAC褪色を得るのに必要とされる走査速度は
約9.4K（任意単位、パーキン・エルマ社データ）
である事は明らかである。
て繰返された。結果は第２図に示されている。本
発明の方法を使用して最適露光量を得るために所
与の日の所与の機械に対して必要とされる走査速
度を決定するためには、上述の如くその機械に対
して作成された曲線上の所望の37％PAC褪色値
に対応する点を決定する事だけが必要である。こ
の最適露光量に対応する適切な走査速度（露光時
間に比例する様に選択される）はこの様にして容
易に決定され得る。第２図から、37％の相対百分
率PAC褪色を得るのに必要とされる走査速度は
約9.4K（任意単位、パーキン・エルマ社データ）
である事は明らかである。
この決定も定量的である。なんとなれば較正曲
線によつて37％の相対百分率PAC褪色値に対応
するmJ/cm2単位の露光量が与えられるからであ
る。第１図を参照するに、同じ37％の相対百分率
のPAC褪色値を得るに必要とされる露光量（即
ち9.4Kにおける露光量）は略92−93mJ/cm2であ
る。他の日について他のロツトのためのこの様な
露光量を得るのに必要とされる走査速度はこれ等
の条件に対して発生された別の曲線を参照して容
易に決定される。
線によつて37％の相対百分率PAC褪色値に対応
するmJ/cm2単位の露光量が与えられるからであ
る。第１図を参照するに、同じ37％の相対百分率
のPAC褪色値を得るに必要とされる露光量（即
ち9.4Kにおける露光量）は略92−93mJ/cm2であ
る。他の日について他のロツトのためのこの様な
露光量を得るのに必要とされる走査速度はこれ等
の条件に対して発生された別の曲線を参照して容
易に決定される。
本発明は特定の実施例について詳細に説明され
たが、この分野の専門家にとつては、自明の変更
も明らかであろう。例えば、ホトレジストは上述
の特定のものに制限されず、本発明の方法は多く
の異なるUV露光装置及びすべてのUV露光範囲
に適用され得る事は明らかである。
たが、この分野の専門家にとつては、自明の変更
も明らかであろう。例えば、ホトレジストは上述
の特定のものに制限されず、本発明の方法は多く
の異なるUV露光装置及びすべてのUV露光範囲
に適用され得る事は明らかである。
第１図はホトレジストが半分被覆されたウエハ
を310nmの波長の紫外線で露光し、310nm用のプ
ローブを有する露光計を使用して露光量を測定し
た代表的較正曲線を示した図である。第２図は０
乃至20個のフイルタが装備された写真食刻印刷装
置を使用して可変走査速度で半分ホトレジストが
被覆されたウエハを露光する事によつて得られた
相対百分率PAC褪色対走査速度の関係を示した
代表的曲線を示した図である。
を310nmの波長の紫外線で露光し、310nm用のプ
ローブを有する露光計を使用して露光量を測定し
た代表的較正曲線を示した図である。第２図は０
乃至20個のフイルタが装備された写真食刻印刷装
置を使用して可変走査速度で半分ホトレジストが
被覆されたウエハを露光する事によつて得られた
相対百分率PAC褪色対走査速度の関係を示した
代表的曲線を示した図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ (a) 複数個の石英ウエハをホトレジスト層で
被覆し、上記石英ウエハの被覆表面の一部を光
学的に不透明な材料で被覆する段階と、 (b) 写真食刻装置を使用して複数の異なる露光速
度で上記ウエハを紫外線に露光する段階と、 (c) 上記ウエハの各々の露光部分及び非露光部分
の吸収率を測定し、比較して、相対百分率光活
性化合物褪色値を決定する段階と、 (d) 上記相対百分率光活性化合物褪色値対上記露
光速度の曲線をプロツトする段階と、 (e) 上記(d)で得られた曲線から、任意の所望の相
対百分率光活性化合物褪色値に対応する露光速
度を決定する事によつて写真食刻装置の露光速
度を設定する諸段階とより成るホトレジストが
被覆された表面の露光条件を選択する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US512281 | 1983-07-08 | ||
| US06/512,281 US4474864A (en) | 1983-07-08 | 1983-07-08 | Method for dose calculation of photolithography projection printers through bleaching of photo-active compound in a photoresist |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6024548A JPS6024548A (ja) | 1985-02-07 |
| JPH0242214B2 true JPH0242214B2 (ja) | 1990-09-21 |
Family
ID=24038448
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59096706A Granted JPS6024548A (ja) | 1983-07-08 | 1984-05-16 | ホトレジスト被覆表面の露出条件の選択方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4474864A (ja) |
| EP (1) | EP0134453B1 (ja) |
| JP (1) | JPS6024548A (ja) |
| DE (1) | DE3471404D1 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4618233A (en) * | 1985-05-20 | 1986-10-21 | Shipley Company Inc. | Scanning wedge method for determining characteristics of a photoresist |
| US4737437A (en) * | 1986-03-27 | 1988-04-12 | East Shore Chemical Co. | Light sensitive diazo compound, composition and method of making the composition |
| EP0502679B1 (en) * | 1991-03-04 | 2001-03-07 | AT&T Corp. | Semiconductor integrated circuit fabrication utilizing latent imagery |
| US5216487A (en) * | 1991-05-22 | 1993-06-01 | Site Services, Inc. | Transmissive system for characterizing materials containing photoreactive constituents |
| IL125338A0 (en) | 1998-07-14 | 1999-03-12 | Nova Measuring Instr Ltd | Method and apparatus for monitoring and control of photolithography exposure and processing tools |
| US6040118A (en) * | 1998-10-30 | 2000-03-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Critical dimension equalization across the field by second blanket exposure at low dose over bleachable resist |
| US6132940A (en) * | 1998-12-16 | 2000-10-17 | International Business Machines Corporation | Method for producing constant profile sidewalls |
| WO2004036312A2 (de) * | 2002-10-11 | 2004-04-29 | Infineon Technologies Ag | Vorrichtung zur testbestrahlung von mit photoempfindlichen lacken beschichteten objekten |
| US20210318620A1 (en) * | 2020-04-10 | 2021-10-14 | Esko-Graphics Imaging Gmbh | Systems and methods for optimization of parameters for exposing flexographic photopolymer plates |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE907739C (de) * | 1949-07-23 | 1954-02-18 | Kalle & Co Ag | Verfahren zur Herstellung von Kopien, besonders Druckformen, mit Hilfe von Diazoverbindungen und dafuer verwendbares lichtempfindliches Material |
| US3077401A (en) * | 1957-10-07 | 1963-02-12 | Grinten Chem L V D | Process for the dosage of the exposure during the copying of positive lineoriginals on diazotype material |
| US3397315A (en) * | 1966-05-11 | 1968-08-13 | Defiance Azon Corp | Method and apparatus for evaluating the printing speed of diazotype materials |
| US3664899A (en) * | 1969-12-29 | 1972-05-23 | Gen Electric | Removal of organic polymeric films from a substrate |
| US3977872A (en) * | 1970-04-18 | 1976-08-31 | Agfa-Gevaert, A.G. | Process for the production of negative continuous-tone images |
| US4259430A (en) * | 1974-05-01 | 1981-03-31 | International Business Machines Corporation | Photoresist O-quinone diazide containing composition and resist mask formation process |
| US3953135A (en) * | 1975-03-04 | 1976-04-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Curve analysis method in color photography |
| US4080246A (en) * | 1976-06-29 | 1978-03-21 | Gaf Corporation | Novel etching composition and method for using same |
| US4128338A (en) * | 1977-06-17 | 1978-12-05 | Honeywell Inc. | Modified optical transmission technique for characterizing epitaxial layers |
| US4212935A (en) * | 1978-02-24 | 1980-07-15 | International Business Machines Corporation | Method of modifying the development profile of photoresists |
| US4212395A (en) * | 1979-01-22 | 1980-07-15 | Champion International Corporation | Multi-angled perforated opening device |
| US4409319A (en) * | 1981-07-15 | 1983-10-11 | International Business Machines Corporation | Electron beam exposed positive resist mask process |
-
1983
- 1983-07-08 US US06/512,281 patent/US4474864A/en not_active Expired - Lifetime
-
1984
- 1984-05-16 JP JP59096706A patent/JPS6024548A/ja active Granted
- 1984-06-28 EP EP84107434A patent/EP0134453B1/en not_active Expired
- 1984-06-28 DE DE8484107434T patent/DE3471404D1/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0134453B1 (en) | 1988-05-18 |
| US4474864A (en) | 1984-10-02 |
| EP0134453A3 (en) | 1985-07-24 |
| EP0134453A2 (en) | 1985-03-20 |
| JPS6024548A (ja) | 1985-02-07 |
| DE3471404D1 (en) | 1988-06-23 |
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