JPH11295874A - 位相シフトマスクの製造方法 - Google Patents
位相シフトマスクの製造方法Info
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- JPH11295874A JPH11295874A JP10508698A JP10508698A JPH11295874A JP H11295874 A JPH11295874 A JP H11295874A JP 10508698 A JP10508698 A JP 10508698A JP 10508698 A JP10508698 A JP 10508698A JP H11295874 A JPH11295874 A JP H11295874A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＥＢレジストの露光段階で下地パターンに位
置合わせなしにハーフトーン型位相シフトマスクを製造
することができる方法を提供することを課題(目的)とす
る。 【解決手段】 石英基板１０の上にハーフトーン膜１１
を形成し、その上に酸化クロムから成る遮光膜１２を形
成する(膜形成段階)。遮光膜１２の上にマスク層として
電子線レジスト１３を塗布する(マスク層形成段階)。電
子線描画を行い、現像して開口を形成する(マスク用開
口形成段階)。電子線レジスト１３に形成された開口の
断面形状は、露出している表面側よりも裏面側の浸食が
大きい逆テーパ状となる。続いて、電子線レジスト１３
をマスクとして、遮光膜１２をウェットエッチングし
(第１のエッチング段階)、ハーフトーン膜１１をドライ
エッチングする(第２のエッチング段階)。電子線レジス
ト１３を剥離することにより２段穴が形成される。
置合わせなしにハーフトーン型位相シフトマスクを製造
することができる方法を提供することを課題(目的)とす
る。 【解決手段】 石英基板１０の上にハーフトーン膜１１
を形成し、その上に酸化クロムから成る遮光膜１２を形
成する(膜形成段階)。遮光膜１２の上にマスク層として
電子線レジスト１３を塗布する(マスク層形成段階)。電
子線描画を行い、現像して開口を形成する(マスク用開
口形成段階)。電子線レジスト１３に形成された開口の
断面形状は、露出している表面側よりも裏面側の浸食が
大きい逆テーパ状となる。続いて、電子線レジスト１３
をマスクとして、遮光膜１２をウェットエッチングし
(第１のエッチング段階)、ハーフトーン膜１１をドライ
エッチングする(第２のエッチング段階)。電子線レジス
ト１３を剥離することにより２段穴が形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置の製
造に用いられる位相シフトマスクの製造方法に関し、特
に、遮光膜付きのハーフトーン型位相シフトマスクの製
造方法に関する。
造に用いられる位相シフトマスクの製造方法に関し、特
に、遮光膜付きのハーフトーン型位相シフトマスクの製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は、従来のハーフトーン型位相シフ
トマスクの製造工程を示す断面図である。図２(ａ)に示
すように、石英基板１の上にモリブデンシリサイド系の
ハーフトーン膜２を形成し、さらにその上に酸化クロム
等から成る遮光膜３を形成する。続いて、図２(ｂ)に示
すように遮光膜３の上にレジスト４を塗布し、露光、現
像することによりレジスト４に開口部４ａを形成する。
これをマスクに遮光膜３とハーフトーン膜２とをエッチ
ングすることにより、図２(ｃ)に示すように二層を貫通
する小径開口５を形成する。
トマスクの製造工程を示す断面図である。図２(ａ)に示
すように、石英基板１の上にモリブデンシリサイド系の
ハーフトーン膜２を形成し、さらにその上に酸化クロム
等から成る遮光膜３を形成する。続いて、図２(ｂ)に示
すように遮光膜３の上にレジスト４を塗布し、露光、現
像することによりレジスト４に開口部４ａを形成する。
これをマスクに遮光膜３とハーフトーン膜２とをエッチ
ングすることにより、図２(ｃ)に示すように二層を貫通
する小径開口５を形成する。
【０００３】続いて、レジスト４を剥離した後、図２
(ｄ)に示すように遮光膜３の上に再度レジスト６を塗布
し、露光・現像により先の開口部４ａより大径の開口部
６ａを小径開口５の周囲に形成する。これをマスクに遮
光膜３をエッチングすることにより、図２(ｅ)に示すよ
うに一層のみ貫通する大径開口７を小径開口５の周囲に
形成する。最後にレジスト６を剥離することにより、図
２(ｆ)に示すような２段穴を有するハーフトーン型の位
相シフトマスクが形成される。
(ｄ)に示すように遮光膜３の上に再度レジスト６を塗布
し、露光・現像により先の開口部４ａより大径の開口部
６ａを小径開口５の周囲に形成する。これをマスクに遮
光膜３をエッチングすることにより、図２(ｅ)に示すよ
うに一層のみ貫通する大径開口７を小径開口５の周囲に
形成する。最後にレジスト６を剥離することにより、図
２(ｆ)に示すような２段穴を有するハーフトーン型の位
相シフトマスクが形成される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の製造方法では、２回目に塗布されたレジスト６
を露光する際に、小径開口５に対して位置決めして露光
しなければならない。通常のマスク製造では、ＥＢ(電
子線)露光の位置合わせは必要とされないため、従来の
方法による場合には位置合わせという新規の工程を追加
しなければならず、所要時間が長くなり、製造コストを
上昇させるという問題がある。
た従来の製造方法では、２回目に塗布されたレジスト６
を露光する際に、小径開口５に対して位置決めして露光
しなければならない。通常のマスク製造では、ＥＢ(電
子線)露光の位置合わせは必要とされないため、従来の
方法による場合には位置合わせという新規の工程を追加
しなければならず、所要時間が長くなり、製造コストを
上昇させるという問題がある。
【０００５】この発明は、上述した従来技術の問題点に
鑑みてなされたものであり、露光段階での位置合わせな
しにハーフトーン型位相シフトマスクを製造することが
できる方法を提供することを目的とする。
鑑みてなされたものであり、露光段階での位置合わせな
しにハーフトーン型位相シフトマスクを製造することが
できる方法を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる位相シ
フトマスクの製造方法は、上記の目的を達成させるた
め、透明基板上にハーフトーン膜、遮光膜を順に形成す
る膜形成段階と、エッチング用のマスク層を遮光膜上に
形成するマスク層形成段階と、ＥＢリソグラフィの手法
により、露出している表面側よりも裏面側の浸食が大き
い逆テーパ状の断面形状を呈する開口をマスク層に形成
するマスク用開口形成段階と、マスク層をマスクとして
遮光膜をウェットエッチングする第１のエッチング段階
と、マスク層をマスクとしてハーフトーン膜をドライエ
ッチングする第２のエッチング段階とを含むことを特徴
とする。
フトマスクの製造方法は、上記の目的を達成させるた
め、透明基板上にハーフトーン膜、遮光膜を順に形成す
る膜形成段階と、エッチング用のマスク層を遮光膜上に
形成するマスク層形成段階と、ＥＢリソグラフィの手法
により、露出している表面側よりも裏面側の浸食が大き
い逆テーパ状の断面形状を呈する開口をマスク層に形成
するマスク用開口形成段階と、マスク層をマスクとして
遮光膜をウェットエッチングする第１のエッチング段階
と、マスク層をマスクとしてハーフトーン膜をドライエ
ッチングする第２のエッチング段階とを含むことを特徴
とする。
【０００７】上記の方法によれば、マスク層に形成され
た逆テーパ状のパターンを用いることにより、第１段階
のウェットエッチングで遮光膜に大径の開口が形成さ
れ、第２段階のドライエッチングでハーフトーン膜に小
径の開口が形成される。そして、これにより透明基板の
みとなる透過部分、透明基板上にハーフトーン膜のみが
残る半透過部分、そして遮光膜が残る不透過部分の透過
率が異なる３種類の領域が形成される。
た逆テーパ状のパターンを用いることにより、第１段階
のウェットエッチングで遮光膜に大径の開口が形成さ
れ、第２段階のドライエッチングでハーフトーン膜に小
径の開口が形成される。そして、これにより透明基板の
みとなる透過部分、透明基板上にハーフトーン膜のみが
残る半透過部分、そして遮光膜が残る不透過部分の透過
率が異なる３種類の領域が形成される。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、この発明にかかる位相シフ
トマスクの製造方法の実施形態を説明する。図１は、実
施形態のハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程を
示す断面図である。図１(ａ)に示すように、石英基板１
０の上にモリブデンシリサイド系のハーフトーン膜１１
を形成し、さらにその上に酸化クロムから成る遮光膜１
２を形成する(膜形成段階)。
トマスクの製造方法の実施形態を説明する。図１は、実
施形態のハーフトーン型位相シフトマスクの製造工程を
示す断面図である。図１(ａ)に示すように、石英基板１
０の上にモリブデンシリサイド系のハーフトーン膜１１
を形成し、さらにその上に酸化クロムから成る遮光膜１
２を形成する(膜形成段階)。
【０００９】続いて、図１(ｂ)に示すように、遮光膜１
２の上にマスク層として電子線レジスト(例えばＳＡＬ
６０５：シプレイ社の商品名)１３を膜厚５００ｎｍと
なるようスピンコートし、１０５℃でベークする(マス
ク層形成段階)。次に、ドーズ量(ＤＯＳＥ)１．０μＣ
／ｃｍ2で電子線描画を行い、１１７℃でポスト露光ベ
ーク(ＰＥＢ)した後、規定度０．３８Ｎの現像液(ＭＦ-
３１２ＣＤ３８：シプレイ社の商品名)で３分間現像
し、水洗いして開口１３ａを形成する(マスク用開口形
成段階)。電子線レジスト１３に形成された開口１３ａ
の断面形状は、図１(ｃ)に示すように、露出している表
面側よりも裏面側の浸食が大きい逆テーパ状となる。
２の上にマスク層として電子線レジスト(例えばＳＡＬ
６０５：シプレイ社の商品名)１３を膜厚５００ｎｍと
なるようスピンコートし、１０５℃でベークする(マス
ク層形成段階)。次に、ドーズ量(ＤＯＳＥ)１．０μＣ
／ｃｍ2で電子線描画を行い、１１７℃でポスト露光ベ
ーク(ＰＥＢ)した後、規定度０．３８Ｎの現像液(ＭＦ-
３１２ＣＤ３８：シプレイ社の商品名)で３分間現像
し、水洗いして開口１３ａを形成する(マスク用開口形
成段階)。電子線レジスト１３に形成された開口１３ａ
の断面形状は、図１(ｃ)に示すように、露出している表
面側よりも裏面側の浸食が大きい逆テーパ状となる。
【００１０】マスク層は、現像時に形成される開口が、
露出している表面側よりも裏面側の浸食が大きい逆テー
パ状の断面形状を呈する性質を持てば足り、電子線レジ
スト以外のレジストを用いることも可能である。
露出している表面側よりも裏面側の浸食が大きい逆テー
パ状の断面形状を呈する性質を持てば足り、電子線レジ
スト以外のレジストを用いることも可能である。
【００１１】続いて、電子線レジスト１３をマスクと
し、硝酸セリウムアンモニウムを用いて遮光膜１２をウ
ェットエッチングして大径開口１４を形成する(第１の
エッチング段階)。ウェットエッチングの段階では、遮
光膜１２は図１(ｄ)に示すように電子線レジスト１３の
開口１３ａの径が最も大きい下面(遮光膜との境界面)の
サイズに合わせてエッチングされる。次に、電子線レジ
スト１３をマスクとし、ＣＦ4等のガスを用いてハーフ
トーン膜１１をドライエッチングして小径開口１５を形
成する(第２のエッチング段階)。ドライエッチングの段
階では、ハーフトーン膜１１は図１(ｅ)に示すように電
子線レジスト１３の開口１３ａの径が最も小さい上面の
サイズに合わせてエッチングされる。
し、硝酸セリウムアンモニウムを用いて遮光膜１２をウ
ェットエッチングして大径開口１４を形成する(第１の
エッチング段階)。ウェットエッチングの段階では、遮
光膜１２は図１(ｄ)に示すように電子線レジスト１３の
開口１３ａの径が最も大きい下面(遮光膜との境界面)の
サイズに合わせてエッチングされる。次に、電子線レジ
スト１３をマスクとし、ＣＦ4等のガスを用いてハーフ
トーン膜１１をドライエッチングして小径開口１５を形
成する(第２のエッチング段階)。ドライエッチングの段
階では、ハーフトーン膜１１は図１(ｅ)に示すように電
子線レジスト１３の開口１３ａの径が最も小さい上面の
サイズに合わせてエッチングされる。
【００１２】上記の２段階のエッチングの後、電子線レ
ジスト１３を剥離することにより、図１(ｆ)に示すよう
に小径開口１５と大径開口１４とから成る２段穴が形成
される。そして、これにより透明基板１０のみとなる透
過部分、透明基板１０上にハーフトーン膜１１のみが残
る半透過部分、そしてハーフトーン膜１１に加えて遮光
膜１２が残る不透過部分の透過率が異なる３種類の領域
を有するハーフトーン型の位相シフトマスクが形成され
る。
ジスト１３を剥離することにより、図１(ｆ)に示すよう
に小径開口１５と大径開口１４とから成る２段穴が形成
される。そして、これにより透明基板１０のみとなる透
過部分、透明基板１０上にハーフトーン膜１１のみが残
る半透過部分、そしてハーフトーン膜１１に加えて遮光
膜１２が残る不透過部分の透過率が異なる３種類の領域
を有するハーフトーン型の位相シフトマスクが形成され
る。
【００１３】上記の方法によれば、電子線レジスト１３
に対する一回の露光により逆テーパ状のパターンを形成
し、これを用いて第１段階のウェットエッチングと第２
段階のドライエッチングとを続けて実行することができ
る。したがって、従来のように第２段階のエッチングの
ためにＥＢ露光時に位置合わせする必要がなく、製造時
間を短縮することができる。
に対する一回の露光により逆テーパ状のパターンを形成
し、これを用いて第１段階のウェットエッチングと第２
段階のドライエッチングとを続けて実行することができ
る。したがって、従来のように第２段階のエッチングの
ためにＥＢ露光時に位置合わせする必要がなく、製造時
間を短縮することができる。
【００１４】なお、小径開口１５と大径開口１４との差
(半透過部分の面積)は、遮光膜１２を構成する物質のエ
ッチング速度と、電子線レジスト１３に形成される逆テ
ーパ状の開口のプロファィル(表面側と裏面側との浸食
の差)とにより決定される。また、電子線レジストの浸
食の差は、所定の範囲でレジスト塗布後のベーク温度と
相関があり、ベーク温度が高いほど浸食の差は小さくな
る。
(半透過部分の面積)は、遮光膜１２を構成する物質のエ
ッチング速度と、電子線レジスト１３に形成される逆テ
ーパ状の開口のプロファィル(表面側と裏面側との浸食
の差)とにより決定される。また、電子線レジストの浸
食の差は、所定の範囲でレジスト塗布後のベーク温度と
相関があり、ベーク温度が高いほど浸食の差は小さくな
る。
【００１５】したがって、遮光膜１２として同一の物質
を用いていれば、電子線レジスト１３のベーク温度が低
いほど、小径開口１５と大径開口１４との差は大きくな
る。また、電子線レジスト１３のベーク温度が一定であ
れば、ピュアクロムを用いた方が酸化クロムに比べて差
が大きくなる。
を用いていれば、電子線レジスト１３のベーク温度が低
いほど、小径開口１５と大径開口１４との差は大きくな
る。また、電子線レジスト１３のベーク温度が一定であ
れば、ピュアクロムを用いた方が酸化クロムに比べて差
が大きくなる。
【００１６】例えば、遮光膜１２としてピュアクロムを
用いる場合には、小径開口と大径開口との差を上記の例
と同一に保つためにはベーク温度を１２０℃に設定す
る。他の条件、すなわち、電子線レジスト１３の種類、
膜厚、電子線描画の際のドーズ量、ＰＥＢの温度、現像
液の種類と規定度、現像時間は同一である。また、遮光
膜１２に対しては硝酸セリウムアンモニウムを用いてウ
ェットエッチングが行われ、ハーフトーン膜１１に対し
てはＣＦ4によりドライエッチングが行われる。
用いる場合には、小径開口と大径開口との差を上記の例
と同一に保つためにはベーク温度を１２０℃に設定す
る。他の条件、すなわち、電子線レジスト１３の種類、
膜厚、電子線描画の際のドーズ量、ＰＥＢの温度、現像
液の種類と規定度、現像時間は同一である。また、遮光
膜１２に対しては硝酸セリウムアンモニウムを用いてウ
ェットエッチングが行われ、ハーフトーン膜１１に対し
てはＣＦ4によりドライエッチングが行われる。
【００１７】また、遮光膜１２としてピュアクロムを用
い、電子線レジスト１３のベーク温度を酸化クロムの例
と同じ１０５℃に設定した場合には、小径開口と大径開
口との差は上記の各例よりも大きくなる。
い、電子線レジスト１３のベーク温度を酸化クロムの例
と同じ１０５℃に設定した場合には、小径開口と大径開
口との差は上記の各例よりも大きくなる。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、マスク層に対する露光は最初の一回のみで足り、Ｅ
Ｂ露光時に位置合わせする必要がない。したがって、従
来の製造方法と比較すると、製造時間を短縮し、製造コ
ストを抑えることができる。
ば、マスク層に対する露光は最初の一回のみで足り、Ｅ
Ｂ露光時に位置合わせする必要がない。したがって、従
来の製造方法と比較すると、製造時間を短縮し、製造コ
ストを抑えることができる。
【図１】 この発明の実施形態にかかる位相シフトマス
クの製造方法の工程を示す断面図である。
クの製造方法の工程を示す断面図である。
【図２】 従来の位相シフトマスクの製造方法の工程を
示す断面図である。
示す断面図である。
１０ 石英基板 １１ ハーフトーン膜 １２ 遮光膜 １３ 電子線レジスト １４ 大径開口 １５ 小径開口
Claims (3)
- 【請求項１】 透明基板上にハーフトーン膜、遮光膜を
順に形成する膜形成段階と、 エッチング用のマスク層を前記遮光膜上に形成するマス
ク層形成段階と、 フォトリソグラフィの手法により、露出している表面側
よりも裏面側の浸食が大きい逆テーパ状の断面形状を呈
する開口を前記マスク層に形成するマスク用開口形成段
階と、 前記マスク層をマスクとして前記遮光膜をウェットエッ
チングする第１のエッチング段階と、 前記マスク層をマスクとして前記ハーフトーン膜をドラ
イエッチングする第２のエッチング段階とを含むことを
特徴とする位相シフトマスクの製造方法。 - 【請求項２】 前記遮光膜は、酸化クロムであることを
特徴とする請求項１に記載の位相シフトマスクの製造方
法。 - 【請求項３】 前記遮光膜は、ピュアクロムであること
を特徴とする請求項１に記載の位相シフトマスクの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10508698A JPH11295874A (ja) | 1998-04-15 | 1998-04-15 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10508698A JPH11295874A (ja) | 1998-04-15 | 1998-04-15 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11295874A true JPH11295874A (ja) | 1999-10-29 |
Family
ID=14398119
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10508698A Abandoned JPH11295874A (ja) | 1998-04-15 | 1998-04-15 | 位相シフトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11295874A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030052956A (ko) * | 2001-12-07 | 2003-06-27 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 위상 시프트 마스크의 제조 방법, 위상 시프트 마스크 및장치 |
| CN100337306C (zh) * | 2003-06-30 | 2007-09-12 | Hoya株式会社 | 灰调掩模的制造方法和灰调掩模 |
| CN100362628C (zh) * | 2003-09-28 | 2008-01-16 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 外缘型态相移光罩的自对准方法 |
| CN103915462A (zh) * | 2014-04-04 | 2014-07-09 | 豪威科技(上海)有限公司 | 半导体器件制备方法以及堆栈式芯片的制备方法 |
-
1998
- 1998-04-15 JP JP10508698A patent/JPH11295874A/ja not_active Abandoned
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030052956A (ko) * | 2001-12-07 | 2003-06-27 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 위상 시프트 마스크의 제조 방법, 위상 시프트 마스크 및장치 |
| CN100337306C (zh) * | 2003-06-30 | 2007-09-12 | Hoya株式会社 | 灰调掩模的制造方法和灰调掩模 |
| CN100362628C (zh) * | 2003-09-28 | 2008-01-16 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 外缘型态相移光罩的自对准方法 |
| CN103915462A (zh) * | 2014-04-04 | 2014-07-09 | 豪威科技(上海)有限公司 | 半导体器件制备方法以及堆栈式芯片的制备方法 |
| CN103915462B (zh) * | 2014-04-04 | 2016-11-23 | 豪威科技(上海)有限公司 | 半导体器件制备方法以及堆栈式芯片的制备方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050406 |
|
| A762 | Written abandonment of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762 Effective date: 20070725 |