KR100295049B1 - 위상반전마스크제조방법 - Google Patents

위상반전마스크제조방법 Download PDF

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Abstract

위상 반전 마스크 제조방법이 개시되어 있다. 기판 상에 위상 반전영역과 위상 무 반전영역을 설정하는 차광막 패턴이 동시에 형성된다. 상기 위상 반전영역으로 설정된 기판에 홈을 형성한다. 상기 홈에 접해있으며 상기 기판의 위상 무 반전 영역으로 설정된 영역 상에 형성된 차광막 패턴을 제거한다. 상기 기판과 상기 차광막 패턴 사이에 위상 반전층이 형성되는 실시예가 있다. 이때, 상기 차광막 패턴에 의해 설정되는 영역은 위상반전층이 형성되지 않을 때와 반대가 된다. 즉 위상 반전영역은 위상 무 반전영역으로, 위상 무 반전영역은 위상 반전영역으로 된다.
이와 같이, 차광막 패턴을 형성할 때, 위상 반전 및 무 반전영역을 동시에 설정함으로써, 위상 반전 및 무 반전영역이 서로 다른 단계에서 형성됨에 따른 위상 반전 영역 또는 위상 무 반전영역의 위치가 쉬프트되는 것을 방지할 수 있다.

Description

위상 반전 마스크 제조방법{Method for manufacturing phase shift masks}
(1) 발명의 분야(Field of the Invention)
본 발명은 반도체 장치의 제조방법에 관한 것으로서, 자세하게는 위상반전 마스크 제조방법에 관한 것이다.
(2) 관련된 기술의 설명(Description of the Related Art)
일반적으로 블랭크 마스크(blank mask)는 쿼츠(quartz)를 기판으로 이용하고 그 위에 크롬층을 투과방지막으로 형성하고, 그 위에 감광막을 도포한 형태이다.
위상 반전 마스크(Phase Shift Mask)는 콘택홀 형성공정에서 해상도(resolution) 및 초점심도(Depth of Focus)를 개선시킬 수 있는 효과적인 기술이다.
또한, 하프톤 위상반전마스크(Halftone PSM)는 사이드 롭(Sidelobe)효과를 발생시킨다. 이로 인해 원하지 않는 영역의 감광막이 손실된다. 따라서, 이러한 문제를 해소하지 못할 경우, 위상 반전 마스크의 적용범위는 작아질 수밖에 없다.
사이드 롭 효과는 반도체 장치가 고집적화 될수록 소자간의 피치가 작아지면서 더욱 심해진다. 이러한 문제를 해결하기 위해 하프톤 림 위상 반전 마스크에서도 쿼츠 위상 반전 마스크에서 이용하던 림형 구조를 이용하고 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 종래 기술에 의한 림형 위상 반전 마스크와 그 제조방법을 간략히 설명한다.
도 1을 참조하면, 종래 기술에 의한 림형 위상 반전 마스크는 석영기판(10)에 위상 반전 영역이 되는 다수의 홈(12)이 일정한 간격으로 형성되어 있다. 그리고 상기 홈(12) 사이의 상기 석영기판(10) 상에 차광막 패턴(14)이 형성되어 있고, 상기 차광막 패턴(14)과 상기 홈(12) 사이에 림 영역(14a)이 설정되어 있다.
또한, 도 2를 참조하면, 종래 기술에 의한 림형 하프톤 위상 반전 마스크는 석영 기판(10) 상에 위상 무 반전 영역(17)을 사이에 두고 위상 반전층 패턴(16)이 형성되어 있다. 상기 위상 반전층 패턴(16) 상에 차광막 패턴(18)이 형성되어 있다. 상기 차광막 패턴(18)과 상기 위상 반전층 패턴(16) 사이에 림 영역(18a)이 설정되어 있다.
다음에는 도 1에 도시된 종래 기술에 의한 림 위상 반전 마스크 제조방법을 설명한다.
도 3을 참조하면, 석영기판(10) 상에 차광막(미도시)을 형성한다. 상기 차광막 상에 상기 차광막의 소정 영역을 노출시키는 감광막 패턴(22)을 형성한다. 상기 감광막 패턴을 마스크로 하여 상기 차광막의 노출된 부분을 제거한다. 이 결과, 위상 반전을 일으키는 기판의 소정영역을 노출시키는 차광막 패턴(20)이 형성된다. 이어서, 상기 감광막 패턴(22)을 제거한다.
계속해서 도 4에 도시한 바와 같이, 상기 석영기판(10)의 노출된 영역에 위상 반전을 일으킬 수 있을 정도의 깊이로 홈(24)을 형성한다.
상기 차광막 패턴(20) 상에 상기 홈(24)에 인접한 부분의 차광막 패턴(24)을 노출시키는 감광막 패턴(26)을 형성한다(도 5). 상기 감광막 패턴(26)을 식각마스크로 사용하여 상기 차광막 패턴(20)의 노출된 부분을 제거한다. 상기 감광막패턴(26)을 제거한다. 이 결과, 상기 홈(24) 둘레의 석영기판(10)에 위상 무 반전영역(24a)이 설정된다(도 6).
다음에는 도 2에 도시된 종래 기술에 의한 림형 하프톤 위상 반전 마스크 제조방법을 설명한다.
상기한 일반적인 림형 위상 반전 마스크와 달리 림형 하프톤 위상 반전 마스크는 도 7에 도시된 바와 같이, 석영기판(10)과 차광막(20) 사이에 위상 반전층(28)이 추가로 형성된다. 상기 차광막(20)과 위상 반전층(28)은 상기 차광막(20) 상에 형성되고 그 일부를 노출시키는 감광막 패턴(30)을 식각마스크로 이용하여 이방성식각된다. 이후, 상기 감광막 패턴(30)을 제거한다. 이 결과, 도 8에 도시된 바와 같이, 석영기판(10)의 소정영역(32)이 노출된다. 이 영역은 위상 무 반전 영역이다.
도 9를 참조하면, 상기 차광막(20) 상에 상기 석영기판(10)의 노출된 소정영역(32)에 접한 차광막의 일부영역을 노출시키는 감광막 패턴(34)을 형성한다. 이러한 감광막 패턴(34)을 식각마스크로 사용하여 상기 차광막(20)의 노출된 부분을 제거하여 그 아래의 위상 반전층(28)을 노출시킨다. 상기 위상 반전층(28)의 노출된 영역(36)은 위상 반전영역이 된다. 상기 감광막 패턴(34)을 제거한다. 이 결과, 도 10에 도시된 바와 같이, 상기 석영기판(20)의 노출된 소정영역(32)과 그 둘레의 상기 위상반전층(28)의 소정의 노출된 영역(36)으로 이루어지는 하프톤 위상 반전 마스크가 형성된다.
이와 같이 종래 기술에 의한 림을 이용한 위상 반전 마스크 또는 하프톤 위상 반전 마스크 제조방법은 위상 반전 영역과 위상 무 반전영역으로 이루어지는 메인 패턴과 차광막 패턴의 형성 및 림 영역(또는 림 패턴)을 설정(형성)하는 방법과 관련하여 림 영역의 위치가 쉬프트(shift)되는 문제를 갖고 있다. 이러한 문제는 노광설비의 레지스트레이션(registration), 오소그 낼러티(orthogonality) 및 그리드(grid)등이 완전히 일치하지 않으므로서 유발된다. 또한, 반도체장치가 고집적화 됨에 따라 위상 반전 마스크의 메인 패턴 사이에 형성되는 림 패턴의 사이즈와 림 패턴이 형성되는 위치의 정확성이 매우 중요해진다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 상기 종래 기술에 나타나는 문제점을 해소하기 위한 것으로서, 림을 이용한 위상 반전 마스크를 제조하는 과정에서 림 영역(또는 패턴)을 정확한 위치에 설정(형성)함으로써 림의 쉬프트에 의한 메인 패턴이 변형되는 것을 방지할 수 있는 위상 반전 마스크 제조방법을 제공함에 있다.
도 1 및 도 2는 각각 종래 기술에 의한 림(rim) 위상 반전 마스크 및 하프톤 림 위상 반전 마스크의 단면도이다.
도 3 내지 도 6은 종래 기술에 의한 림 위상 반전 마스크 제조방법을 단계별로 나타낸 도면들이다.
도 7 내지 도 10은 종래 기술에 의한 하프톤 림 위상 반전 마스크 제조방법을 단계별로 나타낸 도면들이다.
도 11 내지 도 15는 본 발명의 제1 실시예에 의한 림 위상 반전 마스크 제조방법을 단계별로 나타낸 도면들이다.
도 16 내지 도 20는 본 발명의 제2 실시예에 의한 하프톤 림 위상 반전 마스크 제조방법을 단계별로 나타낸 도면들이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호설명>
40:기판. 42, 42a:제1 및 제2 차광막 패턴.
A, 42b:제1 및 제2 영역. B, A', B':제3 내지 제5 영역.
44, 48, 52, 54:제1 내지 제4 감광막.
50:위상 반전층. 50a:위상 반전층 패턴.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명은 기판 상에 차광막을 형성하는 단계와 상기 차광막을 패터닝하여 상기 기판에 입사되는 입사광의 위상이 반전되는 위상반전영역이 형성될 상기 기판의 제1 영역과 상기 제1 영역으로부터 이격되어 있고 상기 입사광의 위상이 반전되지 않는 위상 무 반전 영역의 일부인 제2 영역을 노출시키는 단계와 상기 노출된 제1 영역에 홈을 형성하는 단계 및 상기 홈과 상기 제2 영역 사이의 기판 상에 형성된 차광막 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크 제조방법을 제공한다.
이 과정에서 상기 세 번째 단계는 상기 기판의 제1 및 제2 영역이 노출된 결과물 전면에 제1 감광막을 도포하는 단계와 상기 제1 감광막을 패터닝하여 상기 제1 영역 전부와 이에 접해있는 차광막 패턴 일부를 노출시키는 제1 감광막 패턴을 형성하는 단계와 상기 제1 감광막 패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 기판의 제1 영역에 홈을 형성하는 단계 및 상기 제1 감광막 패턴을 제거하는 단계를 더 포함한다.
그리고 상기 네 번째 단계는 상기 제1 감광막 패턴을 제거한 결과물 전면에 제2 감광막을 도포하는 단계와 상기 제2 감광막을 패터닝하여 상기 기판의 제1 영역 전부와 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이의 기판 상에 형성된 차광막 패턴의 전부 및 상기 기판의 제2 영역 일부를 노출시키는 제2 감광막 패턴을 형성하는 단계와 상기 제2 감광막 패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 제1 및 제2 영역 사이의 기판 상에 형성된 상기 차광막 패턴을 제거하는 단계 및 상기 제2 감광막 패턴을 제거하는 단계를 더 포함한다.
상기 제1 영역을 상기 제2 영역보다 넓게 형성한다.
또한, 본 발명은 상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 기판 상에 위상 반전층과 차광막을 순차적으로 형성하는 단계와 상기 차광막을 패터닝하여 상기 기판의 위상 무 반전 영역이 형성될 영역에 대응하는 상기 위상 반전층의 제1 영역을 노출시키고 동시에 상기 제1 영역으로부터 이격된 상기 위상 반전층의 제2 영역을 노출시키는 단계와 상기 위상 반전층의 제1 영역을 제거하여 상기 기판을 노출시키는단계 및 상기 노출된 기판과 상기 제2 영역 사이의 상기 위상반전층 상에 형성된 차광막을 제거하는 단계를 포함한다.
이 과정에서, 상기 세 번째 단계는 상기 차광막이 패터닝된 결과물 전면에 제3 감광막을 도포하는 단계와 상기 제3 감광막을 패터닝하여 상기 제1 영역 전부와 그에 인접한 상기 차광막 패턴의 일부영역을 노출시키는 제3 감광막 패턴을 형성하는 단계와 상기 제3 감광막 패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 위상 반전층의 제1 영역을 제거하는 단계 및 상기 제3 감광막 패턴을 제거하는 단계를 더 포함한다.
그리고 상기 네 번째 단계는 상기 위상 반전층의 제1 영역이 제거되어 기판이 노출된 결과물 전면에 제4 감광막을 도포하는 단계와 상기 제4 감광막을 패터닝하여 상기 기판의 노출된 전면과 이에 접해있고 상기 제2 영역사이의 위상 반전층 상에 형성된 차광막 패턴 전부와 상기 제2 영역의 위상 반전층 일부를 노출시키는 제4 감광막 패턴을 형성하는 단계와 상기 제4 감광막 패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 기판의 노출된 부분과 상기 제2 영역사이의 위상 반전층 상에 형성된 차광막 패턴을 습식식각하는 단계 및 상기 제4 감광막 패턴을 제거하는 단계를 더 포함한다.
이와 같이, 본 발명은 림을 이용한 위상 반전 마스크를 형성하는데 있어서, 마스크의 위상 반전영역와 위상 무 반전영역을 동시에 설정하여 위상 반전 또는 무 반전영역의 위치가 쉬프트되는 것을 방지할 수 있다.
이하, 본 발명의 실시예에 의한 위상 반전 마스크(Phase Shift Mask) 제조방법을 첨부된 도면들을 참조하여 상세하게 설명한다.
그러나 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어져서는 안된다. 본 발명의 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 도면에서 층이나 영역들의 두께는 명세서의 명확성을 위해 과장되어진 것이다. 도면상에서 동일한 부호는 동일한 요소를 지칭한다. 또한, 어떤 층이 다른 층 또는 기판의 "상부"에 있다라고 기재된 경우, 상기 어떤 층이 상기 다른 층 또는 기판의 상부에 직접 존재할 수도 있고 그 사이에 제 3의 층이 개재되어 질 수도 있다.
<제1 실시예>
도 11은 기판(40)에 제1 및 제2 영역(A, 42b)을 설정하는 단계를 나타낸다. 이를 참조하면, 기판(40) 상에 차광막(미도시)을 형성한다. 상기 차광막은 크롬층(Cr)으로 형성한다. 상기 차광막을 패터닝하여 상기 기판(40)의 제1 및 제2 영역(A, 42b)을 노출시키는 제1 및 제2 차광막 패턴(42, 42a)을 형성한다. 상기 제2 차광막 패턴(42a)은 상기 기판(40)의 제1 영역(A)을 설정하는 림(rim)이다. 상기 제1 영역(A)은 위상 반전영역이다. 그리고 상기 제2 차광막 패턴(42a)과 상기 제2 영역(42b)으로 설정되는 영역은 위상 무 반전영역이다. 상기 제1 영역(A)은 상기 제2 영역(42b)보다 넓게 설정하는 것이 바람직하다.
도 12를 참조하면, 상기 제1 및 제2 차광막 패턴들(42, 42a)이 형성되어 있는 결과물 전면에 제1 감광막(미도시)을 도포한다. 상기 제1 감광막을 패터닝하여상기 제1 영역(A) 전부와 상기 제2 차광막 패턴(42a)의 일부를 노출시키는 제1 감광막 패턴(44)을 형성한다.
도 13을 참조하면, 상기 제1 감광막 패턴(44)을 식각마스크로 사용하여 상기 기판(40)의 제1 영역(A)에 홈(46)을 형성한다. 상기 홈(46)은 홈(46)에 입사되는 광과 상기 홈(46)이 형성되지 않는 영역에 입사되는 광이 정확한 위상 반전을 일으킬 수 있을 정도의 깊이로 형성하는 것이 바람직하다. 상기 제1 감광막 패턴(44)을 제거한다.
도 14를 참조하면, 상기 홈(46)이 형성된 결과물 전면에 제2 감광막(미도시)을 형성한다. 상기 제2 감광막을 패터닝하여 상기 홈(46)과 상기 제2 차광막 패턴(42a) 전부와 상기 제2 영역(42b)의 일부를 노출시키는 제2 감광막 패턴(48)을 형성한다. 상기 제2 감광막 패턴(48)을 식각마스크로 사용하여 상기 제2 차광막 패턴(42a)을 제거한다. 상기 제2 차광막 패턴(42a)은 습식식각방식으로 제거한다. 이후, 상기 제2 감광막 패턴(48)을 제거한다. 이 결과, 도 15에 도시한 바와 같이, 상기 홈(46)과 접하는 상기 기판(40)의 제3 영역(B)이 노출된다. 결과적으로, 상기 제3 영역(B)은 상기 제2 영역(42b)과 상기 제2 차광막 패턴(42a)으로 설정된 영역이다. 상기 제3 영역(B)은 상기 제1 영역(A)에 대해 위상 무 반전 영역이므로, 상기 제3 영역(B)에 입사되는 광은 통과후에 위상 반전을 일으키지 않는다.
<제2 실시예>
림형 하프톤 위상 반전 마스크 제조 방법에 대한 것이다. 이때, 제1 실시예의 참조번호와 동일한 것은 동일한 부재를 나타낸다.
도 16을 참조하면, 기판(40) 상에 위상 반전층(50) 및 차광막(미도시)을 순차적으로 형성한다. 상기 차광막을 패터닝하여 상기 위상 반전층(50)의 제1 영역(A)과 제2 영역(42b)을 노출시키는 제1 및 제2 차광막 패턴(42, 42a)을 형성한다. 상기 제1 영역(A)은 상기 제2 영역(42b)에 비해 넓게 형성한다. 상기 제1 영역(A) 아래의 대응하는 기판(40)의 영역은 위상 무 반전영역이다. 또한, 상기 제2 영역(42b) 및 제2 차광막 패턴(42a)으로 설정된 영역 아래의 상기 기판(40)의 대응하는 영역은 위상 반전 영역이다. 따라서, 상기 위상반전층(50)은 입사되는 광의 위상을 반전시킬 수 있을 정도의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.
도 17을 참조하면, 상기 위상 반전층(50) 상에 상기 제1 및 제2 차광막 패턴(42, 42a)이 형성된 결과물의 전면에 제3 감광막(미도시)을 형성한다. 상기 제3 감광막을 패터닝하여 상기 위상 반전층(50)의 제1 영역(A)전부와 상기 제2 차광막 패턴(42a)의 일부를 노출시키는 제3 감광막 패턴(52)을 형성한다. 이때, 상기 제3 감광막 패턴(52)을 형성하기 위한 노광공정에서 발생할 수 있는 정렬오차에 대한 마진이 상기 제2 차광막 패턴(42a)이다. 곧, 상기 노광 정렬에서 상기 제2 차광막 패턴(42a)의 폭은 상기 노광정렬의 허용오차가 된다.
계속해서, 상기 제3 감광막 패턴(52)을 식각마스크로 사용하여 상기 위상 반전층(50)의 노출된 전면을 상기 기판(40)의 계면이 노출될 때 까지 이방성식각한다. 이후, 상기 제3 감광막 패턴(52)을 제거한다. 이 결과, 도 18에 도시한 바와 같이, 상기 기판(40)의 상기 위상 반전층(50)의 제1 영역(A) 아래에 대응하는 제4 영역(A')이 노출되고, 이를 포함하는 위상 반전층 패턴(50a)이 형성된다. 상기 기판(40)의 제4 영역(A')은 입사되는 광에 대해 위상 반전을 일으키지 않는 위상 무 반전 영역이다.
도 19를 참조하면, 상기 제4 영역(A')과 상기 위상 반전층 패턴(50a)이 형성된 결과물 전면에 제4 감광막(미도시)을 도포한다. 상기 제4 감광막을 패터닝하여 상기 제4 영역(A')의 전면과 그에 접해있는 상기 제2 차광막 패턴(42a)의 전부와 상기 제2 영역(42b)의 일부를 노출시키는 제4 감광막 패턴(54)을 형성한다. 이때, 상기 제2 영역(42b)의 폭은 상기 제4 감광막 패턴(54)을 형성하기 위한 노광공정에 있어서 정렬오차에 대한 마진이 된다. 상기 제4 감광막 패턴(54)을 식각마스크로 사용하여 상기 제2 차광막 패턴(42a)을 습식식각한다. 상기 제4 감광막 패턴(54)을 제거한다. 이 결과, 도 20에 도시한 바와 같이, 상기 위상 반전층 패턴(50a)에 그 가장자리가 상기 제4 영역(A')과 접촉되는 제5 영역(B')이 형성된다. 상기 제5 영역(B')은 상기 제2 차광막 패턴(42a)이 형성된 영역과 상기 제2 영역(42b)이 합쳐진 영역이다. 상기 제5 영역(B')은 입사되는 광이 상기 제4 영역(A')에 입사되는 광에 비해 위상이 반전되는 위상 반전 영역이다. 이렇게 하여 림 위상 반전 마스크 및 림 하프톤 위상 반전 마스크가 완성된다.
상기한 설명에서 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나, 그들은 본 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다, 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 예들 들어 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기한 부재들의 구성물질이나 기판 상에 형성된 층들의 구성 및 림의 수를 변형하여 본 발명을 실시할 수 있음이 명백하다. 때문에 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 의하여 정하여 질 것이 아니고 특허 청구범위에 기재된 기술적 사상에 의해 정하여져야 한다.
상술한 바와 같이, 기판 상에 위상 반전영역과 위상 무 반전영역을 설정하는 차광막 패턴이 동시에 형성된다. 상기 위상 반전영역으로 설정된 기판에 홈을 형성한다. 상기 홈에 접해있으며 상기 기판의 위상 무 반전 영역으로 설정된 영역 상에 형성된 차광막 패턴을 제거한다. 상기 기판과 상기 차광막 패턴 사이에 위상 반전층이 형성되는 실시예가 있다. 이때, 상기 차광막 패턴에 의해 설정되는 영역은 위상반전층이 형성되지 않을 때와 반대가 된다. 즉 위상 반전영역은 위상 무 반전영역으로, 위상 무 반전영역은 위상 반전영역으로 된다.
이와 같이, 차광막 패턴을 형성할 때, 위상 반전 및 무 반전영역을 동시에 설정함으로써, 위상 반전 및 무 반전영역이 서로 다른 단계에서 형성됨에 따른 위상 반전 영역 또는 위상 무 반전영역의 위치가 쉬프트되는 것을 방지할 수 있다.

Claims (8)

  1. (a) 기판 상에 차광막을 형성하는 단계;
    (b) 상기 차광막을 패터닝하여 상기 기판에 입사되는 입사광의 위상이 반전되는 위상반전영역이 형성될 상기 기판의 제1 영역과 상기 제1 영역으로부터 이격되어 있고 상기 입사광의 위상이 반전되지 않는 위상 무 반전 영역의 일부인 제2 영역을 노출시키는 단계;
    (c) 상기 노출된 제1 영역에 홈을 형성하는 단계; 및
    (d) 상기 홈과 상기 제2 영역 사이의 기판 상에 형성된 차광막 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 (c) 단계는
    (c1) 상기 기판의 제1 및 제2 영역이 노출된 결과물 전면에 제1 감광막을 도포하는 단계;
    (c2) 상기 제1 감광막을 패터닝하여 상기 제1 영역 전부와 이에 접해있는 차광막 패턴 일부를 노출시키는 제1 감광막 패턴을 형성하는 단계;
    (c3) 상기 제1 감광막 패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 기판의 제1 영역에 홈을 형성하는 단계; 및
    (c4) 상기 제1 감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크 제조방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 (d) 단계는
    (d1) 상기 제1 감광막 패턴을 제거한 결과물 전면에 제2 감광막을 도포하는 단계;
    (d2) 상기 제2 감광막을 패터닝하여 상기 기판의 제1 영역 전부와 상기 제1 영역과 상기 제2 영역 사이의 기판 상에 형성된 차광막 패턴의 전부 및 상기 기판의 제2 영역 일부를 노출시키는 제2 감광막 패턴을 형성하는 단계;
    (d3) 상기 제2 감광막 패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 제1 및 제2 영역 사이의 기판 상에 형성된 상기 차광막 패턴을 제거하는 단계; 및
    (d4) 상기 제2 감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 영역이 상기 제2 영역보다 넓게 형성되는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크 제조방법.
  5. (a) 기판 상에 위상 반전층과 차광막을 순차적으로 형성하는 단계;
    (b) 상기 차광막을 패터닝하여 상기 기판의 위상 무 반전 영역이 형성될 영역에 대응하는 상기 위상 반전층의 제1 영역을 노출시키고 동시에 상기 제1 영역으로부터 이격된 상기 위상 반전층의 제2 영역을 노출시키는 단계;
    (c) 상기 위상 반전층의 제1 영역을 제거하여 상기 기판을 노출시키는 단계; 및
    (d) 상기 노출된 기판과 상기 제2 영역 사이의 상기 위상반전층 상에 형성된 차광막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크 제조방법.
  6. 제 6 항에 있어서, 상기 (c) 단계는
    (c1) 상기 차광막이 패터닝된 결과물 전면에 제3 감광막을 도포하는 단계;
    (c2) 상기 제3 감광막을 패터닝하여 상기 제1 영역 전부와 그에 인접한 상기 차광막 패턴의 일부영역을 노출시키는 제3 감광막 패턴을 형성하는 단계;
    (c3) 상기 제3 감광막 패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 위상 반전층의 제1 영역을 제거하는 단계; 및
    (c4) 상기 제3 감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크 제조
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 제1 영역을 상기 제2 영역보다 넓게 형성하는 것을 특징으로 하는 위상 반전 마스크 제조방법.
  8. 제 5 항에 있어서, 상기 (d) 단계는
    (d1) 상기 위상 반전층의 제1 영역이 제거되어 기판이 노출된 결과물 전면에 제4 감광막을 도포하는 단계;
    (d2) 상기 제4 감광막을 패터닝하여 상기 기판의 노출된 전면과 이에 접해있고 상기 제2 영역사이의 위상 반전층 상에 형성된 차광막 패턴 전부와 상기 제2 영역의 위상 반전층 일부를 노출시키는 제4 감광막 패턴을 형성하는 단계;
    (d3) 상기 제4 감광막 패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 기판의 노출된 부분과 상기 제2 영역사이의 위상 반전층 상에 형성된 차광막 패턴을 습식식각하는 단계; 및
    (d4) 상기 제4 감광막 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는위상 반전 마스크 제조방법.
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