KR960035141A - 반도체 기판 노출 방법 - Google Patents

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유찌야마 다까유끼
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가네꼬 히사시
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Abstract

본 발명은 노출 시스템의 처리량 감소와 반도체 장치의 제조비용의 증가없이 리지스트 필름의 비전달 영역을 제거할 수 있는 방법에 관한 것이다. 기하학적 형상의 패턴 세트를 준비한 다음, 레티클상의 패턴 세트를 사용해 리지스트 필름의 영상 형성 영역을 노출시키고, 이로써 패턴 세트를 영상 형성 영역에 전달한다. 다음에, 패턴 세트를 전달하는 단계에서와는 다른 조건으로, 레티클상의 동일 패턴 세트를 사용해 리지스크 필름의 비전달 영역을 노출시킨다. 상기 노출 조건을, 레티클상의 패턴 세트가 비전달 영역으로 전달되지 않도록 결정된다. 바람직하게 리지스트 필름은 파지티브 형이다.

Description

반도체 기판 노출 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 축소 스텝-앤드-리피트 노출 시스템을 사용하는 종래의 반도체 장치의 노출 방법을 보여주는 흐름도.

Claims (14)

  1. 반도체 기판을 노출시키는 방법에 있어서, 기하학적 형상의 패턴 세트가 있는 레티클을 준비하는 단계; 상기 레티클상의 패턴 세트를 사용해서 리지스트 필름의 영상 형성 영역을 노출시키고, 패턴 세트를 영상 형성 영역에 전달하는 단계; 패턴 세트를 전달할 때의 단계와는 다른 노출 조건하에서, 레티클상의 패턴 세트를 사용해 리지스트 필름의 비전달 영역을 노출시키는 단계를 포함하며, 상기 노출 조건을, 레티클상의 패턴 세트가 비전달 영역으로 전달되지 않도록 결정되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 노출 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 리지스트 필름은 파지티브 형이며, 그리고 이 리지스트 필름의 비전달 영역이 다음의 현상 과정에서 제거되는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 비전달 영역을 노출시키는 단계에 대한 다른 노출 조건이 비전달 영역에 노출광의 촛점이 집중되지 않게 함으로써 얻어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 노출광의 촛점 비집중이 상기 리지스트 필름을 노출광의 광학적 축선을 따라 이동시킴으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 노출광 촛점 비집중이 레티클 블라인드의 영역을 변화시킴으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 비전달 영역을 노출시키는 단계에 대한 다른 노출 조건이 비전달 영역에서의 상기 노출광의 강도를 변화시킴으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 비전달 영역을 노출시키는 단계에 대한 다른 노출 조건이, 상기 리지스트 필름을 노출광에 노출시키면서 상기 레티클과 웨이퍼중 적어도 하나를 상기 노출광의 광학적 축선에 수직인 평면에서 이동시킴으로써 얻어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 반도체 기판을 노출시키는 방법에 있어서, 기하학적 형상의 패턴 세트를 준비하는 단계; 그 위에 리지스트 필름을 가진 반도체 웨이퍼를 준비하는 단계; 상기 레티클상의 패턴 세트를 사용해서 리지스트 필름의 영상형성 영역에 영상 필드를 스텝-앤드-리피트 방식으로 노출시키고, 상기 패턴 세트를 영상 필드에 전달하는 단계; 상기 패턴 세트를 영상 형성 영역에 전달하는 단계에서와는 다른 조건으로, 상기 레트클상의 패턴 세트를 사용해 리지스트 필름의 비전달 영역을 스텝-앤드-리피트 방식으로 노출시키고, 비전달 영역 전체를 노출시키는 단계를 포함하며, 상기 노출 조건은, 레티클상의 패턴 세트가 비전달 영역의 각 부분으로 전달되지 않도록 결정되는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 노출 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 리지스트 필름은 파지티브 형이며, 그리고 이 리지스트 필름이 비전달 영역이 다음의 현상 과정에서 제거되는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 비전달 영역을 노출시키는 단계에 대한 다른 노출 조건이 비전달 영역에 노출광의 촛점이 집중되지 않게 함으로써 얻어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제10항에 있어서, 상기 노출광의 촛점 비집중이 상기 리지스트 필름을 노출광의 광학적 축선을 따라 이동시킴으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제10항에 있어서, 상기 노출광의 촛점 비집중이 레티클 블라인드의 영역을 변화시킴으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제8항에 있어서, 상기 비전달 영역을 노출시키는 단계에 대한 다른 노출 조건이 비전달 영역에서의 상기 노출광의 강도를 변화시킴으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제8항에 있어서, 상기 비전달 영역을 노출시키는 단계에 대한 다른 노출 조건이, 상기 리지스트 필름을 노출광에 노출시키면서 상기 레티클과 웨이퍼중 적어도 하나를 상기 노출광의 광학적 축선에 수직인 평면에서 이동시킴으로써 얻어지는 것을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960009558A 1995-03-30 1996-03-30 반도체 기판 노출 방법 KR100228570B1 (ko)

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