JPS6370518A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
- Publication number
- JPS6370518A JPS6370518A JP61216441A JP21644186A JPS6370518A JP S6370518 A JPS6370518 A JP S6370518A JP 61216441 A JP61216441 A JP 61216441A JP 21644186 A JP21644186 A JP 21644186A JP S6370518 A JPS6370518 A JP S6370518A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- exposure
- resist
- absence
- light beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
光源からの光束を用いてレチクルあるいはホトマスクの
パターンをレジストの塗布されたウェーハに投影する露
光装置において、 上記光束のレジストに対する非感光波長領域をウェーハ
に照射する光学系を設けることにより、ウェーハの表面
における異物の有無の検知も可能にしたものである。
パターンをレジストの塗布されたウェーハに投影する露
光装置において、 上記光束のレジストに対する非感光波長領域をウェーハ
に照射する光学系を設けることにより、ウェーハの表面
における異物の有無の検知も可能にしたものである。
本発明は、光源からの光束を用いてレチクルあるいはホ
トマスクのパターンをレジストの塗布されたウェーハに
投影する露光装置に係り、特に、ウェーハの表面におけ
る異物の有無の検知も可能にする構成に関す。
トマスクのパターンをレジストの塗布されたウェーハに
投影する露光装置に係り、特に、ウェーハの表面におけ
る異物の有無の検知も可能にする構成に関す。
半導体装置の製造におけるウェーハプロセスではホトリ
ソグラフィ技術が用いられている。この技術は、ウェー
ハにレジストを塗布し、光学系を具えた露光装置を用い
てレチクルあるいはホトマスクのパターンを投影する露
光を行い、現像によりレジストをパターン化し、これを
マスクにしてウェーハをエツチング加工するものである
。
ソグラフィ技術が用いられている。この技術は、ウェー
ハにレジストを塗布し、光学系を具えた露光装置を用い
てレチクルあるいはホトマスクのパターンを投影する露
光を行い、現像によりレジストをパターン化し、これを
マスクにしてウェーハをエツチング加工するものである
。
この場合、露光の際にウェーハの表面に塵埃などの異物
が存在すると、レジストパターンに乱れが生じてエツチ
ング加工されたウェーハが不良となる。
が存在すると、レジストパターンに乱れが生じてエツチ
ング加工されたウェーハが不良となる。
このため一般には、現像の後にレジストパターンに対す
る検査を挿入し、不良の場合にはレジストの塗布からや
り直すようにして、エツチング加工の歩留り低下を抑え
るようにしている。
る検査を挿入し、不良の場合にはレジストの塗布からや
り直すようにして、エツチング加工の歩留り低下を抑え
るようにしている。
上述の手順では、上記検査で不良の場合の露光が無駄と
なる。
なる。
この無駄を除去するためには、ウェーハ上に異物の存在
しないことを確認してから露光するようにするのが良い
。
しないことを確認してから露光するようにするのが良い
。
しかしながら、この確認のためウェーハの表面を検査す
る検査装置を導入すると、その装置が高価であるため製
造ラインとしての設備費用の増大が大きくなり、且つ、
製造ラインのスペースも大きくなる。
る検査装置を導入すると、その装置が高価であるため製
造ラインとしての設備費用の増大が大きくなり、且つ、
製造ラインのスペースも大きくなる。
上記問題点は、光源からの光束を用いてレチクルあるい
はホトマスクのパターンをレジストの塗布されたウェー
ハに投影する露光装置であって、該光束の該レジストに
対する非感光波長領域を該ウェーハに照射する光学系を
具えて、該照射の反射における散乱反射光の有無による
咳ウェーハの表面における異物の有無の検知も可能であ
る本発明の露光装置を導入することによって解決される
。
はホトマスクのパターンをレジストの塗布されたウェー
ハに投影する露光装置であって、該光束の該レジストに
対する非感光波長領域を該ウェーハに照射する光学系を
具えて、該照射の反射における散乱反射光の有無による
咳ウェーハの表面における異物の有無の検知も可能であ
る本発明の露光装置を導入することによって解決される
。
一般に、平面上に光束を照射しその反射光を観察すると
、散乱反射光の有無によりそこに存在する塵埃などの異
物の有無を検知出来ることが知られている。
、散乱反射光の有無によりそこに存在する塵埃などの異
物の有無を検知出来ることが知られている。
本露光装置は、このことを利用してウェーハ表面の異物
の有無の検知も可能にしたものである。
の有無の検知も可能にしたものである。
そしてこのための上記光学系は、露光用光源を共用にし
ているので高価なものにならず、然も装置そのものを大
幅に大型化させるものではない。
ているので高価なものにならず、然も装置そのものを大
幅に大型化させるものではない。
このことから、先に述べた露光前のウェーハ確認を実施
するに際して本露光装置を導入することにより、前記検
査装置の導入が不要になり製造ラインとしての設備費用
とスペースの増大を少なく抑えることが可能になる。
するに際して本露光装置を導入することにより、前記検
査装置の導入が不要になり製造ラインとしての設備費用
とスペースの増大を少なく抑えることが可能になる。
以下、本発明による露光装置の二つの実施例について第
１図および第２図の側面図を用い説明する。全図を通じ
同一符号は同一対象物を示す。
１図および第２図の側面図を用い説明する。全図を通じ
同一符号は同一対象物を示す。
第１図に示す第一の実施例は、光源１およびレンズ２に
より形成された光束３を破線の光路によりレチクル４に
照射して、レチクル４のパターンをレジスト５ａの塗布
されたウェーハ５の露光領域に投影し、且つウェーハ５
をステップ・アンド・レピートさせる通常のステ７バー
としての露光系を具えている。この露光系を使用する際
には、反射鏡６は図示の位置から横に退避させておく。
より形成された光束３を破線の光路によりレチクル４に
照射して、レチクル４のパターンをレジスト５ａの塗布
されたウェーハ５の露光領域に投影し、且つウェーハ５
をステップ・アンド・レピートさせる通常のステ７バー
としての露光系を具えている。この露光系を使用する際
には、反射鏡６は図示の位置から横に退避させておく。
更に、光束３を反射鏡６および７によりレチクル４の外
側に移し、集光レンズ９、フィルタ１０、反射ｕｉ８を
介してレジス）５ａの露光領域に直接照射する光学系を
具えている。レジスト５ａを照射する光束は、集光レン
ズ９により約０．１鶴の照射径に絞られ、フィルタ１０
により短波長領域がカットされてレジスト５ａに対する
非感光波長領域のみになり、また、反射鏡８の振動によ
り露光領域を走査する。
側に移し、集光レンズ９、フィルタ１０、反射ｕｉ８を
介してレジス）５ａの露光領域に直接照射する光学系を
具えている。レジスト５ａを照射する光束は、集光レン
ズ９により約０．１鶴の照射径に絞られ、フィルタ１０
により短波長領域がカットされてレジスト５ａに対する
非感光波長領域のみになり、また、反射鏡８の振動によ
り露光領域を走査する。
この照射により、露光領域に塵埃などの異物が存在した
場合にその異物から散乱反射光１２が発生するが、光検
知器１１は、例えば光電子増倍管（ホトマルチプライヤ
）などで構成されて、散乱反射光１２の受光を介して異
物の有無を検知する。
場合にその異物から散乱反射光１２が発生するが、光検
知器１１は、例えば光電子増倍管（ホトマルチプライヤ
）などで構成されて、散乱反射光１２の受光を介して異
物の有無を検知する。
従ってこの露光装置を用いることにより、先に述べた検
査装置を要せずして、露光前の露光領域における異物の
有無を確認することが可能である。
査装置を要せずして、露光前の露光領域における異物の
有無を確認することが可能である。
然も、この露光装置は、異物検知の系を具えても、光源
が共用であり且つ露光系の光路と異物検知系の光路が接
近しているので、装置の価格および外形の増加がそれほ
ど大きなものにならない。
が共用であり且つ露光系の光路と異物検知系の光路が接
近しているので、装置の価格および外形の増加がそれほ
ど大きなものにならない。
このことから、先に述べた露光前のウェーハ確認を実施
するに際して本露光装置を導入することにより、前記検
査装置の導入が不要になり製造ラインとしての設備費用
とスペースの増大を少なく抑えることが可能になる。
するに際して本露光装置を導入することにより、前記検
査装置の導入が不要になり製造ラインとしての設備費用
とスペースの増大を少なく抑えることが可能になる。
またこの露光装置を用いた場合には、異物の存在のため
に露光しても無駄になる露光領域のみを選択的に露光省
略することも可能である。
に露光しても無駄になる露光領域のみを選択的に露光省
略することも可能である。
第２図に示す第二の実施例では、露光系はホトマスク４
ａを用いた通常のアライナ−としての構成をなし、異物
検知系は、光束３を反射鏡６および７によりホトマスク
４ａの外側に移し、ホトマスク４ａの横倒に配置したウ
ェーハ５の全面を照射する光学系になって、目視により
散乱反射光１２を観察して異物を検知するようになって
いる。
ａを用いた通常のアライナ−としての構成をなし、異物
検知系は、光束３を反射鏡６および７によりホトマスク
４ａの外側に移し、ホトマスク４ａの横倒に配置したウ
ェーハ５の全面を照射する光学系になって、目視により
散乱反射光１２を観察して異物を検知するようになって
いる。
この露光装置も、異物検知系を具えながら装置の価格お
よび外形の増加がそれほど大きなものにならないことは
、第一の実施例と同様である。そして第一の実施例と同
様な導入により、製造ラインとしての設備費用とスペー
スの増大を少なく抑えることが可能になる。
よび外形の増加がそれほど大きなものにならないことは
、第一の実施例と同様である。そして第一の実施例と同
様な導入により、製造ラインとしての設備費用とスペー
スの増大を少なく抑えることが可能になる。
以上説明したように本発明の構成によれば、光源からの
光束を用いてレチクルあるいはホトマスクのパターンを
レジストの塗布されたウェーハに投影する露光装置にお
いて、装置の価格および外形をそれほど大きくすること
なくウェーハの表面における異物の有無の検知も可能に
なり、露光前のウェーハ確認を実施するに際して製造ラ
インとしての設備費用とスペースの増大を少なく抑える
ことを可能にさせる効果がある。
光束を用いてレチクルあるいはホトマスクのパターンを
レジストの塗布されたウェーハに投影する露光装置にお
いて、装置の価格および外形をそれほど大きくすること
なくウェーハの表面における異物の有無の検知も可能に
なり、露光前のウェーハ確認を実施するに際して製造ラ
インとしての設備費用とスペースの増大を少なく抑える
ことを可能にさせる効果がある。
第１図は本発明第一の実施例の側面図、第２図は本発明
第二の実施例の側面図、である。 図において、 １は光源、 ２はレンズ、 ３は光束、 ４はレチクル、 ４ａはホトマスク、 ５はウェーハ、 ５ａはレジスト、 ６．７．８は反射鏡、 ９は集光レンズ、 ｌＯはフィルタ、 １１は光検知器、 １２は散乱反射光、 である。
第二の実施例の側面図、である。 図において、 １は光源、 ２はレンズ、 ３は光束、 ４はレチクル、 ４ａはホトマスク、 ５はウェーハ、 ５ａはレジスト、 ６．７．８は反射鏡、 ９は集光レンズ、 ｌＯはフィルタ、 １１は光検知器、 １２は散乱反射光、 である。
Claims (1)
- 光源からの光束を用いてレチクルあるいはホトマスク
のパターンをレジストの塗布されたウェーハに投影する
露光装置であって、該光束の該レジストに対する非感光
波長領域を該ウェーハに照射する光学系を具えて、該照
射の反射における散乱反射光の有無による該ウェーハの
表面における異物の有無の検知も可能であることを特徴
とする露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61216441A JPS6370518A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61216441A JPS6370518A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | 露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6370518A true JPS6370518A (ja) | 1988-03-30 |
Family
ID=16688588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61216441A Pending JPS6370518A (ja) | 1986-09-12 | 1986-09-12 | 露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6370518A (ja) |
-
1986
- 1986-09-12 JP JP61216441A patent/JPS6370518A/ja active Pending
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