JPH02215118A - 露光装置 - Google Patents
露光装置Info
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- JPH02215118A JPH02215118A JP1037251A JP3725189A JPH02215118A JP H02215118 A JPH02215118 A JP H02215118A JP 1037251 A JP1037251 A JP 1037251A JP 3725189 A JP3725189 A JP 3725189A JP H02215118 A JPH02215118 A JP H02215118A
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Links
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims abstract description 8
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は投影、露光装置に関し、特に該装置に組み込ま
れたレティクルパターン欠陥検査装置に関する。
れたレティクルパターン欠陥検査装置に関する。
従来、この種のレティクルパターン欠陥検査装置の一例
としてレーザー光の散乱を利用したものを、第3図を用
いて説明する。この種のレティクルパターン欠陥検査装
置では、欠陥検査装置内のレティクルステージ32にレ
ティクル31を乗せ、レーザー光源33からのレーザー
光をレティクル表面に照射し、レティクル表面で散乱さ
れたレーザー光を検知機34により検知する。レティク
ルの規則的なパターンでは、散乱される角度と強度は規
則的である。ところが、レティクル上に異物が付着して
いる場合は、レーザー光は異物特有の角度と強度で散乱
される。この散乱光の角度と強度の差を利用し、レティ
クル上の異物を検出する。検査の結果が合格であれば、
レティクル31を投影機構のステージ35上に移し、レ
ンズ36を介して投影露光を行う。
としてレーザー光の散乱を利用したものを、第3図を用
いて説明する。この種のレティクルパターン欠陥検査装
置では、欠陥検査装置内のレティクルステージ32にレ
ティクル31を乗せ、レーザー光源33からのレーザー
光をレティクル表面に照射し、レティクル表面で散乱さ
れたレーザー光を検知機34により検知する。レティク
ルの規則的なパターンでは、散乱される角度と強度は規
則的である。ところが、レティクル上に異物が付着して
いる場合は、レーザー光は異物特有の角度と強度で散乱
される。この散乱光の角度と強度の差を利用し、レティ
クル上の異物を検出する。検査の結果が合格であれば、
レティクル31を投影機構のステージ35上に移し、レ
ンズ36を介して投影露光を行う。
また、他の例として、画像比較を利用したウェハーパタ
ーン欠陥検査装置がある。この例を第4図を用いて説明
する。リソグラフィー技術により、ウェハー上のレジス
トに、レティクルパターンを縮小投影したパターンを形
成する。このウェハー41をウェハーステージ42上に
載せる。光源43の光をビームスプリッタ44と対物レ
ンズ45を介してつエバー41の表面に照射する。ウェ
ハー41の表面で反射された光は対物レンズ45で拡大
され、ビームスプリッタ44を通ってカメラ46に入射
する。カメラ46のレンズにより拡大した像をカメラ4
6により画像信号に変換し、この信号を画像処理ユニッ
ト47によりディジタルデータ化する0通常、ウェハー
上には、同型パターンが多数存在するため、ステージ制
御ユニット49の制御により、ウェハステージ42を移
動してウェハー上の他の同型パターンが対物レンズ下に
位置するようにし、この位置のパターンを画像データと
して取り込む、この様にして得られた2点の画像データ
を画像処理ユニット47で比較し、2点のデータが異な
る点を欠陥として認識する0画像処理ユニット47とス
テージ制御ユニット49は、装置制御ユニット48によ
り制御され、欠陥データとステージ座標が対応づけられ
る。
ーン欠陥検査装置がある。この例を第4図を用いて説明
する。リソグラフィー技術により、ウェハー上のレジス
トに、レティクルパターンを縮小投影したパターンを形
成する。このウェハー41をウェハーステージ42上に
載せる。光源43の光をビームスプリッタ44と対物レ
ンズ45を介してつエバー41の表面に照射する。ウェ
ハー41の表面で反射された光は対物レンズ45で拡大
され、ビームスプリッタ44を通ってカメラ46に入射
する。カメラ46のレンズにより拡大した像をカメラ4
6により画像信号に変換し、この信号を画像処理ユニッ
ト47によりディジタルデータ化する0通常、ウェハー
上には、同型パターンが多数存在するため、ステージ制
御ユニット49の制御により、ウェハステージ42を移
動してウェハー上の他の同型パターンが対物レンズ下に
位置するようにし、この位置のパターンを画像データと
して取り込む、この様にして得られた2点の画像データ
を画像処理ユニット47で比較し、2点のデータが異な
る点を欠陥として認識する0画像処理ユニット47とス
テージ制御ユニット49は、装置制御ユニット48によ
り制御され、欠陥データとステージ座標が対応づけられ
る。
このようにして、レティクルパターンを露光装置により
縮小投影したパターンをウェハー上のレジストに形成し
、このレジストパターンを検査することによりレティク
ルパターンの欠陥を検査する。また、この方式でウェハ
ーの替りにレティクルを載せレティクルを直接検査する
例もある。
縮小投影したパターンをウェハー上のレジストに形成し
、このレジストパターンを検査することによりレティク
ルパターンの欠陥を検査する。また、この方式でウェハ
ーの替りにレティクルを載せレティクルを直接検査する
例もある。
上述した従来のレティクルパターン欠陥検査装置で、レ
ーザーの散乱を利用した方法等によりレティクルを直接
検査するものでは、レティクルを検査した後、レティク
ルを投影m槽上のステージに搬送する。この搬送中にレ
ティクル上に異物が付着することもあり、これは検査で
きないという欠点がある。
ーザーの散乱を利用した方法等によりレティクルを直接
検査するものでは、レティクルを検査した後、レティク
ルを投影m槽上のステージに搬送する。この搬送中にレ
ティクル上に異物が付着することもあり、これは検査で
きないという欠点がある。
また、実際にレティクルパターンを縮小投影したパター
ンをウェハー上のレジストに形成し、このパターンを検
査する方法では、レジストの塗布。
ンをウェハー上のレジストに形成し、このパターンを検
査する方法では、レジストの塗布。
露光、現像というプロセスが必要になるという欠点を有
する。
する。
本発明の目的は前記課題を解決した露光装置を提供する
ことにある。
ことにある。
上述した従来のレティクルパターン欠陥検査装置に対し
、本発明は投影露光装置内でウェハーに投影露光する際
と同じ位置にレティクルを置き、露光光源の光でレティ
クルを照明し、透過した光を検知機により検知して画像
信号に変換し、画像処理により、レティクルパターン欠
陥検査を行うという相違点を有する。
、本発明は投影露光装置内でウェハーに投影露光する際
と同じ位置にレティクルを置き、露光光源の光でレティ
クルを照明し、透過した光を検知機により検知して画像
信号に変換し、画像処理により、レティクルパターン欠
陥検査を行うという相違点を有する。
前記目的を達成するため、本発明に係る露光装置はレテ
ィクルを透過した照明光を検知する検知機と、検知機で
検知した画像信号を処理し、欠陥を検知する画像処理ユ
ニットと、検知機を移動させるステージと、ステージの
動作を制御するステージ制御ユニットと、画像処理ユニ
ット及びステージ制御ユニットを制御する装置制御ユニ
ットとを有するものである。
ィクルを透過した照明光を検知する検知機と、検知機で
検知した画像信号を処理し、欠陥を検知する画像処理ユ
ニットと、検知機を移動させるステージと、ステージの
動作を制御するステージ制御ユニットと、画像処理ユニ
ット及びステージ制御ユニットを制御する装置制御ユニ
ットとを有するものである。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
(実施例1)
第1図は本発明の実施例1を示す模式図である。
図において、ステップ・アンド・リピート縮小投影露光
装置では、照明系11からの光はレティクルステージ1
3上に置かれたレティクル12を照明し、レティクルを
透過した光はレンズ14により縮小され、ウェハーステ
ージ15上のウェハー表面に結像する。このウェハース
テージ15上に、カメラ16を設置する。カメラ16は
ウェハーステージ上に結像したレティクルパターン像の
一部を20倍に拡大し、ウェハー上にして0.5μlの
分解能で画像信号に変換する。この画像信号を高速の画
像処理ユニット19によりディジタル信号に変換し、記
憶する。
装置では、照明系11からの光はレティクルステージ1
3上に置かれたレティクル12を照明し、レティクルを
透過した光はレンズ14により縮小され、ウェハーステ
ージ15上のウェハー表面に結像する。このウェハース
テージ15上に、カメラ16を設置する。カメラ16は
ウェハーステージ上に結像したレティクルパターン像の
一部を20倍に拡大し、ウェハー上にして0.5μlの
分解能で画像信号に変換する。この画像信号を高速の画
像処理ユニット19によりディジタル信号に変換し、記
憶する。
このデータをAとする。
次に、あらかじめ指定されたレティクル内にある別座標
の同型パターンと比較するため、ステージ制御ユニット
17の制御により、ウェハーステージ15を動かし、カ
メラ16が比較するパターン像の下に来るようにする。
の同型パターンと比較するため、ステージ制御ユニット
17の制御により、ウェハーステージ15を動かし、カ
メラ16が比較するパターン像の下に来るようにする。
ここで、再度投影されたレティクルパターン像をカメラ
16により画像信号に変換し、この画像信号を画像処理
ユニット19によりディジタルデータに変換する。この
データをBとする。
16により画像信号に変換し、この画像信号を画像処理
ユニット19によりディジタルデータに変換する。この
データをBとする。
データAとデータBを比較し、異なる部分が欠陥として
検知される。このようにして、ウェハー上にして0.5
μm以上の大きさのレティクルパターン欠陥を検査する
。
検知される。このようにして、ウェハー上にして0.5
μm以上の大きさのレティクルパターン欠陥を検査する
。
(実施例2)
第2図は本発明の実施例2を示す模式図である。
実施例1と同様に照明系21の光でレティクルステージ
23上のレティクル22を照明する。レティクル22と
レンズ24の間に、カメラステージ26に取り付けられ
たカメラ25を入れる。レティクルを透過した光は、カ
メラ25のレンズにより4倍に拡大され、カメラにより
レティクル上にして2.5μlの分解能で画m信号に変
換される。以下、実施例1と同様にして、画像信号を画
像処理ユニット27によりディジタル化する。また、カ
メラのステージ制御ユニット29の制御によりカメラス
テージ26を動かし、カメラ25を比較パターン下に位
置させて、再度この画像をディジタル化し、前データと
比較して、欠陥を検出する。ウェハーへ露光を行う場合
は、カメラステージ26を動かし、カメラ25をレティ
クルの下から退避させる。
23上のレティクル22を照明する。レティクル22と
レンズ24の間に、カメラステージ26に取り付けられ
たカメラ25を入れる。レティクルを透過した光は、カ
メラ25のレンズにより4倍に拡大され、カメラにより
レティクル上にして2.5μlの分解能で画m信号に変
換される。以下、実施例1と同様にして、画像信号を画
像処理ユニット27によりディジタル化する。また、カ
メラのステージ制御ユニット29の制御によりカメラス
テージ26を動かし、カメラ25を比較パターン下に位
置させて、再度この画像をディジタル化し、前データと
比較して、欠陥を検出する。ウェハーへ露光を行う場合
は、カメラステージ26を動かし、カメラ25をレティ
クルの下から退避させる。
この実施例では、カメラステージ26が必要となるが、
実施例1のようにウェハーステージと共用でないため、
カメラステージを小型1軽量化でき、高速動作に有利で
ある。また、実施例1では、5:1縮小投影露光装置の
場合、レティクルパターンが115に縮小されたものを
カメラで拡大し、検出することになる。このため、レテ
ィクル上の欠陥を同じ分解能で検出するのに、実施例2
ではカメラでの拡大倍率が実施例1の115でよく、光
学的な性能が有利となるという利点がある。
実施例1のようにウェハーステージと共用でないため、
カメラステージを小型1軽量化でき、高速動作に有利で
ある。また、実施例1では、5:1縮小投影露光装置の
場合、レティクルパターンが115に縮小されたものを
カメラで拡大し、検出することになる。このため、レテ
ィクル上の欠陥を同じ分解能で検出するのに、実施例2
ではカメラでの拡大倍率が実施例1の115でよく、光
学的な性能が有利となるという利点がある。
以上説明したように本発明は投影露光装置において、ウ
ェハーに露光を行う時と同じ位置にレティクルを置いた
状態でレティクルを透過した照明光を検知して、レティ
クルパターン欠陥を検査することにより、実際にウェハ
ーの露光時と同じ状態でレティクルのパターン欠陥を検
査することができ、検査後、搬送等によりレティクルに
異物が付く恐れがない、また、ウェハー上のレジストで
露光パターンを形成したものを検査する方法で必要とな
るウェハーへのレジスト塗布、露光、現像というプロセ
スが不要となる効果がある。
ェハーに露光を行う時と同じ位置にレティクルを置いた
状態でレティクルを透過した照明光を検知して、レティ
クルパターン欠陥を検査することにより、実際にウェハ
ーの露光時と同じ状態でレティクルのパターン欠陥を検
査することができ、検査後、搬送等によりレティクルに
異物が付く恐れがない、また、ウェハー上のレジストで
露光パターンを形成したものを検査する方法で必要とな
るウェハーへのレジスト塗布、露光、現像というプロセ
スが不要となる効果がある。
第1図は本発明の実施例1を示す模式図、第2図は本発
明の実施例2を示す模式図、第3図は従来のレーザー光
の散乱を用いてレティクルパターン欠陥検査装置を示す
模式図、第4図は従来の画像処理を用いたレティクルパ
ターン欠陥検査装置を示す模式図である。 11、21・・・照明系 12、22.31.41・・・レティクル13、23.
32.35・・・レティクルステージ14、24.36
・・・レンズ 15・・・ウェハーステージ 16、25.46・・・カメラ 17、29.49・・・ステージ制御ユニット18、2
8.48・・・装置制御ユニット19、27.47・・
・画像制御ユニット26・・・カメラステージ 33
・・・レーザー光源34・・・検知機 44・・・ビームスプリッタ 43・・・光源 45・・・対物レンズ
明の実施例2を示す模式図、第3図は従来のレーザー光
の散乱を用いてレティクルパターン欠陥検査装置を示す
模式図、第4図は従来の画像処理を用いたレティクルパ
ターン欠陥検査装置を示す模式図である。 11、21・・・照明系 12、22.31.41・・・レティクル13、23.
32.35・・・レティクルステージ14、24.36
・・・レンズ 15・・・ウェハーステージ 16、25.46・・・カメラ 17、29.49・・・ステージ制御ユニット18、2
8.48・・・装置制御ユニット19、27.47・・
・画像制御ユニット26・・・カメラステージ 33
・・・レーザー光源34・・・検知機 44・・・ビームスプリッタ 43・・・光源 45・・・対物レンズ
Claims (1)
- (1)レティクルを透過した照明光を検知する検知機と
、検知機で検知した画像信号を処理し、欠陥を検知する
画像処理ユニットと、検知機を移動させるステージと、
ステージの動作を制御するステージ制御ユニットと、画
像処理ユニット及びステージ制御ユニットを制御する装
置制御ユニットとを有することを特徴とする露光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1037251A JPH02215118A (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | 露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1037251A JPH02215118A (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | 露光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02215118A true JPH02215118A (ja) | 1990-08-28 |
Family
ID=12492421
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1037251A Pending JPH02215118A (ja) | 1989-02-16 | 1989-02-16 | 露光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02215118A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0926554A2 (en) | 1997-12-25 | 1999-06-30 | Nec Corporation | Image defect detection apparatus and method |
CN102472987A (zh) * | 2009-08-26 | 2012-05-23 | 株式会社尼康 | 曝光装置、曝光方法以及元件制造方法 |
JP2012222355A (ja) * | 2011-04-07 | 2012-11-12 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、デバイス製造方法およびマスクを補正する方法 |
-
1989
- 1989-02-16 JP JP1037251A patent/JPH02215118A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0926554A2 (en) | 1997-12-25 | 1999-06-30 | Nec Corporation | Image defect detection apparatus and method |
CN102472987A (zh) * | 2009-08-26 | 2012-05-23 | 株式会社尼康 | 曝光装置、曝光方法以及元件制造方法 |
JP2012222355A (ja) * | 2011-04-07 | 2012-11-12 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ装置、デバイス製造方法およびマスクを補正する方法 |
US9417519B2 (en) | 2011-04-07 | 2016-08-16 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of correcting a mask |
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