JPH04248448A - 多層配線基板の検査方法 - Google Patents
多層配線基板の検査方法Info
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- JPH04248448A JPH04248448A JP1312391A JP1312391A JPH04248448A JP H04248448 A JPH04248448 A JP H04248448A JP 1312391 A JP1312391 A JP 1312391A JP 1312391 A JP1312391 A JP 1312391A JP H04248448 A JPH04248448 A JP H04248448A
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- Japan
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- light
- viahole
- multilayer wiring
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- wiring board
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- Pending
Links
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Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は多層配線基板の検査方法
に関し、フォトリソグラフィ法により絶縁層の形成を行
なう多層配線基板の検査に関する。
に関し、フォトリソグラフィ法により絶縁層の形成を行
なう多層配線基板の検査に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、高分子膜を絶縁層として用いる多
層配線基板であって、特に、その高分子膜を感光性の高
分子前駆体を用いて形成する場合、感光性の高分子前駆
体を基板の表面に塗布乾燥させ、所望の回路パターンを
露光した後、現像処理を行い、これを顕微鏡を用いて現
像処理の良否を検査していた。
層配線基板であって、特に、その高分子膜を感光性の高
分子前駆体を用いて形成する場合、感光性の高分子前駆
体を基板の表面に塗布乾燥させ、所望の回路パターンを
露光した後、現像処理を行い、これを顕微鏡を用いて現
像処理の良否を検査していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の多層配
線基板の検査方法は、顕微鏡観察によるものであるため
、検査者に熟練度が要求される。また、一般に多層配線
基板は検査箇所が多いため、不良の箇所を見落としてし
まうことがある。
線基板の検査方法は、顕微鏡観察によるものであるため
、検査者に熟練度が要求される。また、一般に多層配線
基板は検査箇所が多いため、不良の箇所を見落としてし
まうことがある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の多層配線基板の
検査方法は、感光性高分子前駆体を用いて高分子絶縁層
を形成する多層配線基板にあって、現像処理後の前記感
光性高分子前駆体に感光領域の光を照射し、その照射光
量と反射光量との比率に基づいて前記感光性高分子前駆
体の現像処理の良否を判断する。
検査方法は、感光性高分子前駆体を用いて高分子絶縁層
を形成する多層配線基板にあって、現像処理後の前記感
光性高分子前駆体に感光領域の光を照射し、その照射光
量と反射光量との比率に基づいて前記感光性高分子前駆
体の現像処理の良否を判断する。
【０００５】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００６】図１は本発明の一実施例の概要を示す説明
図である。図１において、セラミック基板上１にフォト
リソグラフィ法により金属の導体パターン２を形成する
。高分子絶縁膜としては、種々考えられるが、本実施例
では、例えば、ポリイミドを使用する。金属の導体配線
パターン２上に波長４３６ｎｍの光に感光するネガ型ポ
リイミド前駆体を均一に塗布し、これをオーブンで乾燥
する。そして、この膜に４３６ｎｍの光を除去したい箇
所だけ遮光するガラスマスクを通して照射し現像する。
図である。図１において、セラミック基板上１にフォト
リソグラフィ法により金属の導体パターン２を形成する
。高分子絶縁膜としては、種々考えられるが、本実施例
では、例えば、ポリイミドを使用する。金属の導体配線
パターン２上に波長４３６ｎｍの光に感光するネガ型ポ
リイミド前駆体を均一に塗布し、これをオーブンで乾燥
する。そして、この膜に４３６ｎｍの光を除去したい箇
所だけ遮光するガラスマスクを通して照射し現像する。
【０００７】この現像処理後のポリイミド前駆体膜３を
本発明の検査方法により検査する。まず、２０μｍの膜
厚で絶縁層を形成する場合、通常４０μｍ□のヴィアホ
ールが形成されるため、例えば、光源４から出射した波
長４３６ｎｍの光を絞り５とレンズ６とを通して４０μ
ｍ□に絞り、ヴィアホール部に照射する。そして、この
ときの反射光量を受光器７で測定する。
本発明の検査方法により検査する。まず、２０μｍの膜
厚で絶縁層を形成する場合、通常４０μｍ□のヴィアホ
ールが形成されるため、例えば、光源４から出射した波
長４３６ｎｍの光を絞り５とレンズ６とを通して４０μ
ｍ□に絞り、ヴィアホール部に照射する。そして、この
ときの反射光量を受光器７で測定する。
【０００８】ここで、完全に現像されたヴィアホール８
に照射した場合、予め測定しておいた照射光量とこの反
射光量とは等しくなる。しかしながら、現像残膜のある
ヴィアホール９に照射された場合、波長４３６ｎｍの光
はこの現像残膜１０によって吸収されるため、照射光量
に比較して反射光量は少なくなる。
に照射した場合、予め測定しておいた照射光量とこの反
射光量とは等しくなる。しかしながら、現像残膜のある
ヴィアホール９に照射された場合、波長４３６ｎｍの光
はこの現像残膜１０によって吸収されるため、照射光量
に比較して反射光量は少なくなる。
【０００９】このように、照射光量と反射光量とを比較
することにより現像の処理状態を把握することが可能と
なる。また、ヴィアホール部の金属配線部１１からの光
の反射が全反射である場合には、照射光量と反射光量と
の比を求めれば、ランベルトベールの法則により現像残
膜の膜厚を推測することができる。
することにより現像の処理状態を把握することが可能と
なる。また、ヴィアホール部の金属配線部１１からの光
の反射が全反射である場合には、照射光量と反射光量と
の比を求めれば、ランベルトベールの法則により現像残
膜の膜厚を推測することができる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、感光性の
高分子前駆体膜の現像処理の検査において、感光性高分
子膜の感光領域の光の照射光量と反射光量とを比較する
ことにより、現像処理の良否を判断することができる。 また、照射光量と反射光量との比から現像残膜の膜厚を
推測することもできる。
高分子前駆体膜の現像処理の検査において、感光性高分
子膜の感光領域の光の照射光量と反射光量とを比較する
ことにより、現像処理の良否を判断することができる。 また、照射光量と反射光量との比から現像残膜の膜厚を
推測することもできる。
【００１１】更に、現像除去される基板上の位置を記憶
させておき、ステージの駆動等により順次この位置を検
査する機構を設けることにより、現像後の検査を自動化
できる利点がある。
させておき、ステージの駆動等により順次この位置を検
査する機構を設けることにより、現像後の検査を自動化
できる利点がある。
【図１】本発明の一実施例の概要を示す説明図である。
１ セラミック器
２ 金属の導体パターン
３ 現像後のポリイミド前駆体膜４ 光源
５ 絞り
６ レンズ
７ 受光器
８ 完全に現像されたヴィアホール９ 現
像残膜のあるヴィアホール１０ 現像残膜
像残膜のあるヴィアホール１０ 現像残膜
Claims (1)
- 【請求項１】 感光性高分子前駆体を用いて高分子絶
縁層を形成する多層配線基板にあって、現像処理後の前
記感光性高分子前駆体に感光領域の光を照射し、その照
射光量と反射光量との比率に基づいて前記感光性高分子
前駆体の現像処理の良否を判断することを特徴とする多
層配線基板の検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1312391A JPH04248448A (ja) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | 多層配線基板の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1312391A JPH04248448A (ja) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | 多層配線基板の検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04248448A true JPH04248448A (ja) | 1992-09-03 |
Family
ID=11824387
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1312391A Pending JPH04248448A (ja) | 1991-02-04 | 1991-02-04 | 多層配線基板の検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04248448A (ja) |
-
1991
- 1991-02-04 JP JP1312391A patent/JPH04248448A/ja active Pending
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