JPH07280739A - 異物検査方法 - Google Patents

異物検査方法

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JPH07280739A
JPH07280739A JP6069464A JP6946494A JPH07280739A JP H07280739 A JPH07280739 A JP H07280739A JP 6069464 A JP6069464 A JP 6069464A JP 6946494 A JP6946494 A JP 6946494A JP H07280739 A JPH07280739 A JP H07280739A
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JP
Japan
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foreign matter
photoresist
semiconductor substrate
gel
foreign
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Pending
Application number
JP6069464A
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English (en)
Inventor
Hirobumi Fukumoto
博文 福本
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
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Publication date
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Priority to JP7156199A priority patent/JPH095250A/ja
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Publication of JPH07280739A publication Critical patent/JPH07280739A/ja
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers

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  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Lasers (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 パターン欠陥を誘発するゲル状異物を確実に
検出する。 【構成】 半導体基板１１上にフォトレジスト１２を回
転塗布してから（ａ）、ステッパー等の露光装置を用い
て紫外線１４を照射し、全面感光させる（ｂ）。感光さ
せたフォトレジスト１２をアルカリ現像液で除去してか
ら（ｃ）、半導体基板１１にレーザー光を照射してその
散乱光から異物を検査する（ｄ）。さらに工程ｃ，ｄ間
で、半導体基板１１をホットプレート１５で加熱しなが
ら紫外線１４を照射してもよい（ｅ）。 【効果】 ゲル状異物はフォトレジスト１２を露光・現
像しても半導体基板１１上に残るので、その有無を確実
に検出できる。工程ｅを付加することで、ゲル状異物に
重合反応を起こさせ、その形状変化を抑制できるので、
有無検出がより容易なものとなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体基板上に塗布さ
れたフォトレジスト（感光性樹脂も含む）中に含まれる
ゲル状異物を検出する異物検査方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来のフォトレジスト膜中の異物
を検査する異物検査装置の構造図である。従来、上記機
種の異物検査装置は、半導体基板１をステージ２に搭載
し、ステージ２を移動させながらレーザー光３を半導体
基板１に照射する。このとき、半導体基板１上のフォト
レジスト膜中にゲル状異物が存在すれば、レーザー光３
はこの異物により散乱される。それが散乱光ディテクタ
ー４で検知されて、半導体基板１上に異物の存在してい
ることが検出される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図４（ａ），（ｂ）は
本発明が解決しようとする課題を説明するための半導体
基板の部分断面図である。上記記載のフォトレジスト膜
中異物検査装置では、たとえば、図４（ａ）に示すよう
なゲル状異物５がフォトレジスト膜６中に存在していた
場合、非常に検出しにくい。また、図４（ｂ）に示すよ
うに、フォトレジスト膜６の現像後に、パターン７間に
ゲル状異物５が存在していた場合でも、周囲のフォトレ
ジストパターン７が光を乱反射させて異物を検出するこ
とが困難である。特に、図４（ｂ）のようなパターン７
間にゲル状異物３が存在した場合、パターン欠陥の原因
となる問題がある。
【０００４】本発明は、上記課題を解消すべく、レジス
トパターン間に存在するゲル状異物を確実に検出するフ
ォトレジスト膜中異物検査方法を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明のフォトレジスト膜中異物検査方法は、半導体
基板上にフォトレジストを回転塗布する工程と、塗布さ
れたフォトレジストを紫外線を用いて感光させる工程
と、感光させたフォトレジストをアルカリ現像液で除去
する工程と、フォトレジストが除去された半導体基板面
にレーザー光を照射して散乱光から異物の有無を検査す
る工程を備えている。
【０００６】また、フォトレジストをアルカリ現像液で
除去する工程後に、不活性雰囲気中においてホットプレ
ートで２００度前後で加熱しながら紫外光を照射する工
程を備えている。
【０００７】
【作用】本発明によれば、フォトレジストを感光させ、
さらに現像して除去することで、フォトレジスト膜中あ
るいはパターン間にゲル状異物があったときには、それ
を露呈させるので、これまで使用されてきた異物検査装
置で確実にその有無を検出できる。
【０００８】
【実施例】図１は、本発明によるフォトレジスト膜中の
ゲル状異物検査方法の工程を示す。図１の工程図を参照
しながらその第１の実施例について説明すると、この方
法は、まず半導体基板１１上にフォトレジスト１２を回
転塗布する第１の工程（図１（ａ））と、塗布されたフ
ォトレジスト１２をステッパー等の露光装置を用いて紫
外線１４を照射し、半導体基板１１上のフォトレジスト
１２を全面感光させる第２の工程（図１（ｂ））と、感
光させたフォトレジスト１２をアルカリ現像液で除去す
る第３の工程（図１（ｃ））と、フォトレジスト１２が
除去された半導体基板１１にレーザー光を照射して、そ
の表面での散乱光から異物の有無を検査する第４の工程
（図１（ｄ））とを備えている。
【０００９】フォトレジスト１２中の異物は、通常、ゲ
ル状異物と考えられる。これは露光・現像をしても溶解
しない。この性質を利用して、フォトレジスト１２の露
光・現像で半導体基板１１上にゲル状異物を残すことが
できる。すなわち、本実施例の方法では、フォトレジス
ト１２を感光させ、さらに現像して除去するので、フォ
トレジスト１２中もしくはパターン間にゲル状異物があ
ったときには、それがフォトレジスト１２の除去で露呈
する。ゲル状異物の有無は、これまで使用されてきた異
物検査装置で確実に検出することができる。
【００１０】ところで、フォトレジストに起因するゲル
状異物は、放置するとその形状が変化して検出しにくい
形状、すなわちその高さが低くなる。これは、ゲル状異
物に水分が多量に含まれており、この水分が蒸発するた
めに生じると考えられる。
【００１１】このようなゲル状異物の形状の変化、それ
による有無検出の困難さを解消する方法として、次の第
２の実施例がある。すなわち、第３の工程と第４の工程
との間に、ホットプレート１５上に半導体基板１１を載
置し、窒素（Ｎ2）などの不活性雰囲気中において、ホ
ットプレート１５で半導体基板１１を１５０〜２００℃
の範囲内の温度になるよう加熱しながら紫外線１４を照
射する第５の工程（図１（ｅ））を設ける。
【００１２】この第５の工程において、ゲル状異物に重
合反応を起こさせて、その形状が変化していくことを抑
制でき、フォトレジスト１２の除去後、検査するまでの
時間が長くなると、異物の有無検出が困難になるという
不都合を解消することができる。
【００１３】図２は、ゲル状異物検査用半導体基板を作
製してから異物の有無を検査するまでの経過時間毎に、
上述の実施例の方法で検出したゲル状異物の個数を表し
ている。
【００１４】図２において、Ａは第１の実施例の方法に
よる異物検出数の推移を示し、Ｂは上述の第２の実施例
による異物検出数の推移を示している。
【００１５】これから明らかなように、第１の実施例に
よれば、ゲル状異物検査用半導体基板の作製後、短時間
のうちに異物の有無を検査することが望ましい。一方、
第２の実施例によれば、ゲル状異物検査用半導体基板を
作製してから異物の有無検査までにかなりの時間をおい
ても、容易にゲル状異物の有無を検出することができ
る。
【００１６】上述の異物検査方法を適用することで、こ
れまで長時間を要していた異物の有無を短時間で確認す
ることができ、製造ラインでの運用することができる。
【００１７】
【発明の効果】本発明は、フォトレジストを感光し現像
により除去することで、フォトレジスト中あるいはパタ
ーン間に存在するゲル状異物を確実に検出することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の異物検査方法の工程図
【図２】本発明の方法により検出したゲル状異物の個数
の経時変化を示す図
【図３】従来の異物検査装置の構成の一例を示す図
【図４】従来の異物検査装置で検査していた半導体基板
の断面図
【符号の説明】
１１ 半導体基板 １２ フォトレジスト １３ ゲル状異物 １４ 紫外線 １５ ホットプレート

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体基板上にフォトレジストを回転塗
    布する工程と、塗布されたフォトレジストを紫外線を用
    いて感光させる工程と、感光させた前記フォトレジスト
    をアルカリ現像液で除去する工程と、前記フォトレジス
    トが除去された前記半導体基板面にレーザー光を照射し
    て散乱光から異物の有無を検査する工程を備えたことを
    特徴とする異物検査方法。
  2. 【請求項２】 前記フォトレジストをアルカリ現像液で
    除去する工程後、不活性雰囲気中においてホットプレー
    トで２００度前後で加熱しながら紫外光を照射する工程
    を備えた請求項１記載の異物検査方法。
JP6069464A 1994-04-07 1994-04-07 異物検査方法 Pending JPH07280739A (ja)

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