JP2003287877A - フォトマスクの製造方法 - Google Patents
フォトマスクの製造方法Info
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- JP2003287877A JP2003287877A JP2003014723A JP2003014723A JP2003287877A JP 2003287877 A JP2003287877 A JP 2003287877A JP 2003014723 A JP2003014723 A JP 2003014723A JP 2003014723 A JP2003014723 A JP 2003014723A JP 2003287877 A JP2003287877 A JP 2003287877A
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- Japan
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- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 異物付着がなく高品質のレジストパターンフ
ォトマスクを提供することができるフォトマスクの製造
方法を提供することを課題とする。 【解決手段】 基板（１）上に直接レジスト（３）を塗
布し、これをパターニングしてレジストパターンのフォ
トマスクを作製する方法であって、基板にレジスト塗布
（２）し、露光描画（４）、現像処理（６）を行って、
レジストパターン（７）を形成した後、検査工程（１
０，１２）前にペリクル（８）装着を行うことを特徴と
するフォトマスクの製造方法。
ォトマスクを提供することができるフォトマスクの製造
方法を提供することを課題とする。 【解決手段】 基板（１）上に直接レジスト（３）を塗
布し、これをパターニングしてレジストパターンのフォ
トマスクを作製する方法であって、基板にレジスト塗布
（２）し、露光描画（４）、現像処理（６）を行って、
レジストパターン（７）を形成した後、検査工程（１
０，１２）前にペリクル（８）装着を行うことを特徴と
するフォトマスクの製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトマスクの製
造方法に関するものである。詳しく述べると本発明は、
異物付着がなく高品質のレジストパターンフォトマスク
を製造する方法に関する。
造方法に関するものである。詳しく述べると本発明は、
異物付着がなく高品質のレジストパターンフォトマスク
を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＬＳＩ、ＬＣＤ、ＰＷＢ等の製造におい
て用いられるフォトマスクは、従来、ガラス等の透明基
板上に、クロム等の金属薄膜を堆積して遮光膜を形成
し、この遮光膜上に、光又は電子線エネルギーに感光す
るレジストを塗布し、半導体デバイス設計データに基づ
きマスクパターンデータを光または電子線描画装置にて
露光描画した後、現像処理してレジストパターンを形成
し、引続きこのレジストパターンをマスクとして、ウェ
ットまたはドライエッチングにて遮光膜をパターニング
し、最終的に金属パターン（遮光膜）のハードマスクを
形成することにより製造されていた。そして、その後、
レジスト膜を剥離し、洗浄後、寸法・位置精度、外観等
の検査と欠陥修正を行い最洗浄後、ペリクルを装着し最
終検査を経てユーザーに供給されていた。
て用いられるフォトマスクは、従来、ガラス等の透明基
板上に、クロム等の金属薄膜を堆積して遮光膜を形成
し、この遮光膜上に、光又は電子線エネルギーに感光す
るレジストを塗布し、半導体デバイス設計データに基づ
きマスクパターンデータを光または電子線描画装置にて
露光描画した後、現像処理してレジストパターンを形成
し、引続きこのレジストパターンをマスクとして、ウェ
ットまたはドライエッチングにて遮光膜をパターニング
し、最終的に金属パターン（遮光膜）のハードマスクを
形成することにより製造されていた。そして、その後、
レジスト膜を剥離し、洗浄後、寸法・位置精度、外観等
の検査と欠陥修正を行い最洗浄後、ペリクルを装着し最
終検査を経てユーザーに供給されていた。
【０００３】このためマスク製作工程には、比較的長時
間を要し、また得られたマスクは価格的にも高価なもの
となっている。
間を要し、また得られたマスクは価格的にも高価なもの
となっている。
【０００４】先に述べたようなフォトマスク（レチク
ル）の所期のパターンをウェハに転写するために用いら
れるウェハ露光装置の光源としては、ＬＳＩ等のパター
ンの微細化に対応するために、漸次、波長の短いものへ
とシフトしてきており、露光波長はｇ線（436nm）から
ｉ線（365nm）となり、そしてＫｒＦ(248nm)、更に今後
はＡｒＦ(193nm）といったエキシマーレーザーを使用す
るようになってきている。
ル）の所期のパターンをウェハに転写するために用いら
れるウェハ露光装置の光源としては、ＬＳＩ等のパター
ンの微細化に対応するために、漸次、波長の短いものへ
とシフトしてきており、露光波長はｇ線（436nm）から
ｉ線（365nm）となり、そしてＫｒＦ(248nm)、更に今後
はＡｒＦ(193nm）といったエキシマーレーザーを使用す
るようになってきている。
【０００５】ここで、開発半導体デバイスの動作特性評
価等の目的のみであれば、上記したような短波長の露光
光を透過しない遮光型レジスト材を用いて、透明基板上
に直接当該遮光型レジストを塗布し、これをパターニン
グして遮光レジストパターンのフォトマスク（以下、
「遮光レジストパターンフォトマスク」と称する。）を
作製し、簡単な異物検査と寸法測定を経たのちに、ウェ
ハへのパターン転写に供しても、その特性評価という目
的は十分に達しうると考えられる。
価等の目的のみであれば、上記したような短波長の露光
光を透過しない遮光型レジスト材を用いて、透明基板上
に直接当該遮光型レジストを塗布し、これをパターニン
グして遮光レジストパターンのフォトマスク（以下、
「遮光レジストパターンフォトマスク」と称する。）を
作製し、簡単な異物検査と寸法測定を経たのちに、ウェ
ハへのパターン転写に供しても、その特性評価という目
的は十分に達しうると考えられる。
【０００６】なお、特許文献１には、このように基板上
に直接レジストによるレジストパターンを形成するレチ
クルが提案されている。
に直接レジストによるレジストパターンを形成するレチ
クルが提案されている。
【特許文献１】特開平５−２８９３０７号公報
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな遮光レジストパターンフォトマスクを作製する場合
においては、（１）描画・現像後の寸法及び外観検査の
プロセスにおいて付着した異物を、洗浄除去することが
（レジストという物理的にも化学的にも洗浄耐久性のな
いものを用いているために）実質的に不可能であり、ま
た（２）スピンコーター等でレジストを塗布時に、基板
側面、裏面及び表面縁に付着したレジストが、パターン
描画時のカセットに基板挿入時や導通コンタクト針接触
時や、また現像処理装置での基板搬送等で剥離しパター
ン形成部に付着してしまうといった問題が生じる可能性
が大きいものであった。
うな遮光レジストパターンフォトマスクを作製する場合
においては、（１）描画・現像後の寸法及び外観検査の
プロセスにおいて付着した異物を、洗浄除去することが
（レジストという物理的にも化学的にも洗浄耐久性のな
いものを用いているために）実質的に不可能であり、ま
た（２）スピンコーター等でレジストを塗布時に、基板
側面、裏面及び表面縁に付着したレジストが、パターン
描画時のカセットに基板挿入時や導通コンタクト針接触
時や、また現像処理装置での基板搬送等で剥離しパター
ン形成部に付着してしまうといった問題が生じる可能性
が大きいものであった。
【０００８】従って本発明は、異物付着がなく高品質、
高歩留の遮光レジストパターンフォトマスクを提供する
ことができるフォトマスクの製造方法を提供することを
課題とする。
高歩留の遮光レジストパターンフォトマスクを提供する
ことができるフォトマスクの製造方法を提供することを
課題とする。
【０００９】また本発明は、安価かつ短期間でフォトマ
スクを製造できるフォトマスクの製造方法を提供するこ
とを課題とする。
スクを製造できるフォトマスクの製造方法を提供するこ
とを課題とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題は、透明基板上
に直接遮光型レジストを塗布し、これをパターニングし
て遮光レジストパターンのフォトマスクを作製する方法
であって、基板に遮光型レジストを塗布し、露光描画、
現像処理を行って、遮光レジストパターンを形成した
後、検査工程前にペリクル装着を行うことを特徴とする
フォトマスクの製造方法により達成される。
に直接遮光型レジストを塗布し、これをパターニングし
て遮光レジストパターンのフォトマスクを作製する方法
であって、基板に遮光型レジストを塗布し、露光描画、
現像処理を行って、遮光レジストパターンを形成した
後、検査工程前にペリクル装着を行うことを特徴とする
フォトマスクの製造方法により達成される。
【００１１】露光描画、現像処理後、直ちに遮光レジス
トパターン上にペリクルを装着することにより、遮光レ
ジストパターンフォトマスク表面を保護しているため
に、その後の寸法及び外観検査といった検査工程におい
て遮光レジストパターン上に異物付着する恐れがなく、
欠陥のない高品質の遮光レジストパターンフォトマスク
を提供することができる。
トパターン上にペリクルを装着することにより、遮光レ
ジストパターンフォトマスク表面を保護しているため
に、その後の寸法及び外観検査といった検査工程におい
て遮光レジストパターン上に異物付着する恐れがなく、
欠陥のない高品質の遮光レジストパターンフォトマスク
を提供することができる。
【００１２】上記課題はまた、基板上に直接遮光型レジ
ストを塗布し、これをパターニングして遮光レジストパ
ターンのフォトマスクを作製する方法であって、基板に
遮光型レジスト塗布し、露光描画、現像処理を行って、
レジスト遮光パターンを形成した後、検査工程前に仮の
ペリクルを装着し、その後検査工程を経て、検査合格し
たフォトマスクにおいて仮ペリクルを本ペリクルに張替
えることを特徴とするフォトマスクの製造方法により達
成される。
ストを塗布し、これをパターニングして遮光レジストパ
ターンのフォトマスクを作製する方法であって、基板に
遮光型レジスト塗布し、露光描画、現像処理を行って、
レジスト遮光パターンを形成した後、検査工程前に仮の
ペリクルを装着し、その後検査工程を経て、検査合格し
たフォトマスクにおいて仮ペリクルを本ペリクルに張替
えることを特徴とするフォトマスクの製造方法により達
成される。
【００１３】この場合も前記同様に、寸法及び外観検査
といった検査工程においてレジストパターン上に異物付
着する恐れがなく、高品質、高歩留のレジスト遮光パタ
ーンフォトマスクを提供することができ、さらに、コス
トの高いペリクルを検査不合格製品に対して使用しなく
てすむので、製造コストの削減が可能となる。
といった検査工程においてレジストパターン上に異物付
着する恐れがなく、高品質、高歩留のレジスト遮光パタ
ーンフォトマスクを提供することができ、さらに、コス
トの高いペリクルを検査不合格製品に対して使用しなく
てすむので、製造コストの削減が可能となる。
【００１４】上記課題はさらに、図５に示す基本プロセ
スにおいて基板上に直接遮光型レジストを塗布し、これ
をパターニングしてレジスト遮光パターンのフォトマス
クを作製する方法であって、レジスト塗布、露光描画、
現像処理、検査、ぺリクル装着、および最終検査までの
一連の工程を、閉鎖系の処理システム内において行うこ
とを特徴とするフォトマスクの製造方法により達成され
る。
スにおいて基板上に直接遮光型レジストを塗布し、これ
をパターニングしてレジスト遮光パターンのフォトマス
クを作製する方法であって、レジスト塗布、露光描画、
現像処理、検査、ぺリクル装着、および最終検査までの
一連の工程を、閉鎖系の処理システム内において行うこ
とを特徴とするフォトマスクの製造方法により達成され
る。
【００１５】また、上記したように、検査工程前にぺリ
クルまたは仮ペリクルを装着する本発明の方法にあって
も、レジスト塗布から検査までの一連の工程を、閉鎖系
の処理システム内において行うことが望ましい。
クルまたは仮ペリクルを装着する本発明の方法にあって
も、レジスト塗布から検査までの一連の工程を、閉鎖系
の処理システム内において行うことが望ましい。
【００１６】このように本発明においては、閉鎖系にお
いてレジスト遮光フォトマスクの作成を一貫して処理す
ることで、系外に搬出されることによる異物付着の可能
性が低減され、製品の品質向上および歩留りの向上が期
待できるものとなる。
いてレジスト遮光フォトマスクの作成を一貫して処理す
ることで、系外に搬出されることによる異物付着の可能
性が低減され、製品の品質向上および歩留りの向上が期
待できるものとなる。
【００１７】さらに上記課題を解決する本発明は、基板
上に直接遮光型レジストを塗布し、これをパターニング
してレジスト遮光パターンのフォトマスクを作製する方
法であって、基板に遮光型レジスト塗布時、また塗布後
基板の基板の側面および裏面、また表面縁に付着したレ
ジストを洗浄除去した後、露光描画、現像処理を行って
レジスト遮光パターンを形成することを特徴とするフォ
トマスクの製造方法である。
上に直接遮光型レジストを塗布し、これをパターニング
してレジスト遮光パターンのフォトマスクを作製する方
法であって、基板に遮光型レジスト塗布時、また塗布後
基板の基板の側面および裏面、また表面縁に付着したレ
ジストを洗浄除去した後、露光描画、現像処理を行って
レジスト遮光パターンを形成することを特徴とするフォ
トマスクの製造方法である。
【００１８】さらに、上記したような検査工程前にぺリ
クルまたは仮ペリクルを装着する本発明の方法あるいは
閉鎖系において一連の操作を行う本発明の方法にあって
も、同様に基板に遮光型レジスト塗布時、また塗布後基
板の側面および裏面、また表面縁に付着したレジストを
除去した基板を用いて、露光描画、現像処理を行ってレ
ジストパターンを形成することが好ましい。
クルまたは仮ペリクルを装着する本発明の方法あるいは
閉鎖系において一連の操作を行う本発明の方法にあって
も、同様に基板に遮光型レジスト塗布時、また塗布後基
板の側面および裏面、また表面縁に付着したレジストを
除去した基板を用いて、露光描画、現像処理を行ってレ
ジストパターンを形成することが好ましい。
【００１９】これにより、レジスト塗布の際に、基板の
側面および反対面に付着したレジストが、描画時、現像
処理装置での搬送時等で剥離し、パターン形成部に付着
して異物となってしまう問題が解消される。
側面および反対面に付着したレジストが、描画時、現像
処理装置での搬送時等で剥離し、パターン形成部に付着
して異物となってしまう問題が解消される。
【００２０】なお、本発明の上記したフォトマスクの製
造方法において、前記レジストは、ウェハ露光波長に対
して遮光性を有することを特徴とするものである。ウェ
ハ露光波長に対して、レジストが遮光性を有しないと、
フォトマスクとしての使用が困難となるためである。
造方法において、前記レジストは、ウェハ露光波長に対
して遮光性を有することを特徴とするものである。ウェ
ハ露光波長に対して、レジストが遮光性を有しないと、
フォトマスクとしての使用が困難となるためである。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下本発明を、半導体集積回路の
製造工程の露光工程において、所定の集積回路パターン
をウェハ上に転写する原版としてのフォトマスク（レチ
クル）の場合を例にとり、図面に示した実施の形態に基
づき詳細に説明する。検査前のペリクル装着 ウェハ露光波長に対し遮光性を持つレジスト材を以降遮
光型レジストと呼ぶ、また同レジストを用いて形成され
たレジストパターンフォトマスクをレジスト遮光パター
ンフォトマスク、またはレジスト遮光パターンと呼ぶ。
製造工程の露光工程において、所定の集積回路パターン
をウェハ上に転写する原版としてのフォトマスク（レチ
クル）の場合を例にとり、図面に示した実施の形態に基
づき詳細に説明する。検査前のペリクル装着 ウェハ露光波長に対し遮光性を持つレジスト材を以降遮
光型レジストと呼ぶ、また同レジストを用いて形成され
たレジストパターンフォトマスクをレジスト遮光パター
ンフォトマスク、またはレジスト遮光パターンと呼ぶ。
【００２２】レジスト遮光パターンフォトマスク製作の
基本プロセスは、図５に示すように基板準備３８し、遮
光型レジスト塗布２後、パターン露光４、現像、後処理
６を行い、透明基板１上にレジスト遮光パターン７を形
成する。その後寸法検査１０、欠陥検査１２の検査を行
い良品であることを確認の上、ペリクル装着８を経てペ
リクル９を装着して、ペリクル装着後の異物検査２５を
行い合格したマスクを梱包、出荷２２を経て出荷され
る。また寸法検査１０、欠陥検査１２、ペリクル装着後
の異物検査２５にて不合格になったマスクは、再生処理
２４を経て再生され使用される。
基本プロセスは、図５に示すように基板準備３８し、遮
光型レジスト塗布２後、パターン露光４、現像、後処理
６を行い、透明基板１上にレジスト遮光パターン７を形
成する。その後寸法検査１０、欠陥検査１２の検査を行
い良品であることを確認の上、ペリクル装着８を経てペ
リクル９を装着して、ペリクル装着後の異物検査２５を
行い合格したマスクを梱包、出荷２２を経て出荷され
る。また寸法検査１０、欠陥検査１２、ペリクル装着後
の異物検査２５にて不合格になったマスクは、再生処理
２４を経て再生され使用される。
【００２３】これらの基本プロセスでのマスク製作で
は、寸法検査１０、欠陥検査１２工程にて異物付着によ
る不良となる可能性が高い問題がある。
は、寸法検査１０、欠陥検査１２工程にて異物付着によ
る不良となる可能性が高い問題がある。
【００２４】第１の発明においては、基板に遮光型レジ
スト塗布し、露光描画、現像処理を行って、レジスト遮
光パターンを形成した後、検査工程前にペリクル装着を
行うことを特徴とする。
スト塗布し、露光描画、現像処理を行って、レジスト遮
光パターンを形成した後、検査工程前にペリクル装着を
行うことを特徴とする。
【００２５】すなわち、第１図に示す実施形態に示すよ
うに、レジスト遮光パターンフォトマスクの製造方法に
おいて、同マスク製作プロセスの欠陥低減目的で、透明
基板１に遮光型レジスト塗布２にて塗布後、電子線によ
るパターン露光描画４にて遮光型レジスト塗布基板４５
に電子線照射５し、次に現像、後処理６にて現像を行
い、レジスト遮光パターン７を形成する。レジスト遮光
パターン７は、化学的洗浄および物理的洗浄に耐えられ
ないことから、プロセスハンドリング等による異物１３
付着を防止する目的から、寸法検査１０や欠陥検査１２
の検査工程にかける前にペリクル９を装着する。その後
寸法検査１０では、反射光１６を用いて寸法測定、や位
置精度測定を行い、次に欠陥検査１２では、反射光１０
や透過光１７を反射光検出器１８や透過光検出器１９を
経て取り込み判定回路２０に保存する。欠陥検査１２終
了後、欠陥をコールして、異物１３、レジスト欠陥１４
の有無による合否判定２１を行い、合格品のレジスト遮
光パターンフォトマスクが梱包、出荷工程２２を経て出
荷される。
うに、レジスト遮光パターンフォトマスクの製造方法に
おいて、同マスク製作プロセスの欠陥低減目的で、透明
基板１に遮光型レジスト塗布２にて塗布後、電子線によ
るパターン露光描画４にて遮光型レジスト塗布基板４５
に電子線照射５し、次に現像、後処理６にて現像を行
い、レジスト遮光パターン７を形成する。レジスト遮光
パターン７は、化学的洗浄および物理的洗浄に耐えられ
ないことから、プロセスハンドリング等による異物１３
付着を防止する目的から、寸法検査１０や欠陥検査１２
の検査工程にかける前にペリクル９を装着する。その後
寸法検査１０では、反射光１６を用いて寸法測定、や位
置精度測定を行い、次に欠陥検査１２では、反射光１０
や透過光１７を反射光検出器１８や透過光検出器１９を
経て取り込み判定回路２０に保存する。欠陥検査１２終
了後、欠陥をコールして、異物１３、レジスト欠陥１４
の有無による合否判定２１を行い、合格品のレジスト遮
光パターンフォトマスクが梱包、出荷工程２２を経て出
荷される。
【００２６】なお、不合格２３の場合、再生処理２４を
行い透明基板１は再度使用される。
行い透明基板１は再度使用される。
【００２７】透明基板１としては、一般的に短波長向き
の石英ガラス基板が用いられるがこれに限定されるもの
ではない。
の石英ガラス基板が用いられるがこれに限定されるもの
ではない。
【００２８】レジスト遮光パターンが基板上に堆積され
る遮光型レジスト３材としては、電子線または光に対し
て感光性であり、かつ得られたフォトマスクのレジスト
遮光パターン７をウェハに転写する際の露光装置の露光
波長、例えばｉ線（365nm）、ＫｒＦ(248nm)、ＡｒＦ(1
93nm)といった紫外光に対して、透過性の実質的に低い
ものが用いられ、特に、ＫｒＦ(248nm)、ＡｒＦ(193nm)
などのエキシマーレーザー光に対して、透過率がほぼゼ
ロ、すなわち１％未満、望ましくは０．５％未満、さら
に実際的には０．１％未満のものが好ましい。このよう
にウェハへのパターン転写の際に用いられる露光波長に
対してレジストの光透過性が低ければ、形成されたレチ
クルの遮光部となり、パターン転写が可能となる。遮光
型レジスト３としては、このような特性を有するもので
あれば特に限定されるものではなく、ポジ型、ネガ型の
いずれのものを用いることも可能である。具体的には、
例えば、ノボラック樹脂とキノンジアジドとの組成物な
どと、ノボラック樹脂とポリメチルペンテン−１−スル
ホンとの組成物などのノボラック型レジストと、α−メ
チルスチレンとα−クロロアクリル酸メチルの共重合
体、ノボラック樹脂やフェノール樹脂にインヒビタおよ
び酸発生剤等を配合した化学増幅型レジスト等のポジ型
のもの、あるいはクロロメチル化ポリスチレンを主成分
とするものなどの架橋型レジスト等ネガ型のものなどを
例示することができるが、これらに限定されるわけでは
ない。
る遮光型レジスト３材としては、電子線または光に対し
て感光性であり、かつ得られたフォトマスクのレジスト
遮光パターン７をウェハに転写する際の露光装置の露光
波長、例えばｉ線（365nm）、ＫｒＦ(248nm)、ＡｒＦ(1
93nm)といった紫外光に対して、透過性の実質的に低い
ものが用いられ、特に、ＫｒＦ(248nm)、ＡｒＦ(193nm)
などのエキシマーレーザー光に対して、透過率がほぼゼ
ロ、すなわち１％未満、望ましくは０．５％未満、さら
に実際的には０．１％未満のものが好ましい。このよう
にウェハへのパターン転写の際に用いられる露光波長に
対してレジストの光透過性が低ければ、形成されたレチ
クルの遮光部となり、パターン転写が可能となる。遮光
型レジスト３としては、このような特性を有するもので
あれば特に限定されるものではなく、ポジ型、ネガ型の
いずれのものを用いることも可能である。具体的には、
例えば、ノボラック樹脂とキノンジアジドとの組成物な
どと、ノボラック樹脂とポリメチルペンテン−１−スル
ホンとの組成物などのノボラック型レジストと、α−メ
チルスチレンとα−クロロアクリル酸メチルの共重合
体、ノボラック樹脂やフェノール樹脂にインヒビタおよ
び酸発生剤等を配合した化学増幅型レジスト等のポジ型
のもの、あるいはクロロメチル化ポリスチレンを主成分
とするものなどの架橋型レジスト等ネガ型のものなどを
例示することができるが、これらに限定されるわけでは
ない。
【００２９】遮光レジスト塗布２は、通常スピンコート
により行われるが、他にスキャンコートを用いてもかま
わない、塗布後に必要に応じ、ホットプレート方式、熱
風循環オーブン方式等によるプリベーク工程を設けるこ
とが可能である。なお後述するようにスピンコートにお
いて基板の側面、裏面、表面縁に付着してしまったレジ
ストを、プリベーク工程に先立ち除去することが望まし
い。
により行われるが、他にスキャンコートを用いてもかま
わない、塗布後に必要に応じ、ホットプレート方式、熱
風循環オーブン方式等によるプリベーク工程を設けるこ
とが可能である。なお後述するようにスピンコートにお
いて基板の側面、裏面、表面縁に付着してしまったレジ
ストを、プリベーク工程に先立ち除去することが望まし
い。
【００３０】現像、後処理６は、使用されるレジストの
種類により、アルカリ水溶液、有機溶剤等を用いて、浸
漬法、スプレー法、パドル法等のいずれの方法を用いて
行うことも可能であるが、異物付着量の低減、使用液量
の低減の面からスプレー法、パドル法が望ましい。必要
に応じ、ポストベーク処理を行い、レジスト遮光パター
ン７を形成する。
種類により、アルカリ水溶液、有機溶剤等を用いて、浸
漬法、スプレー法、パドル法等のいずれの方法を用いて
行うことも可能であるが、異物付着量の低減、使用液量
の低減の面からスプレー法、パドル法が望ましい。必要
に応じ、ポストベーク処理を行い、レジスト遮光パター
ン７を形成する。
【００３１】ペリクル９としては、例えば、ニトロセル
ロース膜、屈折率の大きい無機系薄膜をスパッタコート
したものや有機系多層膜を塗布したものといった反射防
止膜付ニトロセルロース膜、変性セルロース膜、フッ素
系有機薄膜等が例示できるが、なんらこれらに何ら限定
されるわけではない。
ロース膜、屈折率の大きい無機系薄膜をスパッタコート
したものや有機系多層膜を塗布したものといった反射防
止膜付ニトロセルロース膜、変性セルロース膜、フッ素
系有機薄膜等が例示できるが、なんらこれらに何ら限定
されるわけではない。
【００３２】寸法検査１０は、上記に例示した態様に特
に限定されるものではなく、パターン寸法やパターン位
置精度を測定検査するものである。寸法測定はペリクル
装着後検査することから、大気圧で、非接触でかつ高精
度測定が可能な、Scatterometry法による測定が最も優
れている（Scatterometry方式：表面から光を当て生じ
た干渉光から、凹凸のあるライン幅、ピッチ、高さ、サ
イドウォール角度等の測定が大気圧の中で早く正確に測
定できる）が、他にエッジからの散乱光検出によるもの
や、エッジ部のスリット光透過光学像の、強度変化の検
出などによるエッジ検出による寸法測定が用いられ得、
またこれら方法に限定されるものではない。
に限定されるものではなく、パターン寸法やパターン位
置精度を測定検査するものである。寸法測定はペリクル
装着後検査することから、大気圧で、非接触でかつ高精
度測定が可能な、Scatterometry法による測定が最も優
れている（Scatterometry方式：表面から光を当て生じ
た干渉光から、凹凸のあるライン幅、ピッチ、高さ、サ
イドウォール角度等の測定が大気圧の中で早く正確に測
定できる）が、他にエッジからの散乱光検出によるもの
や、エッジ部のスリット光透過光学像の、強度変化の検
出などによるエッジ検出による寸法測定が用いられ得、
またこれら方法に限定されるものではない。
【００３３】パターン位置精度測定には、例えば、Lica
社の反射光によるエッジの散乱光を検出し、その座標を
レーザー干渉計での座標測定する方法が用いられ得る
が、この方法に限定されるものではない。
社の反射光によるエッジの散乱光を検出し、その座標を
レーザー干渉計での座標測定する方法が用いられ得る
が、この方法に限定されるものではない。
【００３４】欠陥検査１２は、レジスト遮光パターンの
形状欠陥や異物付着を検査するもので、一実施例として
は（図１参照）、KLA-Tencor社製、STAR light検査装置
のようにマスクに対して反射光と透過光をマスク上の同
一場所で、反射、透過光軸を合わせた状態にして、反射
光信号と透過光信号を相殺した場合を良品とし、異差を
生じた場合、異物１３、レジスト欠陥１４を欠陥として
判定回路２０に保存し、検査終了後再度呼び出し欠陥の
合否判定２１をして、マスクの良否を判定する方法が例
示できる。
形状欠陥や異物付着を検査するもので、一実施例として
は（図１参照）、KLA-Tencor社製、STAR light検査装置
のようにマスクに対して反射光と透過光をマスク上の同
一場所で、反射、透過光軸を合わせた状態にして、反射
光信号と透過光信号を相殺した場合を良品とし、異差を
生じた場合、異物１３、レジスト欠陥１４を欠陥として
判定回路２０に保存し、検査終了後再度呼び出し欠陥の
合否判定２１をして、マスクの良否を判定する方法が例
示できる。
【００３５】これ以外にマルチ配列のレジスト遮光パタ
ーンマスクの場合、レーザテック社、KLA-Tencor社の透
過光型や反射光によるDie-to-Die比較検査方法がある。
他にレーザー光を照射し散乱光を検出して異物検査方法
があるが強烈なレーザー光によるレジストダメージを生
じるものがあることから検査装置としては不適である
が、それを除き透過光と反射光とを併用する方法などに
よる異物検査なども適宜組み合わせて行うことができ、
また必要に応じて、一部の検査を省略して簡易なものと
することもできる。また異物検査を反射光と透過光を用
いて検査する前記のスターライト検査のみで検査でき
る。またこれらの欠陥検査方法に特に限定されるわけで
はない。
ーンマスクの場合、レーザテック社、KLA-Tencor社の透
過光型や反射光によるDie-to-Die比較検査方法がある。
他にレーザー光を照射し散乱光を検出して異物検査方法
があるが強烈なレーザー光によるレジストダメージを生
じるものがあることから検査装置としては不適である
が、それを除き透過光と反射光とを併用する方法などに
よる異物検査なども適宜組み合わせて行うことができ、
また必要に応じて、一部の検査を省略して簡易なものと
することもできる。また異物検査を反射光と透過光を用
いて検査する前記のスターライト検査のみで検査でき
る。またこれらの欠陥検査方法に特に限定されるわけで
はない。
【００３６】寸法測定１０や欠陥検査１２で不合格にな
ったマスクは、再生処理２４される。
ったマスクは、再生処理２４される。
【００３７】再生処理２４は、特に限定されるものでは
ないが、例えばペリクル剥離の後、レジストをアルカリ
現像液や、過熱した酸、有機溶剤等により化学的に除去
する方法と、あるいは酸素プラズマまたはオゾン−UVを
用いて物理的に基板より除去し、さらに洗浄処理をする
ことにより再生基板として使用される。仮ペリクル装着 第２の発明においては、基板に遮光型レジスト塗布し、
露光描画、現像,後処理を行って、レジスト遮光パター
ンを形成した後、検査工程前に仮ペリクル３６を装着
し、その後検査工程を経て、検査合格したフォトマスク
において仮ぺリクル３６を本ぺリクル９に張替えること
を特徴とする。
ないが、例えばペリクル剥離の後、レジストをアルカリ
現像液や、過熱した酸、有機溶剤等により化学的に除去
する方法と、あるいは酸素プラズマまたはオゾン−UVを
用いて物理的に基板より除去し、さらに洗浄処理をする
ことにより再生基板として使用される。仮ペリクル装着 第２の発明においては、基板に遮光型レジスト塗布し、
露光描画、現像,後処理を行って、レジスト遮光パター
ンを形成した後、検査工程前に仮ペリクル３６を装着
し、その後検査工程を経て、検査合格したフォトマスク
において仮ぺリクル３６を本ぺリクル９に張替えること
を特徴とする。
【００３８】この第２の発明においても、上記第１の発
明における場合と同様に、レジスト遮光パターンフォト
マスク製作において、現像、後処理後直ちに仮ペリクル
装着を行うが、ペリクル９のコストが高いので、図２に
示すように、接着力の小さな仮ペリクル３６を仮ペリク
ル装着３５し、寸法検査１０及び欠陥検査１２にて不良
なきことが確認されてから、仮ペリクルと本ペリクルを
張替え、及び仮ペリクルの固定３７処理し、ペリクル装
着後の異物検査２５を行い欠陥なきことを確認の上、梱
包、出荷２２する。
明における場合と同様に、レジスト遮光パターンフォト
マスク製作において、現像、後処理後直ちに仮ペリクル
装着を行うが、ペリクル９のコストが高いので、図２に
示すように、接着力の小さな仮ペリクル３６を仮ペリク
ル装着３５し、寸法検査１０及び欠陥検査１２にて不良
なきことが確認されてから、仮ペリクルと本ペリクルを
張替え、及び仮ペリクルの固定３７処理し、ペリクル装
着後の異物検査２５を行い欠陥なきことを確認の上、梱
包、出荷２２する。
【００３９】仮ペリクル３６としては、基本的には本ペ
リクルよりに安価であり、一時的にレジストパターン表
面を保護し得、かつ後に容易に剥離であるものであれ
ば、特に限定されないが、レジストに対し悪影響をおよ
ぼさない粘着剤を用いることにより行われる。
リクルよりに安価であり、一時的にレジストパターン表
面を保護し得、かつ後に容易に剥離であるものであれ
ば、特に限定されないが、レジストに対し悪影響をおよ
ぼさない粘着剤を用いることにより行われる。
【００４０】また、第８発明は、図２に示すように、仮
ペリクル３６と、本ペリクル９とを同一の品質のもの
で、接着剤に光硬化剤、または光硬化剤を用いた仮ペリ
クル３６を用いて、常温または通常状態で装着し未硬化
で、低粘着性による仮張りの状態にしておき、検査工程
終了後、合格品については、加熱または、光照射により
前記接着剤を溶解硬化させてペリクルを固定するもので
ある。
ペリクル３６と、本ペリクル９とを同一の品質のもの
で、接着剤に光硬化剤、または光硬化剤を用いた仮ペリ
クル３６を用いて、常温または通常状態で装着し未硬化
で、低粘着性による仮張りの状態にしておき、検査工程
終了後、合格品については、加熱または、光照射により
前記接着剤を溶解硬化させてペリクルを固定するもので
ある。
【００４１】その他の点においては、上記第１の発明に
関して説明したものと同様である。 ペリクル装着面のレジスト除去 第１０の発明は、図８に示すように、仮ペリクル３６の
剥離や、本ペリクル９装着時、またウェハ露光時の露光
装置吸着部４０、露光装置アライメントセル部４１がこ
すれて異物発生したりしてレジストパターンに影響を受
けないように、ペリクル接着領域レジスト除去部４４
や、露光装置吸着部４０、露光装置アライメントセル部
４１をレジストパターン露光時に描画し、レジストを除
いておく。 クリーン化された処理システム内での製作 第３の発明においては、基板へのレジスト塗布、露光描
画、現像処理、検査、ぺリクル装着、および最終検査ま
での一連の工程を、閉鎖系処理システム内において行う
ことを特徴とする。
関して説明したものと同様である。 ペリクル装着面のレジスト除去 第１０の発明は、図８に示すように、仮ペリクル３６の
剥離や、本ペリクル９装着時、またウェハ露光時の露光
装置吸着部４０、露光装置アライメントセル部４１がこ
すれて異物発生したりしてレジストパターンに影響を受
けないように、ペリクル接着領域レジスト除去部４４
や、露光装置吸着部４０、露光装置アライメントセル部
４１をレジストパターン露光時に描画し、レジストを除
いておく。 クリーン化された処理システム内での製作 第３の発明においては、基板へのレジスト塗布、露光描
画、現像処理、検査、ぺリクル装着、および最終検査ま
での一連の工程を、閉鎖系処理システム内において行う
ことを特徴とする。
【００４２】図３に示すように、レジストパターンフォ
トマスクの製造方法において、透明基板１に遮光型レジ
スト塗布２、電子線５によるパターン露光描画４、現
像、後処理６、寸法検査１０、欠陥検査１２、ペリクル
装着８、ペリクル装着後の異物検査２５までの工程を、
閉鎖系の処理システム２６を経て作製することによって
異物等付着による欠陥不良の低減を図る。
トマスクの製造方法において、透明基板１に遮光型レジ
スト塗布２、電子線５によるパターン露光描画４、現
像、後処理６、寸法検査１０、欠陥検査１２、ペリクル
装着８、ペリクル装着後の異物検査２５までの工程を、
閉鎖系の処理システム２６を経て作製することによって
異物等付着による欠陥不良の低減を図る。
【００４３】例えばこれらの各工程の処理装置を同一の
クリーンルーム内に配置すること、さらに、各工程間に
おける基板の搬送経路をクリーントンネルのような連続
して閉鎖された経路とすることなどクリーン化された閉
鎖系を用いることが挙げられ、この場合も各処理を自動
ないし遠隔操作によって行うことが望まれる。
クリーンルーム内に配置すること、さらに、各工程間に
おける基板の搬送経路をクリーントンネルのような連続
して閉鎖された経路とすることなどクリーン化された閉
鎖系を用いることが挙げられ、この場合も各処理を自動
ないし遠隔操作によって行うことが望まれる。
【００４４】なお、図示はしていないが、前記した第１
の発明および第２、８の発明においてもこのような、基
板へのレジスト塗布から最終検査までの一連の工程を、
閉鎖系の処理システムで行うことが好ましい。一貫処理システム 第４発明においては、図９に示すように閉鎖系の一貫処
理システム４５にて具体的には、例えば、完全に自動化
が図られた一ユニットとしての上記したような製作プロ
セスを一貫処理システムにて処理することにより異物等
付着による欠陥不良の低減を図る。
の発明および第２、８の発明においてもこのような、基
板へのレジスト塗布から最終検査までの一連の工程を、
閉鎖系の処理システムで行うことが好ましい。一貫処理システム 第４発明においては、図９に示すように閉鎖系の一貫処
理システム４５にて具体的には、例えば、完全に自動化
が図られた一ユニットとしての上記したような製作プロ
セスを一貫処理システムにて処理することにより異物等
付着による欠陥不良の低減を図る。
【００４５】なお、図示はしていないが、前記した第１
の発明および第２、８の発明においてもこのような、基
板へのレジスト塗布から最終検査までの一連の工程を、
閉鎖系の処理システムで行うことが好ましい。マスク面以外に付着したレジストの除去 第５、第６の発明は、基板に遮光型レジスト塗布後、基
板の側面および反対面に付着したレジストを洗浄除去し
た後、露光描画、現像処理を行ってレジストパターンを
形成することを特徴とするフォトマスクの製造方法であ
る。
の発明および第２、８の発明においてもこのような、基
板へのレジスト塗布から最終検査までの一連の工程を、
閉鎖系の処理システムで行うことが好ましい。マスク面以外に付着したレジストの除去 第５、第６の発明は、基板に遮光型レジスト塗布後、基
板の側面および反対面に付着したレジストを洗浄除去し
た後、露光描画、現像処理を行ってレジストパターンを
形成することを特徴とするフォトマスクの製造方法であ
る。
【００４６】この発明においては、レジスト遮光パター
ンフォトマスク製作に用いられるレジスト塗布基板は、
基板端面、裏面付着レジスト除去基板３４を使用する。
ンフォトマスク製作に用いられるレジスト塗布基板は、
基板端面、裏面付着レジスト除去基板３４を使用する。
【００４７】レジスト塗布方法は、スピンコート方法以
外に、スキャンコート方法による塗布方法も含まれる、
スキャンコート方法は、任意のエリアにレジスト塗布が
可能なことから、電子線描画の際の導通ピンによる異物
発生防止のため、マスク描画面の周辺縁部にレジスト塗
布しない方法として有効である。
外に、スキャンコート方法による塗布方法も含まれる、
スキャンコート方法は、任意のエリアにレジスト塗布が
可能なことから、電子線描画の際の導通ピンによる異物
発生防止のため、マスク描画面の周辺縁部にレジスト塗
布しない方法として有効である。
【００４８】スピンコートしたレジスト除去は、図４に
示すように、スピンナー３０を用いて遮光型レジスト塗
布２後、裏面、側面洗浄ノズル３２にて裏面および、端
面に有機系のレジスト除去溶剤３３を当て、裏面付着レ
ジスト２９、端面付着レジスト２８を除去し、基板端
面、裏面付着レジスト除去基板３４を作製する。
示すように、スピンナー３０を用いて遮光型レジスト塗
布２後、裏面、側面洗浄ノズル３２にて裏面および、端
面に有機系のレジスト除去溶剤３３を当て、裏面付着レ
ジスト２９、端面付着レジスト２８を除去し、基板端
面、裏面付着レジスト除去基板３４を作製する。
【００４９】さらに図示はされていないが、レジストを
基板に塗布する際に、マスク製作エリアのみ選択的にレ
ジストを塗布する方法、例えば、マスク製作面以外の表
面縁、基板側面、裏面、を機械的にカバーでしておきレ
ジスト塗布後にこのカバーを取り外すといった手法によ
っても、同様に基板表裏端面及び裏面にレジスト付着な
き基板が得られる。
基板に塗布する際に、マスク製作エリアのみ選択的にレ
ジストを塗布する方法、例えば、マスク製作面以外の表
面縁、基板側面、裏面、を機械的にカバーでしておきレ
ジスト塗布後にこのカバーを取り外すといった手法によ
っても、同様に基板表裏端面及び裏面にレジスト付着な
き基板が得られる。
【００５０】レジスト塗布済み基板の端面、裏面にレジ
スト残りや残渣があると、描画カセット挿入時や、電子
線描画時の導通ピン接触、現像等プロセス搬送時、これ
らの部位からのレジスト剥れによるマスク形成部への異
物付着の原因となることから、高品質のマスク製作の上
では、使用するレジスト付基板の端面及び裏面は、レジ
スト残りや残渣のないものを使用することが不可欠であ
り、上記のような方法によって、レジストパターンフォ
トマスクの汚れ、欠陥の発生が防止される。レジスト以外の光遮光膜を付けパターンニングされたマ
スク基板の一部にレジストパターンを形成するマスク製
作方法 第７の発明は、図６（ａ）（ｂ）に示すようにウェハ露
光装置吸着部４０や、アライメントパターン部４１、ペ
リクル装着面４６のレクト部をレジスト以外の、例えば
クロム金属薄膜で形成し、デバイス形成部をレジストパ
ターンで形成するマスク製作方法である。
スト残りや残渣があると、描画カセット挿入時や、電子
線描画時の導通ピン接触、現像等プロセス搬送時、これ
らの部位からのレジスト剥れによるマスク形成部への異
物付着の原因となることから、高品質のマスク製作の上
では、使用するレジスト付基板の端面及び裏面は、レジ
スト残りや残渣のないものを使用することが不可欠であ
り、上記のような方法によって、レジストパターンフォ
トマスクの汚れ、欠陥の発生が防止される。レジスト以外の光遮光膜を付けパターンニングされたマ
スク基板の一部にレジストパターンを形成するマスク製
作方法 第７の発明は、図６（ａ）（ｂ）に示すようにウェハ露
光装置吸着部４０や、アライメントパターン部４１、ペ
リクル装着面４６のレクト部をレジスト以外の、例えば
クロム金属薄膜で形成し、デバイス形成部をレジストパ
ターンで形成するマスク製作方法である。
【００５１】第９の発明は、図７（ａ）（ｂ）に示すよ
うにデバイスパターンの一部もレジスト以外の、例えば
クロム金属薄膜で形成し、部分的設計変更が必要な部分
や、ウェハ上で解像度評価の要求されるゲート部や、セ
ル部のみウェハ転写解像度を向上させるため、レジスト
遮光パターン部のレジスト膜厚さを、最終的に現像処理
後ウェハ露光波長にて位相が１８０度変換する厚さに塗
布し、位相差を持たせたレジスト遮光パターン４３を形
成し、且つ遮光レジストは露光波長を一部透過する、具
体的には、例えば１〜４０％程度透過するものを用いて
解像度を向上させる。
うにデバイスパターンの一部もレジスト以外の、例えば
クロム金属薄膜で形成し、部分的設計変更が必要な部分
や、ウェハ上で解像度評価の要求されるゲート部や、セ
ル部のみウェハ転写解像度を向上させるため、レジスト
遮光パターン部のレジスト膜厚さを、最終的に現像処理
後ウェハ露光波長にて位相が１８０度変換する厚さに塗
布し、位相差を持たせたレジスト遮光パターン４３を形
成し、且つ遮光レジストは露光波長を一部透過する、具
体的には、例えば１〜４０％程度透過するものを用いて
解像度を向上させる。
【００５２】以上、本発明に係る製造方法を実施形態に
基づき説明したが、本発明はこれらの例示した実施形態
に何ら限定されるものではなく、各種の変形および変更
態様を採ることが可能である。
基づき説明したが、本発明はこれらの例示した実施形態
に何ら限定されるものではなく、各種の変形および変更
態様を採ることが可能である。
【００５３】本発明の製造方法は、例えば、マスク設計
変更が煩雑で少量多品種生産である半導体デバイスのロ
ジック製品、また、マイコン、SRAM、DRAM用製品開発時
の初期特性評価用マスクの製造に好適に適用できる。そ
の他、露光時マスクと製品間で非接触露光が可能な、例
えば、ディスプレイのパターニング用マスク、少量品種
のリードフレーム等の、開発用マスクの製造にも適用可
能である。
変更が煩雑で少量多品種生産である半導体デバイスのロ
ジック製品、また、マイコン、SRAM、DRAM用製品開発時
の初期特性評価用マスクの製造に好適に適用できる。そ
の他、露光時マスクと製品間で非接触露光が可能な、例
えば、ディスプレイのパターニング用マスク、少量品種
のリードフレーム等の、開発用マスクの製造にも適用可
能である。
【００５４】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、レ
ジストパターンフォトマスクの製作において、製造工程
での異物付着は、物理的、化学的洗浄が困難なことから
極力さけなければならないが、描画、現像の後直ちにペ
リクルを装着することや一貫自動化ラインで製造するこ
とにより品質が保障される。またパターンの一部の解像
度向上が図れることから、このためロジック、マイコ
ン、SRAM、DRAM等の先端半導体デバイス開発において、
デバイス設計のデバックに本製造方法により得られるレ
ジスト遮光パターンマスクを導入することにより、特性
評価、回路設計のフィードバックを早く行うことができ
開発TATや、また低コストでマスクを供給できることと
なる。また、レジストパターンによるフォトマスクは、
欠陥発生時や使用済みのものは、ペリクルを剥がし基板
を再生することにより基板材料の再使用が可能となり、
コスト低減効果や、環境保全が期待できる。
ジストパターンフォトマスクの製作において、製造工程
での異物付着は、物理的、化学的洗浄が困難なことから
極力さけなければならないが、描画、現像の後直ちにペ
リクルを装着することや一貫自動化ラインで製造するこ
とにより品質が保障される。またパターンの一部の解像
度向上が図れることから、このためロジック、マイコ
ン、SRAM、DRAM等の先端半導体デバイス開発において、
デバイス設計のデバックに本製造方法により得られるレ
ジスト遮光パターンマスクを導入することにより、特性
評価、回路設計のフィードバックを早く行うことができ
開発TATや、また低コストでマスクを供給できることと
なる。また、レジストパターンによるフォトマスクは、
欠陥発生時や使用済みのものは、ペリクルを剥がし基板
を再生することにより基板材料の再使用が可能となり、
コスト低減効果や、環境保全が期待できる。
【図１】 第１の発明に係る製造方法の一実施形態にお
ける、模式的な工程図である。
ける、模式的な工程図である。
【図２】 第２、第８の発明に係る製造方法の一実施形
態における、模式的な工程図である。
態における、模式的な工程図である。
【図３】 第３の発明に係る製造方法の一実施形態にお
ける、模式的な工程図である。
ける、模式的な工程図である。
【図４】 第５、第６の発明に係る製造方法の一実施形
態における、模式的な工程図である。
態における、模式的な工程図である。
【図５】 第１の発明に係わる基本的製造方法の一実施
形態における、模式的な工程図である。
形態における、模式的な工程図である。
【図６】 第７の発明に係る製造方法の一実施形態にお
ける、模式的なマスク構造図である。 （ａ）断面構造図、（ｂ）正面図
ける、模式的なマスク構造図である。 （ａ）断面構造図、（ｂ）正面図
【図７】 第９の発明に係る製造方法の一実施形態にお
ける、模式的なマスク構造図である。 （ａ）断面構造図、（ｂ）正面図
ける、模式的なマスク構造図である。 （ａ）断面構造図、（ｂ）正面図
【図８】 第１０の発明に係る製造方法の一実施形態に
おける、模式的なマスク構造図である。
おける、模式的なマスク構造図である。
【図９】 第４の発明に係る製造方法の一実施形態にお
ける、模式的な要部工程図である。
ける、模式的な要部工程図である。
１ 透明基板
２ 遮光型レジスト塗布
３ 遮光型レジスト
４ パターン露光描画
５ 電子線
６ 現像,後処理
７ レジスト遮光パターン
８ ペリクル装着
９ ペリクル
１０ 寸法検査
１１ 寸法、位置測定部
１２ 欠陥検査
１３ 異物
１４ レジスト欠陥
１５ 検査光
１６ 反射光
１７ 透過光
１８ 反射光検出器
１９ 透過光検出器
２０ 判定回路
２１ 合否判定
２２ 梱包、出荷
２３ 不合格
２４ 再生処理
２５ ペリクル装着後の異物検査
２６ クリーン化された閉鎖系処理システム
２７ ノズル
２８ 端面付着レジスト
２９ 裏面付着レジスト
３０ スピンナー
３１ 端面、裏面レジスト除去処理
３２ 裏面、端面洗浄ノズル
３３ 溶剤
３４ 端面、裏面付着レジスト除去基板
３５ 仮ペリクル装着
３６ 仮ペリクル
３７ 仮ペリクルと本ペリクルの張替え、及び仮ペリク
ルの固定 ３８ 基板準備 ３９ クロムパターン ４０ 露光装置吸着部 ４１ 露光装置アライメントセル部 ４２ 重ね描画用アライメントセル部 ４３ 位相差を持たせた膜厚さレジスト遮光パターン ４４ ペリクル接着領域レジスト除去部 ４５ 一貫処理システム ４６ ペリクル装着部
ルの固定 ３８ 基板準備 ３９ クロムパターン ４０ 露光装置吸着部 ４１ 露光装置アライメントセル部 ４２ 重ね描画用アライメントセル部 ４３ 位相差を持たせた膜厚さレジスト遮光パターン ４４ ペリクル接着領域レジスト除去部 ４５ 一貫処理システム ４６ ペリクル装着部
フロントページの続き
(72)発明者 佐々木 志保
東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号
大日本印刷株式会社内
(72)発明者 藤井 明子
東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号
大日本印刷株式会社内
(72)発明者 法元 盛久
東京都新宿区市谷加賀町一丁目１番１号
大日本印刷株式会社内
(72)発明者 長谷川 昇雄
東京都青梅市新町六丁目16番地の３ 株式
会社日立製作所デバイス開発センター内
(72)発明者 早野 勝也
東京都青梅市新町六丁目16番地の３ 株式
会社日立製作所デバイス開発センター内
Ｆターム(参考） 2H095 BB00 BB19 BB28 BB30 BB35
BC39 BD02
Claims (11)
- 【請求項１】 基板上に直接レジストを塗布し、これを
パターニングしてレジストパターンのフォトマスクを作
製する方法であって、基板にレジスト塗布し、露光描
画、現像処理を行って、レジストパターンを形成した
後、検査工程前にペリクル装着を行うことを特徴とする
フォトマスクの製造方法。 - 【請求項２】 基板上に直接レジストを塗布し、これを
パターニングしてレジストパターンのフォトマスクを作
製する方法であって、基板にレジスト塗布し、露光描
画、現像処理を行って、レジストパターンを形成した
後、検査工程前に仮のペリクルを装着し、その後検査工
程を経て、検査合格したフォトマスクにおいて仮ぺリク
ルを本ぺリクルに張替えることを特徴とするフォトマス
クの製造方法。 - 【請求項３】 基板上に直接レジストを塗布し、これを
パターニングしてレジストパターンのフォトマスクを作
製する方法であって、レジスト塗布、露光描画、現像処
理、検査、ぺリクル装着、および最終検査までの一連の
工程を、閉鎖系内に設置された処理システムにおいて行
うことを特徴とするフォトマスクの製造方法。 - 【請求項４】 レジスト塗布から検査までの一連の工程
を、閉鎖系の一貫処理システムにおいて行うことを特徴
とする請求項１または２に記載のフォトマスクの製造方
法。 - 【請求項５】 基板上に直接レジストを塗布し、これを
パターニングしてレジストパターンのフォトマスクを作
製する方法であって、基板にレジスト塗布後、基板の側
面および反対面に付着したレジストを除去した基板を使
用して、露光描画、現像処理を行ってレジストパターン
を形成することを特徴とするフォトマスクの製造方法。 - 【請求項６】 基板上に直接レジストを塗布し、これを
パターニングしてレジストパターンのフォトマスクを作
製する方法であって、基板にレジスト塗布後、基板の側
面および反対面に付着したレジストを除去した後、露光
描画、現像処理を行ってレジストパターンを形成するこ
とを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載のフ
ォトマスクの製造方法。 - 【請求項７】 レジスト以外の光遮光膜にてパターンニ
ングされた基板にレジストを塗布し、マスクの一部パタ
ーンをレジストパターンで形成することを特徴とする請
求項１〜６のいずれか１つに記載のフォトマスクの製造
方法。 - 【請求項８】 仮ペリクルの接着剤に光硬化剤、または
熱硬化剤を用いて、検査終了後良品の場合、光または熱
を加えてそのまま固定することを特徴とする請求項２に
記載のフォトマスクの製造方法。 - 【請求項９】 レジスト以外の光遮光膜にてパターンニ
ングされた基板にレジストを塗布し、マスクの一部のパ
ターンをレジストパターンで形成するにあたり、レジス
ト膜厚さをウェハに転写時の解像度向上のため、ウェハ
露光波長にて位相が１８０度反転する厚さにし、且つ露
光光を一部透過する光遮光レジストを塗布しパターンを
形成することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つ
に記載のフォトマスクの製造方法。 - 【請求項１０】 レジストパターンフォトマスクにおい
て、仮ペリクルまたペリクルのフレーム接触面のレジス
トを除去することを特徴とする請求項１〜９のいずれか
１つに記載のフォトマスクの製造方法。 - 【請求項１１】 前記レジストは、ウェハ露光波長に対
して遮光性を有することを特徴とする請求項１〜１０の
いずれか１つに記載のフォトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2002015607 | 2002-01-24 | ||
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| JP2003014723A JP4397596B2 (ja) | 2002-01-24 | 2003-01-23 | フォトマスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003287877A true JP2003287877A (ja) | 2003-10-10 |
| JP4397596B2 JP4397596B2 (ja) | 2010-01-13 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4397596B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007310175A (ja) * | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Hoya Corp | フォトマスク |
| JP2008020735A (ja) * | 2006-07-13 | 2008-01-31 | Toshiba Corp | フォトマスクの評価方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP2009151197A (ja) * | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Nec Corp | フォトマスク受納器並びにこれを用いるレジスト検査方法及びその装置 |
| JP2012208185A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Toppan Printing Co Ltd | レジスト検査装置及びマスク基板の欠陥検査方法 |
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- 2003-01-23 JP JP2003014723A patent/JP4397596B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| JP2007310175A (ja) * | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Hoya Corp | フォトマスク |
| KR101169827B1 (ko) * | 2006-05-18 | 2012-07-30 | 파나소닉 주식회사 | 포토마스크 및 노광 방법 |
| JP2008020735A (ja) * | 2006-07-13 | 2008-01-31 | Toshiba Corp | フォトマスクの評価方法及び半導体装置の製造方法 |
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| JP2012208185A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Toppan Printing Co Ltd | レジスト検査装置及びマスク基板の欠陥検査方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4397596B2 (ja) | 2010-01-13 |
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| A621 | Written request for application examination |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Written amendment |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| R350 | Written notification of registration of transfer |
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