JP2000042472A - 塗布異常検出手段を有す薄膜塗布装置と露光装置及び薄膜塗布方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体基板上に塗布されて形成される薄膜の
塗布異常を検出し、さらに塗布異常を防止する。 【解決手段】 半導体基板１がスピンチャック２に載置
され、開閉弁５が作動し所定量の有機材料がノズル３よ
り滴下される。スピンチャック２が回転して有機材料は
遠心力で拡がり半導体基板１上に塗布される。塗布カッ
プ１０の外周に設置の光源８と光検出器９で有機材料の
滴下量は常時モニタされ、有機材料滴下中の光強度変化
を検出して滴下量の不足を検出する。また、塗布カップ
１０の外周に光源８と光検出器９を設置することで、飛
散した有機材料の付着を回避でき、かつ塗布カップ１０
内の気流の乱れが生じることなく均一に有機材料を塗布
できる。滴下量の異常を検出時には塗布異常として、そ
の半導体基板１は取り除かれる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
工程において、微細化したパターンを露光するため薄膜
材料を均一に塗布するものであり、特に塗布異常検出手
段を有す薄膜塗布装置と露光装置及び薄膜塗布方法に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路の高集積化の実現は、縮
小投影による露光装置を用いた光リソグラフィ技術によ
る回路のパターンを微細化することの進展によるが、こ
の微細化と共により一層パターンに対する寸法精度が要
求されている。特に、光リソグラフィ技術において、下
地基板からの反射光がレジスト膜中で多重反射すること
により生ずる定在波効果による寸法変動が、パターンに
対する寸法精度を低下させる要因の一つとして問題にな
っている。

【０００３】そこでこの定在波効果による寸法変動を抑
制するためには、半導体基板表面に塗布するレジスト膜
上またはレジスト膜下に反射防止膜（以下、レジスト膜
上の反射防止膜をオーバーコート膜という）を塗布する
ことが必要となっている。この際、半導体基板上にレジ
スト膜やオーバーコート膜を塗布するために、一般に薄
膜塗布装置が用いられ、さらに具体的にはスピンコーテ
ィング法が用いられている。

【０００４】このスピンコーティング法は、まず、スピ
ンチャックに載置した半導体基板の中央部に、フォトレ
ジスト材料の供給系より供給配管を経て、それに接続さ
れるノズルから液状のフォトレジスト材料を滴下し、そ
の後、スピンチャックを高速回転させ、発生する遠心力
によりフォトレジスト材料を拡散させて、半導体基板上
に均一に塗布する方法である。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成の薄膜塗布装置によるスピンコーティング方法
では、半導体基板上にフォトレジスト材料やオーバーコ
ート材料のような有機材料を滴下する際に、供給する有
機材料内に気泡が混入することにより滴下量が不足し、
半導体基板を完全に覆うように塗布されないため、露光
により形成されるパターンに不良が発生するという問題
がある。そして、前記のような塗布異常は、その発生頻
度が実際には小さいことから、通常のマスク合わせ工程
後に行われる目視検査では直ちに不良を検出することが
できず、半導体装置の完成後に、動作特性を測定するプ
ローブ検査の段階になって始めて検出されるという状態
であり、工程不良の対策が困難であるという問題があっ
た。

【０００６】本発明は、前記従来技術の問題を解決する
ことに指向するものであり、半導体基板上に塗布される
有機材料からなる有機薄膜の塗布異常を検出し、さらに
塗布異常を防止するための塗布異常検出手段を有す薄膜
塗布装置と露光装置及び薄膜塗布方法を提供することを
目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明の塗布異常検出手段を有す薄膜塗布装置は、
ノズル先端より有機材料を基板上に滴下し、基板上に有
機材料からなる有機薄膜を塗布する薄膜塗布装置におい
て、有機材料の滴下量計測手段を備え、滴下量計測手段
による計測結果から有機薄膜の塗布異常を検出すること
を特徴とする。

【０００８】また、前記滴下量計測手段は、有機材料を
照明する光源と、光源からの光を検出する光検出手段と
から構成されていることを特徴とする。

【０００９】また、前記滴下量計測手段は、薄膜塗布装
置に設けられた塗布カップの外側に設置されていること
を特徴とする。

【００１０】また、有機薄膜の塗布前後における基板の
重量変化の測定手段を備え、測定手段による測定結果か
ら有機薄膜の塗布異常を検出することを特徴とする。

【００１１】また、有機材料を供給するノズルと接続さ
れ光透過部が形成された配管と、光透過部を照明する光
源と、光源からの光透過部の透過光を検出する光検出手
段とを備え、配管を通過する有機材料の気泡を検出して
有機薄膜の塗布異常を検出することを特徴とする。

【００１２】また、基板外周部を照明する光源と、基板
外周部からの散乱光を検出する光検出部とを備え、基板
を回転させ有機材料を塗布する処理中の基板外周部に照
射した光の散乱光を検出して有機薄膜の塗布異常を検出
するように構成したものである。

【００１３】さらに、露光装置は、薄膜塗布装置により
有機材料からなる有機薄膜を塗布した基板上に、同一の
パターンを複数回順次露光する露光装置において、露光
または位置合わせするために基板を載置して逐次移動す
るウエハステージと、ウエハステージの移動の際に少な
くとも移動前後のパターン画像を記録する記録手段と、
記録されたパターン画像を互いに比較する比較手段とを
備え、比較手段による比較結果から有機薄膜の塗布異常
を検出することを特徴とする。

【００１４】また、前記記録手段は、基板上に露光され
たパターン画像の記録を露光装置に設けられた粗合わせ
顕微鏡により行うように構成したものである。

【００１５】そしてまた、薄膜塗布方法は、基板上にフ
ォトレジスト材を塗布しレジスト膜を形成して加熱する
工程と、レジスト膜上に酸またはアルカリ水溶液を塗布
し表面処理部を形成する工程と、表面処理部上に水溶性
反射防止材を塗布し反射防止材膜を形成し加熱する工程
とから成ることを特徴とする。

【００１６】また、レジスト膜表面を酸またはアルカリ
の雰囲気で暴露し表面処理部を形成する工程から成るこ
とを特徴とする。

【００１７】また、前記反射防止材膜を形成し加熱する
工程において、表面処理部上に界面活性剤を含有させた
水溶性反射防止材を塗布するようにしたものである。

【００１８】前記構成によれば、薄膜塗布装置におい
て、基板に塗布される有機材料の滴下量の計測、塗布後
の基板の重量変化を計測、さらに基板外周面の塗布むら
を検出することにより、塗布異常の基板を検出できる。

【００１９】また、露光装置において、位置決めを行う
粗合わせ顕微鏡により、各位置合わせ時にパターン画像
を取得して比較することにより、塗布異常の基板を検出
できる。

【００２０】また、基板上のレジスト膜上に酸またはア
ルカリ水溶液を塗布、あるいは酸またはアルカリの雰囲
気中に暴露し、レジスト膜上に水溶性反射防止膜（オー
バーコート膜）を均一に塗布することができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明にお
ける実施の形態を詳細に説明する。 （実施の形態１）図１は本発明の実施の形態１における
薄膜塗布装置の概略構成を示す部分断面図である。この
薄膜塗布装置の全体構成は、スピンコート部、有機材料
供給系、半導体基板の自動搬送機構（図示せず）、これ
ら各部の動作を制御するシステムコントローラ部（図示
せず）および薄膜塗布異常検出手段により概略構成され
ている。図１において、１は薄膜塗布される半導体基
板、２は半導体基板１を載置するスピンチャック、３は
半導体基板１の上方に配置されフォトレジスト材料を滴
下するノズル、４は供給配管、５は供給配管４を介して
フォトレジスト材料の滴下量を制御する開閉弁、６は、
フォトレジスト材料を半導体基板１に滴下後、ノズル３
の先端をフォトレジスト材料の供給側に引き戻し、半導
体基板１へのフォトレジスト材料のぼた落ちを防ぐサッ
クバック部、７はレジスト膜、８は光源、９は光検出手
段の光検出器、１０は塗布カップである。

【００２２】以上のように構成される本実施の形態１に
おいて、例えば、有機材料としてフォトレジスト材料を
半導体基板に塗布する場合の薄膜塗布装置の動作と共
に、塗布異常検出手段の動作を説明する。まず、装置の
薄膜塗布工程をスタートさせると、半導体基板１の自動
搬送系が始動し、半導体基板１をスピンチャック２に載
置する。次に半導体基板１がスピンチャック２に載置さ
れたという信号により、所定量のフォトレジスト材料を
滴下するために開閉弁５が作動し、フォトレジスト材料
用のノズル３よりフォトレジスト材料を滴下させる。そ
の後、スピンチャック２が回転することによりフォトレ
ジスト材料は遠心力で拡がり半導体基板１上にフォトレ
ジスト材料が塗布される。このスピンコート処理により
レジスト膜７を形成するには、約３０００回転で数十秒
間回転後しばらく放置し、薄膜塗布装置とは別に設けら
れたホットプレートで加熱して、その後に半導体基板１
を冷却する。さらに、別に設けた同様な構成の薄膜塗布
装置によりオーバーコート膜を形成するには、半導体基
板１のレジスト膜７上にノズルからオーバーコート材料
を滴下し、半導体基板１を回転させてオーバーコート材
料を塗布する処理を行い、前記と同様にホットプレート
で加熱してオーバーコート膜を形成する。

【００２３】さらに、本実施の形態１では図１に示すよ
うに、塗布カップ１０の外周には、光源８および光源８
からの光を検出する光検出器９より構成された滴下量計
測手段である滴下量計測センサが設置されており、有機
材料（フォトレジスト材料，オーバーコート材料）の滴
下量が常時モニターされる。この滴下量計測センサの一
例として、例えば、光源８としてレーザー光源、光検出
器９にフォトディテクタなどを用いて、有機材料滴下中
のフォトディテクタにより光強度変化を検出することで
滴下量を計測でき、その滴下量が不足しないようにする
ことができる。

【００２４】また、図１のように塗布カップ１０の外周
に滴下量計測センサを設置することにより、スピンコー
ト処理により飛散した有機材料が、滴下量計測センサ
（光源８，光検出器９）に付着することを回避できる。
同時に、滴下量計測センサ系の機器による塗布カップ１
０内に気流の乱れが生じることなく均一に有機材料を塗
布することができる。そして、滴下量計測センサにより
滴下量の異常が検出された場合、塗布された半導体基板
１は、薄膜塗布装置と露光装置間に配置されたバッファ
カセット（図示しない）に回収され、以後の工程処理を
行わないように取り除かれる。

【００２５】（実施の形態２）次に、前記した実施の形
態１では、ノズル３の先端からの有機材料滴下量を滴下
計測センサを用いて、その滴下量を計測したが、本実施
の形態２においては、薄膜塗布装置の塗布カップ１０内
や薄膜塗布装置と露光装置間において半導体基板１を搬
送する搬送アーム部（図示せず）等に、有機薄膜の塗布
前後に半導体基板の重量変化を計測する測定手段として
基板重量計を設け、その重量差から塗布された有機薄膜
量を求めることによって、有機薄膜の塗布異常を検出す
ることができる。

【００２６】（実施の形態３）図２は本発明の実施の形
態３における塗布異常検出手段の構成を示す概略図であ
る。ここで、図２は図１に示した薄膜塗布装置の有機材
料供給系にあたる部分を示す図であり、図１に示した構
成部材と同等の作用効果のものには同一の符号を付して
これを示す。図２において、３はノズル、４は供給配
管、５は開閉弁、６はサックバック部、１１は供給配管
４に設けられた透過部、１２は光源、１３は光源１２の
光を受光するＣＣＤカメラ（イメージセンサ）である。

【００２７】前記のように構成される有機材料供給系に
おいて、有機材料を供給するノズル３に接続された供給
配管４のある部分に光遮光部と光透過部１１とが複数
個、交互に形成されており、それを挟んで光源１２，Ｃ
ＣＤカメラ１３が設置されている。光源１２により光遮
光部と光透過部１１を照明して、光遮光部と光透過部１
１を通過してＣＣＤカメラ１３に入射する光は、ＣＣＤ
カメラ１３により光強度波形が検出される。

【００２８】図３（ａ）は本実施の形態３のＣＣＤカメ
ラにより検出した供給配管内に気泡のないときの光強度
波形、図３（ｂ）は気泡の有るときの光強度波形を示す
図である。図３（ａ）に示すように供給配管中の有機材
料中に気泡がないときは検出される光強度波形（濃淡）
は矩型状になるが、有機材料中に気泡があるときには光
の散乱，屈折などによって光強度波形に乱れが生ずる
（図３（ｂ）参照）。これによって、半導体基板１上へ
の有機材料の滴下量が変化することにより、滴下後の有
機薄膜において塗布異常が検出される。

【００２９】（実施の形態４）次に、図４は本実施の形
態４における薄膜塗布装置の概略構成を示す部分断面図
である。本実施の形態４において、図４に示す薄膜塗布
装置の構成は図１に示す構成とほぼ同じであり、塗布異
常検出手段である光源８′と光検出器９′とが異なる。
また、図５（ａ）はフォトレジスト材料，オーバーコー
ト材料など有機材料が塗布された半導体基板の塗布むら
小の状態、図５（ｂ）は塗布むら大の状態を示す図であ
る。

【００３０】以上のように構成される本実施の形態４の
塗布異常検出手段の動作を説明する。有機材料の塗布時
に気泡が混入して滴下量が所定量よりも少なくなったと
き塗布むらが発生する。図５（ｂ）に示すように、有機
材料の滴下量が少なくなると半導体基板周辺には放射状
に有機材料が塗布されていない領域が生ずる。図５
（ａ）が塗布むらの少ない状態で、図５（ｂ）が滴下量
が極端に少なく、塗布むらの大きい状態である。

【００３１】本実施の形態４は、図５（ａ），（ｂ）に
示した半導体基板１上の塗布むらを検出しようとするも
のであり、薄膜塗布装置に半導体基板１の外周部を照射
する光源８′と半導体基板１の周辺部表面からの散乱光
を検出する光検出器９′より構成される。半導体基板１
を回転した状態で光源８′より光を照射すると、放射状
に形成された塗布むらが発生している場合、有機薄膜
（レジスト膜７）の存在する部分と存在しない部分とで
散乱光の強度が異なるため、半導体基板１の外周に配置
された光検出器９′（フォトディテクタ）には、時間的
に強度が変動する散乱光が入射するので、塗布異常が検
出される。塗布異常が検出されると、例えばアラーム信
号が立ち、塗布異常の半導体基板１はバッファカセット
（図示せず）に回収される。これにより、検出された塗
布異常の半導体基板１は、次の工程の処理がされ最終的
に不良半導体デバイスとして完成されることはない。

【００３２】（実施の形態５）次に、図６は本発明の実
施の形態５における露光装置の概略構成を側面図であ
る。図６において、１は半導体基板、２０は露光光源、
２１はコンデンサレンズ、２２はレチクル、２３は投影
レンズ、２４はウエハステージ、２５はレーザ干渉計、
２６は粗合わせ顕微鏡、２７はＣＣＤカメラ、２８は位
置合わせ用のレーザ光源、２９は光検出器である。

【００３３】以上のように構成される本実施の形態５の
露光装置の動作と共に、塗布異常検出手段の動作につい
て図６を用いて説明する。レジスト膜およびオーバーコ
ート膜が塗布された半導体基板１は、露光装置に付属し
た搬送アーム（図示せず）によりウエハステージ２４に
移載される。そして、通常のパターンを重ね合わせて露
光を行う位置合わせのため、図７に示すような半導体基
板１上の“○”印がついた露光チップ内の位置合わせマ
ークの中の１つの検出位置が、画像認識アライメント用
の粗合わせ顕微鏡２６の下にくるようにウエハステージ
２４が移動する。

【００３４】その位置合わせのときに、画像認識アライ
メント用の粗合わせ顕微鏡２６下の半導体基板１のパタ
ーン画像を取り込む。さらに、２つ目の位置合わせマー
ク以降の各検出位置についても、同様に位置合わせマー
クの検出位置で半導体基板１のパターン画像を取り込み
記憶する。そして、記憶してある１つ目の位置合わせマ
ークの検出位置のパターン画像と２つ目の位置合わせマ
ークの検出位置のパターン画像とを比較し、パターン画
像に薄膜塗布のむらによる差異があるかどうかをチェッ
クする。３つ目以降の各位置合わせマークの検出位置に
おいても同様に、位置合わせマークの検出位置でのパタ
ーン画像の取り込みを行い、取り込まれた各パターン画
像間の比較検査により半導体基板１上に塗布された有機
薄膜に塗布異常がないかを確認する。これにより、塗布
異常が検出された半導体基板１は、露光処理をせず露光
装置のアンローダーキャリア（図示せず）に取り出され
る。

【００３５】また、本実施の形態５においては、位置合
わせのときに位置合わせマークの検出位置でパターン画
像の取り込みを行ったが、位置合わせ前に露光装置のグ
ローバルフォーカス測定時、または半導体基板１の露光
時の各露光ショット毎に露光チップに対応するパターン
画像の取り込みを実施してもよい。さらに、本実施の形
態５では、粗合わせ顕微鏡２６を用いて半導体基板１の
パターン画像の取り込みを実施したが、露光時の場合
は、投影レンズ２３を通じて露光光により照明され、結
像した半導体基板１上のパターン画像を取り込んで、比
較検査しても同様に実施できる。

【００３６】（実施の形態６）以上に説明した塗布異常
検出手段を有す薄膜塗布装置と露光装置の動作により、
塗布異常を早期に発見でき、塗布異常であった半導体基
板１を直ちに製造工程から除外することができ、不良な
半導体基板１の製造を避けることができる。一方、塗布
異常の課題を解決する方法として、半導体基板１上に塗
布むらが発生しないように塗布するという観点からの対
策も考えられる。以下に、このような薄膜塗布方法であ
る本発明における実施の形態６を説明する。

【００３７】図８（ａ），（ｂ），（ｃ）を参照して、
本実施の形態６のオーバーコート膜を例として薄膜塗布
方法を説明する。図８（ａ）は薄膜塗布装置によりレジ
スト膜を形成した半導体基板、図８（ｂ）はレジスト膜
上に表面処理部を形成した半導体基板、図８（ｃ）は表
面処理部上にオーバーコート膜を形成した半導体基板の
断面図である。図８（ａ），（ｂ），（ｃ）において、
１は半導体基板、７はレジスト膜、１５は酸またはアル
カリ水溶液による表面処理部、１６はオーバーコート膜
である。

【００３８】本実施の形態６における薄膜塗布方法は、
まず、図１で説明したような薄膜塗布装置により、フォ
トレジスト材料を半導体基板１上に滴下し、薄膜塗布装
置のスピンチャック２を高速度で回転してレジスト膜７
を形成した後、ホットプレートにより９０℃で１分間加
熱する（図８（ａ）参照）。次に、酸またはアルカリ水
溶液を半導体基板１のレジスト膜上に滴下し、スピンチ
ャック２を回転して半導体基板１上に引き伸ばして表面
処理部１５を形成し、その後９０℃で１分間加熱する
（図８（ｂ）参照）。さらに、表面処理部１５上に再び
前記の薄膜塗布装置においても、レジスト膜７と同様の
処理によりオーバーコート材料を滴下し塗布してオーバ
ーコート膜１６を形成する。

【００３９】表面処理部１５を形成する前記アルカリ水
溶液の１例として、レジスト現像に用いられるＴＭＡＨ
（Tetra methylammonium hydroxide）水溶液を用いるこ
とができる。その後、露光装置により半導体基板１上に
塗布されたレジスト膜７を露光後、同じくＴＭＡＨ水溶
液で現像を行う。なお、酸またはアルカリ水溶液による
表面処理部１５の形成は、半導体基板１上のレジスト膜
７上に塗布する代わりに、酸またはアルカリの雰囲気中
に基板を暴露してもよい。

【００４０】以上に説明した工程により半導体基板１上
のレジスト膜７の表面に、表面処理部１５を形成したこ
とでレジスト膜７の表面の浸水性が向上する。したがっ
て、一般には水溶性薄膜であるオーバーコート膜１６を
形成するオーバーコート材料との濡れ性が向上し、レジ
スト膜７の表面上においてのオーバーコート材料の弾き
による塗布むらが改善される。さらに、オーバーコート
材料に界面活性剤として非イオンのフッ素系のもの（例
えば、ペリフルオロアルキルＥＯ付加物など）を量とし
て０．１％混入すれば一層塗布むらの改善に効果的であ
る。

【００４１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ノズル先端より有機材料（フォトレジスト材料，オーバ
ーコート材料）を滴下し、半導体基板上に塗布する薄膜
塗布装置において、ノズル先端に有機材料の滴下量計測
手段、重量変化の測定手段を設けて有機材料の滴下量を
測定する。さらに半導体基板に有機薄膜をスピンコート
処理中、基板周辺に光を照射し、その散乱光の強度変化
を検出することにより半導体基板に塗布された有機薄膜
の塗布異常を検出する。

【００４２】また、パターンを繰り返し半導体基板上に
露光する露光装置において、位置合わせ移動ごとに半導
体基板のパターン画像を記録し、記録されたパターン画
像を比較することで、特殊なパターン欠陥装置などを用
いることなく、安価な半導体基板に塗布された有機薄膜
の塗布異常を検出することができる。

【００４３】また、半導体基板のレジスト膜上に、酸ま
たはアルカリ水溶液を塗布、あるいは酸またはアルカリ
雰囲気中に暴露し表面処理部を形成し浸水性を向上さ
せ、その上に水溶性オーバーコート膜（反射防止膜）を
塗布することによりオーバーコート膜の塗布むらを防止
することができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１における薄膜塗布装置の
概略構成を示す部分断面図

【図２】本発明の実施の形態３における塗布異常検出手
段の構成を示す概略図

【図３】（ａ）は本発明の実施の形態３のＣＣＤイメー
ジセンサにより検出した供給配管内に気泡のないときの
光強度波形、（ｂ）は気泡のあるときの光強度波形を示
す図

【図４】本発明の実施の形態４における薄膜塗布装置の
概略構成を示す部分断面図

【図５】（ａ）は本発明の実施の形態４におけるフォト
レジスト材料，オーバーコート材料など有機材料が塗布
された半導体基板の塗布むら小の状態、（ｂ）は塗布む
ら大の状態を示す図

【図６】本発明の実施の形態５における露光装置の概略
構成を側面図

【図７】本発明の実施の形態５における半導体基板上の
露光チップ内の位置合わせマークを示す図

【図８】（ａ）は本発明の実施の形態６における薄膜塗
布装置によりレジスト膜を形成した半導体基板、（ｂ）
はレジスト膜上に表面処理部を形成した半導体基板、
（ｃ）は表面処理部上にオーバーコート膜を形成した半
導体基板の断面図

【符号の説明】

１ 半導体基板 ２ スピンチャック ３ ノズル ４ 供給配管 ５ 開閉弁 ６ サックバック部 ７ レジスト膜 ８，８′，１２ 光源 ９，９′，２９ 光検出器 １０ 塗布カップ １１ 透過部 １３，２７ ＣＣＤカメラ（イメージセンサ） ２０ 露光光源 ２１ コンデンサレンズ ２２ レチクル ２３ 投影レンズ ２４ ウエハステージ ２５ レーザ干渉計 ２６ 粗合わせ顕微鏡 ２８ レーザ光源

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H025 AB16 DA03 DA36 EA05 EA10 4D075 AC64 AC86 AC91 AC94 AE03 BB21Y BB46Y BB76Y BB77Y BB91Y BB94Y CB02 DC22 EA06 EA45 EC35 4F042 AA07 AB00 BA02 BA22 BA27 EB19 5F046 JA01 JA04 JA09 JA21 JA24 JA27 PA07

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ノズル先端より有機材料を基板上に滴下
   し、前記基板上に前記有機材料からなる有機薄膜を塗布
   する薄膜塗布装置において、前記有機材料の滴下量計測
   手段を備え、前記滴下量計測手段による計測結果から前
   記有機薄膜の塗布異常を検出することを特徴とする塗布
   異常検出手段を有す薄膜塗布装置。
2. 【請求項２】 前記滴下量計測手段は、有機材料を照明
   する光源と、該光源からの光を検出する光検出手段とか
   ら構成されていることを特徴とする請求項１記載の塗布
   異常検出手段を有す薄膜塗布装置。
3. 【請求項３】 前記滴下量計測手段は、薄膜塗布装置に
   設けられた塗布カップの外側に設置されていることを特
   徴とする請求項２記載の塗布異常検出手段を有す薄膜塗
   布装置。
4. 【請求項４】 ノズル先端より有機材料を基板上に滴下
   し、前記基板上に前記有機材料からなる有機薄膜を塗布
   する薄膜塗布装置において、前記有機薄膜の塗布前後に
   おける前記基板の重量変化の測定手段を備え、前記測定
   手段による測定結果から前記有機薄膜の塗布異常を検出
   することを特徴とする塗布異常検出手段を有す薄膜塗布
   装置。
5. 【請求項５】 ノズル先端より有機材料を基板上に滴下
   し、前記基板上に前記有機材料からなる有機薄膜を塗布
   する薄膜塗布装置において、前記有機材料を供給する前
   記ノズルと接続され光透過部が形成された配管と、前記
   光透過部を照明する光源と、該光源からの前記光透過部
   の透過光を検出する光検出手段とを備え、前記配管を通
   過する前記有機材料の気泡を検出して前記有機薄膜の塗
   布異常を検出することを特徴とする塗布異常検出手段を
   有す薄膜塗布装置。
6. 【請求項６】 ノズル先端より有機材料を基板上に滴下
   し、前記基板上に前記有機材料からなる有機薄膜を塗布
   する薄膜塗布装置において、前記基板外周部を照明する
   光源と、前記基板外周部からの散乱光を検出する光検出
   部とを備え、前記基板を回転させ有機材料を塗布する処
   理中の前記基板外周部に照射した光の散乱光を検出して
   前記有機薄膜の塗布異常を検出することを特徴とする塗
   布異常検出手段を有す薄膜塗布装置。
7. 【請求項７】 薄膜塗布装置により有機材料からなる有
   機薄膜を塗布した基板上に、同一のパターンを複数回順
   次露光する露光装置において、露光または位置合わせす
   るために前記基板を載置して逐次移動するウエハステー
   ジと、該ウエハステージの移動の際に少なくとも移動前
   後の前記パターン画像を記録する記録手段と、記録され
   た前記パターン画像を互いに比較する比較手段とを備
   え、前記比較手段による比較結果から前記有機薄膜の塗
   布異常を検出することを特徴とする塗布異常検出手段を
   有す露光装置。
8. 【請求項８】 前記記録手段は、基板上に露光されたパ
   ターン画像の記録を露光装置に設けられた粗合わせ顕微
   鏡により行うことを特徴とする請求項７記載の塗布異常
   検出手段を有す露光装置。
9. 【請求項９】 基板上にフォトレジスト材を塗布しレジ
   スト膜を形成して加熱する工程と、前記レジスト膜上に
   酸またはアルカリ水溶液を塗布し表面処理部を形成する
   工程と、前記表面処理部上に水溶性反射防止材を塗布し
   反射防止材膜を形成し加熱する工程とから成ることを特
   徴とする薄膜塗布方法。
10. 【請求項１０】 基板上にフォトレジスト材を塗布しレ
    ジスト膜を形成して加熱する工程と、前記レジスト膜表
    面を酸またはアルカリの雰囲気で暴露し表面処理部を形
    成する工程と、前記表面処理部上に水溶性反射防止材を
    塗布し反射防止材膜を形成し加熱する工程とから成るこ
    とを特徴とする薄膜塗布方法。
11. 【請求項１１】 前記反射防止材膜を形成し加熱する工
    程において、表面処理部上に界面活性剤を含有させた水
    溶性反射防止材を塗布することを特徴とする請求項９又
    は１０記載の薄膜塗布方法。