JPS63232423A - レジストパタ−ン検査方法 - Google Patents
レジストパタ−ン検査方法Info
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- JPS63232423A JPS63232423A JP62066018A JP6601887A JPS63232423A JP S63232423 A JPS63232423 A JP S63232423A JP 62066018 A JP62066018 A JP 62066018A JP 6601887 A JP6601887 A JP 6601887A JP S63232423 A JPS63232423 A JP S63232423A
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- Pending
Links
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
フォトレジスト、電子線レジスト等の感光性樹脂皮膜に
露光処理を施した後、Ｈｅ−Ｎｅレーザを照射し、その
反射光のラマン散乱を検出することにより、レジストの
特定部分の感光／非感光を検知する。
露光処理を施した後、Ｈｅ−Ｎｅレーザを照射し、その
反射光のラマン散乱を検出することにより、レジストの
特定部分の感光／非感光を検知する。
現像処理前にパターン通りの露光が行われたか否かを知
ることが出来、追加露光によるパターン修正が可能にな
る。
ることが出来、追加露光によるパターン修正が可能にな
る。
本発明は、半導体装置の製造に利用されるフォトリソグ
ラフィ、電子線リソグラフィ等に於けるレジストの感光
状態を検知する方法に係わり、特にレーザ光のラマン散
乱を利用してレジストの化学変化を検知することにより
、その感光状態を判定する検査方法に関する。
ラフィ、電子線リソグラフィ等に於けるレジストの感光
状態を検知する方法に係わり、特にレーザ光のラマン散
乱を利用してレジストの化学変化を検知することにより
、その感光状態を判定する検査方法に関する。
紫外線、Ｘ線、電子線のようなエネルギ線を使用するり
ソグラフィでは、感光性レジストに選択的に化学変化を
生ぜしめ、それによってレジストを易溶性或いは難溶性
に変化させることが行われる。即ち、ポジ型レジストで
は巨大分子を形成している結合が断たれて易溶性になり
、ネガ型レジストでは架橋結合を中心とする新たな結合
が生じて難溶性となる。
ソグラフィでは、感光性レジストに選択的に化学変化を
生ぜしめ、それによってレジストを易溶性或いは難溶性
に変化させることが行われる。即ち、ポジ型レジストで
は巨大分子を形成している結合が断たれて易溶性になり
、ネガ型レジストでは架橋結合を中心とする新たな結合
が生じて難溶性となる。
通常の露光処理ではレジストが所定パターンの通りに感
光したかということは、現像処理後に始めて知り得るこ
とであり、作成したレジストパターンに欠陥があればこ
のレジストを除去し、再度レジストを塗布して露光、現
像を行わねばならない。
光したかということは、現像処理後に始めて知り得るこ
とであり、作成したレジストパターンに欠陥があればこ
のレジストを除去し、再度レジストを塗布して露光、現
像を行わねばならない。
レジストパターンの欠陥の検査は、目視手段による処理
では集積回路装置の高集積化、微細化に追随出来ない事
態に至っており、また、機械的手段によるパターンの自
動検査法が種々提案されているが、いずれの手段による
検査も現像後のレジストパターンを対象とするものであ
る。
では集積回路装置の高集積化、微細化に追随出来ない事
態に至っており、また、機械的手段によるパターンの自
動検査法が種々提案されているが、いずれの手段による
検査も現像後のレジストパターンを対象とするものであ
る。
従って、現像前にレジストの感光状態を知り得、それに
基づいてパターンを修正することが出来れば、露光工程
での再処理ウェファ数を大幅に減することが出来る。即
ち、露光もれ欠陥のみであれば、追加露光をして修正出
来るので補修が容易である。また、露光してはならない
場所が露光されている過剰露光欠陥を含むものにあって
は、現像前にレジストを除去、レジストの再塗布、露光
となるが、これも現像工程前ゆえ容易にレジストを除去
出来、工数の低減とつ壬ファの損傷低減につながる。
基づいてパターンを修正することが出来れば、露光工程
での再処理ウェファ数を大幅に減することが出来る。即
ち、露光もれ欠陥のみであれば、追加露光をして修正出
来るので補修が容易である。また、露光してはならない
場所が露光されている過剰露光欠陥を含むものにあって
は、現像前にレジストを除去、レジストの再塗布、露光
となるが、これも現像工程前ゆえ容易にレジストを除去
出来、工数の低減とつ壬ファの損傷低減につながる。
レジストの露光状態を現像前に知る方法は未開発であり
、パターン修正に利用することも提案されていない。
、パターン修正に利用することも提案されていない。
本発明の目的はレジスト皮膜の感光状態を、未現像のま
＼検知する方法を提供することであり、それによって現
像前のパターン修正を可能にすることである。
＼検知する方法を提供することであり、それによって現
像前のパターン修正を可能にすることである。
上記問題点の解決は、基板上に形成され、選択的にエネ
ルギ線が照射されたレジスト皮膜に、該レジスト皮膜の
高分子材料が感光することのない波長の単色光を照射し
、基板よりの反射光中のラマン散乱光を観測することに
より、前記レジスト皮膜に生じた前記エネルギ線照射に
伴う化学結合の変化を検知する本発明によるレジストパ
ターン検査方法により達成される。
ルギ線が照射されたレジスト皮膜に、該レジスト皮膜の
高分子材料が感光することのない波長の単色光を照射し
、基板よりの反射光中のラマン散乱光を観測することに
より、前記レジスト皮膜に生じた前記エネルギ線照射に
伴う化学結合の変化を検知する本発明によるレジストパ
ターン検査方法により達成される。
レジストは紫外線、電子線などのエネルギ線を照射され
ると化学変化を起こし、Ｃ−Ｈ結合、Ｃ＝０結合などの
固有振動数が変化するので、ラマン散乱光の波長が変化
する。レジストからの反射光にもラマン効果が生ずるの
で、Ｈｅ−ＪＪｅレーザの反射光をモノクロメータで分
光し、フォトマルチプライヤのような高感度の検知器に
入射させて特定の波長のラマン散乱光を検知すれば、感
光に伴う化学変化がレジストに起こったことを知り得る
。
ると化学変化を起こし、Ｃ−Ｈ結合、Ｃ＝０結合などの
固有振動数が変化するので、ラマン散乱光の波長が変化
する。レジストからの反射光にもラマン効果が生ずるの
で、Ｈｅ−ＪＪｅレーザの反射光をモノクロメータで分
光し、フォトマルチプライヤのような高感度の検知器に
入射させて特定の波長のラマン散乱光を検知すれば、感
光に伴う化学変化がレジストに起こったことを知り得る
。
通常のレジストはＨｅ −Ｎ ｅレーザのような長波長
の光には感光しないので、この検査処理によってレジス
トパターンが変化することはない。
の光には感光しないので、この検査処理によってレジス
トパターンが変化することはない。
第１図は本発明の実施状況を模式的に示す図である。
該実施例に於いて、１はＨｅ−ｐＪｅレーザ、２はハー
フミラ−１３は光学系、４はモノクロメータ、５はフォ
トマルチプライヤである。
フミラ−１３は光学系、４はモノクロメータ、５はフォ
トマルチプライヤである。
基板たるＳｉウェファ６の表面にはレジスト皮膜９が塗
布により形成され、その一部類域は電子線等の照射を受
けたエネルギ線被照射の感光領域７である。紫外線リソ
グラフィではマスクを使用して全面を同時に露光するの
で、感光領域はＳｉウェファ６全域に分布し、このＳｉ
ウェファ６全域が検査対象となるが、電子線リングラフ
ィでは描画の終わった部分がなる。
布により形成され、その一部類域は電子線等の照射を受
けたエネルギ線被照射の感光領域７である。紫外線リソ
グラフィではマスクを使用して全面を同時に露光するの
で、感光領域はＳｉウェファ６全域に分布し、このＳｉ
ウェファ６全域が検査対象となるが、電子線リングラフ
ィでは描画の終わった部分がなる。
Ｈｅ −Ｎ ｅレーザの波長、６３２．８ｎｍの光が、
斜め４５度に置かれたハーフミラ−２および光学系３を
通りスポット状に絞られＳｉウェファ６上のレジスト皮
膜９に垂直上方より照射される。ラマン散乱光を伴った
反射光が垂直上方に返るので、これをハーフミラ−２で
受は水平方向の反射光８として、モノクロメータ４に導
く。
斜め４５度に置かれたハーフミラ−２および光学系３を
通りスポット状に絞られＳｉウェファ６上のレジスト皮
膜９に垂直上方より照射される。ラマン散乱光を伴った
反射光が垂直上方に返るので、これをハーフミラ−２で
受は水平方向の反射光８として、モノクロメータ４に導
く。
このモノクロメータ４は回折格子を主構成要素とする光
学系で、これにより狭い波長領域の光のみを取り出し、
これを検知器たるフォトマルチプライヤ５に受け、受光
データとして出力する。
学系で、これにより狭い波長領域の光のみを取り出し、
これを検知器たるフォトマルチプライヤ５に受け、受光
データとして出力する。
レジストが感光することにより大きい強度変化の起こる
ラマン散乱光の波長は、レジストの種類によって決まる
一定の特定波長であるため、前記モノクロメータ４より
取り出す光の波長を、この特定波長に設定し、Ｓｉウェ
ファ６上を照射光で走査し、レジストの場所毎の受光デ
ータを得る。
ラマン散乱光の波長は、レジストの種類によって決まる
一定の特定波長であるため、前記モノクロメータ４より
取り出す光の波長を、この特定波長に設定し、Ｓｉウェ
ファ６上を照射光で走査し、レジストの場所毎の受光デ
ータを得る。
これにより、設計パターン通りの露光が成されているか
どうかを知ることが出来る。
どうかを知ることが出来る。
この検査は露光後、現像前のレジストマスク形成の早い
時期に実施されるので、追加露光も出来るし、またレジ
スト剥離除去も、現像後に行うものより容易で、汚損も
少なくなる。
時期に実施されるので、追加露光も出来るし、またレジ
スト剥離除去も、現像後に行うものより容易で、汚損も
少なくなる。
ここで、レジスト皮膜を塗布する基板はＳｉウェファと
したが、これはレチクルまたはマスクであっても同様で
ある。
したが、これはレチクルまたはマスクであっても同様で
ある。
また、ここに示した例では高分子材料のレジスト皮膜が
感光しない単色光波長としてＨｅ −Ｎ ｅレーザーの
６３２．８ｎｍを使用したが、こればレジストを感光し
ない波長であり、且つ熱的に大きい変化を与えない波長
、光量の単色光であればよい。
感光しない単色光波長としてＨｅ −Ｎ ｅレーザーの
６３２．８ｎｍを使用したが、こればレジストを感光し
ない波長であり、且つ熱的に大きい変化を与えない波長
、光量の単色光であればよい。
以上詳細に説明したように、本発明の方法によれば、未
現像の状態でレジストが正しいパターンに感光している
かどうかを知ることが出来るので、それに基づいて補修
を工程の初期の段階で行うことが可能となり、補修工数
減、汚損少、歩留り向上となる。
現像の状態でレジストが正しいパターンに感光している
かどうかを知ることが出来るので、それに基づいて補修
を工程の初期の段階で行うことが可能となり、補修工数
減、汚損少、歩留り向上となる。
第１図は本発明の実施状況を模式的に示す図である。
図において、
１は）（ｅ−ｐＪｅレーザ、
２はハーフミラ−１
３は光学系、
４はモノクロメータ、
５はフォトマルチプライヤ、
６は基板（Ｓｉウェファ）、
７は感光領域、
８は反射光、
９はレジスト皮膜
である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板（６）上に形成され、選択的にエネルギ線が照射さ
れたレジスト皮膜（９）に、該レジスト皮膜（９）の高
分子材料が感光することのない波長の単色光を照射し、 基板（６）よりの反射光（８）中のラマン散乱光を観測
することにより、 前記レジスト皮膜（９）に生じた前記エネルギ線照射に
伴う化学結合の変化を検知することを特徴とするレジス
トパターン検査方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62066018A JPS63232423A (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | レジストパタ−ン検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62066018A JPS63232423A (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | レジストパタ−ン検査方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63232423A true JPS63232423A (ja) | 1988-09-28 |
Family
ID=13303771
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62066018A Pending JPS63232423A (ja) | 1987-03-20 | 1987-03-20 | レジストパタ−ン検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63232423A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103733017A (zh) * | 2011-08-18 | 2014-04-16 | 新港公司 | 使用相干反斯托克斯拉曼散射(cars)显微术来表征材料收缩的系统和方法 |
| JP2018200930A (ja) * | 2017-05-26 | 2018-12-20 | 大日本印刷株式会社 | パターン形成方法、凹凸構造体の製造方法、レプリカモールドの製造方法、レジストパターン改質装置及びパターン形成システム |
-
1987
- 1987-03-20 JP JP62066018A patent/JPS63232423A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103733017A (zh) * | 2011-08-18 | 2014-04-16 | 新港公司 | 使用相干反斯托克斯拉曼散射(cars)显微术来表征材料收缩的系统和方法 |
| JP2014525564A (ja) * | 2011-08-18 | 2014-09-29 | ニューポート・コーポレイション | コヒーレント反ストークスラマン散乱（ｃａｒｓ）顕微鏡検査を使用して材料の収縮を特性評価するためのシステムおよび方法 |
| JP2018200930A (ja) * | 2017-05-26 | 2018-12-20 | 大日本印刷株式会社 | パターン形成方法、凹凸構造体の製造方法、レプリカモールドの製造方法、レジストパターン改質装置及びパターン形成システム |
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