JPH04147641A - フォトレジスト膜検査装置 - Google Patents
フォトレジスト膜検査装置Info
- Publication number
- JPH04147641A JPH04147641A JP27179890A JP27179890A JPH04147641A JP H04147641 A JPH04147641 A JP H04147641A JP 27179890 A JP27179890 A JP 27179890A JP 27179890 A JP27179890 A JP 27179890A JP H04147641 A JPH04147641 A JP H04147641A
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- Japan
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- wafer
- photoresist film
- photoresist pattern
- photoresist
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Links
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- 238000007689 inspection Methods 0.000 claims abstract description 20
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体ウェーハ（以下ウェーハと呼ぶ）上に
塗布されたフォトレジストパターン中に含まれるゲル状
変質物を検出するフォトレジスト膜検査装置に関する。
塗布されたフォトレジストパターン中に含まれるゲル状
変質物を検出するフォトレジスト膜検査装置に関する。
第３図は従来のフォトレジスト膜検査装置の一例におけ
る構成を示す図である。従来、この種のフォトレジスト
膜検査装置は、例えば、第３図に示すように、フォトレ
ジスト膜が形成されたウェーハ１を搭載するステージ４
と、ウェーハ１にレーザ光を照射するレーザ照射部６と
、ウェーハ１より反射するレーザ光の散乱光を検知する
散乱光受光部５とで構成されていた。
る構成を示す図である。従来、この種のフォトレジスト
膜検査装置は、例えば、第３図に示すように、フォトレ
ジスト膜が形成されたウェーハ１を搭載するステージ４
と、ウェーハ１にレーザ光を照射するレーザ照射部６と
、ウェーハ１より反射するレーザ光の散乱光を検知する
散乱光受光部５とで構成されていた。
このフォトレジスト膜検査装置の動作は、ますウェーハ
１をステージ４に搭載する６次に、レーザ光とステージ
４とを相対的に移動し、ウェーハ１の全面にレーザ光を
照射する。このとき、ウェーハ１のフォトレジスト膜内
に存在するゲル状変質物が存在すれば、レーザ光はこの
変質物により散乱され、この散乱光を散乱光受光部５を
検知し、このウェーハの異常を検出していた。また、こ
の検査は複数枚のウェーハより一枚のウェーハを抜き取
り実施していた。
１をステージ４に搭載する６次に、レーザ光とステージ
４とを相対的に移動し、ウェーハ１の全面にレーザ光を
照射する。このとき、ウェーハ１のフォトレジスト膜内
に存在するゲル状変質物が存在すれば、レーザ光はこの
変質物により散乱され、この散乱光を散乱光受光部５を
検知し、このウェーハの異常を検出していた。また、こ
の検査は複数枚のウェーハより一枚のウェーハを抜き取
り実施していた。
第４図（ａ＞及び（ｂ）は本発明が解決しようとする課
題を説明するためのウェーハの部分断面図を示す図であ
る６上述した従来のフォトレジスト膜検査装置では、例
えば、第４図（ａ）に示すように、ゲル状変質物１２が
ウェーハ１の上にあって、フォトレジスト１１中にある
場合は、検出することが出来ない。また、第４図（ｂ）
に示すように、フォトレジスト１１をエツチングした後
に検査する場合でも、ゲル状変質物１２が露出していて
も、周囲のフォトレジスト１４が光を遮光して、やはり
検出することが困難である。特に、第４図（ｂ）に示す
ように、ウェーハ１にゲル状変質物１２が露呈した場合
は、このフォトレジストパターンで配線パターンを形成
すると、配線が短絡するという問題がある。
題を説明するためのウェーハの部分断面図を示す図であ
る６上述した従来のフォトレジスト膜検査装置では、例
えば、第４図（ａ）に示すように、ゲル状変質物１２が
ウェーハ１の上にあって、フォトレジスト１１中にある
場合は、検出することが出来ない。また、第４図（ｂ）
に示すように、フォトレジスト１１をエツチングした後
に検査する場合でも、ゲル状変質物１２が露出していて
も、周囲のフォトレジスト１４が光を遮光して、やはり
検出することが困難である。特に、第４図（ｂ）に示す
ように、ウェーハ１にゲル状変質物１２が露呈した場合
は、このフォトレジストパターンで配線パターンを形成
すると、配線が短絡するという問題がある。
本発明の目的は、かかる欠点を解消すべく、レジストパ
ターン間に存在するゲル状変質物を確実に検出するフォ
トレジスト膜検査装置を提供することである。
ターン間に存在するゲル状変質物を確実に検出するフォ
トレジスト膜検査装置を提供することである。
〔課題を解決するための手段〕
本発明のフォトレジスト膜検査装置は、フォトレジスト
パターンが形成される半導体ウェーハを載置し、回転さ
せる回転ステージと、前記フォトレジストパターンを感
光するための光源部と、感光された前記フォトレジスト
パターンをエツチング除去する手段と、前記フォトレジ
ストパターンが除去された前記半導体ウェーハ面にレー
ザ光を照射するレーザ発光部と、前記半導体ウェーハ面
より反射する散乱光を補足する散乱光受光部とを備えて
いる。
パターンが形成される半導体ウェーハを載置し、回転さ
せる回転ステージと、前記フォトレジストパターンを感
光するための光源部と、感光された前記フォトレジスト
パターンをエツチング除去する手段と、前記フォトレジ
ストパターンが除去された前記半導体ウェーハ面にレー
ザ光を照射するレーザ発光部と、前記半導体ウェーハ面
より反射する散乱光を補足する散乱光受光部とを備えて
いる。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）は本発明の一実施例におけるフォトレジス
ト膜検査装置の構成を示す図である。この７オトレジス
ト膜検査装置は、同図に示すように、従来からあるフォ
トレジスト膜検査装置の前段に、ウェーハ１のフォトレ
ジスト膜を感光させる水銀ランプ７と、感光されるフォ
トレジスト膜をエツチング除去する現像液を滴下するノ
ズル８と、ウェーハ１を搭載し、回転する回転ステージ
９と回転機構部１０とを設けたことである。
ト膜検査装置の構成を示す図である。この７オトレジス
ト膜検査装置は、同図に示すように、従来からあるフォ
トレジスト膜検査装置の前段に、ウェーハ１のフォトレ
ジスト膜を感光させる水銀ランプ７と、感光されるフォ
トレジスト膜をエツチング除去する現像液を滴下するノ
ズル８と、ウェーハ１を搭載し、回転する回転ステージ
９と回転機構部１０とを設けたことである。
第２図（ａ）〜（ｅ）は第１図のフォトレジスト膜検査
装置の動作を説明するためのウェーハの部分断面を示す
図である０次に、このフォトレジスト膜検査装置の動作
を説明する。まず、第２図（ａ＞のフォトレジストパタ
ーンが形成されなウェーハ１１をカップ８内にある回転
ステージ９に搭載する０次に、第２図（ｂ）に示すよう
に、水銀ランプ２を点灯させ、フォトレジストパターン
を感光させる６次に、ノズル７を矢印Ａの方向に移動さ
せるとともに現像液を滴下する。これと同時にウェーハ
１を回転機構部１０により回転させる。このことにより
、第２図（ｃ）に示すように、ゲル状変質物１２のみエ
ツチングされず、ウェーハ１に残される。次に、従来例
で説明したと同様に、ウェーハ１を搬送機構３で移送し
、ステージ４に搭載する。次に、レーザ照射部６からレ
ーザー光を照射し、散乱光受光部５によってウェーハに
存在する異物から出される散乱光を検知して検査を行な
う。
装置の動作を説明するためのウェーハの部分断面を示す
図である０次に、このフォトレジスト膜検査装置の動作
を説明する。まず、第２図（ａ＞のフォトレジストパタ
ーンが形成されなウェーハ１１をカップ８内にある回転
ステージ９に搭載する０次に、第２図（ｂ）に示すよう
に、水銀ランプ２を点灯させ、フォトレジストパターン
を感光させる６次に、ノズル７を矢印Ａの方向に移動さ
せるとともに現像液を滴下する。これと同時にウェーハ
１を回転機構部１０により回転させる。このことにより
、第２図（ｃ）に示すように、ゲル状変質物１２のみエ
ツチングされず、ウェーハ１に残される。次に、従来例
で説明したと同様に、ウェーハ１を搬送機構３で移送し
、ステージ４に搭載する。次に、レーザ照射部６からレ
ーザー光を照射し、散乱光受光部５によってウェーハに
存在する異物から出される散乱光を検知して検査を行な
う。
このように、本発明のフォトレジスト膜検査装置は、ゲ
ル状変質物は、露光・現像処理を行なっても溶解しない
ことを利用して、ウェーハにゲル状変質物のみを残す事
によって、検出し易くし、ウェーハ全面に発生したゲル
状変質物を短時間に検出することである。勿論、ウェー
ハにこのゲル状変質物があれば、このウェーハを含むロ
ットに対しては、フォトレジストバター作成を再度、や
り直すことになる。
ル状変質物は、露光・現像処理を行なっても溶解しない
ことを利用して、ウェーハにゲル状変質物のみを残す事
によって、検出し易くし、ウェーハ全面に発生したゲル
状変質物を短時間に検出することである。勿論、ウェー
ハにこのゲル状変質物があれば、このウェーハを含むロ
ットに対しては、フォトレジストバター作成を再度、や
り直すことになる。
以上説明したように本発明は、フォトレジストを感光さ
せるために光源と、感光したフォトレジストをエツチン
グ除去する手段とを設けることにより、フォトレジスト
膜中あるいはパターン間に存在するゲル状変質物を露呈
することが出来るので、確実にゲル状変質物を検出出来
るフォトレジスト膜検査装置が得られるという効果があ
る。
せるために光源と、感光したフォトレジストをエツチン
グ除去する手段とを設けることにより、フォトレジスト
膜中あるいはパターン間に存在するゲル状変質物を露呈
することが出来るので、確実にゲル状変質物を検出出来
るフォトレジスト膜検査装置が得られるという効果があ
る。
第１図は本発明の一実施例におけるフォトレジスト膜検
査装置の構成を示す図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は第１図
のフォトレジスト膜検査装置の動作を説明するためのウ
ェーハの部分断面を示す図、第３図は従来のフォトレジ
スト膜検査装置の一例における構成を示す図、第４図（
ａ）、（ｂ）は従来の装置の動作を説明するウェーハの
部分断面図である。 ｌ・・・ウェーハ、２・・・水銀ランプ、３・・・搬送
機構部、４・・・ステージ、５・・・散乱光受光部、６
・・・レーザ照射部、７・・・ノズル、８・・・カップ
、９・・・回転ステージ、１０・・・回転機構部、１１
・・・フォトレジスト、１２・・・ゲル状変質物。
査装置の構成を示す図、第２図（ａ）〜（Ｃ）は第１図
のフォトレジスト膜検査装置の動作を説明するためのウ
ェーハの部分断面を示す図、第３図は従来のフォトレジ
スト膜検査装置の一例における構成を示す図、第４図（
ａ）、（ｂ）は従来の装置の動作を説明するウェーハの
部分断面図である。 ｌ・・・ウェーハ、２・・・水銀ランプ、３・・・搬送
機構部、４・・・ステージ、５・・・散乱光受光部、６
・・・レーザ照射部、７・・・ノズル、８・・・カップ
、９・・・回転ステージ、１０・・・回転機構部、１１
・・・フォトレジスト、１２・・・ゲル状変質物。
Claims (1)
- フォトレジストパターンが形成される半導体ウェーハ
を載置し、回転させる回転ステージと、前記フォトレジ
ストパターンを感光するための光源部と、感光された前
記フォトレジストパターンをエッチング除去する手段と
、前記フォトレジストパターンが除去された前記半導体
ウェーハ面にレーザ光を照射するレーザ発光部と、前記
半導体ウェーハ面より反射する散乱光を補足する散乱光
受光部とを備えることを特徴とするフォトレジスト膜検
査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27179890A JPH04147641A (ja) | 1990-10-09 | 1990-10-09 | フォトレジスト膜検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27179890A JPH04147641A (ja) | 1990-10-09 | 1990-10-09 | フォトレジスト膜検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04147641A true JPH04147641A (ja) | 1992-05-21 |
Family
ID=17505004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27179890A Pending JPH04147641A (ja) | 1990-10-09 | 1990-10-09 | フォトレジスト膜検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04147641A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6420076B1 (en) * | 1994-04-07 | 2002-07-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and apparatus of inspecting foreign substance on substrate surface |
| JP2014020961A (ja) * | 2012-07-19 | 2014-02-03 | Sharp Corp | 異物検出方法および異物検査装置 |
-
1990
- 1990-10-09 JP JP27179890A patent/JPH04147641A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6420076B1 (en) * | 1994-04-07 | 2002-07-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and apparatus of inspecting foreign substance on substrate surface |
| JP2014020961A (ja) * | 2012-07-19 | 2014-02-03 | Sharp Corp | 異物検出方法および異物検査装置 |
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