JPH05257265A - レチクルゴミ検査方法 - Google Patents

レチクルゴミ検査方法

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Publication number
JPH05257265A
JPH05257265A JP5204792A JP5204792A JPH05257265A JP H05257265 A JPH05257265 A JP H05257265A JP 5204792 A JP5204792 A JP 5204792A JP 5204792 A JP5204792 A JP 5204792A JP H05257265 A JPH05257265 A JP H05257265A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reticle
wafer
dust
resist
reticule
Prior art date
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Pending
Application number
JP5204792A
Other languages
English (en)
Inventor
Takatoshi Fujimoto
高敏 藤本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd filed Critical Renesas Semiconductor Manufacturing Co Ltd
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Pending legal-status Critical Current

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  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 レチクルのゴミ検査方法における、ゴミの検
出感度を改善する。 【構成】 まず、ポジ型レジストを塗布したウェーハ6
に、反転パターンレチクル3を使用し、露光する。その
後正規のレチクル1を使用し、上記ウェーハ6を再度露
光する。その後ウェーハ6を現像することにより、正規
のレチクル1上のゴミのパターンのみレジスト7とし
て、ウェーハ6上に残る。このレジスト7をゴミ検査装
置にて検出することにより、感度良くレチクル1上のゴ
ミ2を検出できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】本発明は、半導体製造方法に関し、特に、
レチクル上のゴミの検査方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、レチクル上のゴミ検査方法は、図
2に示すように、露光装置に、レチクル1をセットした
状態で直接レーザー光8を当てる。レチクル1上にゴミ
2が有る場合、レーザー光が乱反射する。その乱反射光
9を検出することにより、レチクル上のゴミの有無を検
査していた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の従来
のレチクルゴミ検査方法は、ゴミによるレーザーの乱反
射光を検出しているため、ゴミ検出感度をあげると、レ
チクル上のパターンエッジでの乱反射光をゴミと娯検出
するという欠点がある。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、ポジ型レジス
トを塗布したウェーハに、露光装置にて、正規のレチク
ルの反転パターンを有するレチクルにて、まず1回目の
露光を行う工程と、その後前記ウェーハを正規のレチク
ルにて、2回目の露光を行う工程と、その後前記ウェー
ハを現像する工程と、その後、ウェーハ上のゴミ(ポジ
型レジスト)を検査する工程とを有することを特徴とす
る。
【0005】本発明はまた、ポジ型レジストを塗布した
ウェーハに、正規のレチクルにてまず1回目の露光を行
う工程と、その後前記ウェーハを正規のレチクルの反転
パターンを有するレチクルにて2回目の露光を行う工程
と、その後前記ウェーハを現像する工程と、その後ウェ
ーハ上のゴミ(ポジ型レジスト)を検査する工程とを有
することを特徴とする。
【0006】
【作用】上記の構成によると、正規のレチクル上のゴミ
だけが、ウェーハ上のレジストに転写され、次の現像に
より、ゴミの部分のレジストがウェーハ上に残る。この
レジストをゴミ検査装置により、検査することにより、
レチクル上のゴミを高感度で検出する。
【0007】
【実施例】以下に、この発明について、図面を参照して
説明する。図1(a)〜(c)は、本発明の一実施例を
説明するために、工程順に示した図である。
【0008】まず、ポジ型レジストを塗布したウェーハ
6に、図1(a)に示す反転パターンレチクル3を使用
し、露光装置にて露光する。
【0009】次に、図1(b)に示す正規のレチクル1
を使用し、上記ウェーハ6を再度露光装置にて、露光す
る。
【0010】ポジ型レジストは、露光部分のみ、現像さ
れるため、上記ウェーハを現像することにより、図1
(c)のように、正規のレチクル上のゴミのパターンの
みレジスト7として残る。
【0011】このレジスト7をゴミ検査装置により検出
することにより、検査感度をあげてもパターンエッジよ
りの乱反射は生じないので感度良くレチクル上のゴミ2
を検出できる。
【0012】なお、反転パターンレチクル3上のゴミは
その部分は正規のレチクル1による露光時露光されるの
でウェーハ6上には、レジストは残らない。
【0013】また、上記実施例と逆に、1回目の露光時
に正規のレチクルを使用して露光し、2回目の露光で正
規のレチクルの反転パターンを有するレチクルを使用し
て露光してもよい。
【0014】
【発明の効果】以上説明したように、この発明は、反転
レチクルとレギュラーレチクルを組み合わせ、露光・現
像することにより、ゴミをレジストのパターンに残すこ
とが可能となり、このレジストをゴミ検査装置によって
検査することにより、感度良く、検出することが可能と
なる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)〜(c) 本発明に使用するレチクルパ
ターンとウェーハ上に転写されたゴミを示した平面図
【図2】 従来のレチクル上のゴミの検査方法を示した
断面図
【符号の説明】
1 正規レチクル 2 ゴミ 3 反転パターンレチクル 4 レチクルの暗部 5 レチクルの明部 6 ウェーハ 7 レジスト 8 レーザー光 9 乱反射光

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】レチクルに付着したゴミの検査方法におい
    て、ポジ型レジストを塗布したウェーハに、正規のレチ
    クルの反転パターンを有するレチクルにて、露光する工
    程と、その後、前記ウェーハを正規のレチクルにて再度
    露光する工程と、その後、ウェーハ上のポジ型レジスト
    を現像する工程と、その後ウェーハ上のゴミを検査する
    工程とを有することを特徴とするレチクルゴミ検査方
    法。
  2. 【請求項2】レチクル付着したゴミの検査方法におい
    て、ポジ型レジストを塗布したウェーハに正規のレチク
    ルにて露光する工程と、その後、前記ウェーハを正規の
    レチクルの反転パターンを有するレチクルにて再度露光
    する工程と、その後ウェーハ上のポジ型レジストを現像
    する工程と、その後ウェーハ上のゴミを検査する工程と
    を有することを特徴とするレチクルゴミ検査方法。
JP5204792A 1992-03-11 1992-03-11 レチクルゴミ検査方法 Pending JPH05257265A (ja)

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