KR970022533A - 반도체소자의 공정결함 검사방법 - Google Patents

반도체소자의 공정결함 검사방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체소자의 공정결함 검사방법에 관한 것으로, 하나의 필드내에서 위치에 따라 동일한 크기의 광차단막 패턴을 사용하여도 형성되는 패턴의 크기가 다른 것을 이용하는 것으로서, 제1피식각층상에 포지티브 감광막 패턴을 형성하고, 이를 마스크로 제1피식각층을 식각하여 제1피식각패턴을 형성하며, 제2차 노광시 기판을 (n+1/2), (n+1/4)(n=자연수) 피치 만큼 오정렬시켜 노광하여 네가티브 감광막패턴을 형성한 후, 상기 네가티브 감광막 패턴에 의해 노출되는 피식각층 패턴 부분이 남도록 패턴닝하여 피식각층 잔류층을 형성하고, 상기의 피식각층 잔류층들의 분포 위치와 밀도 및 크기를 공정결함 검사 장치로 검사하여 필드내의 위치에 따른 CD 변화를 정량적으로 측정하여 근접효과에 의한 패턴 크기를 변화를 구하고 이를 피드백하여 노광마스크의 광차단막 패턴을 보정하며, 공정결함 겸사 공정에 소요되는 시간이 단축되어 공정수율 및 소자 동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.

Description

반도체소자의 공정결함 검사방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4A도 내지 제4E도는 본 발명에 따른 반도체소자의 공정결함 검사를 위한 패턴 제조 공정도.

Claims (8)

  1. 소정의 기판상에 제1피식각층을 형성하는 공정과, 상기 제1피식각층상에 포지티브 감광막을 형성하는 공정파, 상기 포지티브 감광막을 일정 피치의 라인/스페이스 광차단막 패턴이 형성되어 있는 노광마스크를 사용하여 노광하여 근접효과에 의해 하나의 필드내에서 크기가 다른 포지티브 감광막 패턴을 형성하는 공정과, 상기 포지티브 감광막 패턴을 마스크로 제1피식각층을 식각하여 피식각층 패턴을 형성하고 상기 포지티브 감광막 패턴을 제거하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 네가티브 감광막을 형성하는 공정과, 상기 네가티브 감광막을 노광하여 네가티브 감광막 패턴을 형성하되, 상기 노광마스크를 일정 피치 만큼 이동시켜 광차단막 패턴이
    스페이스의 중간에 위치하도록 오정렬시켜 노광하여 형성하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 제1피식층과는 식각선택비차가 있는 물질로 제2피식각층 패턴을 형성하되, 상기 네가티브 감광막 패턴의 상측이 노출되도록 형성하는 공정과, 상기 노출된 네가티브 감광막 패턴을 제거하여 그하부의 제1피식각층을 노출시키는 공정과,상기 제2피식각층 패턴에 의해 노출되어있는 제1피식각층을 제거하여 제2피식각층 패턴 하부에만 남는 제1피식각층 잔류층을 형성하는 공정과, 상기 제2피식각층 패턴을 제거하는 공정과, 상기 구조의 기판을 공정결함검사 장치로 검사하여 남아있는 제1피식각층 잔류층을 검출하되, 검출패턴의 밀도 및 크기를 검사하여 검출패턴의 위치에 따른 CD차를 계산하는 공정을 구비하는 반도체소자의 공정결함 검사방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1피식각층의 하부에 별도의 식각층을 비.피.에스.지(Boro Phospho Silicate Glass; BPSG)나 산화막 또는 질화막으로 100∼1000Å 두께 만큼 형성하여 제1피식각층과 기판간의 식각선택비차를 더욱 증가시키는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 공정결함 검사방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1피식각층을 산화막이나 질화막 또는 금속층으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 공정결함 검사방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 제1피식각층을 반사율이 높은 Al으로 형성하여 후속 결함 검사 공정을 용이하게 하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 공정결함 검사방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 노광마스크의 광차단막 패턴이 동일한 라인/스페이스를 갖는 경우 상기 네가티브 감광막 패턴 형성을 위한 오정렬 정도를 n+1/2 또는 n+1/4 피치(n=자연수)로 하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 공정결함 검사방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 라인(L)/스페이스(S)의 크기가 S=n×L(n=1,2,3…)크기로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 공정결함 검사방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 노광마스크의 광차단막 패턴이 콘택홀 패턴을 갖는 경우 상기 네가티브 감광막 패턴 형성을 위한 오정렬을 실시하지 않고 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 공정결함 검사방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 제2피식각층을 TiN 또는 WSi으로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 공정결함 검사방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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