JPH095250A - 基板表面の異物検査方法及び検査装置 - Google Patents
基板表面の異物検査方法及び検査装置Info
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- JPH095250A JPH095250A JP7156199A JP15619995A JPH095250A JP H095250 A JPH095250 A JP H095250A JP 7156199 A JP7156199 A JP 7156199A JP 15619995 A JP15619995 A JP 15619995A JP H095250 A JPH095250 A JP H095250A
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- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
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- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 フォトレジストを感光し現像により残ったゲ
ル状異物をマスクにしエッチングしアッシングすること
により、フォトレジスト膜中またはパターン間に存在す
るゲル状異物を確実に検出する方法と装置を提供する。 【構成】 ウェハ１１上にフォトレジスト１２を回転塗
布し、フォトレジスト１２をステッパー等の露光装置を
用い紫外線１４を照射しウエハ１１全面を感光させ、フ
ォトレジスト１２をアルカリ現像液で除去し、フォトレ
ジスト１２が除去されたウエハ１１をエッチングし、ア
ッシングと洗浄を行い、アッシングされたウエハ１１表
面にレーザー光を照射し反射する散乱光から異物を検査
する。
ル状異物をマスクにしエッチングしアッシングすること
により、フォトレジスト膜中またはパターン間に存在す
るゲル状異物を確実に検出する方法と装置を提供する。 【構成】 ウェハ１１上にフォトレジスト１２を回転塗
布し、フォトレジスト１２をステッパー等の露光装置を
用い紫外線１４を照射しウエハ１１全面を感光させ、フ
ォトレジスト１２をアルカリ現像液で除去し、フォトレ
ジスト１２が除去されたウエハ１１をエッチングし、ア
ッシングと洗浄を行い、アッシングされたウエハ１１表
面にレーザー光を照射し反射する散乱光から異物を検査
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体基板、プ
リント配線基板、電気接続用コネクター基板、液晶表示
素子用ネサガラス、各種センサー等の基板上に塗布され
たフォトレジスト（感光性樹脂も含む）中に含まれるゲ
ル状等の異物を検出する異物検査用方法及びその検査装
置に関するものである。
リント配線基板、電気接続用コネクター基板、液晶表示
素子用ネサガラス、各種センサー等の基板上に塗布され
たフォトレジスト（感光性樹脂も含む）中に含まれるゲ
ル状等の異物を検出する異物検査用方法及びその検査装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板、プリント配線基板、電気接
続用コネクター基板、液晶表示素子用ネサガラス、各種
センサー等の基板は、表面に微細かつ精密なパターン配
線を形成するために、一般的にフォトレジスト膜を用い
て露光し現像をおこなっている。しかしながら、フォト
レジスト膜は光照射により不溶化したり、逆に光照射に
よりアルカリ溶液に溶解するようになるという複雑な分
子構造を有するため、または樹脂の製造工程中異常滞留
や部分的に加熱を受けたりして、ゲル状物が発生するこ
とがある。
続用コネクター基板、液晶表示素子用ネサガラス、各種
センサー等の基板は、表面に微細かつ精密なパターン配
線を形成するために、一般的にフォトレジスト膜を用い
て露光し現像をおこなっている。しかしながら、フォト
レジスト膜は光照射により不溶化したり、逆に光照射に
よりアルカリ溶液に溶解するようになるという複雑な分
子構造を有するため、または樹脂の製造工程中異常滞留
や部分的に加熱を受けたりして、ゲル状物が発生するこ
とがある。
【０００３】例えばシリコン半導体基板を例に挙げて説
明すると、図３は従来のフォトレジスト膜中異物検査装
置の構成断面図を示す。従来、上記フォトレジスト膜中
の異物検査装置は、ウエハ３１をステージ３２に搭載
し、ステージ３２を移動させながらレーザー光をウエハ
３１に照射する。すなわち、レーザ光照射器２９と散乱
光ディテクター３０、３０´から構成されている異物検
査装置を用いて測定する際に、ウエハ３１のフォトレジ
スト膜中に異物が存在すればレーザー光はこの異物によ
り散乱され、散乱光ディテクター３０、３０´で検知し
ウエハの異物を検出していた。
明すると、図３は従来のフォトレジスト膜中異物検査装
置の構成断面図を示す。従来、上記フォトレジスト膜中
の異物検査装置は、ウエハ３１をステージ３２に搭載
し、ステージ３２を移動させながらレーザー光をウエハ
３１に照射する。すなわち、レーザ光照射器２９と散乱
光ディテクター３０、３０´から構成されている異物検
査装置を用いて測定する際に、ウエハ３１のフォトレジ
スト膜中に異物が存在すればレーザー光はこの異物によ
り散乱され、散乱光ディテクター３０、３０´で検知し
ウエハの異物を検出していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の異物検査方法では、フォトレジスト膜中に起因する
例えばゲル状等の異物を検出することができなかった。
以下、図を用いて説明する。図４（ａ）及び（ｂ）は本
発明が解決しようとする課題を説明するためのウエハの
部分断面図である。前記従来のフォトレジスト膜中異物
検査装置では、例えば図４（ａ）に示すようなゲル状異
物３３がフォトレジスト膜３４中に存在した場合、非常
に検出しにくいものであった。また、図４（ｂ）のよう
なフォトレジストを現像後、パタ−ン間にゲル状異物が
存在した場合でも、周囲のフォトレジストパターン３５
が光を乱反射させて異物を検出することが困難である。
特に、図４（ｂ）のようなパターン３４間にゲル状異物
３３が存在した場合、パターン欠陥の原因となる問題が
あった。
来の異物検査方法では、フォトレジスト膜中に起因する
例えばゲル状等の異物を検出することができなかった。
以下、図を用いて説明する。図４（ａ）及び（ｂ）は本
発明が解決しようとする課題を説明するためのウエハの
部分断面図である。前記従来のフォトレジスト膜中異物
検査装置では、例えば図４（ａ）に示すようなゲル状異
物３３がフォトレジスト膜３４中に存在した場合、非常
に検出しにくいものであった。また、図４（ｂ）のよう
なフォトレジストを現像後、パタ−ン間にゲル状異物が
存在した場合でも、周囲のフォトレジストパターン３５
が光を乱反射させて異物を検出することが困難である。
特に、図４（ｂ）のようなパターン３４間にゲル状異物
３３が存在した場合、パターン欠陥の原因となる問題が
あった。
【０００５】本発明は、前記従来の問題を解決するた
め、レジスト膜内やレジストパターン間に存在するゲル
状異物を確実に検出するフォトレジスト膜中異物検査方
法と検査装置を提供するものである。
め、レジスト膜内やレジストパターン間に存在するゲル
状異物を確実に検出するフォトレジスト膜中異物検査方
法と検査装置を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の基板表面の異物検査方法は、基板上にフォ
トレジストを塗布し、前記フォトレジストを感光させ、
次に前記感光後のフォトレジストを現像液を用いて除去
し、次に前記基板面をエッチング処理とアッシング処理
し、次に前記基板を洗浄し、しかる後前記基板表面にレ
ーザー光線を照射しその散乱光を受光することにより異
物を検出するという構成を備えたものである。
め、本発明の基板表面の異物検査方法は、基板上にフォ
トレジストを塗布し、前記フォトレジストを感光させ、
次に前記感光後のフォトレジストを現像液を用いて除去
し、次に前記基板面をエッチング処理とアッシング処理
し、次に前記基板を洗浄し、しかる後前記基板表面にレ
ーザー光線を照射しその散乱光を受光することにより異
物を検出するという構成を備えたものである。
【０００７】次に本発明の基板表面の異物検査装置は、
基板上にフォトレジストを転塗布する手段と、前記フォ
トレジストを感光させる手段と、前記感光後のフォトレ
ジストを現像液で除去する手段と、前記基板面をエッチ
ングとアッシングする手段と、前記基板の洗浄を行う手
段と、前記基板表面に半導体レーザーを照射しその散乱
光を受光して異物を検出する手段を有するという構成を
備えたものである。
基板上にフォトレジストを転塗布する手段と、前記フォ
トレジストを感光させる手段と、前記感光後のフォトレ
ジストを現像液で除去する手段と、前記基板面をエッチ
ングとアッシングする手段と、前記基板の洗浄を行う手
段と、前記基板表面に半導体レーザーを照射しその散乱
光を受光して異物を検出する手段を有するという構成を
備えたものである。
【０００８】前記本発明の基板表面の異物検査方法及び
装置においては、エッチング処理が、反応性イオンエッ
チング手段を用いて、基板表面を平均０．１〜１μｍの
深さにエッチングする方法であることが好ましい。平均
０．１〜１μｍの深さにエッチングすれば、レーザー光
線を照射しその散乱光を受光することにより異物を正確
に検出することができる。
装置においては、エッチング処理が、反応性イオンエッ
チング手段を用いて、基板表面を平均０．１〜１μｍの
深さにエッチングする方法であることが好ましい。平均
０．１〜１μｍの深さにエッチングすれば、レーザー光
線を照射しその散乱光を受光することにより異物を正確
に検出することができる。
【０００９】また前記構成においては、アッシング処理
が、反応性イオンエッチング手段を用いて、基板表面を
平均２００〜３００℃の温度に加熱する方法であること
が好ましい。この条件であれば、レジストパターン間に
存在して残存するゲル状異物を確実に灰化できるからで
ある。
が、反応性イオンエッチング手段を用いて、基板表面を
平均２００〜３００℃の温度に加熱する方法であること
が好ましい。この条件であれば、レジストパターン間に
存在して残存するゲル状異物を確実に灰化できるからで
ある。
【００１０】また前記構成においては、基板上にフォト
レジストを塗布する方法が、回転塗布（スピンコート）
法であることが好ましい。フォトレジストを薄くかつ均
一に塗布できるからである。なおフォトレジストとして
は、ポリ（ｐ−ビニルフエノール）の水酸基をｔ−ブチ
ルエステルでブロック化した樹脂、ポリビニルアルコー
ル（ＰＶＡ）等の水溶性ポリマーに重クロム酸アンモニ
ウム、多官能ジアゾニウム塩、水溶性ビスアジド化合物
等の光架橋剤を混合した組成物、または部分環化ポリイ
ソプレンにビスアジド化合物（例えば、２，６−（４−
アジドベンザル）メチルシクロヘキサノン）等を用いる
ことができる。
レジストを塗布する方法が、回転塗布（スピンコート）
法であることが好ましい。フォトレジストを薄くかつ均
一に塗布できるからである。なおフォトレジストとして
は、ポリ（ｐ−ビニルフエノール）の水酸基をｔ−ブチ
ルエステルでブロック化した樹脂、ポリビニルアルコー
ル（ＰＶＡ）等の水溶性ポリマーに重クロム酸アンモニ
ウム、多官能ジアゾニウム塩、水溶性ビスアジド化合物
等の光架橋剤を混合した組成物、または部分環化ポリイ
ソプレンにビスアジド化合物（例えば、２，６−（４−
アジドベンザル）メチルシクロヘキサノン）等を用いる
ことができる。
【００１１】また前記構成において、現像液を用いてフ
ォトレジストを除去する方法が、無機アルカリ水溶液及
びテトラメチルアンモニウムハイドロキシドから選ばれ
る少なくとも一つの溶液を用いるものであることが好ま
しい。レジストを溶解させるためである。
ォトレジストを除去する方法が、無機アルカリ水溶液及
びテトラメチルアンモニウムハイドロキシドから選ばれ
る少なくとも一つの溶液を用いるものであることが好ま
しい。レジストを溶解させるためである。
【００１２】また前記構成においては、アッシング処理
後の基板を洗浄方法が、硫酸及び過酸化水素を含む水溶
液を用いるものであることが好ましい。灰化したゲル状
異物を確実に除去するためである。
後の基板を洗浄方法が、硫酸及び過酸化水素を含む水溶
液を用いるものであることが好ましい。灰化したゲル状
異物を確実に除去するためである。
【００１３】また前記構成においては、基板が半導体基
板、プリント配線基板、電気接続用コネクター基板、液
晶表示素子用ネサガラス基板、各種センサー基板から選
ばれる少なくとも一つの基板であることが好ましい。レ
ジストを用いて精密かつ微細なパターニングを要求され
る基板に適用することができるからである。
板、プリント配線基板、電気接続用コネクター基板、液
晶表示素子用ネサガラス基板、各種センサー基板から選
ばれる少なくとも一つの基板であることが好ましい。レ
ジストを用いて精密かつ微細なパターニングを要求され
る基板に適用することができるからである。
【００１４】
【作用】前記した本発明の基板表面の異物検査方法によ
れば、基板上にフォトレジストを塗布し、前記フォトレ
ジストを感光させ、次に前記感光後のフォトレジストを
現像液を用いて除去し、次に前記基板面をエッチング処
理とアッシング処理し、次に前記基板を洗浄し、しかる
後前記基板表面にレーザー光線を照射しその散乱光を受
光して異物を検出することにより、レジスト膜内やレジ
ストパターン間に存在するゲル状異物の有無を確実に検
出することができる。すなわち、フォトレジストを感光
し現像により残ったゲル状異物をマスクにしエッチング
することでフォトレジスト膜中またはパターン間に存在
するゲル状異物を検出できる。
れば、基板上にフォトレジストを塗布し、前記フォトレ
ジストを感光させ、次に前記感光後のフォトレジストを
現像液を用いて除去し、次に前記基板面をエッチング処
理とアッシング処理し、次に前記基板を洗浄し、しかる
後前記基板表面にレーザー光線を照射しその散乱光を受
光して異物を検出することにより、レジスト膜内やレジ
ストパターン間に存在するゲル状異物の有無を確実に検
出することができる。すなわち、フォトレジストを感光
し現像により残ったゲル状異物をマスクにしエッチング
することでフォトレジスト膜中またはパターン間に存在
するゲル状異物を検出できる。
【００１５】次に本発明の表面の異物検査装置によれ
ば、基板上にフォトレジストを転塗布する手段と、前記
フォトレジストを感光させる手段と、前記感光後のフォ
トレジストを現像液で除去する手段と、前記基板面をエ
ッチングとアッシングする手段と、前記基板の洗浄を行
う手段と、前記基板表面に半導体レーザーを照射しその
散乱光を受光して異物を検出する手段を有することによ
り、効率よく合理的にレジスト膜内やレジストパターン
間に存在するゲル状異物を確実に検出することができ
る。
ば、基板上にフォトレジストを転塗布する手段と、前記
フォトレジストを感光させる手段と、前記感光後のフォ
トレジストを現像液で除去する手段と、前記基板面をエ
ッチングとアッシングする手段と、前記基板の洗浄を行
う手段と、前記基板表面に半導体レーザーを照射しその
散乱光を受光して異物を検出する手段を有することによ
り、効率よく合理的にレジスト膜内やレジストパターン
間に存在するゲル状異物を確実に検出することができ
る。
【００１６】本発明は、レジストを用いる例えば半導体
基板、プリント配線基板、電気接続用コネクター基板、
液晶表示素子用ネサガラス、各種センサー等の基板など
多くの用途に応用することが可能である。
基板、プリント配線基板、電気接続用コネクター基板、
液晶表示素子用ネサガラス、各種センサー等の基板など
多くの用途に応用することが可能である。
【００１７】
【実施例】以下実施例を用いて本発明をさらに具体的に
説明する。下記の実施例においては、基板としてシリコ
ン半導体を例に挙げて説明する。
説明する。下記の実施例においては、基板としてシリコ
ン半導体を例に挙げて説明する。
【００１８】本実施例のフォトレジスト膜中異物検査用
ウエハの製造方法は、ウエハ上にフォトレジストを回転
塗布する工程と、紫外線を照射し感光させる工程（例え
ばステッパーを用い露光する）と、感光させた前記フォ
トレジストをアルカリ現像液で除去する工程と、前記フ
ォトレジストが除去された前記半導体基板面をエッチン
グとアッシングおよび洗浄を行う工程と、前記洗浄が行
われた半導体基板面をレーザー光を照射し反射する散乱
光から異物を検査する工程を備えている。また、本発明
のフォトレジスト膜中異物検査装置は、前記フォトレジ
ストが全面に塗布された半導体基板を搭載するステージ
と、前記フォトレジストを感光するための光源部と、感
光された前記フォトレジストを現像する部分と、前記フ
ォトレジストが除去された半導体基板をエッチングおよ
びアッシングする部分と、前記アッシングされた半導体
基板を洗浄する部分と前記半導体基板表面に半導体レー
ザーを照射しその散乱光を捕捉する受光部とを備えてい
る。
ウエハの製造方法は、ウエハ上にフォトレジストを回転
塗布する工程と、紫外線を照射し感光させる工程（例え
ばステッパーを用い露光する）と、感光させた前記フォ
トレジストをアルカリ現像液で除去する工程と、前記フ
ォトレジストが除去された前記半導体基板面をエッチン
グとアッシングおよび洗浄を行う工程と、前記洗浄が行
われた半導体基板面をレーザー光を照射し反射する散乱
光から異物を検査する工程を備えている。また、本発明
のフォトレジスト膜中異物検査装置は、前記フォトレジ
ストが全面に塗布された半導体基板を搭載するステージ
と、前記フォトレジストを感光するための光源部と、感
光された前記フォトレジストを現像する部分と、前記フ
ォトレジストが除去された半導体基板をエッチングおよ
びアッシングする部分と、前記アッシングされた半導体
基板を洗浄する部分と前記半導体基板表面に半導体レー
ザーを照射しその散乱光を捕捉する受光部とを備えてい
る。
【００１９】図１（ａ）〜（ｆ）は、本発明の一実施例
におけるフォトレジスト膜中のゲル状異物検査用ウエハ
の製造方法の工程を示す。図１（ａ）において、まず大
きさ：直径６インチ、厚さ０．６ｍｍのシリコン半導体
ウエハ１１上にフォトレジスト１２を回転塗布（スピン
コーティング）する。ウエハ１１としては、シリコン半
導体、Ｇａ−Ａｓなどの化合物半導体等を用いる。フォ
トレジスト１２としては、例えばポリ（ｐ−ビニルフエ
ノール）の水酸基をｔ−ブチルエステルでブロック化し
た樹脂、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）等の水溶性ポ
リマーに重クロム酸アンモニウム、多官能ジアゾニウム
塩、水溶性ビスアジド化合物等の光架橋剤を混合した組
成物、または部分環化ポリイソプレンにビスアジド化合
物（例えば、２，６−（４−アジドベンザル）メチルシ
クロヘキサノン）等を用いる。本実施例においては、ポ
リ（ｐ−ビニルフエノール）の水酸基をｔ−ブチルエス
テルでブロック化した樹脂を用いた。
におけるフォトレジスト膜中のゲル状異物検査用ウエハ
の製造方法の工程を示す。図１（ａ）において、まず大
きさ：直径６インチ、厚さ０．６ｍｍのシリコン半導体
ウエハ１１上にフォトレジスト１２を回転塗布（スピン
コーティング）する。ウエハ１１としては、シリコン半
導体、Ｇａ−Ａｓなどの化合物半導体等を用いる。フォ
トレジスト１２としては、例えばポリ（ｐ−ビニルフエ
ノール）の水酸基をｔ−ブチルエステルでブロック化し
た樹脂、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）等の水溶性ポ
リマーに重クロム酸アンモニウム、多官能ジアゾニウム
塩、水溶性ビスアジド化合物等の光架橋剤を混合した組
成物、または部分環化ポリイソプレンにビスアジド化合
物（例えば、２，６−（４−アジドベンザル）メチルシ
クロヘキサノン）等を用いる。本実施例においては、ポ
リ（ｐ−ビニルフエノール）の水酸基をｔ−ブチルエス
テルでブロック化した樹脂を用いた。
【００２０】フォトレジスト１２のコーティング厚さ
は、乾燥後で約１μｍ程度が好ましい。この工程におい
て、ウエハ１１とフォトレジスト膜１２との界面または
フォトレジスト膜１２中にゲル状異物１３が発生する。
は、乾燥後で約１μｍ程度が好ましい。この工程におい
て、ウエハ１１とフォトレジスト膜１２との界面または
フォトレジスト膜１２中にゲル状異物１３が発生する。
【００２１】次に図１（ｂ）において、コーティングさ
れたフォトレジスト１２を、ステッパー等の露光装置を
用いて紫外線１４を照射し、ウエハ１１全面を感光させ
る。紫外線１４の照射時間は約３０秒間程度が好まし
く、照射量は約５００ｍＪ程度が好ましい。
れたフォトレジスト１２を、ステッパー等の露光装置を
用いて紫外線１４を照射し、ウエハ１１全面を感光させ
る。紫外線１４の照射時間は約３０秒間程度が好まし
く、照射量は約５００ｍＪ程度が好ましい。
【００２２】次に図１（ｃ）において、感光させたフォ
トレジスト１２をアルカリ現像液で除去する。アルカリ
現像液としてはテトラメチルアンモニウムハイドロキシ
ド等を用い、濃度２．３８重量％水溶液中に６０秒間程
度浸漬させる。
トレジスト１２をアルカリ現像液で除去する。アルカリ
現像液としてはテトラメチルアンモニウムハイドロキシ
ド等を用い、濃度２．３８重量％水溶液中に６０秒間程
度浸漬させる。
【００２３】次に図１（ｄ）において、前記フォトレジ
スト１２が除去されたウエハ１１をＲＩＥ（反応性イオ
ンエッチング装置）エッチャ−等を用いてエッチングす
る。シリコンエッチング条件は、ガス流量：ＳＦ6 ／Ｏ
2 ＝５０／１０ｓｓｃｍ、圧力：１０〜３０Ｐａ、温
度：１００〜１２０℃、高周波電力：ＲＦ＝２００〜３
００Ｗで行った。このエッチング処理により、ウエハ１
１は表面から約０．５μｍ程度エッチングされた。
スト１２が除去されたウエハ１１をＲＩＥ（反応性イオ
ンエッチング装置）エッチャ−等を用いてエッチングす
る。シリコンエッチング条件は、ガス流量：ＳＦ6 ／Ｏ
2 ＝５０／１０ｓｓｃｍ、圧力：１０〜３０Ｐａ、温
度：１００〜１２０℃、高周波電力：ＲＦ＝２００〜３
００Ｗで行った。このエッチング処理により、ウエハ１
１は表面から約０．５μｍ程度エッチングされた。
【００２４】次に図１（ｅ）において、前記エッチング
されたウエハ１１をアッシングと洗浄を行う。アッシン
グは、Ｏ2 プラズマ等を用い、圧力条件：４０〜５０Ｐ
ａ、ウエハ温度：５０〜２００℃、高周波電力：ＲＦ＝
１ｋＷで行った。このアッシング処理により、ウエハ１
１表面のゲル状異物１３は灰化された。次に硫酸／過酸
化水素系水溶液を用いて洗浄した後、純水を用いてウエ
ハ１１を洗浄し、灰化物を除去した。
されたウエハ１１をアッシングと洗浄を行う。アッシン
グは、Ｏ2 プラズマ等を用い、圧力条件：４０〜５０Ｐ
ａ、ウエハ温度：５０〜２００℃、高周波電力：ＲＦ＝
１ｋＷで行った。このアッシング処理により、ウエハ１
１表面のゲル状異物１３は灰化された。次に硫酸／過酸
化水素系水溶液を用いて洗浄した後、純水を用いてウエ
ハ１１を洗浄し、灰化物を除去した。
【００２５】前記アッシング処理と洗浄処理した後、乾
燥し、次にウエハ１１表面に半導体レーザー光を照射
し、反射する散乱光から異物を検査する（図１
（ｆ））。半導体レーザー光としては、例えばＨｅ−Ｎ
ｅ等の半導体レーザー光であり、波長６００〜９００ｎ
ｍのものが好ましい。照射量としては１〜１０ｍＷの範
囲である。
燥し、次にウエハ１１表面に半導体レーザー光を照射
し、反射する散乱光から異物を検査する（図１
（ｆ））。半導体レーザー光としては、例えばＨｅ−Ｎ
ｅ等の半導体レーザー光であり、波長６００〜９００ｎ
ｍのものが好ましい。照射量としては１〜１０ｍＷの範
囲である。
【００２６】上記フォトレジスト膜中異物１３は通常ゲ
ル状異物と考えられ、フォトレジストの露光処理と現像
処理を行っても溶融しないことを利用して、図１（ｄ）
に示すようにゲル状異物１３をマスクとしてエッチング
することによってゲル状異物１３の下部以外の半導体基
板がエッチングされる。次のアッシンッグと洗浄により
ゲル状異物１３を洗い流した後に、半導体基板の突起１
５が形成される。この突起１５は、異物装置で異物とし
て短時間に容易に検出することができる。
ル状異物と考えられ、フォトレジストの露光処理と現像
処理を行っても溶融しないことを利用して、図１（ｄ）
に示すようにゲル状異物１３をマスクとしてエッチング
することによってゲル状異物１３の下部以外の半導体基
板がエッチングされる。次のアッシンッグと洗浄により
ゲル状異物１３を洗い流した後に、半導体基板の突起１
５が形成される。この突起１５は、異物装置で異物とし
て短時間に容易に検出することができる。
【００２７】図２は、本発明の一実施例のフォトレジス
ト膜中異物検査用ウエハの製造および検査装置を示して
いる。異物検査装置２７そのものは従来の装置を利用で
きる。同図に示すように、異物検査装置２７の前段に、
スピンモータ１６のついたステージ１７と、このステー
ジ１７に搭載されたウエハ１１のフォトレジスト１２を
感光させる水銀ランプ１８と、感光されたフォトレジス
ト１１を現像する現像液を滴下するノズル１９と、ウエ
ハを移動させる移載器２０と、基板をエッチングとアッ
シングするエッチングユニット２１と、洗浄するユニッ
ト２６が設置されている。
ト膜中異物検査用ウエハの製造および検査装置を示して
いる。異物検査装置２７そのものは従来の装置を利用で
きる。同図に示すように、異物検査装置２７の前段に、
スピンモータ１６のついたステージ１７と、このステー
ジ１７に搭載されたウエハ１１のフォトレジスト１２を
感光させる水銀ランプ１８と、感光されたフォトレジス
ト１１を現像する現像液を滴下するノズル１９と、ウエ
ハを移動させる移載器２０と、基板をエッチングとアッ
シングするエッチングユニット２１と、洗浄するユニッ
ト２６が設置されている。
【００２８】前記のエッチングユニット２１は、ＲＩＥ
（反応性イオンエッチング装置）エッチャ−を用いるこ
とができ、高周波発生器２３とタ−ボポンプ（図示せ
ず）につながる排気口２４と弁２５とから主に構成され
ている。ガス導入口２２からガス（ＨＢｒ系）を導入
し、ウエハ１１（Ｓｉ）表面をエッチングする。また、
前記洗浄ユニット２６は硫酸／過酸化水素系水溶液で構
成されている。
（反応性イオンエッチング装置）エッチャ−を用いるこ
とができ、高周波発生器２３とタ−ボポンプ（図示せ
ず）につながる排気口２４と弁２５とから主に構成され
ている。ガス導入口２２からガス（ＨＢｒ系）を導入
し、ウエハ１１（Ｓｉ）表面をエッチングする。また、
前記洗浄ユニット２６は硫酸／過酸化水素系水溶液で構
成されている。
【００２９】前記異物検査装置２７はウエハ１１を搭載
するステージ２８と、レーザ光照射器２９と散乱光ディ
テクター３０、３０´から構成されている。前記におい
て、３１，３２はウエハを移動させる移載器である。
するステージ２８と、レーザ光照射器２９と散乱光ディ
テクター３０、３０´から構成されている。前記におい
て、３１，３２はウエハを移動させる移載器である。
【００３０】次に、上記フォトレジスト膜中異物検査装
置の動作について説明する。まず、フォトレジスト１２
を回転塗布したウエハ１１をステージ１７に搭載させ
る。次に、水銀ランプ１８をフォトレジス上に照射し、
ノズル１９を移動させながら現像液を滴下させる。フォ
トレジスト１２の膜中のゲル状異物は現像されずにウエ
ハ上に残る。次に、上記ゲル状異物が残ったウエハをエ
ッチングユニット２０に移載しプラズマを用いてエッチ
ング／アッシングを行なう。
置の動作について説明する。まず、フォトレジスト１２
を回転塗布したウエハ１１をステージ１７に搭載させ
る。次に、水銀ランプ１８をフォトレジス上に照射し、
ノズル１９を移動させながら現像液を滴下させる。フォ
トレジスト１２の膜中のゲル状異物は現像されずにウエ
ハ上に残る。次に、上記ゲル状異物が残ったウエハをエ
ッチングユニット２０に移載しプラズマを用いてエッチ
ング／アッシングを行なう。
【００３１】上記エッチングは、半導体基板を約０．５
μｍの深さでエッチングしている。この時、ゲル状異物
がマスクとなり半導体基板が突起状に残る。次に、前記
洗浄ユニット２６に移載され、硫酸／過酸化水素系で洗
浄しＲＩＥドライエッチャ−で半導体表面に付いた異物
を洗い流す。次に、前記異物検査装置２７で半導体基板
の突起を異物として検出する。
μｍの深さでエッチングしている。この時、ゲル状異物
がマスクとなり半導体基板が突起状に残る。次に、前記
洗浄ユニット２６に移載され、硫酸／過酸化水素系で洗
浄しＲＩＥドライエッチャ−で半導体表面に付いた異物
を洗い流す。次に、前記異物検査装置２７で半導体基板
の突起を異物として検出する。
【００３２】上記のフォトレジスト膜中異物検査用ウエ
ハの製造方法と製造および検査装置を適用することで、
従来の検査装置では検出が困難であったゲル状異物の検
出が可能となり、またパターン欠陥検査装置では検出に
長時間かかるのが短時間で確認することができた。
ハの製造方法と製造および検査装置を適用することで、
従来の検査装置では検出が困難であったゲル状異物の検
出が可能となり、またパターン欠陥検査装置では検出に
長時間かかるのが短時間で確認することができた。
【００３３】以上説明したとおり、本発明の実施例によ
れば、フォトレジストを感光し現像により残ったゲル状
異物をマスクにしエッチングしアッシングすることでフ
ォトレジスト膜中またはパターン間に存在するゲル状異
物を確実に検出できる。
れば、フォトレジストを感光し現像により残ったゲル状
異物をマスクにしエッチングしアッシングすることでフ
ォトレジスト膜中またはパターン間に存在するゲル状異
物を確実に検出できる。
【００３４】
【発明の効果】本発明の基板表面の異物検査方法は、基
板上にフォトレジストを塗布し、前記フォトレジストを
感光させ、次に前記感光後のフォトレジストを現像液を
用いて除去し、次に前記基板面をエッチング処理とアッ
シング処理し、次に前記基板を洗浄し、しかる後前記基
板表面にレーザー光線を照射しその散乱光を受光して異
物を検出することにより、レジスト膜内やレジストパタ
ーン間に存在するゲル状異物を確実に検出することがで
きる。すなわち、フォトレジストを感光し現像により残
ったゲル状異物をマスクにしエッチングすることでフォ
トレジスト膜中またはパターン間に存在するゲル状異物
を検出できる。
板上にフォトレジストを塗布し、前記フォトレジストを
感光させ、次に前記感光後のフォトレジストを現像液を
用いて除去し、次に前記基板面をエッチング処理とアッ
シング処理し、次に前記基板を洗浄し、しかる後前記基
板表面にレーザー光線を照射しその散乱光を受光して異
物を検出することにより、レジスト膜内やレジストパタ
ーン間に存在するゲル状異物を確実に検出することがで
きる。すなわち、フォトレジストを感光し現像により残
ったゲル状異物をマスクにしエッチングすることでフォ
トレジスト膜中またはパターン間に存在するゲル状異物
を検出できる。
【００３５】次に本発明の表面の異物検査装置は、基板
上にフォトレジストを転塗布する手段と、前記フォトレ
ジストを感光させる手段と、前記感光後のフォトレジス
トを現像液で除去する手段と、前記基板面をエッチング
とアッシングする手段と、前記基板の洗浄を行う手段
と、前記基板表面に半導体レーザーを照射しその散乱光
を受光して異物を検出する手段を有することにより、効
率よく合理的にレジスト膜内やレジストパターン間に存
在するゲル状異物を確実に検出することができる。
上にフォトレジストを転塗布する手段と、前記フォトレ
ジストを感光させる手段と、前記感光後のフォトレジス
トを現像液で除去する手段と、前記基板面をエッチング
とアッシングする手段と、前記基板の洗浄を行う手段
と、前記基板表面に半導体レーザーを照射しその散乱光
を受光して異物を検出する手段を有することにより、効
率よく合理的にレジスト膜内やレジストパターン間に存
在するゲル状異物を確実に検出することができる。
【００３６】本発明は、レジストを用いる例えば半導体
基板、プリント配線基板、電気接続用コネクター基板、
液晶表示素子用ネサガラス、各種センサー等の基板など
多くの用途に応用することが可能である。
基板、プリント配線基板、電気接続用コネクター基板、
液晶表示素子用ネサガラス、各種センサー等の基板など
多くの用途に応用することが可能である。
【図１】 （ａ）〜（ｆ）は、本発明の一実施例におけ
るフォトレジスト膜中のゲル状異物検査用ウエハの製造
方法の工程を示し、（ａ）はウエハ上にフォトレジスト
を回転塗布（スピンコーティング）した工程、（ｂ）は
コーティングされたフォトレジストに紫外線を照射して
感光した工程、（ｃ）は感光させたフォトレジストをア
ルカリ現像液で除去した工程、（ｄ）はフォトレジスト
が除去されたウエハをエッチングした工程、（ｅ）は前
記エッチングされたウエハをアッシングと洗浄を行う工
程、（ｆ）はウエハ表面に半導体レーザー光を照射し、
反射する散乱光から異物を検査する工程をそれぞれ示
す。
るフォトレジスト膜中のゲル状異物検査用ウエハの製造
方法の工程を示し、（ａ）はウエハ上にフォトレジスト
を回転塗布（スピンコーティング）した工程、（ｂ）は
コーティングされたフォトレジストに紫外線を照射して
感光した工程、（ｃ）は感光させたフォトレジストをア
ルカリ現像液で除去した工程、（ｄ）はフォトレジスト
が除去されたウエハをエッチングした工程、（ｅ）は前
記エッチングされたウエハをアッシングと洗浄を行う工
程、（ｆ）はウエハ表面に半導体レーザー光を照射し、
反射する散乱光から異物を検査する工程をそれぞれ示
す。
【図２】 本発明の一実施例のフォトレジスト膜中異物
検査用ウエハの検査装置。
検査用ウエハの検査装置。
【図３】 従来の異物検査装置の一例における構成を示
す図。
す図。
【図４】 従来異物装置で検査していたウエハの部分断
面図。
面図。
１，３１ 半導体基板（ウエハ） ２，３２ ステージ ３，３３ ゲル状異物 ３３ フォトレジスト膜 ３４ フォトレジストパターン １１ 半導体基板（ウエハ） １２ フォトレジスト １３ ゲル状異物 １４ 紫外線 １５ 突起 １６ スピンモータ １７ ステージ １８ 水銀ランプ １９ ノズル ２０，３１，３２ 移載器 ２１ エッチングユニット ２２ ガス導入口 ２３ 高周波発生器 ２４ 排気口 ２５ 弁 ２６ 洗浄ユニット ２７ 異物検査装置 ２８ ステージ ２９ レーザー光照射器 ３０，３０´ 散乱光ディテクター
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｓ 3/00 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｈ
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上にフォトレジストを塗布し、前記
フォトレジストを感光させ、次に前記感光後のフォトレ
ジストを現像液を用いて除去し、次に前記基板面をエッ
チング処理とアッシング処理し、次に前記基板を洗浄
し、しかる後前記基板表面にレーザー光線を照射しその
散乱光を受光することにより異物を検出する基板表面の
異物検査方法。 - 【請求項２】 基板上にフォトレジストを転塗布する手
段と、前記フォトレジストを感光させる手段と、前記感
光後のフォトレジストを現像液で除去する手段と、前記
基板表面をエッチングとアッシングする手段と、前記基
板の洗浄を行う手段と、前記基板表面に半導体レーザー
を照射しその散乱光を受光して異物を検出する手段を有
する基板表面の異物検査装置。 - 【請求項３】 エッチング処理が、反応性イオンエッチ
ング手段を用いて、基板表面を平均０．１〜１μｍの深
さにエッチングする方法である請求項１または２に記載
の基板表面の異物検査方法及びその装置。 - 【請求項４】 アッシング処理が、反応性イオンエッチ
ング手段を用いて、基板表面を平均２００〜３００℃の
温度に加熱する方法である請求項１または２に記載の基
板表面の異物検査方法及びその装置。 - 【請求項５】 基板上にフォトレジストを塗布する方法
が、回転塗布（スピンコート）法である請求項１または
２に記載の基板表面の異物検査方法及びその装置。 - 【請求項６】 現像液を用いてフォトレジストを除去す
る方法が、無機アルカリ水溶液及びテトラメチルアンモ
ニウムハイドロキシドから選ばれる少なくとも一つの溶
液を用いるものである請求項１または２に記載の基板表
面の異物検査方法及びその装置。 - 【請求項７】 アッシング処理後の基板を洗浄方法が、
硫酸及び過酸化水素を含む水溶液を用いるものである請
求項１または２に記載の基板表面の異物検査方法及びそ
の装置。 - 【請求項８】 基板が半導体基板、プリント配線基板、
電気接続用コネクター基板、液晶表示素子用ネサガラス
基板、各種センサー基板から選ばれる少なくとも一つの
基板である請求項１または２に記載の基板表面の異物検
査方法及びその装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6069464A JPH07280739A (ja) | 1994-04-07 | 1994-04-07 | 異物検査方法 |
| JP7156199A JPH095250A (ja) | 1994-04-07 | 1995-06-22 | 基板表面の異物検査方法及び検査装置 |
| US08/523,075 US6420076B1 (en) | 1994-04-07 | 1995-08-31 | Method and apparatus of inspecting foreign substance on substrate surface |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6069464A JPH07280739A (ja) | 1994-04-07 | 1994-04-07 | 異物検査方法 |
| JP7156199A JPH095250A (ja) | 1994-04-07 | 1995-06-22 | 基板表面の異物検査方法及び検査装置 |
| US08/523,075 US6420076B1 (en) | 1994-04-07 | 1995-08-31 | Method and apparatus of inspecting foreign substance on substrate surface |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH095250A true JPH095250A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=27300055
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6069464A Pending JPH07280739A (ja) | 1994-04-07 | 1994-04-07 | 異物検査方法 |
| JP7156199A Pending JPH095250A (ja) | 1994-04-07 | 1995-06-22 | 基板表面の異物検査方法及び検査装置 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6069464A Pending JPH07280739A (ja) | 1994-04-07 | 1994-04-07 | 異物検査方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6420076B1 (ja) |
| JP (2) | JPH07280739A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10284558A (ja) * | 1997-04-04 | 1998-10-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2007273947A (ja) * | 2006-03-08 | 2007-10-18 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理システム、基板表面処理装置、基板表面検査装置、基板表面検査方法及び記憶媒体 |
| US8578952B2 (en) | 2006-03-08 | 2013-11-12 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing system, substrate surface processing apparatus, substrate surface inspecting apparatus, substrate surface inspecting method, and storage medium storing program for implementing the method |
| WO2022190705A1 (ja) * | 2021-03-11 | 2022-09-15 | 富士フイルム株式会社 | 検査方法、感活性光線性又は感放射線性組成物の製造方法、電子デバイスの製造方法 |
Families Citing this family (5)
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|---|---|---|---|---|
| US7276127B2 (en) * | 2002-02-01 | 2007-10-02 | Metastable Instruments, Inc. | Method and apparatus for cleaning with internally reflected electromagnetic radiation |
| JP2007017395A (ja) * | 2005-07-11 | 2007-01-25 | Nikon Corp | 表面検査装置および表面検査方法 |
| CN103632992B (zh) * | 2012-08-13 | 2016-08-17 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 检测干法刻蚀颗粒的方法 |
| CN110687747A (zh) * | 2019-10-12 | 2020-01-14 | 上海华力微电子有限公司 | 光阻检测方法 |
| WO2022102375A1 (ja) | 2020-11-11 | 2022-05-19 | 富士フイルム株式会社 | 検査方法、組成物の製造方法、組成物の検定方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4468120A (en) * | 1981-02-04 | 1984-08-28 | Nippon Kogaku K.K. | Foreign substance inspecting apparatus |
| US4586822A (en) | 1983-06-21 | 1986-05-06 | Nippon Kogaku K. K. | Inspecting method for mask for producing semiconductor device |
| JPS60145616A (ja) * | 1984-01-10 | 1985-08-01 | Fujitsu Ltd | レジストパタ−ンの形成方法 |
| US4824769A (en) * | 1984-10-15 | 1989-04-25 | Allied Corporation | High contrast photoresist developer |
| JPH0743323B2 (ja) * | 1985-08-26 | 1995-05-15 | 富士通株式会社 | 表面異物検査装置 |
| EP0282703B1 (en) * | 1987-03-20 | 1991-01-16 | Ushio Denki | Method of treating photoresists |
| JPS6473242A (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-17 | Kobe Steel Ltd | Discrimination of defect and dust on surface to be measured |
| JP2560371B2 (ja) | 1988-01-05 | 1996-12-04 | 株式会社ニコン | 基板処理システム |
| US5252881A (en) * | 1988-12-14 | 1993-10-12 | The Regents Of The University Of California | Micro motors and method for their fabrication |
| JPH04147641A (ja) * | 1990-10-09 | 1992-05-21 | Nec Kyushu Ltd | フォトレジスト膜検査装置 |
| US5096802A (en) * | 1990-11-09 | 1992-03-17 | Hewlett-Packard Company | Holes and spaces shrinkage |
-
1994
- 1994-04-07 JP JP6069464A patent/JPH07280739A/ja active Pending
-
1995
- 1995-06-22 JP JP7156199A patent/JPH095250A/ja active Pending
- 1995-08-31 US US08/523,075 patent/US6420076B1/en not_active Expired - Fee Related
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| US8578952B2 (en) | 2006-03-08 | 2013-11-12 | Tokyo Electron Limited | Substrate processing system, substrate surface processing apparatus, substrate surface inspecting apparatus, substrate surface inspecting method, and storage medium storing program for implementing the method |
| WO2022190705A1 (ja) * | 2021-03-11 | 2022-09-15 | 富士フイルム株式会社 | 検査方法、感活性光線性又は感放射線性組成物の製造方法、電子デバイスの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6420076B1 (en) | 2002-07-16 |
| JPH07280739A (ja) | 1995-10-27 |
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