JPH10507588A - 基板上の反射防止コーティングの処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 基板上の反射防止コーティングの処理方法。本方法は、反射防止コーティングの少なくとも一部を除去するのに充分な適応量の紫外線照射に対して反射防止コーティングを露呈させることを含んでおり、１つのエッチ期間中においてのＡＲＣエッチ処理時間を減少させ且つホトレジストに対する損傷を減少させている。

Description

【発明の詳細な説明】 基板上の反射防止コーティングの処理方法発明の分野 本発明は、基板上の反射防止コーティングの処理方法及び電子装置の製造方法 に関するものである。電子装置の製造方法は、基板上の反射防止コーティングの 処理を含んでいる。発明の背景 集積回路の製造において使用される電子装置は、ホトリソグラフィ技術によっ て製造される。種々の構造、特に電子装置の構造を製造する場合には、典型的に 、基板の上に典型的にはホトレジスト物質として知られている感光性物質からな る少なくとも１つの層を付着形成させる。次いで、該ホトレジスト物質をある波 長のラジエーション（照射）へ露呈させて感光性物質の特性を変化させることに よって該ホトレジスト物質をパターン形成することが可能である。典型的に、該 ラジエーションは紫外線波長範囲からのものである。該ラジエーションは、好適 には、ホトレジスト内において所望の光化学反応を起こさせる。好適には、該光 化学反応は、ホトレジストの溶解度特性を変化させ、その際にホトレジストのあ る部分を除去することを可能とする。ホトレジストのある部分を選択的に除去す ることは、基板の ある区域を保護することを可能とすると共に他の区域を露出することを可能とす る。ホトレジストの残存部分は下側に存在する基板を処理するためのマスク又は ステンシルとして使用することが可能である。 このような処理の一例は、例えば半導体基板上に複数個の層を形成する半導体 装置の製造におけるものである。該層のある部分を除去して該層を貫通する開口 を形成することが可能である。該開口は、それを介して半導体基板内へ所望の不 純物を拡散させることを可能とする。基板上にデバイス（装置）を形成するその 他の処理は公知である。 上述したようなデバイスは、半導体ウエハ内に適宜のドープ領域を形成するた めに半導体ウエハ内に適宜の不純物を導入することによって形成することが可能 である。デバイスの適切な動作のために必要な明確なＰ又はＮ領域を与えるため に、不純物の導入は、基板の制限した部分を介してのみ行なわれるべきである。 通常、このことは、耐拡散物質で基板をマスクすることによって行なわれ、該耐 拡散物質は基板の選択した区域を介しての拡散を防止するための保護マスクに形 成される。 このような手順におけるマスクは、典型的に、半導体基板上にある物質の層を 形成し、且つ、その後に、該層を介して一連の開口を形成し制限した区域 内において下側に存在する表面内へ直接不純物を導入することを可能とすること によって与えられる。該マスクにおけるこれらの開口は、ホトレジストとして知 られる物質でマスクをコーティングすることによって容易に形成される。ホトレ ジストは、ネガティブホトレジスト又はポジティブホトレジスト物質とすること が可能である。 ネガティブホトレジスト物質は、ラジエーションへ露呈させることによって重 合し且つ不溶解性とさせることが可能である。従って、ネガティブホトレジスト 物質を使用する場合には、該ホトレジストを選択的にラジエーションへ露呈させ 、爾後の操作期間中に保護することを意図した基板の領域上方において重合を発 生させる。該ホトレジストの露光されなかった部分は該ホトレジストの重合部分 に対して不活性な溶媒によって取除かれる。このような溶媒は水溶媒溶液とする ことが可能である。 ポジティブホトレジスト物質は、ラジエーションへの露呈、即ち露光によって 、露光されなかったレジスタに対しては溶解性のない溶媒において溶解性とさせ ることの可能な物質である。従って、ポジティブホトレジスト物質を適用する場 合には、該ホトレジストは選択的にラジエーションへ露呈され、爾後の処理期間 中に保護することを意図しない基板の 部分の情報において反応を発生させる。該ホトレジストの露光部分はレジストの 露光部分を溶解することが不可能な溶媒によって取除かれる。このような溶媒は 水溶媒溶液とすることが可能である。 電子装置のその他の領域を画定するためにホトレジスト物質を同様に使用する ことが可能である。 電子装置の能力を増加させる努力において、例えば半導体チップ上に設けられ た多数の回路特徴部が著しく増大した。例えば半導体基板上にデバイスを形成す るための上述したような処理を使用する場合には、能力の増大、従って基板上の デバイスの数を増加させることは、デバイス又は回路特徴部の寸法を減少させる ことを必要とする。基板上に形成した回路特徴部の寸法が減少された１つの態様 は、より小さな開口を持ったマスク構成体を使用することである。このようなよ り小さな開口は基板のより小さな部分を処理し、その際にホトレジスト内により 小さな構造を形成する。ホトレジスト内により小さな構造を形成するために、ホ トレジストに画像形成を行なうマスクに関連してより短い波長の紫外線照射も使 用する。このようなより短い波長の照射は、デバイスを製造するために使用され るホトレジスト物質をキュア即ち硬化する場合に特に効果的なものであった。 最近まで、電子装置を形成する場合に、殆どのマイクロエレクトロニクス適用 例に対してｇ線（４３６ｎｍ）及びｉ線（３６５ｎｍ）において感度を有するホ トレジストが使用されている。このような波長に対して感度を有する例示的なホ トレジストはノボラック型ホトレジストである。サブミクロン及びサブ半ミクロ ンの程度のより小さな特徴部を基板上に形成することの希望が増加するにしたが い、約２４８ｎｍの範囲内のＵＶ照射に対して感度を有するホトレジストが製造 されている。このような波長は、ＵＶ範囲内の深いものであるから、ディープＵ Ｖ即ち遠紫外線と呼称されている。このような波長に対して感度を有するホトレ ジストは遠紫外線ホトレジストとして知られている。多くの遠紫外線ホトレジス トは、より大きな寸法の特徴部を有するデバイスを製造するために使用される一 般的に使用されているホトレジストとは著しく異なっている。特に、遠紫外線ホ トレジストはノボラック型調合物とは異なっており且つ異なる光学的特性を有し ている。 典型的に、上述した電子装置を製造するシステムは、ホトレジストの露光を行 なうためのＵＶ照射源を有している。 小型の電子構造を製造する方法が改善するにしたがい、更により小さな構造を 製造することの希望が 継続して増加した。更なる装置の小型化において遭遇された問題は、ＵＶ照射源 において所望の分解能を得ること及びホトレジスト上でのＵＶ照射の改善した合 焦分解能及び焦点深度を得ることである。その他の遭遇した問題はマスクを介し ての照射リークである。照射リークは、マスク及びホトレジストが露呈されるＵ Ｖ照射が充分に遠紫外線範囲内のものであること、特に、波長が２４５ｎｍ未満 のものであることを確保することによって対処されている。更に、平坦化層を介 してのＵＶ照射の浸透を増加させるために長い露光時間という問題がある。更な る問題としては、画像の一体性を失うことなしに、レジストに形成したパターン がハイパワーのドライプロセスに耐える能力である。 上述したように、ホトレジスト内に構造を形成するためのプロセスにおける進 歩は、サブミクロン及びサブ半ミクロンの構造を形成するようになってきた。例 えば、０．３ミクロン程度の小さいな構造も形成されている。上述した問題に加 えて、構造の寸法が減少することによって遭遇する別の一般的な問題は、就中、 露光装置の焦点深度条件を充足することを確保するためにホトレジストのより薄 い層を使用せねばならないということである。露光装置は、照射源、光学系、マ スク及びホトレジストを露光す るために使用されるその他のコンポーネントのことである。特にこのように薄い 厚さにおいて使用されるホトレジストは、使用される紫外線波長に対して高い透 過性を有している。一般的に使用される基板のＵＶ波長に対する高い反射性と結 合されてホトレジストの透過率は、ＵＶ照射を反射してホトレジスト内へ戻し、 ホトレジスト内において更なる光化学反応を発生させる。基板によって反射され たＵＶ照射から発生するこの更なる光化学反応は、典型的にホトレジストの露光 を不均一なものとさせる。 光が基板から反射されるので、定在波が形成される場合がある。その結果、マ スクによって形成することが意図された構造が形成されることがなく、特に一貫 性のない特徴部の寸法によって示される。このことは装置のエラーを発生し且つ 欠陥を発生する場合もある。約１．０ミクロンより大きな最小特徴寸法の場合、 定在波及び寸法不安定は、ホトレジストが一層均一に拡散することを可能とする 露光後のベーク処理によって最小とさせることが可能である。然しながら、露光 後のベークによって発生された定在波効果及び寸法不安定性における減少は、サ ブ半ミクロン特徴寸法に対しては不十分なものである。 透過率及び反射率の問題に対処するために、ホトレジストへ付与する前に基板 へ付与する反射防止コー ティングが開発されている。ホトレジストがＵＶ照射へ露呈されると、この反射 防止コーティング即ちＡＲＣはかなりの量のＵＶ照射を吸収する。該ＡＲＣは、 その際に、該照射が基板から反射し且つマスクによって反応されるべきでないホ トレジストの部分と反応することを防止する。反射防止コーティングは高反射性 の基板表面の影響及び遠紫外線画像形成期間中の基板表面上における粒状基板表 面及びトポグラフィ即ち地形的特徴の影響を著しく減少させる。 Ｇ線及びＩ線ＵＶ波長を使用するリソグラフィにおいて、無機及び有機ＡＲＣ 膜が使用されている。然しながら、ある有機ＡＲＣ膜は、遠紫外線波長において 感度を有するホトレジストの場合に一層効果的なものであることが判明した。こ れらの有機ＡＲＣ物質としてはポリスルホン及びポリ尿素がある。 典型的な反射防止コーティングは、物質の反射度を約４０％乃至約５０％の近 辺から最大でほぼ約１００％へ減少させることが可能である。反射防止コーティ ングは、又、あるフィルム層に対して焦点深度を改善している。比較的透明なホ トレジスト物質及び高い反射性の物質表面によって特に悪化される１つの問題は 、定在波の発生である。反射率に関連する問題を取除くか又は少なくとも著しく 減少させることによって、反射防止コーティングは、ホトレジ スト内にサブミクロン構造を形成すること、マスクパターンの非常に忠実な再生 を行なうこと、及びホトレジストにおいてほぼ垂直なレジストの端部形状を与え ることを可能とする。従って、反射防止コーティングは、基板上のホトレジスト 内に非常に小さな構造を形成することに多大な貢献をしていることを理解するこ とが可能である。 ホトレジストの透明性及び基板表面の反射率に関連する問題を緩和するために は非常に有用なものであるが、反射防止コーティングを使用することは付加的な 問題を発生させた。これらの問題は、特に、例えば、ＡＲＣ及びホトレジスト層 の付着形成、ホトレジストの露光、及びホトレジストの現像の後に顕在化する。 ホトレジストを現像した後に、基板上に残存するホトレジストは紫外線照射へ露 光させ且つ高温へ露呈させてキュア即ち硬化させることが可能である。ホトレジ ストの硬化プロセスは、１９８３年５月２３日付で出願した米国特許出願第４９ ７，６８８号であって、現在の米国特許第４，５４８，６８８号（Ｍａｔｔｈｅ ｗｓ）に開示されており、その開示全体を引用によって本明細書に取込む。 ホトレジストの現像に続いて、ホトレジストの現像によって露出された反射防 止コーティングは基板の更なる処理の前に、除去せねばならない。この時 点において、付加的な問題は特に明らかなものとなる。サブミクロンの作業の場 合には、レジストパターンはドライエッチ処理によってＡＲＣ層内へ転写されね ばならない。然しながら、ＡＲＣのエッチングに関連して多くの問題がある。例 えば、ＡＲＣは非常にゆっくりとエッチングし且つ一般的に知られているホトレ ジストとほぼ１対１の選択性においてエッチングされる。従って、ＡＲＣはそれ を除去するためにどのようなプロセスが使用されようとも長期間にわたって処理 せねばならない。選択比が低いので、ホトレジストも除去される場合がある。 基板上に残存するホトレジストは、露光した反射防止コーティングの除去の前 に上述した時間の代わりに又はそれに加えて、この時点において紫外線照射及び 高温へ露呈させてキュア即ち硬化させることが可能である。この時点におけるキ ュア即ち硬化は、上述したプロセス又はその他の公知のプロセスに従って実施す ることも可能である。 その結果、ホトレジストパターンの臨界寸法を変化させることが可能である。 更に、基板のエッチングを開始する前に、全体的なレジストの厚さを減少させる ことが可能である。更に、反射防止コーティングを除去するのに必要な時間にお いて、ホトレジストが完全にエッチング除去され、その結果意図し ない基板の露光が発生する場合がある。このような不本意な露光は製造中のデバ イスに欠陥を発生する場合がある。 ＡＲＣ層をエッチングする場合の問題は、基板の適切な処理を確保するために 基板の更なる処理の前に露出されたＡＲＣを基板から完全にエッチングすること の必要性によって複雑なものとされる。ＡＲＣの不完全なエッチングから残存す る残留物は、典型的に、ＡＲＣエッチング後の問題を発生させる。これらの問題 の中で、反射防止コーティング残留物が基板を処理することを可能としない結果 として基板の処理が不完全又は不正確なものである場合がある。発明の要約 ＡＲＣエッチ問題に対処する１つの方法は、特に反射防止コーティングを除去 するための新たな装置を製造することによるものである。然しながら、このよう な装置は高コストであり且つ設計、製造及び操作において付加的な時間及びエネ ルギを使わねばならない。 反射防止コーティングの除去に関連する上述した問題に対する別の可能な解決 策は、ホトレジスト層の厚さを増加させることである。ホトレジストの厚さを増 加させると、処理期間中に基板を不本位に露光する可能性を減少させる。然しな がら、ホトレジ ストの厚さを増加させることは上述した問題を解決するものではない。何故なら ば、レジスト内にサブミクロンの構造を形成するためには、レジストはホトレジ ストをパターン形成するために使用する露光装置の焦点深度条件を充足するため に非常に薄いものでなければならないからである。ホトレジストの厚さを増加さ せることは、更に、ホトレジストの使用が増加し且つＡＲＣエッチング期間中に 除去されるホトレジストの無駄が増加するので、装置を製造する費用が増加する 。 ＡＲＣエッチ問題が解決されない場合には、ＡＲＣをエッチングした後の爾後 のエッチングプロセスに対し殆どレジストを残存させることは不可能である。 本発明は、反射防止コーティングを処理する方法を提供することを目的とする 。 本発明の別の目的とするところは、少なくとも部分的に反射防止コーティング を除去する反射防止コーティングの処理方法を提供することである。 本発明の別の目的とするところはＡＲＣエッチング時間を減少させることであ る。 又、本発明の１つの目的は、電子装置の製造方法を提供することであって、そ の方法は、反射防止コーティングを除去し及び／又は除去のために必要な時間を 変化し及び／又はＡＲＣ対レジストの選択性を 改善させるために反射防止コーティングの処理を含むものである。 好適な側面によれば、本発明は、基板上の反射防止コーティングを処理する方 法を提供している。本方法は、露光した反射防止コーティングの少なくとも一部 を除去することとなる物理的又は光化学的反応を誘発させるのに充分なドーズの 紫外線エネルギに対して反射防止コーティングを露光させることを含んでいる。 本発明の更に好適な側面によれば、本発明は電子装置を製造する方法を提供し ている。本方法は、基板を用意することを含んでいる。該基板上に反射防止コー ティング層を付着形成する。次いで、該反射防止コーティング上にホトレジスト 物質層を付着形成する。次いで、該ホトレジストを選択的に紫外線照射へ露光さ せ、該ホトレジストを、レジストのタイプに依存して、選択的に重合させるか又 は一層溶解性のものとさせる。次いで、該ホトレジストを現像剤で現像して、該 ホトレジストの選択した部分を除去し、その際に現像剤によって除去したホトレ ジストの部分の下側の反射防止コーティングの部分を選択的に露出する。その後 に、露出した反射防止コーティングの少なくとも一部を除去するのに充分なドー ズ即ち適応量の紫外線照射へ該露出した反射防止コー ティングを露光させる。従って、回路パターンが与えられる。 本発明の更なるその他の目的及び利点は、以下の説明から当業者にとって容易 に明らかなものとなり、以下の説明においては、単に本発明を実施する場合に最 良の態様の例示により本発明の好適実施例を示し且つ説明するに過ぎないもので ある。理解されるように、本発明は、その他の及び異なる実施例も可能なもので あり、且つその幾つかの詳細は本発明から逸脱することなしに種々の自明な観点 において修正が可能なものである。従って、図面及び明細書は性質上例示的なも のであって制限的なものではないとみなすべきものである。図面の簡単な説明 図１は実質的に一定なスペクトルのＵＶ照射で温度及び時間の関数としての反 射防止コーティングの厚さの減少を例示したグラフを表わしている。 図２は２つの異なるＵＶ源からのＵＶ照射の実質的に一定な適応量での与えら れた時間及び温度に対する反射防止コーティングの厚さにおける減少を例示した グラフを表わしている。 図３は処理されていない反射防止コーティングの厚さと比較したＵＶで処理さ れた反射防止コーティングの相対的な厚さを例示したグラフを表わしてい る。 図４は本発明のプロセスで使用することの可能な照射源によって発生される照 射のスペクトルを表わしている。本発明の好適実施例の詳細な説明 本発明は、反射防止コーティングでコーティングされた基板を処理する技術に おいて存在する問題に対処するために開発されたものである。本発明は、基板上 の反射防止コーティングの一部を少なくとも部分的に除去する。本発明のプロセ スは、更に、それが付着形成された基板の表面から一層迅速に反射防止コーティ ングをエッチング除去させる。本発明が電子装置を製造するために使用される場 合には、本発明はその他の利点も提供する。 本発明の処理の結果として反射防止コーティングの特性が変化された結果とし て、本発明は、多数の利点を与えている。特に、本発明は、特に反射防止コーテ ィングをエッチングするために使用する高コストの装置を取除くことを可能とし ている。この装置を取除くことによって費用を節約することが可能である。又、 反射防止コーティングはより迅速に除去されるので、時間及びエネルギを節約す ることが可能である。 更に、過去においては、反射防止コーティングを 除去することは困難であったので、しばしば、コーティングの全てを除去するこ とを確保するためにエッチングプロセスは必要以上に長く継続して行なわれる。 反射防止コーティングを全て除去するものでない場合には、基板のその後のエッ チングは効果がなく又は少なくとも部分的に欠陥性のものである。長期間の反射 防止コーティングの処理は、基板上に残存するホトレジストの厚さを更に減少さ せ、基板の不本意な露光の蓋然性を更に増加し、その結果装置に欠陥を発生する こととなる。本発明によってホトレジスト層が著しく劣化されることがないばか りか、基板の臨界寸法も悪影響を受けることはない。 既存の装置を使用して反射防止コーティングを除去することが可能である。更 に、本発明によれば、下側に存在する反射防止コーティングを処理することなし に、ホトレジストの厚さが減少されることがないか又は一層少ない程度に減少さ れる。本発明プロセスのその他の利点は、以下の説明から明らかなものとなる。 本発明のプロセスは、多様な物質から形成した基板上に付着形成した多様な反 射防止コーティングを処理するために使用することが可能である。本発明で使用 することの可能な反射防止コーティングの例は、任意の有機反射防止コーティン グを含むもので ある。使用することの可能な反射防止コーティングの中で、任意の光吸収性ポリ マーがある。本発明は、遠紫外線又はＩ線ホトリソグラフィ用に設計された光吸 収性有機ポリマーの場合に特に有効である。 本発明が使用することの可能な有機反射防止コーティング物質は、芳香族ポリ スルホン及びポリ尿素ポリマーを有している。然しながら、本発明は、当業者に とって公知な任意の反射防止コーティング又は光吸収性ポリマーを使用すること が可能である。このような物質の例は、米国特許第５，３２４，９９０号（Ｆｌ ａｉｍ ｅｔ ａｌ．）に記載されており、その特許の全開示を引用によって本 明細書に取込む。 本発明で使用可能なその他の反射防止コーティングは、染色したポリマーの反 射防止コーティング又は染料を付加した反射防止コーティングである。該染料は 、ラジエーション即ち照射が反射防止コーティングへ指向される場合にそれを吸 収する。このような反射防止コーティングは、染料及びポリマーをスピンコーテ ィングによって付与することが可能である。任意のその他の反射防止コーティン グも本発明に使用することが可能である。 本発明は、更に、電子装置の製造方法に関連している。本方法は、反射防止コ ーティングの処理を含 んでいる。このような方法においては、本発明のプロセスは、多様なホトレジス ト物質を含む電子装置を形成する場合に使用される多様な反射防止コーティング を処理するために使用することが可能である。本発明に基づくプロセスにおいて 使用することの可能なホトレジスト物質の例は、ポジティブホトレジスト及びネ ガティブホトレジストを含んでいる。本発明は反射防止コーティングの上に基板 へ付与される任意のタイプのホトレジストに使用される場合に効果的なものであ るが、本発明は、ポジティブホトレジストに使用される場合に特に効果的である 。本発明に使用可能なポジティブホトレジストの例は、ポリヒドロキシスチレン を含んでいる。本発明に使用することの可能なポリヒドロキシスチレンの中で、 ＩＢＭコーポレイションによって開発され且つＡＰＥＸのブランドネームの下で 市販されている特定のものがある。特にＡＰＥＸ−Ｅホトレジストを含む一連の ＡＰＥＸホトレジストのいずれも本発明方法で使用することが可能である。 本発明は、ＡＰＥＸシリーズのホトレジストと共に芳香族ポリスルホン反射防 止コーティングに使用した場合に特に効果的なものであるが、反射防止コーティ ングと共に使用される場合にはネガティブ又はポジティブに拘らず任意のホトレ ジストを本発明に 使用することが可能である。更に、本発明によれば、任意の反射防止コーティン グ及び好適には有機反射防止コーティングをホトレジストを付与する前に基板へ 付与することが可能である。反射防止コーティング、基板、ホトレジスト又はそ の他の使用される物質に拘らずに、本発明の上述した利点を得ることが可能であ る。 本発明の方法によれば、基板上の反射防止コーティングは、該反射防止コーテ ィングを適応量の紫外線（ＵＶ）照射へ露光させることによって処理することが 可能である。該照射が反射防止コーティングの少なくとも一部を除去するもので あれば、該照射の波長は変化することが可能である。好適には、反射防止コーテ ィングに露呈されるＵＶ照射は中間から遠紫外線の範囲のものである。好適に使 用することの可能な典型的な波長は約３２０ｎｍ以下である。一方、本発明に好 適に使用可能な典型的な波長は少なくとも約２００ｎｍであって３２０ｎｍの上 限によって制限されるものでないものとすることが可能である。より好適には、 典型的な波長は約２４５ｎｍと約３２０ｎｍの間とすることが可能である。更に 好適には、該波長は約２４５ｎｍと約２６０ｎｍとの間とすることが可能である 。 本発明に基づいて反射防止コーティングを処理す るためにその他の波長の照射を使用することも可能である。当業者は、本発明の 開示を理解すると、反射防止コーティングを所望の量除去するのに必要な波長、 露光時間及びその他のパラメータを決定することが可能である。 好適には、上述した波長及び露光時間においてＵＶ範囲内の適応量の照射部分 によって反射防止コーティングへ付与されるエネルギは少なくとも約１０ｍＪ／ ｃｍ³である。より好適には、ＵＶ照射によって付与されるエネルギは５０ｍＪ ／ｃｍ³以上とすることが可能である。照射源は、スペクトルのその他の部分に おいてその他の波長の照射を出力する場合がある。この付加的な照射を考慮する 場合には、エネルギ出力は実際には上に表わしたものよりも一層大きなものとな る場合がある。然しながら、波長、露光時間及びその他のパラメータに拘らずに 、所望量の反射防止コーティングの除去を行なう任意のエネルギレベルを本発明 方法にしたがって使用することが可能である。このようなエネルギ量は、過度の 実験を行なうことなしに当業者によって容易に決定されるものである。 ＵＶ照射は任意の公知の発生源を使用して発生させることが可能である。使用 することの可能な発生源の中で、所要のＵＶ波長を発生するレーザ及びラ ンプがある。例えば、遠紫外線ランプを照射源として使用することが可能である 。然しながら、本発明は任意の遠紫外線出力源と共に実施することが可能である 。 特に適切なランプはマイクロ波駆動型無電極ランプである。このようなランプ の任意の特定の実施例及び構成を本発明方法に従って使用することが可能である 。このような無電極マイクロ波駆動型ランプは、１９８６年５月２１日付で出願 し現在米国特許第４，７４９，９１５号となっている「マイクロ波駆動型無電極 光源（Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｐｏｗｅｒｅｄ Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅｌｅｓｓ Ｌ ｉｇｈｔ Ｓｏｕｒｃｅ）」という名称の米国特許出願第８６５，４８８号（Ｌ ｙｎｃｈ ｅｔ ａｌ．）、１９８８年４月４日付で出願し現在米国特許第４， ９５４，７５５号である「ハイブリッドキャビティを有する無電極ランプ（Ｅｌ ｅｃｔｒｏｄｅｌｅｓｓ Ｌａｍｐ Ｈａｖｉｎｇ Ｈｙｂｒｉｄ Ｃａｖｉｔ ｙ）」という名称の米国特許出願第１７７，４３４号（Ｌｙｎｃｈ ｅｔ ａｌ ．）、１９８６年１２月３０日付で出願し現在米国特許第４，６３３，１４０号 である「マイクロ波供給源の互い違いのターンオンを有する無電極ランプ（Ｅｌ ｅｃｔｒｏｄｅｌｅｓｓ Ｌａｍｐ Ｈａｖｉｎｇ Ｓｔａｇｇｅ ｒｅｄ Ｔｕｒｎ−ｏｎ Ｏｆ Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｓｏｕｒｃｅｓ）」とい う名称の米国特許出願第６８６，０４２号（Ｌｙｎｃｈ ｅｔ ａｌ．）、及び １９８２年６月３０日付で出願し現在米国特許第４，５０４，０６８号である「 単一のマグネトロン及び改良したランプ包囲体を使用する無電極ランプ（Ｅｌｅ ｃｔｒｏｄｅｌｅｓｓ Ｌａｍｐ Ｕｓｉｎｇ Ａ Ｓｉｎｇｌｅ Ｍａｇｎｅ ｔｒｏｎ Ａｎｄ Ｉｍｐｒｏｖｅｄ Ｌａｍｐ Ｅｎｖｅｌｏｐ Ｔｈｅｒｅ ｆｏｒｅ）」という名称の米国特許出願第３９３，８５６号（Ｕｒｙ ｅｔ ａ ｌ．）に完全に記載されており、それら全ての全開示は引用によって本明細書に 取込み、従って、それに関するより詳細な説明は不要であると思われる。その他 の照射源としては、Ｈ−ＢＵＬＢ、Ｈ−ＭＯＤ、Ｄ−ＭＯＤという名称でフュー ジョンシステムズによって市販されているものがある。Ｈ−ＭＯＤバルブの一実 施例のスペクトルを図４に示してある。このＨ−ＭＯＤは球状であるが、任意の 形状のバルブを使用することが可能である。更に、理解されるように、所要の照 射を供給することの可能な任意の照射源を使用することが可能である。 該照射源は任意の適宜の装置において使用することが可能である。本発明に基 づいて反射防止コーテ ィングを処理することの可能な装置の一例は、フュージョンシステムズ、インコ ーポレイテッドによって市販されているフュージョン２００ＰＣＵ光安定化器で ある。 反射防止コーティング及び／又はホトレジストのいずれかを処理するために本 発明方法にしたがって、照射源の任意の特定の実施例及び構成のものを使用する ことが可能である。本発明に使用することの可能なマイクロ波駆動型無電極ラン プの１つの特定の構成は、１９８３年５月２３日付で出願し現在米国特許第４， ５４８，６８８号である「ホトレジストの硬化（Ｈａｒｄｅｎｉｎｇ Ｏｆ Ｐ ｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ）」という名称の米国特許出願第４９７，４６６号（Ｍａ ｔｔｈｅｗｓ）において完全に記載されており、その全開示内容は引用によって 本明細書に取込む。 適応量の紫外線光に対する反射防止コーティングの露光期間は、就中、使用す るＵＶ波長、照射内に含まれるエネルギ、処理中のＡＲＣの特定の化学、及び除 去することを望む反射防止コーティングの量を含む多様なファクタに依存して変 化する場合がある。好適実施例によれば、露光時間は少なくとも１０秒である場 合がある。その他の好適実施例によれば、露光時間は約１６０秒未満である。更 なる好適実施 例によれば、露光時間は約４０秒と約１６０秒との間である。然しながら、任意 の露光時間を使用することが可能である。ある露光時間は特定のＵＶ波長の場合 に所望の結果を発生することが可能であり、除去も使用される特定の反射防止コ ーティングに依存する場合がある。 反射防止コーティングを処理するための本発明方法によれば、反射防止コーテ ィングを用いＵＶ照射で露光しながら反射防止コーティングを高温へ露呈させる ステップを有することが可能である。基板からの反射防止コーティングの除去は 高温によって向上させることが可能である。本発明方法によれば、反射防止コー ティングは少なくとも約９０℃の温度へ露呈させることが可能である。その他の 好適実施例によれば、反射防止コーティングは少なくとも１８０℃の温度へ露呈 させることが可能である。更なる好適実施例は、反射防止コーティングを少なく とも約２００℃の温度へ露呈させることを含むものである。付加的な好適実施例 は、反射防止コーティングを少なくとも約２３０℃の温度へ露呈させることを含 んでいる。 図１及び２に示したように、所望の結果を得るためにある温度と時間との組合 わせを使用することが可能である。図１及び２に示した結果は、一定のＵＶ 照射及び１つの特定の反射防止コーティングを使用して得られている。従って、 その他のコーティング、その他の波長、その他の厚さのコーティング、及びその 他の変数に対して結果が同一のものでない場合がある。然しながら、本発明を一 度理解すれば、当業者は得ることを所望する結果を発生する波長、温度、露光時 間及びその他の変数の特定の組合わせを容易に決定することが可能である。 本発明は、更に、電子装置を製造する方法を含んでいる。本発明方法によれば 、基板が用意される。該基板は任意の適宜の物質から形成することが可能である 。例えば、該基板は半導体基板から形成することが可能である。使用することの 可能な半導体の特定の例はシリコンである。使用することの可能なシリコンの１ つの形態はシート状の単結晶シリコンである。 該基板上に反射防止物質からなる層を付着形成させることが可能である。反射 防止コーティングとして基板へ付与することの可能な物質については上述してあ る。反射防止コーティングの層は公知の態様で付与することが可能である。例え ば、反射防止コーティングを付与するためにスピンコーティングを使用すること が可能である。反射防止コーティングの層は、好適には、レジスト内に所望のパ ターンを形 成する場合にＵＶ照射に対して露光される基板の全てを完全に被覆し且つ以下に 説明するようにＡＲＣの上に付与されるホトレジストを処理するために使用する 照射波長に対して所望の程度の反射防止率を与えるのに十分なものである。典型 的な実施例においては、該反射防止コーティングは約５００Åから最大で約２， ０００Åの厚さとすることが可能である。より典型的には、ＡＲＣは５００Åか ら１，０００Åの厚さとすることが可能である。該反射防止コーティングは、更 に、２，０００Åよりも大きいか又は５００Å未満のものとすることも可能であ る。 付着形成した後に、反射防止コーティングの層を高温へ露呈させてそれをキュ ア即ち硬化させることが可能である。 反射防止コーティングを付着形成した後に、該反射防止コーティングの層の上 にホトレジスト層を付着形成することが可能である。本発明に基づいて使用する ことの可能なホトレジスト物質は、上に特定したものを含むものである。更に、 本発明のプロセスにおいて、多様なその他のホトレジスト物質を使用することが 可能である。該ホトレジスト物質は、最大で３２０ｎｍまでのＵＶ照射へ露光さ れた場合にクロスリンクすることの可能なポジティブホトレジストを含んでおり 、特に、全ての化学的に増幅さ れたホトレジストの全てを含む任意の適宜の遠紫外線ホトレジストを使用するこ とが可能である。また、ジアゾ化合物で増感されたホトレジストを使用すること が可能である。 使用することの可能なその他のホトレジスト物質は、ジアゾ化合物で増感され たフェノールホルムアルデヒド型のノボラックポリマーを含んでいる。該フェノ ールは、フェノール及び例えばクレゾール等の置換型フェノールを含んでいる。 これらはポジティブレジスト組成物であり且つその中には例えば２−ジアゾ−１ −ナフトール−５−スルホン酸エステル等のジアゾケトンを含んでいる。このよ うな組成物においては、光化学反応期間中のオルトジアゾケトンはカルボン酸へ 変換される。その他のノボラックタイプのものを含むその他の市販されているホ トレジストは本発明のプロセスを実施するのに適したものである。 本発明が有用な適用場面において現在一般的に使用されているその他のホトレ ジストは、ＯＣＧマイクロエレクトロニックマテリアルズ社によって市販されて いるＯＩＲ−３２、ＯＩＲ−３２ＭＤ、ＯＩＲ−８９７Ｉ、ＵＣＢ−ＳＲエレク トロニクス社によって市販されているＰＦＲ ＩＸ０６１、ＰＦＲ ＩＸ０６５ 、ＰＦＲ ＩＸ５００ ＥＬ、ＰＦＲ ＩＸ７００、東京応化工業によって市販されているＴＨＭＲ−ｉＰ３１００、 ＴＨＭＲ ｉＰ３２００、ＩＳＣＲ−８５ｉ、フルハント社によって市販されて いるＦＨ−３９５０、シプリー社によって市販されているＳＰＲ ５００−Ａ及 びＳＰＲＴ ５００−Ａ、ヘキストセラニーズＡＺホトレジスト社によって市販 されているＡＺ７５００及びＡＺ７５００−Ｔを含むものである。更に、以下の モノマー及び／又はポリマー、即ち、ＭＡＡ（メタクリル酸）、ＭＥＰＨＳ（３ −メチル−４−ヒドロキシスチレン）、ＭＭＡ（メタクリル酸メチル）、ＮＭＰ （Ｎ−メチルピロリドン）、ＰＨＳ（ポリ（４−ヒドロキシスチレン））、ＰＴ ＤＭＡ（ポリ（ｔ−メタクリル酸ブチル））、ＴＢＭＡ（ポリ（ｔ−メタクリル 酸ブチル））、ＴＢＯＣ（ｔ−ブチル−オキシ−カルドニルオキシスチレン）、 ターポリマー（３つの異なるモノマー単位からなるポリマー）、ＴＭＡＨ（水酸 化テトラメチルアンモニウム）、及びＴＰＳＴＦ（トリフ酸トリフェニルスルホ ニウム）のうちの１つ又はそれ以上のいずれかを含むホトレジストを本発明と共 に使用することが可能である。本発明にしたがって使用することの可能な更なる ホトレジストの例は、Ｐｉｅｔｅｒ Ｂｕｒｇｇｒａａｆ著「Ｉ線レジスト進歩 −高価な科学（Ｉ−ｌｉｎｅ Ｒｅ ｓｉｓｔ Ｐｒｏｇｒｅｓｓ： Ｅｘｐｅｎｓｓｉｖｅ Ｓｃｉｅｎｃｅ）」、 セミコンダクタインターナショナル、１９９３年４月、５２−５９頁、Ｒｏｂｅ ｒｔ Ｄ．Ａｌｌｅｎ ｅｔ ａｌ．著「メタクリル酸ポリマーを使用した１９ ３及び２４８ｎｍリソグラフィ用の新たな単一層ポジティブレジスト（Ｎｅｗ ｓｉｎｇｌｅ−ｌａｙｅｒ ｐｏｓｉｔｉｖｅ ｒｅｓｉｓｔｓ ｆｏｒ １９ ３− ａｎｄ ２４８−ｎｍ ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｕｓｉｎｇ ｍｅｔｈ ａｃｒｙｌａｔｅ ｐｏｌｙｍｅｒｓ）」、ソリッドステートテクノロジー、１ ９９３年１１月、５３−６２頁、Ｐｉｅｔｅｒ Ｂｕｒｇｇｒａａｆ著「遠紫外 線レジストにおいて何が使用可能か？（Ｗｈａｔ’ｓ Ａｖａｉｌａｂｌｅ ｉ ｎ Ｄｅｅｐ−ＵＶ Ｒｅｓｉｓｔｓ？）」、セミコンダクタインターナショナ ル、１９９４年９月、５５−６０頁、Ｄｉａｎａ Ｄ．Ｄｕｎｎ ｅｔ ａｌ． 著「遠紫外線ホトリソグラフィ製造（ＤＵＶｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ）」、ソリッドステートテクノロジー、１９９４ 年９月、５３−５８頁において見出すことが可能であり、尚、これらの開示の全 ては引用によって本明細書に取込む。 該ホトレジストは、当業者にとって公知の方法に 従って付与することが可能である。該ホトレジスト層の厚さは、適応場面に依存 して変化することが可能である。典型的に、ホトレジスト層は、約７，０００Å から約２０，０００Åの厚さとすることが可能である。然しながら、厚さはこの 範囲に制限されるものではない。 ホトレジストを反射防止コーティング上において基板へ付与した後に、該ホト レジストを照射源に対して選択的に露光させる。該照射は可視光範囲内であるか 否かに拘らず任意の波長のものとすることが可能である。好適には、該照射は紫 外線範囲内のものである。所望のパターンをホトレジスト内に形成することが可 能であるためには、該照射は、好適には、未露光部分と相対的に溶解度特性を変 化させるために該ホトレジストの露光部分を変化させるのに十分な波長のもので ある。露光期間中に、該照射はホトレジストの露光部分を重合させることが可能 である。 ホトレジストにおけるパターンは、典型的に、ホトレジストの上にマスクを配 置させることによって形成される。該マスクは使用される照射の波長に対して不 透明なものである。このようなマスクは当業者にとって公知のものである。ホト レジストを照射に対して選択的に露光させるその他の手段を使用す ることも可能である。 次に、該ホトレジストを現像することが可能である。ホトレジストを現像する 場合に、上述した如く、ポジティブホトレジスト又はネガティブホトレジストの いずれが使用されるかに依存して、ホトレジストの露光部分か又は未露光部分の いずれかが除去される。ホトレジストを除去するために任意の公知のプロセスを 使用することが可能である。例えば、ホトレジストを現像する場合に、ホトレジ ストの所望部分を除去する化合物を使用することが可能である。典型的には、使 用される化合物は完全なる強度で使用するか、又は有機又は無機の溶媒で希釈し て使用する液体である。一方、現像剤は溶媒中に溶解させた固体とすることが可 能である。 ホトレジストの選択部分が除去されると、下側に存在する反射防止コーティン グを露出させることが可能である。該基板の何らかの更なる処理を進行させる前 に、該基板を直接処理することを可能とするために、反射防止コーティングの露 出部分を除去せねばならない。反射防止コーティングを除去する場合に、ホトレ ジストを除去することが望ましい。上述したように、ＡＲＣ及びホトレジストの 特性のために、反射防止コーティングの除去期間中にホトレジストが除去される 場合がある。 露出された反射防止コーティングを少なくとも部分的に除去するために、本発 明は、露出された反射防止コーティングを適応量の紫外線照射へ露光させるステ ップを有している。反射防止コーティングを紫外線照射へ露光させることは多数 の予測しなかった利点を有している。その利点の中で、反射防止コーティングは 、適応量のＵＶ照射によって少なくとも部分的に除去されるということである。 反射防止コーティングを紫外線照射へ露光させることは、反射防止コーティング をそれが付着形成されている基板の表面からより迅速にエッチングさせることと なる。反射防止コーティングの選択性を変化させることによって、反射防止コー ティングは、その上に付与されたホトレジスト物質よりも基板からコーティング を除去するために使用されるエッチングプロセスに対してより影響を受ける。Ａ ＲＣをＵＶ照射へ露呈させることは、更に、ＡＲＣのエッチレートを変化させ、 且つＡＲＣのみ及び／又はホトレジストに関連するこの適用例において説明した 問題のうちのいずれかを緩和させることが可能である。 基板上の反射防止コーティングを処理するために上述した露光時間及び使用さ れる紫外線照射の波長に対する同様の処理パラメータは、本発明にしたがって電 子装置を製造する場合に適用することが可能 である。 好適には、本発明は、反射防止コーティングを実質的に完全に取除き且つホト レジストによって被覆されている場合には、ホトレジストの露出されている部分 の全てを実質的に完全に取除く。然しながら、反射防止コーティングの全てが除 去されない場合には、露出している反射防止コーティングを処理した後に、何ら かの残存する露出されているＡＲＣ物質は基板表面から除去することが可能であ る。この残存するＡＲＣは、エッチング、溶液での処理、又は当業者に公知な処 理を含む反射防止コーティングを除去するのに適した何らかのその他の処理によ って除去することが可能である。基板を処理し、且つ当業者にとって公知のいず れかの方法にしたがって基板上に回路パターンを形成することが可能である。 基板を更に処理する前に、該反射防止コーティングを高温へ露呈させることも 可能である。該高温は、反射防止コーティングを紫外線照射へ露光させるのと同 時又は前又は後において反射防止コーティング、基板及びホトレジストへ付与す ることが可能である。反射防止コーティングを高温へ露呈させるプロセスに対す るパラメータは、基板へ付与した反射防止コーティングに対して露光するために 上述したものと同様である。反射防止コーティングを高温へ露呈させ ることは、反射防止コーティングのホトレジストに対する選択性を変化させ、Ａ ＲＣのエッチレートを変化させ、且つＡＲＣ及び／又はホトレジストと相対的な ＡＲＣに関する上述したその他の問題のうちのいずれかを緩和させることが可能 である。 露光され且つ現像されたホトレジストを、それを紫外線照射のみに露呈させる か、高温への露呈と共に、又はその前に、又はその後に紫外線照射へ露呈させる ことによって処理することが可能である。ホトレジストを硬化するための処理の 一例は、前述した米国特許第４，５４８，６８８号（Ｍａｔｔｈｅｗｓ）に記載 されている。Ｍａｔｔｈｅｗｓの特許に記載されているプロセスのパラメータを 上述した反射防止コーティングの処理に適用することも可能である。好適には、 ホトレジスト及び／又は反射防止コーティングが露呈される温度は、ホトレジス トの硬化状態に拘らずに、ホトレジストのフロー温度より低い。該フロー温度は 、その温度に露呈された場合にホトレジストに変形を発生させる温度として定義 することが可能である。 該ホトレジストは、反射防止コーティングの処理の前又はその後に処理するこ とが可能である。更に、反射防止コーティング及びホトレジストの処理は同時的 に実施することが可能である。いずれの場合に おいても、基板の何らかの更なる処理の前にホトレジストの処理を実施すべきで ある。 反射防止コーティング及び／又はホトレジストの処理の後に、基板内及び／又 は基板上に回路を設けることが可能である。 図１及び２は本発明プロセスの硬化性を示しており、それはＵＶ照射での反射 防止コーティングの処理を含んでいる。図１は反射防止コーティングをＵＶ照射 と高温の両方へ露呈させる結果を表わしている。図１に示したデータ点によって 表わされる各テストにおいて同様のＵＶスペクトル及びＵＶ照射のパワーを使用 した。図１において理解することが可能であるように、時間及び温度は変化させ た。図１に示した結果は、本発明に従ってＵＶ照射及び高温での反射防止コーテ ィングの処理を含むプロセスの硬化性は、一定のＵＶ適応量に対し露光時間及び 温度が増加すればするほど増加する。 図２は種々の露光時間及び温度及び２つの異なるＵＶスペクトルで実施した一 連のテストの結果を示している。ＵＶ照射の適応量は実質的に同一に留まってい るが、２つの異なる供給源を使用し、その結果に関する影響が図２に示されてい る。図２に示した結果は、下側に存在する基板から除去する反射防止コーティン グの量を最適化させるために露光時間 及び照射適応量の両方を変化させることが可能であることを示している。 図３は処理しなかった反射防止コーティングの厚さと比較したＵＶで処理した 反射防止コーティングの相対的な厚さを示したグラフを表わしている。図３に示 した面は、本発明の一実施例に基づく処理の後の基板上の反射防止コーティング の全ての部分の平均的な厚さを表わしている。該グラフの左側部分はＡＲＣの未 処理部分の厚さを表わしており、一方右側部分はＡＲＣの処理した部分の厚さを 表わしている。 図１−３に示した結果を発生するために使用したプロセスは、フュージョンシ ステムズ、インコーポレイテッドから入手可能なフュージョン２００ＰＣＵ光安 定化器を使用して実施した。該プロセスにおいて使用した照射源は、それもフュ ージョンシステムズ、インコーポレイテッドから入手可能なフュージョンＨ−Ｍ ＯＤバルブであった。図４はこのような１つのバルブによって発生した照射のス ペクトルを示している。 本発明の一例によれば、反射防止コーティングを処理するプロセスをフュージ ョン２００ＰＣＵ光安定化器装置を使用して行なった。該照射源はフュージョン システムズによって製造されたＨ−ＭＯＤバ ルブであった。該反射防止コーティングは、約１２０秒の間約２３０℃の温度に 露呈させた。露光されたウエハ直径は約１００．００ｍｍ又は約３．９４インチ のシリコンウエハであった。テスト直径、即ちテストの結果を決定するために測 定した基板の部分は、約８８．００ｍｍ即ち約３．４６インチであった。処理後 の反射防止コーティングの厚さは約６１６．９８Åであった。標準偏差は約６７ ．４７３であった。処理後の反射防止コーティングの最小厚さは約５３１．０７ Åであり、その最大値は約６８７．９２であった。基板上の４９個の箇所におい て８８．００ｍｍの基板上のテスト区域にわたって測定した。 本開示においては、本発明の好適実施例についてのみ示し且つ説明したが、前 述した如く、本発明は種々のその他の組合わせ及び環境において使用することが 可能であり且つここに明示した本発明の概念の範囲内において変更又は修正する ことが可能であることを理解すべきである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｇ０３Ｆ 7/11 ５０３ Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｄ Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｇ０２Ｂ 1/10 Ａ 23/31

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．基板上の反射防止コーティングの処理方法において、前記反射防止コー ティングの少なくとも一部を除去することとなるのに充分な適応量の紫外線照射 に対して前記反射防止コーティングを露呈させることを特徴とする方法。 ２．請求項１において、更に、前記反射防止コーティングを前記適応量の紫 外線照射へ露呈させている間に前記反射防止コーティングを高温へ露呈させるス テップを有していることを特徴とする方法。 ３．電子装置の製造方法において、 ａ）基板を用意し、 ｂ）前記基板上に反射防止コーティングの層を付着形成し、 ｃ）前記反射防止コーティング上にホトレジスト物質の層を付着形成し、 ｄ）前記ホトレジストを現像剤中において選択的に溶解可能とさせるのに充分 な適応量の紫外線照射に対して前記ホトレジスト層を露呈させ、 ｅ）前記ホトレジストを現像剤で現像して前記ホトレジストの一部を除去し、 その際に前記現像剤によって除去された前記ホトレジストの部分の下側の反射防 止コーティングを露出させ、 ｆ）前記ホトレジストをクロスリンクさせると共 に同時的に前記露出された反射防止コーティングの少なくとも一部を除去するの に充分な紫外線照射に対して前記露出した反射防止コーティングを露呈させ、 ｇ）前記半導体チップ上に回路パターンを選択的にエッチングさせる、 上記各ステップを有する方法。 ４．請求項３において、更に、前記露出された反射防止コーティング及び前 記基板上に残存するホトレジストを紫外線照射へ露呈させながら前記露出した反 射防止コーティング及び前記基板上に残存するホトレジストを高温へ露呈させる ステップを有しており、前記温度が前記ホトレジストのフロー温度より低い方法 。 ５．請求項４において、更に、前記ホトレジストの重合化が増加するに従い 前記ホトレジスト層が露呈される温度を増加させるステップを有しており、前記 温度が常に前記ホトレジストのフロー温度より低い方法。 ６．請求項５において、前記ホトレジストがポジティブホトレジストである 方法。 ７．請求項６において、前記ポジティブホトレジストがポリヒドロキシスチ レンである方法。 ８．請求項７において、前記ポジティブホトレ ジストがＡＰＥＸ−Ｅである方法。 ９．請求項６において、前記回路が約１．０μｍより小さい臨界的寸法を有 している方法。 １０．請求項６において、前記回路が約０．５μｍより小さな臨界寸法を有 している方法。 １１．請求項３において、前記反射防止コーティングが芳香族ポリスルホン である方法。 １２．請求項３において、前記露出した反射防止コーティングに対して露呈 される前記紫外線照射が約３２０ｎｍ以下の波長を有している方法。 １３．請求項３において、前記露出された反射防止コーティングが露呈され る前記紫外線照射が少なくとも約１８０ｎｍの波長を有している方法。 １４．請求項３において、前記露出された反射防止コーティングが露呈され る前記紫外線照射が約２００乃至約３２０ｎｍの波長を有している方法。 １５．請求項３において、前記露出された反射防止コーティングが露呈され る紫外線照射が約２４０乃至約２６０ｎｍの波長を有している方法。 １６．請求項４において、前記露出された反射防止コーティングが露呈され る前記高温が約１００℃より高い方法。 １７．請求項４において、前記露出された反射防止コーティングが露呈され る前記高温が約１２０ ℃より高い方法。 １８．請求項４において、前記露出された反射防止コーティングが露呈され る前記高温が約２００℃より高い方法。 １９．請求項３において、前記ホトレジストがジアゾ増感型ポリマー組成で ある方法。 ２０．請求項３において、前記ホトレジストがフェノールホルムアルデヒド ノボラック型である方法。 ２１．請求項３において、前記ホトレジストが化学的に増幅させたポリヒド ロキシスチレンである方法。 ２２．請求項３において、前記ホトレジスト層が約７，０００Å乃至約２０ ，０００Åの厚さである方法。 ２３．請求項３において、前記露出された反射防止コーティングを前記紫外 線光へ露呈させることが、前記ホトレジストと比較して、前記露出された反射防 止コーティングがエッチングに影響を受け易くすることを増加させ、その際に前 記露出された反射防止コーティングがエッチングされる場合に除去されるホトレ ジストの量を減少させる方法。 ２４．請求項３において、更に、前記露出された反射防止コーティングを前 記紫外線照射へ露呈さ せた後に残存する露出された反射防止コーティングを除去するステップを有して いる方法。 ２５．請求項３において、前記露出された反射防止コーティングを少なくと も約４０秒の間前記紫外線照射へ露呈させる方法。 ２６．請求項３において、前記露出された反射防止コーティングを約１６０ 秒未満の間前記紫外線照射へ露呈させる方法。 ２７．請求項３において、前記露出された反射防止コーティングを約４０秒 と約１６０秒との間において前記紫外線照射へ露呈させる方法。 ２８．請求項３において、前記反射防止コーティングが少なくとも約５００ Åの厚さである方法。 ２９．請求項３において、前記反射防止コーティングが約５００Åから約２ ，０００Åの厚さである方法。 ３０．請求項３において、前記反射防止コーティングが約５００Åから約１ ，０００Åの厚さである方法。 ３１．請求項６において、前記回路が約０．３５μｍより小さな臨界寸法を 有している方法。 ３２．請求項３において、前記紫外線照射が前記反射防止コーティングに対 して少なくとも約１０Ｊｏｕｌｅ／ｃｍ²を付与する方法。 ３３．請求項３において、前記紫外線照射が前記反射防止コーティングに対 して少なくとも約５０Ｊｏｕｌｅ／ｃｍ²を付与する方法。