JPS6074528A - レジストパタ−ン検査装置 - Google Patents
レジストパタ−ン検査装置Info
- Publication number
- JPS6074528A JPS6074528A JP58181967A JP18196783A JPS6074528A JP S6074528 A JPS6074528 A JP S6074528A JP 58181967 A JP58181967 A JP 58181967A JP 18196783 A JP18196783 A JP 18196783A JP S6074528 A JPS6074528 A JP S6074528A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist pattern
- irradiated
- reflected light
- parallel light
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（１）発明の技術分野
本発明はレジストパターン検査装置に係り、特にレジス
トパターンの検査に光学的手段を用いた検査装置に関す
るものである。
トパターンの検査に光学的手段を用いた検査装置に関す
るものである。
（２）技術の背景
一般にウェハ上に形成されるレジストパターンは常に正
常にパターニングされているとは限らすウェハとマスク
の密着不良で、形状に異常がある場合があり、又は露光
条件が適正でない場合にも形状不良となる。この欠陥は
その密着目的を阻害し、レジストパターンの信頼性を低
下せしめるので、この様な欠陥を予め検査する必要があ
る。
常にパターニングされているとは限らすウェハとマスク
の密着不良で、形状に異常がある場合があり、又は露光
条件が適正でない場合にも形状不良となる。この欠陥は
その密着目的を阻害し、レジストパターンの信頼性を低
下せしめるので、この様な欠陥を予め検査する必要があ
る。
（３）従来技術と問題点
第１図は基板１上に設けられたレジス） ｉ＜ ターン
形状の断面図を示す。第１図＋ａ）は正常の場合を示し
、第１図（ｂｌは不良の場合を示す。
形状の断面図を示す。第１図＋ａ）は正常の場合を示し
、第１図（ｂｌは不良の場合を示す。
従来のレジストパターン検査装置は第１Ｅ（ａｌ、、！
：第２図（ｂｌのレジストの形状の違いを、光学顕微鏡
及び電子顕微鏡等を用いて目視することにより良。
：第２図（ｂｌのレジストの形状の違いを、光学顕微鏡
及び電子顕微鏡等を用いて目視することにより良。
不良の判別を行っていた。
しかしながら従来のレジストパターンの検査によれば９
個々の検査工程に時間を要し検査能率が非常に悪い欠点
を有していた。
個々の検査工程に時間を要し検査能率が非常に悪い欠点
を有していた。
（４）発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鑑み、レジストパターンの検
査時間を短縮し、検査者によるレジストパターン品質の
不均一性をな（すことを可能にしたレジストパターン検
査装置を提供することを目的とするものである。
査時間を短縮し、検査者によるレジストパターン品質の
不均一性をな（すことを可能にしたレジストパターン検
査装置を提供することを目的とするものである。
（５）発明の構成
そしてこの目的は照明手段によりレジストパターンに光
照射し、予め定めた角度に於ける反射光の強度と標準値
とを比較して、前記レジストパターンの良、不良を判別
することを特徴とするレジストパターン検査装置を提供
することによって達成される。
照射し、予め定めた角度に於ける反射光の強度と標準値
とを比較して、前記レジストパターンの良、不良を判別
することを特徴とするレジストパターン検査装置を提供
することによって達成される。
（６）発明の実施例
以下本発明の実施例を図面によって詳述する。
第２図は本発明によるレジストパターン検査装置の構成
図である。
図である。
同図においてＸ−Ｙステージ３上にはプリント板４が設
置され、プリント板４の上面はパターン配線５が設けら
れている。またプリント板４の上方にはプリント板４と
一定間隔をあけて平行光線６を照射する為の照明ランプ
７が設けられ、照明ランプ７の光線を一方向に設定させ
る為、照明ランプ７の周囲には照明ランプガイド１１が
設けられている。また基板４上のパターン配線５からの
反射光８を検出する為の検出器９は照明ランプ７と一定
間隔をあけて、しかも一体となって設けられている。ま
た照明ランプ７からの平行光線６は照明ランプ７の下部
に設けられたスリット１０を介して基板４に照射する。
置され、プリント板４の上面はパターン配線５が設けら
れている。またプリント板４の上方にはプリント板４と
一定間隔をあけて平行光線６を照射する為の照明ランプ
７が設けられ、照明ランプ７の光線を一方向に設定させ
る為、照明ランプ７の周囲には照明ランプガイド１１が
設けられている。また基板４上のパターン配線５からの
反射光８を検出する為の検出器９は照明ランプ７と一定
間隔をあけて、しかも一体となって設けられている。ま
た照明ランプ７からの平行光線６は照明ランプ７の下部
に設けられたスリット１０を介して基板４に照射する。
以上の構成のレジストパターン検査装置において、レジ
ストパターンの良、不良を検査する動作説明を以下で行
なう。
ストパターンの良、不良を検査する動作説明を以下で行
なう。
照明ランプ７から放射する平行光線６が基板４の検査ず
べき所定のパターン配線５に照射される様Ｘ−Ｙステー
ジ３を可動する。次にＸ−Ｙステージ３の可動により設
定されたパターン配線５に。
べき所定のパターン配線５に照射される様Ｘ−Ｙステー
ジ３を可動する。次にＸ−Ｙステージ３の可動により設
定されたパターン配線５に。
照明ランプ７の平行光線６をスリット １０を介して照
射する。所定のパターン配線５に照射された平行光線６
はパターン配線５の形状によって反射光の方向が変わる
。
射する。所定のパターン配線５に照射された平行光線６
はパターン配線５の形状によって反射光の方向が変わる
。
第３図＋ａ）は正常なレジストパターンの側面傾斜部に
一定方向から平行光線６を入射させた場合の入射光と反
射光の関係を示す図である。この場合反射光は指向性を
持ち入射光に対して大きな角度を有する。この反射光８
を照明ランプ７と一定位置関係にある検出器９により反
射光８の強い光線を検出する。この検出信号を検出器９
から比較器１２に入力する。比較器１２では入力信号と
予めレジストパターンの良、不良を決定する為に設けた
標準信号とを比較する。この比較で入力信号が標準信号
より大きい場合レジストパターンは良品と判断する。
一定方向から平行光線６を入射させた場合の入射光と反
射光の関係を示す図である。この場合反射光は指向性を
持ち入射光に対して大きな角度を有する。この反射光８
を照明ランプ７と一定位置関係にある検出器９により反
射光８の強い光線を検出する。この検出信号を検出器９
から比較器１２に入力する。比較器１２では入力信号と
予めレジストパターンの良、不良を決定する為に設けた
標準信号とを比較する。この比較で入力信号が標準信号
より大きい場合レジストパターンは良品と判断する。
一方第３図（ｂｌの様に不良のレジストパターンに一定
方向から平行光線６を入射させた場合には反射光８の指
向性が弱くなり９反射光は散乱し１反射角θ′は定まら
ない。従って照明ランプ７と一定間隔を有して設けられ
た検出器９はこの弱い反射光８が検出され、この反射光
検出器９を介して比較器１２に入力することにより、前
述と同様にして標準信号と入力信号と比較する。この場
合標準信号が入力信号より強い為、不良と判断すること
ができる。
方向から平行光線６を入射させた場合には反射光８の指
向性が弱くなり９反射光は散乱し１反射角θ′は定まら
ない。従って照明ランプ７と一定間隔を有して設けられ
た検出器９はこの弱い反射光８が検出され、この反射光
検出器９を介して比較器１２に入力することにより、前
述と同様にして標準信号と入力信号と比較する。この場
合標準信号が入力信号より強い為、不良と判断すること
ができる。
次に他のパターン配線５に平行線６を照射する為Ｘ−Ｙ
ステージ３を可動する。同様にしてパターン配線５に照
明ランプ７の平行光線６をスリット１０を介して照射す
る。平行光線６はパターン５− 配線５の形状によって反射光の方向が変わり、この反射
光８を検出器９により検出することにより。
ステージ３を可動する。同様にしてパターン配線５に照
明ランプ７の平行光線６をスリット１０を介して照射す
る。平行光線６はパターン５− 配線５の形状によって反射光の方向が変わり、この反射
光８を検出器９により検出することにより。
同様にして次のパターン配線５の良、不良を判断するこ
とができる。同様にして順次この動作を繰り返すことに
よりプリント板４上のパターン配線５全体を検査するこ
とができる。
とができる。同様にして順次この動作を繰り返すことに
よりプリント板４上のパターン配線５全体を検査するこ
とができる。
すなわち本発明の上記実施例によれば、検出器９を所定
の位置に設けておき、Ｘ−Ｙステージを可動させて、予
め定めた角度における反射光の強度を標準値と比較する
ことにより、レジストパターンの良、不良を検出できる
。
の位置に設けておき、Ｘ−Ｙステージを可動させて、予
め定めた角度における反射光の強度を標準値と比較する
ことにより、レジストパターンの良、不良を検出できる
。
本発明の実施例は以上に限るわけではなく、照明ランプ
７を可動させて構成することもでき、また検出器９を可
動させて構成することも可能である。
７を可動させて構成することもでき、また検出器９を可
動させて構成することも可能である。
（７）発明の効果
以上詳細に説明したように１本発明によればレジストパ
ターンの検査に光学的手段を用いることで検査時間を短
縮し、検査者による検査誤差もなりシ、レジストパター
ンの品質が標準化するという効果を有する。
ターンの検査に光学的手段を用いることで検査時間を短
縮し、検査者による検査誤差もなりシ、レジストパター
ンの品質が標準化するという効果を有する。
６−
第１図ｉａ）は基板上に設けられた良品レジストパター
ンの断面図、第１図ｆｂｌは基板上に設けられた不良品
レジストパターンの断面図、第２図は本発明によるレジ
ストパターン検査装置の構成図、第３図（ａ）は正常の
レジストパターンに平行光線を入射した場合の入射光と
反射光の関係を示す構成図。 第３図ｆｂ）は不良のレジストパターンに平行光線を入
射した場合の入射光と反射光の関係を示す構成図である
。 １．４・・・基板 ２・・・レジス トパターン ３・・・Ｘ−Ｙステージ ５・・・パターン配線 ６・・・平行 光線 ７・・・照明ランプ ８・・・反射光 ９・・・検出器 １０・・・スリット １１・・・照明ランプガイド １
２・・・比較器 ７− 第１図 （ａ） （ｂ） 第２図 第３図 （ｑ） （ｂ）
ンの断面図、第１図ｆｂｌは基板上に設けられた不良品
レジストパターンの断面図、第２図は本発明によるレジ
ストパターン検査装置の構成図、第３図（ａ）は正常の
レジストパターンに平行光線を入射した場合の入射光と
反射光の関係を示す構成図。 第３図ｆｂ）は不良のレジストパターンに平行光線を入
射した場合の入射光と反射光の関係を示す構成図である
。 １．４・・・基板 ２・・・レジス トパターン ３・・・Ｘ−Ｙステージ ５・・・パターン配線 ６・・・平行 光線 ７・・・照明ランプ ８・・・反射光 ９・・・検出器 １０・・・スリット １１・・・照明ランプガイド １
２・・・比較器 ７− 第１図 （ａ） （ｂ） 第２図 第３図 （ｑ） （ｂ）
Claims (1)
- （１）照明手段によりレジストパターンに光照射し、予
め定めた角度に於ける反射光の強度と標準値とを比較し
て、前記レジストパターンの良、不良を判別することを
特徴とするレジストパターン検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58181967A JPS6074528A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | レジストパタ−ン検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58181967A JPS6074528A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | レジストパタ−ン検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6074528A true JPS6074528A (ja) | 1985-04-26 |
Family
ID=16109994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58181967A Pending JPS6074528A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | レジストパタ−ン検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6074528A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63305512A (ja) * | 1987-06-05 | 1988-12-13 | Fujitsu Ltd | レジストパタ−ン検査装置 |
| US7859659B2 (en) | 1998-03-06 | 2010-12-28 | Kla-Tencor Corporation | Spectroscopic scatterometer system |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP58181967A patent/JPS6074528A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63305512A (ja) * | 1987-06-05 | 1988-12-13 | Fujitsu Ltd | レジストパタ−ン検査装置 |
| US7859659B2 (en) | 1998-03-06 | 2010-12-28 | Kla-Tencor Corporation | Spectroscopic scatterometer system |
| US7898661B2 (en) | 1998-03-06 | 2011-03-01 | Kla-Tencor Corporation | Spectroscopic scatterometer system |
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