JPS6064434A - パタ−ン検査方法 - Google Patents
パタ−ン検査方法Info
- Publication number
- JPS6064434A JPS6064434A JP58172193A JP17219383A JPS6064434A JP S6064434 A JPS6064434 A JP S6064434A JP 58172193 A JP58172193 A JP 58172193A JP 17219383 A JP17219383 A JP 17219383A JP S6064434 A JPS6064434 A JP S6064434A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- scanning
- signal
- scanning signal
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
- G03F1/86—Inspecting by charged particle beam [CPB]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明のλ嘱する技術分野〕
本発明１ｄ、半導体集積回路の頑作時に用いられるフォ
トマスクの欠陥の有無及びパターンの正否を検査するパ
ターン検査装置（乞関する。
トマスクの欠陥の有無及びパターンの正否を検査するパ
ターン検査装置（乞関する。
従来、フォトマスクに形成さね、たパターンの劣資を行
うパターン倹有力法においては、電子皆描画装置直によ
り描画する１５γの１走（ｆＥにおけろドツトデータ数
と、被検査パターンＶ（対応するｒｊ、ｓ １の）社青
信号を検出する信号検出部のセンサの配列個数との対応
は特に考慮されていなかった。
うパターン倹有力法においては、電子皆描画装置直によ
り描画する１５γの１走（ｆＥにおけろドツトデータ数
と、被検査パターンＶ（対応するｒｊ、ｓ １の）社青
信号を検出する信号検出部のセンサの配列個数との対応
は特に考慮されていなかった。
そのため１Ｍｉ子線描画＠置で用いる１走査のドツトデ
ータから得られる第２の走査信号と、信号検出部で得ら
れる第１の走査信号とを比較照合するために、第１の走
査信号′Ｊｒ第２の走査信号に対応させるべきデータ変
換、捷たは＠２の走査信号を第１の走査信号に対応させ
るためのデータ変換が行なわれていた。
ータから得られる第２の走査信号と、信号検出部で得ら
れる第１の走査信号とを比較照合するために、第１の走
査信号′Ｊｒ第２の走査信号に対応させるべきデータ変
換、捷たは＠２の走査信号を第１の走査信号に対応させ
るためのデータ変換が行なわれていた。
しかしながら、この種の装置にあっては次のような問題
があった。すなわち、上記第１の走査信号と第２の走ｆ
信号の対応をとるためのデータ変換作契が必要であり、
その実現方法としてソフトウェアで変換作？’に行なう
場合はそのための時間が余分にかかるという問題があり
、ハードウェアにて行なう場合は新たにそれに必要なデ
ータ変・喚回路の付加が必要でそのためにコストが増大
するという問題がある。また、電子線描画装置での１走
査のドツトデータ数と信号検出部のセンサの配列個数と
の対応をとるための処理が複雑である。
があった。すなわち、上記第１の走査信号と第２の走ｆ
信号の対応をとるためのデータ変換作契が必要であり、
その実現方法としてソフトウェアで変換作？’に行なう
場合はそのための時間が余分にかかるという問題があり
、ハードウェアにて行なう場合は新たにそれに必要なデ
ータ変・喚回路の付加が必要でそのためにコストが増大
するという問題がある。また、電子線描画装置での１走
査のドツトデータ数と信号検出部のセンサの配列個数と
の対応をとるための処理が複雑である。
このため、装置の製作コストが増大する。そして装置と
してのスループットが低下する等の問題があった。
してのスループットが低下する等の問題があった。
本発明の目的は、１Ｆ＋線、描画装置での１走査におけ
るドツトデータ数に対して４Ｎ ｍ検出部のセンサの配
列個数を同じとするか若しくは整数倍することにより、
装置の製作コストの増大全防止し。
るドツトデータ数に対して４Ｎ ｍ検出部のセンサの配
列個数を同じとするか若しくは整数倍することにより、
装置の製作コストの増大全防止し。
スループットの向上等をはかり得るパターン倹を装置を
提供することにある。
提供することにある。
本発明の骨子は、電子線描画装置での１走肴におけるド
ツトデータ数に対して信号検出部のセンサの配列個数を
同じか若しくは整数倍することによね、設計データから
得られる第２の走査信号と信号検出部で１１４られるｆ
Ｒｌの走査イバ号との比較照合を著しく容易にすること
にある。
ツトデータ数に対して信号検出部のセンサの配列個数を
同じか若しくは整数倍することによね、設計データから
得られる第２の走査信号と信号検出部で１１４られるｆ
Ｒｌの走査イバ号との比較照合を著しく容易にすること
にある。
すなわち本発明′は、ラスタ走介形宿子線描画装置を用
いて製作されたフォトマスク金検査するマスク欠陥検査
装置りにおいて、上記フォトマスクを載置するテーブル
と、このテーブルをＸ方向及び該方向と直交するＹ方向
に移動せしめるテーブル駆動部と、上記テーブルの位置
を測定する位置側足部と、上記フォトマスクに光を照射
する光照射部と、上記光照射及びフォトマスク上での光
照射位置の移動により得られる上記フォトマスクに形成
された被検査パターンに対応する第１の走査信号を検出
する信号検出部と、前記電子線描画装置で上記フォトマ
スクにパターンを描画する際の設計データを基に得られ
る第２の走査信号を発生する基準信号発生部と、前記ｉ
、ｆ（１及び第２の走査信号を比較照合して欠陥の有無
およびパターンの正否を判定す欠陥判定部とを有して、
前記信号検出ｉ１３として、前記電子線描画装置でパタ
ーンを描画する際の１走査での゛電子ビームのオン・オ
フの基となるドツトデータ数の整数倍のセンサが一方向
に配列されてなるイぎ号検出部と′ｆ、設けるようにし
たものである。
いて製作されたフォトマスク金検査するマスク欠陥検査
装置りにおいて、上記フォトマスクを載置するテーブル
と、このテーブルをＸ方向及び該方向と直交するＹ方向
に移動せしめるテーブル駆動部と、上記テーブルの位置
を測定する位置側足部と、上記フォトマスクに光を照射
する光照射部と、上記光照射及びフォトマスク上での光
照射位置の移動により得られる上記フォトマスクに形成
された被検査パターンに対応する第１の走査信号を検出
する信号検出部と、前記電子線描画装置で上記フォトマ
スクにパターンを描画する際の設計データを基に得られ
る第２の走査信号を発生する基準信号発生部と、前記ｉ
、ｆ（１及び第２の走査信号を比較照合して欠陥の有無
およびパターンの正否を判定す欠陥判定部とを有して、
前記信号検出ｉ１３として、前記電子線描画装置でパタ
ーンを描画する際の１走査での゛電子ビームのオン・オ
フの基となるドツトデータ数の整数倍のセンサが一方向
に配列されてなるイぎ号検出部と′ｆ、設けるようにし
たものである。
本発明によれば、パターン検査方法において設。
計データを基に得られる第２の走査信号の発生手段と、
電子線描画装置における１走査信号の発生手段を共通に
利用することができる。第１の走査信号と第２の走査信
号を比較照合をするための双方の対応をとるためのデー
タ交換が不用または著しく簡単にすることができる。ま
た、描画する際の１走査でのドツトデータ数と検査時の
信号検出部のセンサの配列個数との対応ラーとる際に生
じる丸め誤差に起因する精度の低下を無視できる。結果
として装置を製作する際のコストの増大を抑えることが
でき１本装置６としてのスルーグツトが向上するだけで
なくフォトマスクの描画から検査するという一連の工程
でのスループットが向上し。
電子線描画装置における１走査信号の発生手段を共通に
利用することができる。第１の走査信号と第２の走査信
号を比較照合をするための双方の対応をとるためのデー
タ交換が不用または著しく簡単にすることができる。ま
た、描画する際の１走査でのドツトデータ数と検査時の
信号検出部のセンサの配列個数との対応ラーとる際に生
じる丸め誤差に起因する精度の低下を無視できる。結果
として装置を製作する際のコストの増大を抑えることが
でき１本装置６としてのスルーグツトが向上するだけで
なくフォトマスクの描画から検査するという一連の工程
でのスループットが向上し。
更に精度の向上もはかり得るという効果ｔ−参する。
第４図は本発明の一実＠９Ｑに係わるパターン検査装置
の概略構成を示すブロック図である。１偽中１１はフォ
トマスク１２ヲ載置する試料台であり、この試料台１１
は計７！機１３から指令金堂けたスデージＪ琳動制御部
１４によシＸ方向（紙面左右方向）及びＹ方向（紙面表
裏方向）に移動されるものとなっている。そして、試料
台１１の移動位置は１例えばレーザ干渉計からなるステ
ージ位時測定部１５により測定されるものとなっている
。
の概略構成を示すブロック図である。１偽中１１はフォ
トマスク１２ヲ載置する試料台であり、この試料台１１
は計７！機１３から指令金堂けたスデージＪ琳動制御部
１４によシＸ方向（紙面左右方向）及びＹ方向（紙面表
裏方向）に移動されるものとなっている。そして、試料
台１１の移動位置は１例えばレーザ干渉計からなるステ
ージ位時測定部１５により測定されるものとなっている
。
一方、試料台１１の上方には、光源（光照射部）１６が
配置されている。光源１６からの光は、試料台１１上に
載置されるフォトマスク１２上にスポット照射され、そ
の透過光が信号検出部１７の受光面に照射さＪする。こ
こで、上記光照射と共に試料台１１ヲ連続移動させるこ
とにより、信号検出部１７ではフォトマスク１２の被検
査パターンに対応した走査信号（第１の走査信号）が検
出さｉｚる。そして、この検出信号は、基準信号発生部
１８により上記被検査パターンをフォトマスク＃ｘ子線
描画装置により描画する際の設計データに基づいて発生
された走査イｒ、ｒ号（第２の走査信号）と共尾、欠陥
−制定部１９に供給され、欠陥判定部１９は上記第１の
走査信号と第２の走査４３号の比較照合を行ない、第１
の走査ｍ号と第２の走査信号に差異があるとき欠陥Ｍり
と判定し、欠陥パターン部の検出７行なうものとなって
いる。
配置されている。光源１６からの光は、試料台１１上に
載置されるフォトマスク１２上にスポット照射され、そ
の透過光が信号検出部１７の受光面に照射さＪする。こ
こで、上記光照射と共に試料台１１ヲ連続移動させるこ
とにより、信号検出部１７ではフォトマスク１２の被検
査パターンに対応した走査信号（第１の走査信号）が検
出さｉｚる。そして、この検出信号は、基準信号発生部
１８により上記被検査パターンをフォトマスク＃ｘ子線
描画装置により描画する際の設計データに基づいて発生
された走査イｒ、ｒ号（第２の走査信号）と共尾、欠陥
−制定部１９に供給され、欠陥判定部１９は上記第１の
走査信号と第２の走査４３号の比較照合を行ない、第１
の走査ｍ号と第２の走査信号に差異があるとき欠陥Ｍり
と判定し、欠陥パターン部の検出７行なうものとなって
いる。
このような装置を用いて、゛重子？ηも１ｉＩｉＴｉｉ
装置により描画され、微細パターンの形成さ：ｈ、 ｙ
ｃフォトマスクの欠陥の有無、パターンの正否の検査ケ
行ｒｃうものである。
装置により描画され、微細パターンの形成さ：ｈ、 ｙ
ｃフォトマスクの欠陥の有無、パターンの正否の検査ケ
行ｒｃうものである。
第１図から第３図は１・１元子８１ζＩＣｈ画装置＾に
おいてパターンを描画する過程全庁す図でムリ１図中１
２はフォトマスクを示しており１図中２はパターンを形
成するための描画領域を示し２．１ヌ１中３はフォＩ・
マスク１２ｆ：載置した試料台ｉＹＸ方向紙面上下刃向
）に連続移動させ７：（がらＩＨ，子ビームｌｘプ〕向
（紙面左右方向）に走査して描画する１回あたりの描画
領域を示しており、上記フォトマスク１２ヲ載置した試
料台をＸ方向（紙面左右方向）にステップ移動さぜ゛Ｃ
フォトマスク１２の’ｔ＋’ｉｉ画Ｓハ１域２にパター
ンを描画するものとなっている。
おいてパターンを描画する過程全庁す図でムリ１図中１
２はフォトマスクを示しており１図中２はパターンを形
成するための描画領域を示し２．１ヌ１中３はフォＩ・
マスク１２ｆ：載置した試料台ｉＹＸ方向紙面上下刃向
）に連続移動させ７：（がらＩＨ，子ビームｌｘプ〕向
（紙面左右方向）に走査して描画する１回あたりの描画
領域を示しており、上記フォトマスク１２ヲ載置した試
料台をＸ方向（紙面左右方向）にステップ移動さぜ゛Ｃ
フォトマスク１２の’ｔ＋’ｉｉ画Ｓハ１域２にパター
ンを描画するものとなっている。
第２図はフォトマスク１２をＸ方向に連続移動させなか
ら′電子ビームをＸ方向に走査する状態を示す図であり
、第３図は７第１・マスク１２？ｉ−Ｘ方向に連続移動
させながら電子ビーム＝２ｘ方向に走査すると共にビー
ムのオン・オフ。を制御してフォトマスク１２に微細パ
ターンを描画する状態を示しており１図中４はビームの
オフ領域で図中５はビームのオン領域であることを示し
ている。
ら′電子ビームをＸ方向に走査する状態を示す図であり
、第３図は７第１・マスク１２？ｉ−Ｘ方向に連続移動
させながら電子ビーム＝２ｘ方向に走査すると共にビー
ムのオン・オフ。を制御してフォトマスク１２に微細パ
ターンを描画する状態を示しており１図中４はビームの
オフ領域で図中５はビームのオン領域であることを示し
ている。
上述のように電子線描画装置で描画され微細ノミターン
の形成されたフォトマスク１２を試料台１１にａ＠し、
光源１６からの光を上記フォトマスク１２にスポット照
射して、上記フォトマスク１２に形成された被検査パタ
ーンに応じた走査信号（第１の走査信号）を得る。そし
て、上記走査信号を得る信号検出部１７は前記電子線描
画装置により前記第２図および第３図に示すように描画
される際のビームをオン・オフするドツト数と対応する
複数の光センサが一方向に配列され本構成であり、第５
図にその概略構成を示している。
の形成されたフォトマスク１２を試料台１１にａ＠し、
光源１６からの光を上記フォトマスク１２にスポット照
射して、上記フォトマスク１２に形成された被検査パタ
ーンに応じた走査信号（第１の走査信号）を得る。そし
て、上記走査信号を得る信号検出部１７は前記電子線描
画装置により前記第２図および第３図に示すように描画
される際のビームをオン・オフするドツト数と対応する
複数の光センサが一方向に配列され本構成であり、第５
図にその概略構成を示している。
そして、第６図に示すように試料台１１に載置したフォ
トマスク１２′ｌｒ、Ｙ方向（紙面上下方向）に連続的
に移動しながら上記信号検出部１７を駆動して上記第１
の走査信号を得て欠陥判定部１９に送出し、一方布、子
線描画装置での一走食でのビームのオン・オフに対応す
る走査信号（第２の走査信号）が基準信号発生部１８か
ら欠陥判定部１９に送出され、欠陥判定部１９は上記第
１の走査信号全２値イヒ信号に変換し、上記２値化信号
と第２の走を信号全比較して双方の２値化信号に差界が
あるときに欠陥イ１りと判定するものである。
トマスク１２′ｌｒ、Ｙ方向（紙面上下方向）に連続的
に移動しながら上記信号検出部１７を駆動して上記第１
の走査信号を得て欠陥判定部１９に送出し、一方布、子
線描画装置での一走食でのビームのオン・オフに対応す
る走査信号（第２の走査信号）が基準信号発生部１８か
ら欠陥判定部１９に送出され、欠陥判定部１９は上記第
１の走査信号全２値イヒ信号に変換し、上記２値化信号
と第２の走を信号全比較して双方の２値化信号に差界が
あるときに欠陥イ１りと判定するものである。
このような構成であれば、基糸イｇ＠発生部Ｉｎ電子線
描画装置と本装置にむいて、同じものが使用できると共
に、基準信号発生部１８から発生される第２の走査イバ
号と信号検出部】７で得られる第１の走査信号の１走査
でのドツト数が対応しているので第１の走査信号と第２
の走査信号ケ対応させるための変換が必要でなくなると
共にその時の変換誤差をｔｃくすることとなる。捷た。
描画装置と本装置にむいて、同じものが使用できると共
に、基準信号発生部１８から発生される第２の走査イバ
号と信号検出部】７で得られる第１の走査信号の１走査
でのドツト数が対応しているので第１の走査信号と第２
の走査信号ケ対応させるための変換が必要でなくなると
共にその時の変換誤差をｔｃくすることとなる。捷た。
欠陥の誤検出を著しく軽減することができる。
したがって、検出精度が更に向上すると共に本装置にお
いて独自のデータフォーマットに展開する必要がないの
で欠陥判定部の■理回路を簡単化でき、また、本’Ｊ
ｆｌとしてのスＡ、−プツトが向上したのはもとよりフ
ォトマスクへの描画から検査才での一連の工程における
スループット向上等ン一はかり得る。
いて独自のデータフォーマットに展開する必要がないの
で欠陥判定部の■理回路を簡単化でき、また、本’Ｊ
ｆｌとしてのスＡ、−プツトが向上したのはもとよりフ
ォトマスクへの描画から検査才での一連の工程における
スループット向上等ン一はかり得る。
７′：（−お１本発明は上述した実施例に限＞ｉ２され
るものではｙ：（（、その要旨を逸脱し１．ｒいη１α
囲で、神々変形して実ＭＱすることができる。
るものではｙ：（（、その要旨を逸脱し１．ｒいη１α
囲で、神々変形して実ＭＱすることができる。
第１図乃至第３図は電子線描画装置りによるフォトマス
クへの描画例全庁す曲、四国、 ；ｆｚ ４図は本発明
によるパターン検査装置４の一実施例を示すブロック図
ＩＴ ５図は第４１凶のイ（号検出部の概略搭成ケ示
す図、第６図はフォトマスクの具体的な検査を示す説明
図である。 ２・・・・パターン描画領域。 ３・・・・連続移動に９１：る描画領域、４・・・・ビ
ームオフ領域、５・・・ビームオフ領域。 １１・・・・試キ・１台、１２・・・・フ、１． ｌ・
マスク。 １３・・・・ｆｆｔ’Ｊ’）：機、１４・・・・ステー
ジ鴫ｊ助制御部。 １５・・・・ステージ位置測定部、１６・・・・光源。 １７・・・・信号検出部、１８・・・・基型４１１＠発
生部１９・・・・欠陥列足部。 第１図 第 ２ｙ４ 亀 ３Ｂ１ 輌 ４ 図 Ｌ
クへの描画例全庁す曲、四国、 ；ｆｚ ４図は本発明
によるパターン検査装置４の一実施例を示すブロック図
ＩＴ ５図は第４１凶のイ（号検出部の概略搭成ケ示
す図、第６図はフォトマスクの具体的な検査を示す説明
図である。 ２・・・・パターン描画領域。 ３・・・・連続移動に９１：る描画領域、４・・・・ビ
ームオフ領域、５・・・ビームオフ領域。 １１・・・・試キ・１台、１２・・・・フ、１． ｌ・
マスク。 １３・・・・ｆｆｔ’Ｊ’）：機、１４・・・・ステー
ジ鴫ｊ助制御部。 １５・・・・ステージ位置測定部、１６・・・・光源。 １７・・・・信号検出部、１８・・・・基型４１１＠発
生部１９・・・・欠陥列足部。 第１図 第 ２ｙ４ 亀 ３Ｂ１ 輌 ４ 図 Ｌ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ４子ビームを一足速度の繰り返しで直線上に走査し、ス
テージを該走査方向と直交する方向に移動させ、上記電
子ビームのオン・オフによ゛り予め定められた図形？フ
ォトマスクに描画するラスク走査形電子線描画装置を用
いて製作されたフォトマスクを検査するマスク欠陥検査
装僅において。 上記フォトマスクを載置するテーブルと、このテーブル
をＸ方向及び該方向と直交するＹ方向に移動せしめるテ
ーブル駆動部と、上記テーブルの位ねを測定する位１ａ
測定部と、上記フォトマスクに光を照射する光照射部と
、上記光照射及びフォトマスク上での光照射位置の移動
により得られる上記フォトマスクに形成された被検査パ
ターンに対応する第１の走査信号を検出する信号検出部
と。 前記［子線描画装置で上記フォトマスクにパターンを描
画する際の設計データを基に得られる第２の走査信号を
発生する基準信号発生部と、前記用１及び第２の走査信
号全比較照合して欠陥の有無およびパターンの正否を判
定す欠陥判定部とを具備し、前記信号検出部は前記７ｉ
ｊ子イボ描画装置でパターンを描画する際の１走査での
「）電子ビームのオン・オフに対応する処の前記第２０
走食信号のドツトデータ数の整数倍の光センターが一方
向に配列され、前記第１の走査信号とし、て前記第２の
走
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17219383A JPH061368B2 (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | パタ−ン検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17219383A JPH061368B2 (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | パタ−ン検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6064434A true JPS6064434A (ja) | 1985-04-13 |
| JPH061368B2 JPH061368B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=15937295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17219383A Expired - Lifetime JPH061368B2 (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | パタ−ン検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH061368B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6449947A (en) * | 1987-07-22 | 1989-02-27 | Philips Nv | Inspection method and apparatus for holed mask sheet |
-
1983
- 1983-09-20 JP JP17219383A patent/JPH061368B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6449947A (en) * | 1987-07-22 | 1989-02-27 | Philips Nv | Inspection method and apparatus for holed mask sheet |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH061368B2 (ja) | 1994-01-05 |
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