JPH061368B2 - パタ−ン検査方法 - Google Patents
パタ−ン検査方法Info
- Publication number
- JPH061368B2 JPH061368B2 JP17219383A JP17219383A JPH061368B2 JP H061368 B2 JPH061368 B2 JP H061368B2 JP 17219383 A JP17219383 A JP 17219383A JP 17219383 A JP17219383 A JP 17219383A JP H061368 B2 JPH061368 B2 JP H061368B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- scanning
- photomask
- electron beam
- signal
- pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
- G03F1/86—Inspecting by charged particle beam [CPB]
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、半導体集積回路の製作時に用いられるフォト
マスクの欠陥の有無及びパターンの正否を検査するパタ
ーン検査装置に関する。
マスクの欠陥の有無及びパターンの正否を検査するパタ
ーン検査装置に関する。
従来、フォトマスクに形成されたパターンの検査を行う
パターン検査方法においては、電子線描画装置により描
画する際の１走査におけるドットデータと、被検査パタ
ーンに対応する第１の走査信号を検出する信号検出部の
センサの配列個数との対応は特に考慮されていなかっ
た。
パターン検査方法においては、電子線描画装置により描
画する際の１走査におけるドットデータと、被検査パタ
ーンに対応する第１の走査信号を検出する信号検出部の
センサの配列個数との対応は特に考慮されていなかっ
た。
そのため、電子線描画装置で用いる１走査のドットデー
タから得られる第２の走査信号と、信号検出部で得られ
る第１の走査信号とを比較照合するために、第１の走査
信号を第２の走査信号に対応させるべきデータ変換、ま
たは第２の走査信号を第１の走査信号に対応させるため
のデータ変換が行なわれていた。
タから得られる第２の走査信号と、信号検出部で得られ
る第１の走査信号とを比較照合するために、第１の走査
信号を第２の走査信号に対応させるべきデータ変換、ま
たは第２の走査信号を第１の走査信号に対応させるため
のデータ変換が行なわれていた。
しかしながら、この種の装置にあっては次のような問題
があった。すなわち、上記第１の走査信号と第２の走査
信号の対応をとるためのデータ変換作業が必要であり、
その実現方法としてソフトウェアで変換作業を行なう場
合はそのための時間が余分にかかるという問題があり、
ハードウェアにて行なう場合は新たにそれに必要なデー
タ変換回路の付加が必要でそのためにコストが増大する
という問題がある。また、電子線描画装置での１走査の
ドットデータ数と信号検出部のセンサの配列個数との対
応をとるための処理が複雑である。このため、装置の製
作コストが増大する。そして装置としてのスループット
が低下する等の問題があった。
があった。すなわち、上記第１の走査信号と第２の走査
信号の対応をとるためのデータ変換作業が必要であり、
その実現方法としてソフトウェアで変換作業を行なう場
合はそのための時間が余分にかかるという問題があり、
ハードウェアにて行なう場合は新たにそれに必要なデー
タ変換回路の付加が必要でそのためにコストが増大する
という問題がある。また、電子線描画装置での１走査の
ドットデータ数と信号検出部のセンサの配列個数との対
応をとるための処理が複雑である。このため、装置の製
作コストが増大する。そして装置としてのスループット
が低下する等の問題があった。
本発明の目的は、電子線描画装置での１走査におけるド
ットデータ数に対して信号検出部のセンサの配列個数を
同じとするか若しくは整数倍することにより、装置の製
作コストの増大を防止し、スループットの向上等をはか
り得るパターン検査装置を提供することにある。
ットデータ数に対して信号検出部のセンサの配列個数を
同じとするか若しくは整数倍することにより、装置の製
作コストの増大を防止し、スループットの向上等をはか
り得るパターン検査装置を提供することにある。
本発明の骨子は、電子線描画装置での１走査におけるド
ットデータ数に対して信号検出部のセンサの配列個数を
同じか若しくは整数倍することにより、設計データから
得られる第２の走査信号と信号検出部で得られる第１の
走査信号との比較照合を著しく容易にすることにある。
ットデータ数に対して信号検出部のセンサの配列個数を
同じか若しくは整数倍することにより、設計データから
得られる第２の走査信号と信号検出部で得られる第１の
走査信号との比較照合を著しく容易にすることにある。
すなわち本発明は、ラスタ走査形電子線描画装置を用い
て製作されたフォトマスクを検査するマスク欠陥走査装
置において、上記フォトマスクを載置するテーブルと、
このテーブルをＸ方向及び該方向と直交するＹ方向に移
動せしめるテーブル駆動部と、上記テーブルの位置を測
定する位置測定部と、上記フォトマスクに光を照射する
光照射部と、上記光照射及びフォトマスク上での光照射
位置の移動により得られる上記フォトマスクに形成され
た被検査パターンに対応する第１の走査信号を検出する
信号検出部と、前記電子線描画装置で上記フォトマスク
にパターンを描画する際の設計データを基に得られる第
２の走査信号を発生する基準信号発生部と、前記第１及
び第２の走査信号を比較照合して欠陥の有無およびパタ
ーンの正否を判定する欠陥判定部とを有して、前記信号
検出部として、前記電子線描画装置でパターンを描画す
る際の１走査での電子ビームのオン・オフの基となるド
ットデータ数の整数倍のセンサが一方向に配列されてな
る信号検出部とを設けるようにしたものである。
て製作されたフォトマスクを検査するマスク欠陥走査装
置において、上記フォトマスクを載置するテーブルと、
このテーブルをＸ方向及び該方向と直交するＹ方向に移
動せしめるテーブル駆動部と、上記テーブルの位置を測
定する位置測定部と、上記フォトマスクに光を照射する
光照射部と、上記光照射及びフォトマスク上での光照射
位置の移動により得られる上記フォトマスクに形成され
た被検査パターンに対応する第１の走査信号を検出する
信号検出部と、前記電子線描画装置で上記フォトマスク
にパターンを描画する際の設計データを基に得られる第
２の走査信号を発生する基準信号発生部と、前記第１及
び第２の走査信号を比較照合して欠陥の有無およびパタ
ーンの正否を判定する欠陥判定部とを有して、前記信号
検出部として、前記電子線描画装置でパターンを描画す
る際の１走査での電子ビームのオン・オフの基となるド
ットデータ数の整数倍のセンサが一方向に配列されてな
る信号検出部とを設けるようにしたものである。
本発明によれば、パターン検査方法において設計データ
を基に得られる第２の走査信号の発生手段と、電子線描
画装置における１走査信号の発生手段を共通に利用する
ことができる。第１の走査信号と第２の走査信号を比較
照合をするための双方の対応をとるためのデータ交換が
不用または著しく簡単にすることができる。また、描画
する際の１走査でのドットデータ数と検査時の信号検出
部のセンサの配列個数との対応をとる際に生じる丸め誤
差に起因する精度の低下を無視できる。結果として装置
を製作する際のコストの増大を抑えることができ、本装
置としてスループットが向上するだけでなくフォトマス
クの描画から検査するという一連の工程でのスループッ
トが向上し、更に精度の向上もはかり得るという効果を
奏する。
を基に得られる第２の走査信号の発生手段と、電子線描
画装置における１走査信号の発生手段を共通に利用する
ことができる。第１の走査信号と第２の走査信号を比較
照合をするための双方の対応をとるためのデータ交換が
不用または著しく簡単にすることができる。また、描画
する際の１走査でのドットデータ数と検査時の信号検出
部のセンサの配列個数との対応をとる際に生じる丸め誤
差に起因する精度の低下を無視できる。結果として装置
を製作する際のコストの増大を抑えることができ、本装
置としてスループットが向上するだけでなくフォトマス
クの描画から検査するという一連の工程でのスループッ
トが向上し、更に精度の向上もはかり得るという効果を
奏する。
第４図は本発明の一実施例に係わるパターン検査装置の
概略構成を示すブロック図である。図中11はフォトマス
ク12を載置する試料台であり、この試料台11は計算機13
から指令を受けたステージ駆動制御部14によりＸ方向
（紙面左右方向）及びＹ方向（紙面表裏方向）に移動さ
れるものとなっている。そして、試料台11の移動位置
は、例えばレーザ干渉計からなるステージ位置測定部15
により測定されるものとなっている。
概略構成を示すブロック図である。図中11はフォトマス
ク12を載置する試料台であり、この試料台11は計算機13
から指令を受けたステージ駆動制御部14によりＸ方向
（紙面左右方向）及びＹ方向（紙面表裏方向）に移動さ
れるものとなっている。そして、試料台11の移動位置
は、例えばレーザ干渉計からなるステージ位置測定部15
により測定されるものとなっている。
一方、試料台11の上方には、光源（光照射部）16が配置
されている。光源16からの光は、試料台11上に載置され
るフォトマスク12上にスポット照射され、その透過光が
信号検出部17の受光面に照射される。ここで、上記光照
射と共に試料台11を連続移動させることにより、信号検
出部17ではフォトマスク12の被検査パターンに対応した
走査信号（第１の走査信号）が検出される。そして、こ
の検出信号は、基準信号発生部18により上記被検査パタ
ーンをフォトマスクに電子線描画装置により描画する際
の設計データに基づいて発生された走査信号（第２の走
査信号）と共に、欠陥判定部19に供給され、欠陥判定部
19は上記第１の走査信号と第２の走査信号の比較照合を
行ない、第１の走査信号と第２の走査信号に差異がある
とき欠陥有りと判定し、欠陥パターン部の検出を行なう
ものとなっている。
されている。光源16からの光は、試料台11上に載置され
るフォトマスク12上にスポット照射され、その透過光が
信号検出部17の受光面に照射される。ここで、上記光照
射と共に試料台11を連続移動させることにより、信号検
出部17ではフォトマスク12の被検査パターンに対応した
走査信号（第１の走査信号）が検出される。そして、こ
の検出信号は、基準信号発生部18により上記被検査パタ
ーンをフォトマスクに電子線描画装置により描画する際
の設計データに基づいて発生された走査信号（第２の走
査信号）と共に、欠陥判定部19に供給され、欠陥判定部
19は上記第１の走査信号と第２の走査信号の比較照合を
行ない、第１の走査信号と第２の走査信号に差異がある
とき欠陥有りと判定し、欠陥パターン部の検出を行なう
ものとなっている。
このような装置を用いて、電子線描画装置により描画さ
れ、微細パターンの形成されたフォトマスクの欠陥の有
無、パターンの正否の検査を行なうものである。
れ、微細パターンの形成されたフォトマスクの欠陥の有
無、パターンの正否の検査を行なうものである。
第１図から第３図は電子線描画装置においてパターンを
描画する過程を示す図であり、図中12はフォトマスクを
示しており、図中２はパターンを形成するための描画領
域を示し、図中３はフォトマスク12を載置した試料台を
Ｙ方向（紙面上下方向）に連続移動させながら電子ビー
ムをＸ方向（紙面左右方向）に走査して描画する１回あ
たりの描画領域を示しており、上記フォトマスク12を載
置した試料台をＸ方向（紙面左右方向）にステップ移動
させてフォトマスク12の描画領域２にパターンを描画す
るものとなっている。
描画する過程を示す図であり、図中12はフォトマスクを
示しており、図中２はパターンを形成するための描画領
域を示し、図中３はフォトマスク12を載置した試料台を
Ｙ方向（紙面上下方向）に連続移動させながら電子ビー
ムをＸ方向（紙面左右方向）に走査して描画する１回あ
たりの描画領域を示しており、上記フォトマスク12を載
置した試料台をＸ方向（紙面左右方向）にステップ移動
させてフォトマスク12の描画領域２にパターンを描画す
るものとなっている。
第２図はフォトマスク12をＹ方向に連続移動させながら
電子ビームをＸ方向に走査する状態を示す図であり、第
３図はフォトマスク12をＹ方向に連続移動させながら電
子ビームをＸ方向に走査すると共にビームのオン・オフ
を制御してフォトマスク12に微細パターンを描画する状
態を示しており、図中４はビームのオフ領域で図中５は
ビームのオン領域であることを示している。
電子ビームをＸ方向に走査する状態を示す図であり、第
３図はフォトマスク12をＹ方向に連続移動させながら電
子ビームをＸ方向に走査すると共にビームのオン・オフ
を制御してフォトマスク12に微細パターンを描画する状
態を示しており、図中４はビームのオフ領域で図中５は
ビームのオン領域であることを示している。
上述のように電子線描画装置で描画され微細パターンの
形成されたフォトマスク12を試料台11に載置し、光源16
からの光を上記フォトマスク12にスポット照射して、上
記フォトマスク12に形成された被検査パターンに応じた
走査信号（第１の走査信号）を得る。そして、上記走査
信号を得る信号検出部17は前記電子線描画装置により前
記第２図および第３図に示すように描画される際のビー
ムをオン・オフするドット数と対応する複数の光センサ
ーが一方向に配列される構成であり、第５図にその概略
構成を示している。
形成されたフォトマスク12を試料台11に載置し、光源16
からの光を上記フォトマスク12にスポット照射して、上
記フォトマスク12に形成された被検査パターンに応じた
走査信号（第１の走査信号）を得る。そして、上記走査
信号を得る信号検出部17は前記電子線描画装置により前
記第２図および第３図に示すように描画される際のビー
ムをオン・オフするドット数と対応する複数の光センサ
ーが一方向に配列される構成であり、第５図にその概略
構成を示している。
そして、第６図に示すように試料台11に載置したフォト
マスク12をＹ方向（紙面上下方向）に連続的に移動しな
がら上記信号検出部17を駆動して上記第１の走査信号を
得て欠陥判定部19に送出し、一方電子線描画装置での一
走査でのビームのオン・オフに対応する走査信号（第２
の走査信号）が基準信号発生部18から欠陥判定部19に送
出され、欠陥判定部19は上記第１の走査信号を２値化信
号に変換し、上記２値化信号と第２の走査信号を比較し
て双方の２値化信号に差異があるときに欠陥有りと判定
するものである。
マスク12をＹ方向（紙面上下方向）に連続的に移動しな
がら上記信号検出部17を駆動して上記第１の走査信号を
得て欠陥判定部19に送出し、一方電子線描画装置での一
走査でのビームのオン・オフに対応する走査信号（第２
の走査信号）が基準信号発生部18から欠陥判定部19に送
出され、欠陥判定部19は上記第１の走査信号を２値化信
号に変換し、上記２値化信号と第２の走査信号を比較し
て双方の２値化信号に差異があるときに欠陥有りと判定
するものである。
このような構成であれば、基準信号発生部18を電子線描
画装置と本装置において、同じものが使用できると共
に、基準信号発生部18から発生される第２の走査信号と
信号検出部17で得られる第１の走査信号の１走査でのビ
ット数が対応しているので第１の走査信号と第２の走査
信号を対応させるための変換が必要でなくなると共にそ
の時の変換誤差をなくすこととなる。また、欠陥の誤検
出を著しく軽減することができる。
画装置と本装置において、同じものが使用できると共
に、基準信号発生部18から発生される第２の走査信号と
信号検出部17で得られる第１の走査信号の１走査でのビ
ット数が対応しているので第１の走査信号と第２の走査
信号を対応させるための変換が必要でなくなると共にそ
の時の変換誤差をなくすこととなる。また、欠陥の誤検
出を著しく軽減することができる。
したがって、検出精度が更に向上すると共に本装置にお
いて独自のデータフォーマットに展開する必要がないの
で欠陥判定部の論理回路を簡単化でき、また、本装置と
してのスループットが向上したのはもとよりフォトマス
クへの描画から検査までの一連の工程におけるスループ
ット向上等をはかり得る。
いて独自のデータフォーマットに展開する必要がないの
で欠陥判定部の論理回路を簡単化でき、また、本装置と
してのスループットが向上したのはもとよりフォトマス
クへの描画から検査までの一連の工程におけるスループ
ット向上等をはかり得る。
なお、本発明は上述した実施例に限定れるものではな
く、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施す
ることができる。
く、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施す
ることができる。
第１図乃至第３図は電子線描画装置によるフォトマスク
への描画例を示す説明図、第４図は本発明によるパター
ン検査装置の一実施例を示すブロツク図、第５図は第４
図の信号検出部の概略構成を示す図、第６図はフォトマ
スクの具体的な検査を示す説明図である。 ２…パターン描画領域、 ３…連続移動による描画領域、 ４…ビームオフ領域、５…ビームオン領域、 11…試料台、12…フォトマスク、 13…計算機、14…ステージ駆動制御部、 15…ステージ位置測定部、16…光源、 17…信号検出部、18…基準信号発生部、 19…欠陥判定部。
への描画例を示す説明図、第４図は本発明によるパター
ン検査装置の一実施例を示すブロツク図、第５図は第４
図の信号検出部の概略構成を示す図、第６図はフォトマ
スクの具体的な検査を示す説明図である。 ２…パターン描画領域、 ３…連続移動による描画領域、 ４…ビームオフ領域、５…ビームオン領域、 11…試料台、12…フォトマスク、 13…計算機、14…ステージ駆動制御部、 15…ステージ位置測定部、16…光源、 17…信号検出部、18…基準信号発生部、 19…欠陥判定部。
Claims (1)
- 【請求項１】電子ビームを一定速度の繰り返しで直線上
に走査し、ステージを該走査方向と直交する方向に移動
させ、上記電子ビームのオン・オフにより予め定められ
た図形をフォトマスクに描画するラスタ走査形電子線描
画装置を用いて製作されたフォトマスクを検査するマス
ク欠陥検査装置において、上記フォトマスクを載置する
テーブルと、このテーブルをＸ方向及び該方向と直交す
るＹ方向に移動せしめるテーブル駆動部と、上記テーブ
ルの位置を測定する位置測定部と、上記フォトマスクに
光を照射する光照射部と、上記光照射及びフォトマスク
上での光照射位置の移動により得られる上記フォトマス
クに形成された被検査パターンに対応する第１の走査信
号を検出する光センサーが１走査で用いられる個数分配
列された信号検出部と、前記電子線描画装置で上記フォ
トマスクにパターンを描画する際の設計データを基に得
られる第２の走査信号を１走査分毎に順次発生する基準
信号発生部と、前記第１及び第２の走査信号を比較照合
して欠陥の有無およびパターンの正否を判定する欠陥判
定部とを具備し、前記信号検出部は前記電子線描画装置
でパターンを描画する際の１走査での電子ビームのオン
・オフに対応する処の前記第２の走査信号のドットデー
タ数の整数倍の光センサーが一方向に配列され、前記第
１の走査信号として前記第２の走査信号の整数倍のドッ
トデータ数を出力することを特徴とするパターン検査方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17219383A JPH061368B2 (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | パタ−ン検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17219383A JPH061368B2 (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | パタ−ン検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6064434A JPS6064434A (ja) | 1985-04-13 |
| JPH061368B2 true JPH061368B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=15937295
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17219383A Expired - Lifetime JPH061368B2 (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | パタ−ン検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH061368B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2207237A (en) * | 1987-07-22 | 1989-01-25 | Philips Nv | A method of inspecting apertured mask sheet |
-
1983
- 1983-09-20 JP JP17219383A patent/JPH061368B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6064434A (ja) | 1985-04-13 |
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