JPS604231A - 半導体装置の検査方法 - Google Patents
半導体装置の検査方法Info
- Publication number
- JPS604231A JPS604231A JP58112002A JP11200283A JPS604231A JP S604231 A JPS604231 A JP S604231A JP 58112002 A JP58112002 A JP 58112002A JP 11200283 A JP11200283 A JP 11200283A JP S604231 A JPS604231 A JP S604231A
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- JP
- Japan
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- semiconductor devices
- semiconductor
- semiconductor device
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-
- H10P74/00—
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体装１ぺの検査装置に関し、特に半導
体ウェハー上に規則正しく配列された半導体装置１ｔの
検食装置Ｉ父に関する。
体ウェハー上に規則正しく配列された半導体装置１ｔの
検食装置Ｉ父に関する。
従来、半導体ウニ・・−上に規則正しく配列された半導
体装置を倹食する装置（ＩＣテスターと呼ばれる測定部
と、クエハーンローバーと呼ばれる駆動部）がある。こ
の検査装置を使って、半導体ウェハー上の半導体装１＋
、７の不良解伯をする場合、半導体ウェー・−上の１つ
の半導体装置の検査を行ない、電気的に不良になる箇Ｈ
［を検出していた。
体装置を倹食する装置（ＩＣテスターと呼ばれる測定部
と、クエハーンローバーと呼ばれる駆動部）がある。こ
の検査装置を使って、半導体ウェハー上の半導体装１＋
、７の不良解伯をする場合、半導体ウェー・−上の１つ
の半導体装置の検査を行ない、電気的に不良になる箇Ｈ
［を検出していた。
たとえば、メモリー品種の」助合は、そのアドレスを記
録し、ランタムロジック品、ｌ＋Ｈの２Ｃ合は、不良に
なるパターンの位置全記録し、その後に、金机顕微鋭等
で前りじアドレスやパターンの位１ｂ、に対応する牛導
体装置同の位ｉＴｇ：の外７へを検青し、小段原因を解
析していた。一方、半ｉ４体装ＩＩ・ｔの製造装置にお
いて、半導体ウェハー上に、数＋ｂｓｒずつ半導体装置
のパターンを焼きつける装置ｉｆ ７５−ある（以−「
ステッパー露光機と称する。）。
録し、ランタムロジック品、ｌ＋Ｈの２Ｃ合は、不良に
なるパターンの位置全記録し、その後に、金机顕微鋭等
で前りじアドレスやパターンの位１ｂ、に対応する牛導
体装置同の位ｉＴｇ：の外７へを検青し、小段原因を解
析していた。一方、半ｉ４体装ＩＩ・ｔの製造装置にお
いて、半導体ウェハー上に、数＋ｂｓｒずつ半導体装置
のパターンを焼きつける装置ｉｆ ７５−ある（以−「
ステッパー露光機と称する。）。
この装置により製造する場合、数個の半導体装置のパタ
ーンのマスク酊ステツバＷ？ｒ光機に装着し、このマス
クを通して光を半導体ウニ／・−の表面に塗布されたホ
トレジストとβデばれる感光物質に照射することによっ
て、ホトレジストに半導体装置数個分の焼きっけを行な
う。また、その次に一定距離を離して、次の数個分の焼
きっけを行なうという動作を繰り返し、半導体ウェー・
−全面に半導体装置の焼きっけを行なう。ところで、こ
のｇ８＠つけを行なうマスクに欠陥があったり、ゴξが
付’７Ｔｆ して′ハる場合は、その欠陥箇所が半導体
ウェハー上の数個分の半導体装１４のうちの定まった位
置に不良として発生してしまう。これらの不良が発生す
ると、その欠陥がある半導体装１〆は不艮となる為、す
みやかにその不良の原因となるマスクの交換やゴミの除
去を行なう必要がろる。
ーンのマスク酊ステツバＷ？ｒ光機に装着し、このマス
クを通して光を半導体ウニ／・−の表面に塗布されたホ
トレジストとβデばれる感光物質に照射することによっ
て、ホトレジストに半導体装置数個分の焼きっけを行な
う。また、その次に一定距離を離して、次の数個分の焼
きっけを行なうという動作を繰り返し、半導体ウェー・
−全面に半導体装置の焼きっけを行なう。ところで、こ
のｇ８＠つけを行なうマスクに欠陥があったり、ゴξが
付’７Ｔｆ して′ハる場合は、その欠陥箇所が半導体
ウェハー上の数個分の半導体装１４のうちの定まった位
置に不良として発生してしまう。これらの不良が発生す
ると、その欠陥がある半導体装１〆は不艮となる為、す
みやかにその不良の原因となるマスクの交換やゴミの除
去を行なう必要がろる。
ところが、これらの不良を他の不良と区別して見分ける
為には、半導体装ＩＮ１の数個のブロックを少なくとも
２ブロノク不良箇ｆりｒをすべて検出し、それらの２ブ
ロツクを対応する半導・体装１４で共通する不良箇所が
ないかどうかを検査しなければならず、多大な時間と工
数が必要とされ、捷だ、人が作業する為のミスも多く発
生していた。
為には、半導体装ＩＮ１の数個のブロックを少なくとも
２ブロノク不良箇ｆりｒをすべて検出し、それらの２ブ
ロツクを対応する半導・体装１４で共通する不良箇所が
ないかどうかを検査しなければならず、多大な時間と工
数が必要とされ、捷だ、人が作業する為のミスも多く発
生していた。
本発明の目的は、かかる半導体装置製造プロセス中のマ
スクの欠陥、ゴミによる不艮を、ミスなく、迅速に発Ｍ
５することかでさる半導体装置の検査装置を提供するこ
とにある。
スクの欠陥、ゴミによる不艮を、ミスなく、迅速に発Ｍ
５することかでさる半導体装置の検査装置を提供するこ
とにある。
本発明によれは、複数の半導体装置の検査結果を比較し
、共通する不良項目を検査することができる半導体装置
の横置装置：６１がイ勺られるので、ごスなく、迅速に
マスクの欠陥、コばによる不良全党見することができる
。
、共通する不良項目を検査することができる半導体装置
の横置装置：６１がイ勺られるので、ごスなく、迅速に
マスクの欠陥、コばによる不良全党見することができる
。
以下、図面を参１（Ｓ Ｌ、て、本促明の実施例を説明
する。第１図は、被検狂対象となる半導体ウエノ・−上
に規則［Ｅしく配列された半ηｆ体？ｉ ｌｒｊ：を模
式的に表わした図である。第１Ｍのブロック］１を構成
するそれぞれの半導体装ｉｉ：ｔｌ−１，２−１，３−
１／ノー１．５−１．６−１は、１つのマスク上に作ら
れた半導体装置６個のパターンを光］！・、ｉ ＪＪ
ｊにより同時にホトレジスト上に焼きつけて作られてい
る。
する。第１図は、被検狂対象となる半導体ウエノ・−上
に規則［Ｅしく配列された半ηｆ体？ｉ ｌｒｊ：を模
式的に表わした図である。第１Ｍのブロック］１を構成
するそれぞれの半導体装ｉｉ：ｔｌ−１，２−１，３−
１／ノー１．５−１．６−１は、１つのマスク上に作ら
れた半導体装置６個のパターンを光］！・、ｉ ＪＪ
ｊにより同時にホトレジスト上に焼きつけて作られてい
る。
ブロック１２，１３． ・・・・・・Ｘ、Ｘ＋１・・・
・・・・・も同様に、同じ１つのマスク上のバター・ン
を繰り返しネトレジスト上に焼きつけて作らｉｔたもの
である。
・・・・・も同様に、同じ１つのマスク上のバター・ン
を繰り返しネトレジスト上に焼きつけて作らｉｔたもの
である。
マスク上にゴミが付着しで、いる、嚇合、たとえば半導
体装置５−１に対応するマスク上にゴミが付層するとそ
れがオドレジスト上に転写されＡの不良真新がでさてし
まう。この不良箇′１！Ｉ？は半導体装置５−１．５−
２・・・・・・５− （Ｘ＋１）、５− （Ｘ＋２）・
・・・・・・・・の同じ箇所にＡ 、 Ａ、 ’ ＋
Ａ ” ＋・・・・、。
体装置５−１に対応するマスク上にゴミが付層するとそ
れがオドレジスト上に転写されＡの不良真新がでさてし
まう。この不良箇′１！Ｉ？は半導体装置５−１．５−
２・・・・・・５− （Ｘ＋１）、５− （Ｘ＋２）・
・・・・・・・・の同じ箇所にＡ 、 Ａ、 ’ ＋
Ａ ” ＋・・・・、。
、（Ｘ＋ｔ）・Ａ （Ｘ ＋ ２ 入・・・・・・・・
としてブ邑勺三する。
としてブ邑勺三する。
第２図は、本発明の半２ｊ７：体装置Ｉ′ｔの検査装置
を模式的にまくわした図である。載物台１０５上に半導
体ウェハー１０６が載せら１１．プローブカード１０７
とよばれるプリント板にｕＵ ＞ｔｌされた探針群１０
８により、半導体装１笛の検査を４′４」足部１０９で
行ない、ｄ己１意部１１０に不良箇所と半導体ウェハー
上の位置を記憶する。次に、載物台１０５を移動させ別
の半導体装１ｉ＝ｉ’、を検査し、その結果と記憶部１
１０の不良箇所を比枚部１１１で比較し、もし、同−箇
Ｉりｉが必れば出力部１１２よシ出力することができる
。ウラ−・−上の半導体装置］−１゜１−２・・・・・
・・・・、２−１．２−２・・・・・・・・・の対応す
るｒ立１Ｍは、あらかじめ記１、低部に人力きれている
ので、比較部で複数の半導体装ＨｉｔＯ不良箇所の比較
を行なう場合は、それらの半導体装置１−１．１−２・
・・・・・について、半導体装置２−１．２−２・・・
・・・についてそれぞれ行なわれる。これらの検査、比
較は自動的に迅速に行なわれる為、マスクの欠陥、コば
による不良をミスなく、迅速に発見できる。
を模式的にまくわした図である。載物台１０５上に半導
体ウェハー１０６が載せら１１．プローブカード１０７
とよばれるプリント板にｕＵ ＞ｔｌされた探針群１０
８により、半導体装１笛の検査を４′４」足部１０９で
行ない、ｄ己１意部１１０に不良箇所と半導体ウェハー
上の位置を記憶する。次に、載物台１０５を移動させ別
の半導体装１ｉ＝ｉ’、を検査し、その結果と記憶部１
１０の不良箇所を比枚部１１１で比較し、もし、同−箇
Ｉりｉが必れば出力部１１２よシ出力することができる
。ウラ−・−上の半導体装置］−１゜１−２・・・・・
・・・・、２−１．２−２・・・・・・・・・の対応す
るｒ立１Ｍは、あらかじめ記１、低部に人力きれている
ので、比較部で複数の半導体装ＨｉｔＯ不良箇所の比較
を行なう場合は、それらの半導体装置１−１．１−２・
・・・・・について、半導体装置２−１．２−２・・・
・・・についてそれぞれ行なわれる。これらの検査、比
較は自動的に迅速に行なわれる為、マスクの欠陥、コば
による不良をミスなく、迅速に発見できる。
第１図は俵模五刈挨となる千々を坏じ工・・−土に規則
正しくｌ配列された半導体装置１ｔを俣式的に表わした
図でりる。褐２図は、不偏ゆ」の実施例で４〕る。 半導体装ｔｉ７Ｉ／）伐丘表［ｉイを俣弐的にイ（イノ
した図である。 なお図において、１１，１２．４３・・・・・）、。 Ｘ−＋−１・・・・・・二１回の輝、光でト）Ｊ肋にυ
通さっＱ」らオＬる６１面の牛婢坏装訝Ｑ゛石ｈｉ、１
−１ 、 ２−１ 、 ３−１ 。 ４−１ 、 ５−１ 、 ６−１ ：（れぞれ１回）１
．？ −＋＝ −ｅ同時に焼きつけられる判６晦体装置
、Ｊｙ 、 Ａ ’、 ノＭＺ−７□ 、（Ｘ＋ｚ）、
・・・・・ｍ−ＣノＬぞｔ゛ムマスノ上コミカー転写さ
れた不良廁Ｄ［、ｌ ０５ ： ’ｊ’；ニア体ソｘ
バー ’：５載せる載物台、１０ ｆｉ ：牛萄り体装
置ｇｐを少数形式した半４体ウェハー、１０７：ンロー
ブ・ソノ−１・、１０８ ： 探缶［右ｆ％ １０９：
千へｑセト装置日１−び）づノミ有−」ぞキ１ｔ、−
の判定部、】１０：記憶部、１１１：比Ｉｉ：え蒲、１
１２二出力部である。 代理人 弁理士 内 原 皿 目 。
正しくｌ配列された半導体装置１ｔを俣式的に表わした
図でりる。褐２図は、不偏ゆ」の実施例で４〕る。 半導体装ｔｉ７Ｉ／）伐丘表［ｉイを俣弐的にイ（イノ
した図である。 なお図において、１１，１２．４３・・・・・）、。 Ｘ−＋−１・・・・・・二１回の輝、光でト）Ｊ肋にυ
通さっＱ」らオＬる６１面の牛婢坏装訝Ｑ゛石ｈｉ、１
−１ 、 ２−１ 、 ３−１ 。 ４−１ 、 ５−１ 、 ６−１ ：（れぞれ１回）１
．？ −＋＝ −ｅ同時に焼きつけられる判６晦体装置
、Ｊｙ 、 Ａ ’、 ノＭＺ−７□ 、（Ｘ＋ｚ）、
・・・・・ｍ−ＣノＬぞｔ゛ムマスノ上コミカー転写さ
れた不良廁Ｄ［、ｌ ０５ ： ’ｊ’；ニア体ソｘ
バー ’：５載せる載物台、１０ ｆｉ ：牛萄り体装
置ｇｐを少数形式した半４体ウェハー、１０７：ンロー
ブ・ソノ−１・、１０８ ： 探缶［右ｆ％ １０９：
千へｑセト装置日１−び）づノミ有−」ぞキ１ｔ、−
の判定部、】１０：記憶部、１１１：比Ｉｉ：え蒲、１
１２二出力部である。 代理人 弁理士 内 原 皿 目 。
Claims (1)
- 半ｉ１体ウェハー上に規則正しく配列された半導体装置
１ｆｆｉを検査する装置θにおいて、接散の半導体装置
の構台結果を比較して、共ス用する不良項目を検出する
ことを特徴とする半導体装置の検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58112002A JPS604231A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 半導体装置の検査方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58112002A JPS604231A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 半導体装置の検査方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS604231A true JPS604231A (ja) | 1985-01-10 |
| JPH0316781B2 JPH0316781B2 (ja) | 1991-03-06 |
Family
ID=14575491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58112002A Granted JPS604231A (ja) | 1983-06-22 | 1983-06-22 | 半導体装置の検査方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS604231A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002359266A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-12-13 | Toshiba Corp | 半導体集積回路の不良検出方法及び不良検出装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS584940A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-12 | Yamagata Nippon Denki Kk | 半導体装置テストシステム |
-
1983
- 1983-06-22 JP JP58112002A patent/JPS604231A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS584940A (ja) * | 1981-06-30 | 1983-01-12 | Yamagata Nippon Denki Kk | 半導体装置テストシステム |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002359266A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-12-13 | Toshiba Corp | 半導体集積回路の不良検出方法及び不良検出装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0316781B2 (ja) | 1991-03-06 |
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