JP2513601B2 - パタ−ン検査機 - Google Patents

パタ−ン検査機

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JP2513601B2
JP2513601B2 JP8413285A JP8413285A JP2513601B2 JP 2513601 B2 JP2513601 B2 JP 2513601B2 JP 8413285 A JP8413285 A JP 8413285A JP 8413285 A JP8413285 A JP 8413285A JP 2513601 B2 JP2513601 B2 JP 2513601B2
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賢一 小林
正五 松井
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 基板上に同一図形に形成された多数のチップパターン
の2つを選んで(例えばとなり同志のチップパター
ン)、これらを等倍の2つの対物レンズより入力し、こ
の2つのパターンが合同であることを確認してパターン
の異常を検査する、いわゆるチップ比較方式のパターン
検査機において、対物レンズにズームレンズ等を用いて
倍率を可変にして、倍率の異なる2つのパターンに対し
ても、比較照合を可能としたものである。
〔産業上の利用分野〕
本発明はガラス基板、または半導体基板上に形成され
たパターンの異常を検出するパターン検査機に関する。
前記のチップ比較方式のパターン検査機は、半導体装
置製造用のマスク、またはウエハのパターンの自動検査
装置として広く用いられている。
このパターン検査機は、同一基板上に形成された同一
倍率のパターンを検査する場合には、きわめて効果があ
ったが、倍率の異なる2つのパターン、例えば、実際の
ウエハ工程で使用するマスクパターンの10倍に拡大され
た(×10)レティクル−×1マスク、×5レティクル−
×1マスク、×10レティクル−×5レティクル間の比較
ができないため、これマスク相互間の検査が可能なパタ
ーン検査機が望まれている。
ここで、レティクルとはマスクを縮写投影で作製する
ときに使用する拡大パターンを形成したマスクである。
〔従来の技術〕
マスク製造工程は異なった倍率のパターン作成を必要
とし、通常CADシステムにより作成されたレティクルを
縮写投影してマスタマスクを作成し、マスタマスクを等
倍に複写してウエハ工程に使用するコピーマスク(ワー
キングマスク)を作成している。
以下、工程順に各マスク間の従来例による保証につい
て述べる。
(1) レティクルの保証 レティクルは通常基板上に1チップ分のパターンだけ
しか形成されていないので、チップ比較方式のパターン
検査機の使用はできない。
そのためレティクル段階でのパターンを保証するため
にはパターンの設計データを画像化して、これと比較照
合して検査を行っている。
あるいは別の方法として、レティクルをブロック化
(マルチ化)して、基板上に複数のチップパターンを形
成したものを用いる場合はチップ比較方式のパターン検
査機の使用は可能となるが、チップサイズの大きいパタ
ーンに対しては制限がある。
(2) レティクルからマスタマスクを作成する段階で
の保証 両方のパターンの倍率が異なるため、チップ比較方式
のパターン検査機の使用は出来ない。
(3) マスタマスク、あるいはコピーマスクの保証 基板上に多数のチップパターンが形成されているた
め、本来この目的のために考察されたチップ比較方式の
パターン検査機の使用は勿論可能である。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の技術の(2)に述べたレティクルからマスタマ
スクを作成する工程は、レティクルパターンを作成しよ
うとするマスタマスクの被複写基板に縮写投影して複写
する工程である。
縮写投影は、パターンごとに被複写基板を送り、繰り
返し複写してゆくステップアンドリピート法により行
う。
この工程においてパターン数が増大されるため、この
工程中にレティクルに付着した塵埃、傷等の影響はきわ
めて大きい。
しかも、マスタマスクの各チップごとに焼付けられた
上記の欠陥はチップ比較方式のパターン検査機により検
出できない。
従って、レティクル−マスタマスク間の検査が必要に
なるが、従来は適切な検査機がなかった。
〔問題点を解決するための手段〕
上記問題点の解決は、倍率の異なる2つの対物レンズ
(3)、(4)より入力される、倍率の異なる2つのパ
ターン(1)、(2)を比較照合して両パターンが合同
であることを確認してパターンの異常を検査することを
特徴とするパターン検査機により達成される。
第1図は本発明のパターン検査機の原理を示すブロッ
ク図である。
図において、1と2は比較しようとする倍率の異なる
パターン、3と4はそれぞれのパターンを入力する倍率
の異なる対物レンズ、5は対物レンズ3と4より出力さ
れる図形を比較照合する図形比較器、6は図形比較器5
の出力を表示する表示器である。
〔作用〕
本発明は、倍率の異なる2つのパターンを、それぞれ
倍率の異なる2つの対物レンズに入力し、対物レンズの
倍率を調節することにより対物レンズの出力側の2つの
パターンを等倍にして、チップ比較方式のパターン検査
を可能としたパターン検査機である。
対物レンズの倍率調節にズームレンズを用いると便利
である。
〔実施例〕
第2図は本発明の一実施例を示すパターン検査機の入
力部を示す斜視図である。
図において、1は×10レティクル、2は×1マスク、
3はズームレンズ、4は固定レンズ、またはズームレン
ズである。
この例においては、×1マスクの全チップについて検
査してもよいが、1個のチップについてのみ検査しても
十分な場合が多い。
〔発明の効果〕
以上に説明したように本発明によれば、倍率の異なる
パターンの比較照合が可能となり、マスク工程における
縮写投影工程の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明のパターン検査機の原理を示すブロック
図、 第2図は本発明の一実施例を示すパターン検査機の入力
部を示す斜視図である。 図において、 1と2は比較しようとする倍率の異なるパターン、 3と4はパターンを入力する倍率の異なる対物レンズ、 5は図形比較器、6は表示器 である。

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】倍率の異なる2つの対物レンズ(3)、
    (4)より入力される、倍率の異なる2つのパターン
    (1)、(2)を比較照合して両パターンが合同である
    ことを確認してパターンの異常を検査することを特徴と
    するパターン検査機。
JP8413285A 1985-04-19 1985-04-19 パタ−ン検査機 Expired - Lifetime JP2513601B2 (ja)

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JP8413285A JP2513601B2 (ja) 1985-04-19 1985-04-19 パタ−ン検査機

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JPS61242032A JPS61242032A (ja) 1986-10-28
JP2513601B2 true JP2513601B2 (ja) 1996-07-03

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