JPS605522A - レチクルの検査方法 - Google Patents
レチクルの検査方法Info
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- JPS605522A JPS605522A JP58113230A JP11323083A JPS605522A JP S605522 A JPS605522 A JP S605522A JP 58113230 A JP58113230 A JP 58113230A JP 11323083 A JP11323083 A JP 11323083A JP S605522 A JPS605522 A JP S605522A
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
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- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
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-
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(al 発明の技術分野
本発明は、レチクルの検査方法に係り、特に、データベ
ースとの比較で検査する方法に関す。
ースとの比較で検査する方法に関す。
(b) 技術の背景
半導体装置の高集積化等に伴い、ウェハプロセスで使用
されるフォトマスクはパターンが微細化・高集積化して
、その品質確保が一段と重要になってきている。
されるフォトマスクはパターンが微細化・高集積化して
、その品質確保が一段と重要になってきている。
このフォトマスクの製造工程前段において製造されるレ
チクルのパターンは、該フォトマスクのパターンの基盤
になるもので、欠陥の存在が許されない。
チクルのパターンは、該フォトマスクのパターンの基盤
になるもので、欠陥の存在が許されない。
このため、レチクルパターンの検査には、近年、設計値
をデータベースとして、例えば磁気テープに収録し、レ
チクルテスターを使用して、該パターンを直接該データ
ベースと比較する方式が採用されるようになった。
をデータベースとして、例えば磁気テープに収録し、レ
チクルテスターを使用して、該パターンを直接該データ
ベースと比較する方式が採用されるようになった。
fc) 従来技術と問題点
第1図はレチクルの一例の平面図、第2図は従来のレチ
クルテスターの主要部構成図で、1はレチクル、2a・
2b・3はパターン、4は走査線、5ばXYステージ、
6は制御回路、7はカメラ、8は変換回路、9は磁気テ
ープ、10は変換回路、11は比較回路、12はメモリ
をそれぞれ示す。
クルテスターの主要部構成図で、1はレチクル、2a・
2b・3はパターン、4は走査線、5ばXYステージ、
6は制御回路、7はカメラ、8は変換回路、9は磁気テ
ープ、10は変換回路、11は比較回路、12はメモリ
をそれぞれ示す。
第1図のレチクル1は、その表面に、全く同一の2個の
パターン2a・2bが横に並んで形成され、その周囲に
別のパターン3が形成されている。このレチクル1をデ
ータベースとの比較で検査するには、レチクル1のパタ
ーン2a・2b・3が形成されている面において、該面
を例えば左から右へ(X方向に)観察点が走査してなる
走査線4が例えば」二から下へ(Y方向に)順次移動し
てレチクル1の全面を覆い、走査線4に沿って走査する
観察点におりる遮光膜の有無を光学的信号で捕らえ、該
信号を予め用意されたデータベースと比較する、第2図
の構成でなるレチクルテスターを使用して行う。
パターン2a・2bが横に並んで形成され、その周囲に
別のパターン3が形成されている。このレチクル1をデ
ータベースとの比較で検査するには、レチクル1のパタ
ーン2a・2b・3が形成されている面において、該面
を例えば左から右へ(X方向に)観察点が走査してなる
走査線4が例えば」二から下へ(Y方向に)順次移動し
てレチクル1の全面を覆い、走査線4に沿って走査する
観察点におりる遮光膜の有無を光学的信号で捕らえ、該
信号を予め用意されたデータベースと比較する、第2図
の構成でなるレチクルテスターを使用して行う。
XYステージ5に載置されたレチクル1のパターン2a
・2b・3形成面は、制御回路6に制御されるXYステ
ージ5およびカメラ7の作動により、前記のように走査
線4で覆われ、走査線4に沿って走査する前記観察点の
前記光学的信号は、カメラ7および変換回路8を経て影
像信号となり比較回路11に入る。一方、設計値による
データベースを収録しである磁気テープ9からの信号は
変換回路10により比較の基準となる影像信号に変換さ
れて比較回路11に入るので、画形像信号が比較されて
、差がなりれば良、差があれば不良と判定し、1′す定
信号が制御回路6からのレチクル1における位置信号と
共にメモリJ2に記1.σされて検査結果となる。
・2b・3形成面は、制御回路6に制御されるXYステ
ージ5およびカメラ7の作動により、前記のように走査
線4で覆われ、走査線4に沿って走査する前記観察点の
前記光学的信号は、カメラ7および変換回路8を経て影
像信号となり比較回路11に入る。一方、設計値による
データベースを収録しである磁気テープ9からの信号は
変換回路10により比較の基準となる影像信号に変換さ
れて比較回路11に入るので、画形像信号が比較されて
、差がなりれば良、差があれば不良と判定し、1′す定
信号が制御回路6からのレチクル1における位置信号と
共にメモリJ2に記1.σされて検査結果となる。
このレチクルテスターの構成によれば、走査線4で覆わ
れる全てのパターン、第1図で云うならば斜線を入れた
パターン2a・2b・3が検査対象になるため、レチク
ルのパターンか1故♀■になると、データベースの情l
l3ffiが多くなり、所要の磁気テープの長さが大に
なってくる。」′導体装置の高集積化等によるレチクル
パターンの微♀1■化が高度に進展してきている現状に
おいて、データベースは、これに対応して情報量が増加
し、今や、従来の検査方法では、磁気テープ9にそのデ
ータベースを収容しきれない欠点が生してきた。
れる全てのパターン、第1図で云うならば斜線を入れた
パターン2a・2b・3が検査対象になるため、レチク
ルのパターンか1故♀■になると、データベースの情l
l3ffiが多くなり、所要の磁気テープの長さが大に
なってくる。」′導体装置の高集積化等によるレチクル
パターンの微♀1■化が高度に進展してきている現状に
おいて、データベースは、これに対応して情報量が増加
し、今や、従来の検査方法では、磁気テープ9にそのデ
ータベースを収容しきれない欠点が生してきた。
fdl 発明の目的
本発明の目的は上記従来の欠点に鑑み、従来の磁気テー
プに収容可能な情報量のデータベースて、パターンが微
細化されたレチクルの検査を可能にする検査方法を提供
するにある。
プに収容可能な情報量のデータベースて、パターンが微
細化されたレチクルの検査を可能にする検査方法を提供
するにある。
(el 発明の構成
上記目的は、複数個の同一パターンを有するレチクルを
、データベースとの比較で検査する際、該パターンの、
少な(とも−個以上を検査対象とし、少なくとも一個以
」二を検査対象から除外する本発明の構成によって達成
される。
、データベースとの比較で検査する際、該パターンの、
少な(とも−個以上を検査対象とし、少なくとも一個以
」二を検査対象から除外する本発明の構成によって達成
される。
パターンの微細化に裏付けられた高集積化では、半導体
素子のパターンのなかに同一パターンが複数個形成され
ているのが一般であり、また、パターンの微細化に裏付
けられて半導体素子が小型化した場合は、一つのレチク
ルのなかに該半導体素子のパターンが複数個形成される
ことが多い。
素子のパターンのなかに同一パターンが複数個形成され
ているのが一般であり、また、パターンの微細化に裏付
けられて半導体素子が小型化した場合は、一つのレチク
ルのなかに該半導体素子のパターンが複数個形成される
ことが多い。
この点に着目し、複数個ある同一パターンのうち、幾つ
かのパターンを検査対象から除外することにより、除外
されたパターンに対応するデータベースの情報を削減す
ることが出来て、所要のデータベースを従来の磁気テー
プに収容することが可能になる。
かのパターンを検査対象から除外することにより、除外
されたパターンに対応するデータベースの情報を削減す
ることが出来て、所要のデータベースを従来の磁気テー
プに収容することが可能になる。
当然のことながら、前記複数個ある同一パターンののう
ち、少なくとも一個は検査対象にしておく必要がある。
ち、少なくとも一個は検査対象にしておく必要がある。
検査対象から除外されたパターンは、別途マスク比較検
査装置により前記検査対象となったパターンと比較検査
することによって、レチクルのパターン検査を完結させ
ることか出来″る。
査装置により前記検査対象となったパターンと比較検査
することによって、レチクルのパターン検査を完結させ
ることか出来″る。
(fl 発明の実施例
以下本発明の実施例を図により説明する。企図を通じ同
一符号は同一対象物を示す。
一符号は同一対象物を示す。
第3図は第1図のレチクルで本発明による検査方法を説
明する図、第4図は本発明によるレチクルテスターの主
要部構成図で、6aは制御回路、11aは比較回路、1
3ば検査除外範囲設定回路、P・Qは検査除外範囲指定
座標をそれぞれ示す。
明する図、第4図は本発明によるレチクルテスターの主
要部構成図で、6aは制御回路、11aは比較回路、1
3ば検査除外範囲設定回路、P・Qは検査除外範囲指定
座標をそれぞれ示す。
第3図において、前述の通り2aと2bは同一の)iタ
ーンで横に並んでいる。従って、パターン21]を前記
マスク比較検査装置によってパターン2aと比較検査す
ることにすれば、し・チクルテスターではパターン2b
の検査を除外すること力咄果て、磁気テープ9に収録す
るデータベースの情報量は、ノくターン2bに対応した
分が減少し、♀゛1線を入れηツクターン2a・3の情
報だけでよい千となる。かくして、磁気テープ9の収容
能力を越えていた情f’1Jffiを収容可能な情報量
にすることが出来る。
ーンで横に並んでいる。従って、パターン21]を前記
マスク比較検査装置によってパターン2aと比較検査す
ることにすれば、し・チクルテスターではパターン2b
の検査を除外すること力咄果て、磁気テープ9に収録す
るデータベースの情報量は、ノくターン2bに対応した
分が減少し、♀゛1線を入れηツクターン2a・3の情
報だけでよい千となる。かくして、磁気テープ9の収容
能力を越えていた情f’1Jffiを収容可能な情報量
にすることが出来る。
パターン2bの検査除外は、レチクル1のパターン2a
・2b・3形成面にお&)Iる検査除外範囲指定座標P
(X+、 Yl)とQ CXλ、Yl)の二点を指定
して、座標(X+、 Yt) ・(Xz、 Yt) ・
Ob、 Yz) ・(X+。
・2b・3形成面にお&)Iる検査除外範囲指定座標P
(X+、 Yl)とQ CXλ、Yl)の二点を指定
して、座標(X+、 Yt) ・(Xz、 Yt) ・
Ob、 Yz) ・(X+。
Yl)の四点で囲まれた範囲(第3図では破線で図示)
を検査除外領域とすることにより可能になる。
を検査除外領域とすることにより可能になる。
第4図は」二記検査除外を実施することが出来るレチク
ルテスターの主要部構成を示す。検査除外範囲設定回路
13に検査除外範囲指定座標P−Qの値が設定されると
、走査線4に沿って走査する観察点か前記検査除外領域
にある間、制御回路6.]から比較回路ILaに比較(
・−(正信号を送り、比較回路11は二つの影像伯!−
の比較を停止するようになっている。その他の構成およ
び機能は、第2図と同様であって、前記検査除外領域を
除いた部分の検査結果はメモリ12乙こ記憶される。
ルテスターの主要部構成を示す。検査除外範囲設定回路
13に検査除外範囲指定座標P−Qの値が設定されると
、走査線4に沿って走査する観察点か前記検査除外領域
にある間、制御回路6.]から比較回路ILaに比較(
・−(正信号を送り、比較回路11は二つの影像伯!−
の比較を停止するようになっている。その他の構成およ
び機能は、第2図と同様であって、前記検査除外領域を
除いた部分の検査結果はメモリ12乙こ記憶される。
(g+ 発明の効果
以1 ad=説明したように、本発明による構成によれ
ば、従来の磁気テープに収容可能な情yHHyHのデ〜
タヘースで、パターンがf& im化された【/チクル
の検査を可能にする検査方法か提供出来、従来のレチク
ル全面を検査する方法では、そのためのy−タヘースの
情報量が磁気テープの収容能力を越えるため、レチクル
テスターが使用出来ない場合であっても、本発明の検査
方法によりレチクルテスターを使用した能率良い確実な
検査を可能にさせる効果がある。
ば、従来の磁気テープに収容可能な情yHHyHのデ〜
タヘースで、パターンがf& im化された【/チクル
の検査を可能にする検査方法か提供出来、従来のレチク
ル全面を検査する方法では、そのためのy−タヘースの
情報量が磁気テープの収容能力を越えるため、レチクル
テスターが使用出来ない場合であっても、本発明の検査
方法によりレチクルテスターを使用した能率良い確実な
検査を可能にさせる効果がある。
第1図はレチクルの一例の平面図、第2図は従来のレチ
クルテスターの主要部構成図、第3図は第1図のレチク
ルで本発明による検査方法を説明する図、第4図は本発
明によるレチクルテスターの主要部構成図である。 図面において、1はレチクル、2a・2b・3はパター
ン、4は走査線、5はxyステージ、6・6aは制御回
路、7はカメラ、8は変換回路、9は磁気テープ、10
は変換回路、11・Ilaは比較回路、12はメモリ、
13は検査除外範囲設定回路、P・Qは検査除外範囲指
定座標をそれぞれ示す。 第 1 目 卑 2 臼 案 31 / 茅 4− 図
クルテスターの主要部構成図、第3図は第1図のレチク
ルで本発明による検査方法を説明する図、第4図は本発
明によるレチクルテスターの主要部構成図である。 図面において、1はレチクル、2a・2b・3はパター
ン、4は走査線、5はxyステージ、6・6aは制御回
路、7はカメラ、8は変換回路、9は磁気テープ、10
は変換回路、11・Ilaは比較回路、12はメモリ、
13は検査除外範囲設定回路、P・Qは検査除外範囲指
定座標をそれぞれ示す。 第 1 目 卑 2 臼 案 31 / 茅 4− 図
Claims (1)
- 複数個の同一パターンを有するレチクルを、データベー
スとの比較で検査する際、該パターンの、少なくとも一
個以上を検査対象とし、少なくとも一個以上を検査対象
から除外することを特徴とするレチクルの検査方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11323083A JPH0750664B2 (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | レチクルの検査方法 |
KR1019840002878A KR890003904B1 (ko) | 1983-06-23 | 1984-05-25 | 반도체소자 제작을 위한 포토마스크(Photomask) 레티클(Reticle)의 검사방법 |
EP84106502A EP0129751B1 (en) | 1983-06-23 | 1984-06-07 | Method and apparatus for inspecting a photomask reticle for semiconductor device fabrication |
DE8484106502T DE3475226D1 (en) | 1983-06-23 | 1984-06-07 | Method and apparatus for inspecting a photomask reticle for semiconductor device fabrication |
US07/587,557 US5125040A (en) | 1983-06-23 | 1990-09-24 | Inspection method of photomask reticle for semiconductor device fabrication |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11323083A JPH0750664B2 (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | レチクルの検査方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS605522A true JPS605522A (ja) | 1985-01-12 |
JPH0750664B2 JPH0750664B2 (ja) | 1995-05-31 |
Family
ID=14606857
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11323083A Expired - Lifetime JPH0750664B2 (ja) | 1983-06-23 | 1983-06-23 | レチクルの検査方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5125040A (ja) |
EP (1) | EP0129751B1 (ja) |
JP (1) | JPH0750664B2 (ja) |
KR (1) | KR890003904B1 (ja) |
DE (1) | DE3475226D1 (ja) |
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US5307421A (en) * | 1992-10-14 | 1994-04-26 | Commissariat A L'energie Atomique | Process for producing a synthesized reference image for the inspection of objects and apparatus for performing the same |
TW285721B (ja) * | 1994-12-27 | 1996-09-11 | Siemens Ag | |
JP3515199B2 (ja) * | 1995-01-06 | 2004-04-05 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 欠陥検査装置 |
KR960035944A (ko) * | 1995-03-28 | 1996-10-28 | 김주용 | 반도체 소자 제조시 불량분석 방법 |
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JP3566470B2 (ja) * | 1996-09-17 | 2004-09-15 | 株式会社日立製作所 | パターン検査方法及びその装置 |
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JP3201471B2 (ja) * | 1998-04-24 | 2001-08-20 | 日本電気株式会社 | レティクル検査装置 |
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CN104137223A (zh) * | 2012-01-13 | 2014-11-05 | 科磊股份有限公司 | 用于数据库辅助式重新质量鉴定光罩检验的方法及设备 |
KR102409943B1 (ko) | 2017-11-29 | 2022-06-16 | 삼성전자주식회사 | 결함 검출 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 |
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