KR102409943B1 - 결함 검출 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 - Google Patents

결함 검출 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102409943B1
KR102409943B1 KR1020170161876A KR20170161876A KR102409943B1 KR 102409943 B1 KR102409943 B1 KR 102409943B1 KR 1020170161876 A KR1020170161876 A KR 1020170161876A KR 20170161876 A KR20170161876 A KR 20170161876A KR 102409943 B1 KR102409943 B1 KR 102409943B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
image
defect
area
sensitivity
substrate
Prior art date
Application number
KR1020170161876A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190063070A (ko
Inventor
송현석
강인용
박종주
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020170161876A priority Critical patent/KR102409943B1/ko
Priority to US16/039,647 priority patent/US10782254B2/en
Priority to CN201811383582.0A priority patent/CN109839391B/zh
Publication of KR20190063070A publication Critical patent/KR20190063070A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102409943B1 publication Critical patent/KR102409943B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N23/00—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00
    • G01N23/22—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material
    • G01N23/225—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion
    • G01N23/2251—Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by measuring secondary emission from the material using electron or ion using incident electron beams, e.g. scanning electron microscopy [SEM]
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/7065—Defects, e.g. optical inspection of patterned layer for defects
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84—Inspecting
    • G03F1/86—Inspecting by charged particle beam [CPB]
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70653—Metrology techniques
    • G03F7/70655—Non-optical, e.g. atomic force microscope [AFM] or critical dimension scanning electron microscope [CD-SEM]
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/706843—Metrology apparatus
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00—Image analysis
    • G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004—Industrial image inspection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
    • H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/30—Accessories, mechanical or electrical features
    • G01N2223/33—Accessories, mechanical or electrical features scanning, i.e. relative motion for measurement of successive object-parts
    • G01N2223/3302—Accessories, mechanical or electrical features scanning, i.e. relative motion for measurement of successive object-parts object and detector fixed
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/30—Accessories, mechanical or electrical features
    • G01N2223/33—Accessories, mechanical or electrical features scanning, i.e. relative motion for measurement of successive object-parts
    • G01N2223/3308—Accessories, mechanical or electrical features scanning, i.e. relative motion for measurement of successive object-parts object translates
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/40—Imaging
    • G01N2223/401—Imaging image processing
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/40—Imaging
    • G01N2223/426—Imaging image comparing, unknown with known substance
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/50—Detectors
    • G01N2223/507—Detectors secondary-emission detector
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N2223/00—Investigating materials by wave or particle radiation
    • G01N2223/60—Specific applications or type of materials
    • G01N2223/646—Specific applications or type of materials flaws, defects
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108—Industrial image inspection
    • G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/22—Treatment of data
    • H01J2237/221—Image processing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/26—Electron or ion microscopes
    • H01J2237/28—Scanning microscopes
    • H01J2237/2813—Scanning microscopes characterised by the application
    • H01J2237/2817—Pattern inspection

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)

Abstract

결함 검출 방법에 따르면, 기판의 영역을 제 1 전자 빔으로 1차 스캔하여 제 1 결함을 검출할 수 있다. 상기 영역 중 상기 제 1 결함이 검출된 영역을 제외한 상기 기판의 나머지 영역을 제 2 전자 빔으로 2차 스캔하여 제 2 결함을 검출할 수 있다. 따라서, 스캐닝 횟수에 따라서 결함 검출 영역이 후속 검사 영역으로부터 배제되므로, 스캐닝 시간이 대폭 단축될 수 있다.

Description

결함 검출 방법 및 이를 수행하기 위한 장치{METHOD OF DETECTING A DEFECT AND APPARATUS FOR PERFORMING THE SAME}
본 발명은 결함 검출 방법 및 이를 수행하기 위한 장치에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 반도체 기판, 마스크 기판 등과 같은 기판 상에 위치한 결함을 전자 빔을 이용해서 검출하는 방법, 및 이러한 방법을 수행하기 위한 장치에 관한 것이다.
기판 상의 결함은 전자 빔을 이용해서 검출될 수 있다. 전자 빔으로 기판의 표면 전체를 수 회 스캐닝하여, 평균 이미지를 획득할 수 있다. 평균 이미지를 기준 이미지와 비교하여, 결함을 검출할 수 있다.
관련 기술들에 따르면, 결함의 감지 여부와 상관없이 기판 전체를 전자 빔으로 수 회 스캐닝하므로, 스캐닝 시간이 매우 많이 소요되는 문제가 있을 수 있다. 또한, 결함의 크기와 상관없이 동일한 감도를 적용하여 결함을 검출하므로, 매우 작은 크기를 갖는 결함이 검출되지 않을 수 있다. 이를 방지하기 위해서, 매우 작은 크기를 갖는 결함 검출을 위해서는 높은 감도를 적용할 수는 있다. 이러한 높은 감도를 기판의 전체 영역에 적용하게 되면, 결함 검출 시간이 매우 길어질 수 있다.
본 발명은 결함 검출 시간을 단축시키면서 결함 검출력을 향상시킬 수 있는 결함 검출 방법을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기된 방법을 수행하기 위한 장치도 제공한다.
본 발명의 일 견지에 따른 결함 검출 방법에 따르면, 기판의 영역을 제 1 전자 빔으로 1차 스캔하여 제 1 결함을 검출할 수 있다. 상기 영역 중 상기 제 1 결함이 검출된 영역을 제외한 상기 기판의 나머지 영역을 제 2 전자 빔으로 2차 스캔하여 제 2 결함을 검출할 수 있다.
본 발명의 다른 견지에 따른 결함 검출 방법에 따르면, 기판 전체를 예비 전자 빔으로 스캔하여, 예비 이미지를 획득할 수 있다. 상기 예비 이미지에 예비 감도를 적용하여, 상기 기판 전체를 패턴 영역과 비패턴 영역으로 구분할 수 있다. 상기 기판의 패턴 영역을 제 1 전자 빔으로 1차 스캔하여 제 1 이미지를 획득할 수 있다. 상기 제 1 이미지에 상기 예비 감도보다 높은 제 1 감도를 적용하여 제 1 결함을 검출할 수 있다. 상기 패턴 영역 중 상기 제 1 결함이 검출된 영역을 제외한 상기 기판의 나머지 영역을 제 2 전자 빔으로 2차 스캔하여 제 2 이미지를 획득할 수 있다. 상기 제 2 이미지에 상기 제 1 감도보다 높은 제 2 감도를 적용하여 상기 제 1 결함보다 작은 크기를 갖는 제 2 결함을 검출할 수 있다.
본 발명의 또 다른 견지에 따른 결함 검출 장치는 스캐너 및 컨트롤러를 포함할 수 있다. 상기 스캐너는 기판을 전자 빔으로 복수회 스캐닝하여 결함을 검출할 수 있다. 상기 컨트롤러는 상기 스캐너에 상기 결함이 검출된 영역을 제외한 상기 기판의 나머지 영역을 검사 영역으로 설정할 수 있다.
상기된 본 발명에 따르면, 선행 스캐닝에 의해서 결함이 검출된 영역을 후속 스캐닝 영역으로부터 제외시킬 수 있다. 따라서, 결함 검출 영역이 후속 스캐닝 영역으로부터 배제되므로, 스캐닝 시간이 대폭 단축될 수 있다. 또한, 스캐닝 횟수에 따라 스캐닝 영역이 줄어드는 반면에 결함 검출 감도가 점진적으로 증가하게 되므로, 매우 작은 크기를 갖는 결함을 정확하게 검출할 수가 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 결함 검출 장치를 나타낸 블럭도이다.
도 2는 도 1에 도시된 장치를 이용해서 결함을 검출하는 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이다.
도 3은 도 2에 도시된 방법에서 예비 스캐닝에 의해 패턴 영역과 비패턴 영역으로 구분된 기판을 나타낸 평면도이다.
도 4는 도 3의 예비 스캐닝을 통해 획득한 예비 이미지와 기준 이미지 사이의 전압 차이를 나타낸 그래프이다.
도 5는 도 2에 도시된 방법에서 1차 스캐닝에 의해 제 1 결함이 검출된 영역이 표시된 기판을 나타낸 평면도이다.
도 6은 도 5의 1차 스캐닝을 통해 획득한 제 1 이미지와 기준 이미지 사이의 전압 차이를 나타낸 그래프이다.
도 7은 도 2에 도시된 방법에서 2차 스캐닝에 의해 제 2 결함이 검출된 영역이 표시된 기판을 나타낸 평면도이다.
도 8은 도 7의 2차 스캐닝을 통해 획득한 제 2 이미지와 기준 이미지 사이의 전압 차이를 나타낸 그래프이다.
도 9는 도 2에 도시된 방법에서 3차 스캐닝에 의해 제 3 결함이 검출된 영역이 표시된 기판을 나타낸 평면도이다.
도 10은 도 9의 3차 스캐닝을 통해 획득한 제 3 이미지와 기준 이미지 사이의 전압 차이를 나타낸 그래프이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다.
결함 검출 장치
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 결함 검출 장치를 나타낸 블럭도이다.
도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 결함 검출 장치는 전자 빔을 이용해서 마스크 기판, 구체적으로는 극자외선 마스크 기판 상의 결함을 검출할 수 있다. 다른 실시예로서, 결함 검출 장치는 반도체 기판 상의 결함을 전자 빔을 이용해서 검출할 수도 있다. 기판(S)은 패턴 영역과 비패턴 영역을 가질 수 있다.
결함 검출 장치는 스캐너 및 컨트롤러(150)를 포함할 수 있다. 스캐너는 기판(S)을 전자 빔으로 복수회 스캐닝하여 결함을 검출할 수 있다. 컨트롤러(150)는 스캐너(S)에 결함이 검출된 영역을 제외한 기판(S)의 나머지 영역을 스캐닝 영역으로 부여할 수 있다.
스캐너는 전자 빔으로 기판(S)을 스캐닝하는 스캐닝 유닛(110), 전자 빔에 의해 스캔된 기판(S)으로부터 방출된 이차 전자를 검출하는 검출 유닛(120), 이차 전자로부터 이미지를 획득하기 위한 이미지 획득 유닛(130), 및 이미지를 처리하여 결함을 검출하는 이미지 처리 유닛(140)을 포함할 수 있다.
스캐닝 유닛(110)은 기판(S)의 표면으로 전자 빔을 조사할 수 있다. 또한, 스캐닝 유닛(110)은 기판(S)의 상부에서 수평 방향을 따라 이동하여, 전자 빔으로 기판(S)의 표면을 스캐닝할 수 있다. 다른 실시예로서, 스캐닝 유닛(110)은 고정된 상태에서, 기판(S)이 수평 방향을 따라 이동할 수도 있다.
이미지 획득 유닛(130)에서 획득한 이미지의 선명도는 스캐닝 유닛(110)으로부터 조사된 전자 빔의 세기에 따라 결정될 수 있다. 전자 빔의 세기가 낮으면, 이미지 획득 유닛(130)에서 획득한 이미지의 선명도도 낮을 것이다. 반면에, 전자 빔의 세기가 높으면, 이미지 획득 유닛(130)에서 획득한 이미지의 선명도도 높을 것이다.
이미지 처리 유닛(140)은 이미지를 기준 이미지와 비교하여 결함을 검출할 수 있다. 기준 이미지는 결함을 갖지 않는 정상적인 기판의 이미지에 해당될 수 있다. 본 실시예에서, 이미지 처리 유닛(140)은 이미지로부터의 전압과 기준 이미지로부터의 전압 사이의 차이를 비교할 수 있다. 이미지 처리 유닛(140)은 결함 검출 감도를 전압 차이에 적용하여, 결함을 검출할 수 있다. 예를 들어서, 전압 차이가 감도 미만이면, 이미지 처리 유닛(140)은 결함이 존재하지 않는 것으로 판단할 수 있다. 반면에, 전압 차이가 감도 이상이면, 이미지 처리 유닛(140)은 결함이 존재하는 것으로 판단할 수 있다. 또한, 이미지 처리 유닛(140)은 결함이 검출된 기판(S) 상의 위치도 검출할 수 있다. 따라서, 이미지 처리 유닛(140)의 결함 검출력은 감도에 따라 변경될 수 있다.
컨트롤러(150)는 스캐닝 유닛(110)의 스캐닝 영역, 즉 검사 영역을 설정할 수 있다. 특히, 컨트롤러(150)는 스캐닝 횟수에 따라 스캐닝 유닛(110)의 검사 영역을 점진적으로 줄일 수 있다. 본 실시예에서, 컨트롤러(150)는 선행 스캐닝을 통해 검출된 결함이 위치한 영역을 후속 스캐닝 영역으로부터 제외시킬 수 있다. 따라서, 후속 스캐닝 영역은 선행 스캐닝 영역으로부터 결함이 검출된 영역이 제외된 영역에 해당될 수 있다. 또한, 컨트롤러(150)는 기판(S)의 비패턴 영역을 검사 영역으로부터 제외시킬 수도 있다. 즉, 컨트롤러(150)는 기판(S)의 패턴 영역만을 검사 영역으로 설정할 수 있다.
컨트롤러(150)는 스캐닝 횟수에 따라 감도를 점진적으로 높일 수 있다. 즉, 컨트롤러(150)는 스캐닝 횟수에 따라 검사 영역이 점진적으로 줄어드는 것에 비례해서 점진적으로 높아지는 감도를 이미지 처리 유닛(140)에 설정할 수 있다.
또한, 컨트롤러(150)는 스캐닝 횟수에 따라 전자 빔의 세기를 점진적으로 높일 수 있다. 즉, 컨트롤러(150)는 스캐닝 횟수에 따라 점진적으로 줄어드는 검사 영역들로 조사되는 전자 빔의 세기를 점진적으로 높일 수 있다.
본 실시예에서, 스캐닝 유닛(110)이 예비 전자 빔으로 기판(S) 전체를 스캐닝하면, 이미지 획득 유닛(130)은 예비 이미지를 획득할 수 있다. 컨트롤러(150)는 이미지 획득 유닛(140)에 예비 감도를 설정할 수 있다. 이미지 획득 유닛(140)은 예비 감도를 예비 이미지와 기준 이미지 사이의 전압 차이에 적용하여, 기판(S)을 패턴 영역과 비패턴 영역으로 구분할 수 있다. 컨트롤러(150)는 비패턴 영역을 스캐닝 유닛(110)의 스캐닝 영역으로부터 제외시킬 수 있다. 따라서, 스캐닛 유닛(110)의 제 1 검사 영역은 패턴 영역으로 설정될 수 있다.
이에 따라, 스캐닝 유닛(110)은 제 1 전자 빔으로 기판(S)의 제 1 검사 영역, 즉 패턴 영역만을 1차 스캐닝할 수 있다. 제 1 검사 영역은 패턴 영역만을 포함하고 있으므로, 1차 스캐닝 시간은 예비 스캐닝 시간보다 단축될 것이다.
컨트롤러(150)는 제 1 전자 빔에 예비 전자 빔보다 높은 세기를 부여할 수 있다. 따라서, 이미지 획득 유닛(130)이 획득한 제 1 이미지는 예비 이미지보다 높은 선명도를 가질 것이다. 컨트롤러(150)는 이미지 획득 유닛(140)에 예비 감도보다 높은 제 1 감도를 설정할 수 있다. 이미지 획득 유닛(140)은 제 1 감도를 제 1 이미지와 기준 이미지 사이의 전압 차이에 적용하여, 기판(S) 상의 제 1 결함 및 제 1 결함의 위치를 검출할 수 있다. 컨트롤러(150)는 제 1 결함이 검출된 영역을 제 1 검사 영역으로부터 제외시킬 수 있다. 따라서, 후속 스캐닝 공정에서의 제 2 검사 영역은 제 1 검사 영역에서 제 1 결함이 검출된 영역이 제외된 영역에 해당될 수 있다.
이에 따라, 스캐닝 유닛(110)은 제 2 전자 빔으로 제 2 검사 영역, 즉 패턴 영역 중에서 제 1 결함이 검출된 영역을 제외한 기판(S)의 나머지 영역만을 2차 스캐닝할 수 있다. 제 2 검사 영역은 패턴 영역에서 제 1 결함이 검출된 영역을 제외시킨 영역에 해당하므로, 2차 스캐닝 시간은 1차 스캐닝 시간보다 단축될 것이다.
컨트롤러(150)는 제 2 전자 빔에 제 1 전자 빔보다 높은 세기를 부여할 수 있다. 따라서, 이미지 획득 유닛(130)이 획득한 제 2 이미지는 제 1 이미지보다 높은 선명도를 가질 것이다. 컨트롤러(150)는 이미지 획득 유닛(140)에 제 1 감도보다 높은 제 2 감도를 설정할 수 있다. 이미지 획득 유닛(140)은 제 2 감도를 제 2 이미지와 기준 이미지 사이의 전압 차이에 적용하여, 기판(S) 상의 제 2 결함 및 제 2 결함의 위치를 검출할 수 있다. 제 2 결함은 제 1 결함보다 작은 크기를 가질 수 있다. 컨트롤러(150)는 제 2 결함이 검출된 영역을 제 2 검사 영역으로부터 제외시킬 수 있다. 따라서, 후속 스캐닝 공정에서의 제 3 검사 영역은 제 2 검사 영역에서 제 2 결함이 검출된 영역이 제외된 영역에 해당될 수 있다.
이에 따라, 스캐닝 유닛(110)은 제 3 전자 빔으로 제 3 검사 영역, 즉 패턴 영역 중에서 제 1 및 제 2 결함들이 검출된 영역들을 제외한 기판(S)의 나머지 영역만을 3차 스캐닝할 수 있다. 제 3 검사 영역은 패턴 영역에서 제 1 및 제 2 결함들이 검출된 영역들을 제외한 영역에 해당하므로, 3차 스캐닝 시간은 2차 스캐닝 시간보다 단축될 것이다.
컨트롤러(150)는 제 3 전자 빔에 제 2 전자 빔보다 높은 세기를 부여할 수 있다. 따라서, 이미지 획득 유닛(130)이 획득한 제 3 이미지는 제 2 이미지보다 높은 선명도를 가질 것이다. 컨트롤러(150)는 이미지 획득 유닛(140)에 제 2 감도보다 높은 제 3 감도를 설정할 수 있다. 이미지 획득 유닛(140)은 제 3 감도를 제 3 이미지와 기준 이미지 사이의 전압 차이에 적용하여, 기판(S) 상의 제 3 결함 및 제 3 결함의 위치를 검출할 수 있다. 제 3 결함은 제 2 결함보다 작은 크기를 가질 수 있다.
제 3 감도가 설정된 최고 감도에 해당한다면, 제 3 감도를 적용하여 검출되지 않은 매우 미소한 결함은 반도체 장치의 불량을 야기하지 않는 수준에 해당될 수 있다. 이러한 경우, 컨트롤러(150)는 스캐너의 동작을 완료시킬 수 있다. 반면에, 제 3 감도가 설정된 최고 감도보다 낮으면, 컨트롤러(150)는 제 3 결함이 검출된 영역을 스캐닝 유닛(110)의 스캐닝 영역으로부터 제외시킨 조건 하에서 상기된 스캐닝 유닛(110)의 동작과 이미지 처리 유닛(140)의 결함 검출 동작을 수행시킬 수 있다. 이러한 후속 동작들은 최고 감도를 적용하는 검출 공정까지 수행될 수 있다.
결함 검출 방법
도 2는 도 1에 도시된 장치를 이용해서 결함을 검출하는 방법을 순차적으로 나타낸 흐름도이고, 도 3은 도 2에 도시된 방법에서 예비 스캐닝에 의해 패턴 영역과 비패턴 영역으로 구분된 기판을 나타낸 평면도이며, 도 4는 도 3의 예비 스캐닝을 통해 획득한 예비 이미지와 기준 이미지 사이의 전압 차이를 나타낸 그래프이고, 도 5는 도 2에 도시된 방법에서 1차 스캐닝에 의해 제 1 결함이 검출된 영역이 표시된 기판을 나타낸 평면도이며, 도 6은 도 5의 1차 스캐닝을 통해 획득한 제 1 이미지와 기준 이미지 사이의 전압 차이를 나타낸 그래프이고, 도 7은 도 2에 도시된 방법에서 2차 스캐닝에 의해 제 2 결함이 검출된 영역이 표시된 기판을 나타낸 평면도이며, 도 8은 도 7의 2차 스캐닝을 통해 획득한 제 2 이미지와 기준 이미지 사이의 전압 차이를 나타낸 그래프이고, 도 9는 도 2에 도시된 방법에서 3차 스캐닝에 의해 제 3 결함이 검출된 영역이 표시된 기판을 나타낸 평면도이며, 도 10은 도 9의 3차 스캐닝을 통해 획득한 제 3 이미지와 기준 이미지 사이의 전압 차이를 나타낸 그래프이다.
도 2 내지 도 10을 참조하면, 단계 ST200에서, 스캐닝 유닛(110)이 예비 전자빔으로 기판(S)의 표면 전체를 스캐닝할 수 있다. 검출 유닛(120)이 예비 전자 빔이 조사된 기판(S)의 표면으로부터 방출된 이차 전자를 검출할 수 있다. 이미지 획득 유닛(130)이 검출된 이차 전자로부터 예비 이미지를 획득할 수 있다.
패턴 영역(PR)과 비패턴 영역(NR)은 명확하게 구분될 수 있으므로, 패턴 영역(PR)과 비패턴 영역(NR)의 구분에 예비 이미지의 높은 선명도가 요구되지 않을 수 있다. 따라서, 컨트롤러(150)는 스캐닝 유닛(110)으로부터 조사되는 예비 전자빔에 낮은 세기를 부여할 수 있다. 그러므로, 이미지 획득 유닛(130)이 획득한 예비 이미지는 낮은 선명도를 가질 수 있다.
단계 ST210에서, 이미지 처리 유닛(140)이 예비 이미지에 예비 감도를 적용하여, 도 3과 같이 기판(S)의 표면을 패턴 영역(PR)과 비패턴 영역(NR)으로 구분할 수 있다.
이미지 처리 유닛(140)은 예비 이미지를 기준 이미지와 비교할 수 있다. 특히, 이미지 처리 유닛(140)은 예비 이미지와 기준 이미지의 전압 차이를 측정할 수 있다. 도 4에 도시된 바와 같이, 패턴 영역(PR)과 비패턴 영역(NR) 사이의 전압 차이는 매우 크므로, 이미지 처리 유닛(140)은 낮은 예비 감도를 패턴 영역(PR)가 비패턴 영역(NR) 사이의 전압 차이에 적용하여, 기판(S)의 표면을 패턴 영역(PR)과 비패턴 영역(NR)으로 구분할 수 있다.
단계 ST220에서, 컨트롤러(150)는 패턴 영역(PR)만을 제 1 검사 영역으로 설정할 수 있다. 즉, 제 1 검사 영역은 기판(S)의 표면 전체 영역에서 비패턴 영역(NR)이 제외된 영역일 수 있다.
단계 ST230에서, 스캐닝 유닛(110)이 제 1 검사 영역, 즉 패턴 영역(PR)만을 제 1 전자 빔으로 1차 스캔할 수 있다. 검출 유닛(120)이 제 1 전자 빔이 조사된 제 1 검사 영역으로부터 방출된 이차 전자를 검출할 수 있다. 이미지 획득 유닛(130)이 검출된 이차 전자로부터 제 1 이미지를 획득할 수 있다. 제 1 이미지는 제 1 검사 영역의 이미지, 즉 패턴 영역(PR)의 이미지일 수 있다.
컨트롤러(150)는 스캐닝 유닛(110)으로부터 조사되는 제 1 전자빔에 예비 전자 빔보다 높은 세기를 부여할 수 있다. 그러므로, 이미지 획득 유닛(130)이 획득한 제 1 이미지는 예비 이미지보다 높은 선명도를 가질 수 있다.
단계 ST240에서, 이미지 처리 유닛(140)이 제 1 이미지에 제 1 감도를 적용하여, 도 5와 같이 제 1 검사 영역 상에서 제 1 결함을 검출할 수 있다.
이미지 처리 유닛(140)은 제 1 이미지를 기준 이미지와 비교할 수 있다. 특히, 이미지 처리 유닛(140)은 제 1 이미지와 기준 이미지의 전압 차이를 측정할 수 있다. 도 6에 도시된 바와 같이, 제 1 결함에 의한 전압 차이는 패턴 영역(PR)에 의한 전압 차이보다는 작으므로, 예비 감도로 제 1 결함을 검출할 수는 없을 것이다. 따라서, 이미지 처리 유닛(140)은 예비 감도보다 높은 제 1 감도를 제 1 이미지와 기준 이미지 사이의 전압 차이에 적용하여, 기판(S)의 제 1 검사 영역 상의 제 1 결함을 검출할 수 있다.
단계 ST250에서, 컨트롤러(150)는 제 1 결함이 검출된 영역(D1)이 제외된 제 1 검사 영역의 나머지 영역을 제 2 검사 영역으로 설정할 수 있다. 즉, 제 2 검사 영역은 제 1 검사 영역에서 제 1 결함 검출 영역(D1)이 제외된 영역일 수 있다.
단계 ST260에서, 스캐닝 유닛(110)이 제 2 검사 영역을 제 2 전자 빔으로 2차 스캔할 수 있다. 검출 유닛(120)이 제 2 전자 빔이 제 2 검사 영역으로부터 방출된 이차 전자를 검출할 수 있다. 이미지 획득 유닛(130)이 검출된 이차 전자로부터 제 2 이미지를 획득할 수 있다. 제 2 이미지는 제 2 검사 영역의 이미지일 수 있다.
컨트롤러(150)는 스캐닝 유닛(110)으로부터 조사되는 제 2 전자빔에 제 1 전자 빔보다 높은 세기를 부여할 수 있다. 그러므로, 이미지 획득 유닛(130)이 획득한 제 2 이미지는 제 1 이미지보다 높은 선명도를 가질 수 있다.
단계 ST270에서, 이미지 처리 유닛(140)이 제 2 이미지에 제 2 감도를 적용하여, 도 7와 같이 제 2 검사 영역 상에서 제 2 결함을 검출할 수 있다. 제 2 결함은 제 1 결함보다 작은 크기를 가질 수 있다.
이미지 처리 유닛(140)은 제 2 이미지를 기준 이미지와 비교할 수 있다. 특히, 이미지 처리 유닛(140)은 제 2 이미지와 기준 이미지의 전압 차이를 측정할 수 있다. 도 8에 도시된 바와 같이, 제 2 결함에 의한 전압 차이는 제 2 결함보다 큰 크기를 제 1 결함에 의한 전압 차이보다는 작으므로, 제 1 감도로 제 2 결함을 검출할 수는 없을 것이다. 따라서, 이미지 처리 유닛(140)은 제 1 감도보다 높은 제 2 감도를 제 2 이미지와 기준 이미지 사이의 전압 차이에 적용하여, 기판(S)의 제 2 검사 영역 상의 제 2 결함을 검출할 수 있다.
단계 ST280에서, 컨트롤러(150)는 제 2 결함이 검출된 영역(D2)이 제외된 제 2 검사 영역의 나머지 영역을 제 3 검사 영역으로 설정할 수 있다. 즉, 제 3 검사 영역은 제 2 검사 영역에서 제 2 결함 검출 영역(D2)이 제외된 영역일 수 있다.
단계 ST290에서, 스캐닝 유닛(110)이 제 3 검사 영역을 제 3 전자 빔으로 3차 스캔할 수 있다. 검출 유닛(120)이 제 3 전자 빔이 제 3 검사 영역으로부터 방출된 이차 전자를 검출할 수 있다. 이미지 획득 유닛(130)이 검출된 이차 전자로부터 제 3 이미지를 획득할 수 있다. 제 3 이미지는 제 3 검사 영역의 이미지일 수 있다.
컨트롤러(150)는 스캐닝 유닛(110)으로부터 조사되는 제 3 전자빔에 제 2 전자 빔보다 높은 세기를 부여할 수 있다. 그러므로, 이미지 획득 유닛(130)이 획득한 제 3 이미지는 제 2 이미지보다 높은 선명도를 가질 수 있다.
단계 ST300에서, 이미지 처리 유닛(140)이 제 3 이미지에 제 3 감도를 적용하여, 도 9와 같이 제 3 검사 영역 상에서 제 3 결함을 검출할 수 있다. 제 3 결함은 제 2 결함보다 작은 크기를 가질 수 있다.
이미지 처리 유닛(140)은 제 3 이미지를 기준 이미지와 비교할 수 있다. 특히, 이미지 처리 유닛(140)은 제 3 이미지와 기준 이미지의 전압 차이를 측정할 수 있다. 도 10에 도시된 바와 같이, 제 3 결함에 의한 전압 차이는 제 3 결함보다 큰 크기를 제 2 결함에 의한 전압 차이보다는 작으므로, 제 2 감도로 제 3 결함을 검출할 수는 없을 것이다. 따라서, 이미지 처리 유닛(140)은 제 2 감도보다 높은 제 3 감도를 제 3 이미지와 기준 이미지 사이의 전압 차이에 적용하여, 기판(S)의 제 3 검사 영역 상의 제 3 결함을 검출할 수 있다.
본 실시예들에서는, 결함 검출 방법이 기판(S)의 표면을 1회의 예비 스캔 및 3회의 스캔 공정, 즉 총 4회의 스캔 공정들을 포함하는 것으로 예시하였다. 그러나, 결함 검출 방법은 2회, 3회 또는 5회 이상의 스캔 공정들을 포함할 수도 있다.
또한, 본 실시예들의 결함 검출 방법과 장치는 하나의 스캐너를 이용해서 결함을 검출하는 공정에 적용되는 것으로 예시하였다. 그러나, 본 실시예들의 결함 검출 방법과 장치는 2개 이상의 스캐너를 이용해서 결함을 검출하는 공정에도 적용될 수 있다. 예를 들어서, 본 실시예의 결함 검출 방법과 장치는 동일한 크기로 구획된 기판 상의 4개의 영역들에 대해서 4개의 스캐너를 이용해서 결함을 검출하는 공정에도 적용될 수 있다.
또한, 전술한 바와 같이, 본 실시예의 결함 검사 방법은 반도체 기판에 적용될 수 있다. 따라서, 본 실시예의 결함 검사 방법이 적용된 반도체 기판을 포함하는 반도체 장치도 본 발명의 권리범위에 속할 수 있다.
아울러, 본 실시예의 결함 검사 방법은 마스크 기판에 적용될 수 있다. 따라서, 본 실시예의 결함 검사 방법이 적용된 마스크 기판을 이용해서 제조된 반도체 장치도 본 발명의 권리범위에 속할 수 있다.
상기된 본 실시예들에 따르면, 선행 스캐닝에 의해서 결함이 검출된 영역을 후속 스캐닝 영역으로부터 제외시킬 수 있다. 따라서, 결함 검출 영역이 후속 스캐닝 영역으로부터 배제되므로, 스캐닝 시간이 대폭 단축될 수 있다. 또한, 스캐닝 횟수에 따라 스캐닝 영역이 줄어드는 반면에 결함 검출 감도가 점진적으로 증가하게 되므로, 매우 작은 크기를 갖는 결함을 정확하게 검출할 수가 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
110 ; 스캐닝 유닛 120 ; 검출 유닛
130 ; 이미지 획득 유닛 140 ; 이미지 처리 유닛
150 ; 컨트롤러 PR ; 패턴 영역
NR ; 비패턴 영역 D1 ; 제 1 결함 검출 영역
D2 ; 제 2 결함 검출 영역 D3 ; 제 3 결함 검출 영역

Claims (20)

  1. 기판 전체를 예비 전자 빔으로 스캔하여 예비 이미지를 획득하고;
    상기 예비 이미지에 예비 감도를 적용하여 상기 기판 전체를 패턴 영역과 비패턴 영역으로 구분하고;
    상기 기판의 패턴 영역을 상기 예비 전자 빔의 세기보다 강한 세기를 갖는 제 1 전자 빔으로 1차 스캔하여 제 1 이미지를 획득하고;
    상기 제 1 이미지에 상기 예비 감도보다 높은 제 1 감도를 적용하여 제 1 결함을 검출하고;
    상기 패턴 영역 중 상기 제 1 결함이 검출된 영역을 제외한 상기 기판의 나머지 영역을 상기 제 1 전자 빔의 세기보다 강한 세기를 갖는 제 2 전자 빔으로 2차 스캔하여 제 2 이미지를 획득하고; 그리고
    상기 제 2 이미지에 상기 제 1 감도보다 높은 제 2 감도를 적용하여 상기 제 1 결함보다 작은 크기를 갖는 제 2 결함을 검출하는 것을 포함하는 결함 검출 방법.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 결함을 검출하는 것은
    상기 제 1 이미지와 기준 이미지 사이의 전압 차이를 측정하고; 그리고
    상기 전압 차이에 상기 제 1 감도를 적용하는 것을 포함하는 결함 검출 방법.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 결함을 검출하는 것은
    상기 제 2 이미지와 기준 이미지 사이의 전압 차이를 측정하고; 그리고
    상기 전압 차이에 상기 제 2 감도를 적용하는 것을 포함하는 결함 검출 방법.
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 예비 이미지에 상기 예비 감도를 적용하는 것은
    상기 예비 이미지와 기준 이미지 사이의 전압 차이를 측정하고; 그리고
    상기 전압 차이에 상기 예비 감도를 적용하는 것을 더 포함하는 결함 검출 방법.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 2차 스캔된 영역 중 상기 제 2 결함이 검출된 영역을 제외한 상기 기판의 나머지 영역을 제 3 전자 빔으로 3차 스캔하여 제 3 결함을 검출하는 것을 더 포함하는 결함 검출 방법.
  13. 제 12 항에 있어서, 상기 제 3 결함을 검출하는 것은
    상기 제 3 전자 빔으로 상기 기판의 나머지 영역을 3차 스캔하여 제 3 이미지를 획득하고; 그리고
    상기 제 3 이미지에 상기 제 2 감도보다 높은 제 3 감도를 적용하여 상기 제 2 결함보다 작은 크기를 갖는 상기 제 3 결함을 검출하는 것을 포함하는 결함 검출 방법.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 제 3 이미지를 획득하는 것은
    상기 제 3 전자 빔에 상기 제 2 전자 빔의 세기보다 강한 세기를 부여하고; 그리고
    상기 제 3 전자빔으로 상기 기판의 나머지 영역을 3차 스캔하여, 상기 제 3 이미지에 상기 제 2 이미지보다 높은 선명도를 부여하는 것을 포함하는 결함 검출 방법.
  15. 제 13 항에 있어서, 상기 제 3 결함을 검출하는 것은
    상기 제 3 이미지와 기준 이미지 사이의 전압 차이를 측정하고; 그리고
    상기 전압 차이에 상기 제 3 감도를 적용하는 것을 포함하는 결함 검출 방법.
  16. 제 1 항에 있어서, 상기 기판은 반도체 기판 또는 마스크 기판을 포함하는 결함 검출 방법.

  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 삭제
KR1020170161876A 2017-11-29 2017-11-29 결함 검출 방법 및 이를 수행하기 위한 장치 KR102409943B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170161876A KR102409943B1 (ko) 2017-11-29 2017-11-29 결함 검출 방법 및 이를 수행하기 위한 장치
US16/039,647 US10782254B2 (en) 2017-11-29 2018-07-19 Method of detecting a defect and apparatus for performing the same
CN201811383582.0A CN109839391B (zh) 2017-11-29 2018-11-20 检测缺陷的方法和用于执行该方法的设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170161876A KR102409943B1 (ko) 2017-11-29 2017-11-29 결함 검출 방법 및 이를 수행하기 위한 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190063070A KR20190063070A (ko) 2019-06-07
KR102409943B1 true KR102409943B1 (ko) 2022-06-16

Family

ID=66634005

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020170161876A KR102409943B1 (ko) 2017-11-29 2017-11-29 결함 검출 방법 및 이를 수행하기 위한 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10782254B2 (ko)
KR (1) KR102409943B1 (ko)
CN (1) CN109839391B (ko)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111275695B (zh) * 2020-02-10 2023-06-02 上海集成电路研发中心有限公司 一种半导体器件的缺陷检查方法、装置和可读存储介质
CN115311275B (zh) * 2022-10-11 2023-03-24 南通百仕灵新能源科技有限公司 一种电子元器件表面缺陷检测方法及系统

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040207414A1 (en) * 2003-04-16 2004-10-21 Kla-Tencor Technologies Corporation Methodologies for efficient inspection of test structures using electron beam scanning and step and repeat systems
JP5359981B2 (ja) * 2010-04-23 2013-12-04 株式会社ニコン 基板検査システムおよび基板検査方法
US20130322736A1 (en) 2012-05-31 2013-12-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for efficient defect inspection
US20130336575A1 (en) * 2012-06-13 2013-12-19 Applied Materials Israel Ltd. System, method and computer program product for detection of defects within inspection images

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0750664B2 (ja) 1983-06-23 1995-05-31 富士通株式会社 レチクルの検査方法
US6509564B1 (en) * 1998-04-20 2003-01-21 Hitachi, Ltd. Workpiece holder, semiconductor fabricating apparatus, semiconductor inspecting apparatus, circuit pattern inspecting apparatus, charged particle beam application apparatus, calibrating substrate, workpiece holding method, circuit pattern inspecting method, and charged particle beam application method
JP3201471B2 (ja) 1998-04-24 2001-08-20 日本電気株式会社 レティクル検査装置
JP3788279B2 (ja) * 2001-07-09 2006-06-21 株式会社日立製作所 パターン検査方法及び装置
AU2002243240A1 (en) * 2001-11-21 2003-06-10 Applied Materials, Inc. Precision sub-pixel alignment technique
KR100542741B1 (ko) * 2003-06-26 2006-01-11 삼성전자주식회사 전자빔 검사 장치 및 이의 동작 상태 검사 방법
JP5022648B2 (ja) * 2006-08-11 2012-09-12 東京エレクトロン株式会社 欠陥検査方法および欠陥検査装置
KR20080038796A (ko) 2006-10-31 2008-05-07 삼성전자주식회사 포토마스크 ｃｄ 트렌드 측정방법
KR20090074552A (ko) 2008-01-02 2009-07-07 주식회사 하이닉스반도체 포토마스크 결함 검사방법
JP2010060904A (ja) 2008-09-04 2010-03-18 Toshiba Corp フォトマスクの検査方法、半導体デバイスの検査方法及びパターン検査装置
JP5316977B2 (ja) * 2010-06-10 2013-10-16 株式会社島津製作所 Ｔｆｔアレイ検査の電子線走査方法およびｔｆｔアレイ検査装置
US9281164B2 (en) 2010-12-13 2016-03-08 Kla-Tencor Corporation Method and apparatus for inspection of scattered hot spot areas on a manufactured substrate
JP4919307B1 (ja) 2011-05-13 2012-04-18 レーザーテック株式会社 基板検査装置及びマスク検査装置
CN103811369B (zh) * 2013-10-21 2016-09-07 上海华力微电子有限公司 铜连接孔刻蚀不足缺陷在线检测方法
CN103500722B (zh) * 2013-10-21 2016-04-06 上海华力微电子有限公司 一种电子束缺陷检测方法
CN103545231B (zh) * 2013-10-21 2016-03-02 上海华力微电子有限公司 镍侵蚀缺陷在线检测方法
CN103645211B (zh) * 2013-11-29 2015-09-09 上海华力微电子有限公司 监控电子束缺陷扫描仪灵敏度的方法
US9696268B2 (en) * 2014-10-27 2017-07-04 Kla-Tencor Corporation Automated decision-based energy-dispersive x-ray methodology and apparatus

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040207414A1 (en) * 2003-04-16 2004-10-21 Kla-Tencor Technologies Corporation Methodologies for efficient inspection of test structures using electron beam scanning and step and repeat systems
JP5359981B2 (ja) * 2010-04-23 2013-12-04 株式会社ニコン 基板検査システムおよび基板検査方法
US20130322736A1 (en) 2012-05-31 2013-12-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and apparatus for efficient defect inspection
US20130336575A1 (en) * 2012-06-13 2013-12-19 Applied Materials Israel Ltd. System, method and computer program product for detection of defects within inspection images

Also Published As

Publication number Publication date
CN109839391A (zh) 2019-06-04
US10782254B2 (en) 2020-09-22
KR20190063070A (ko) 2019-06-07
US20190162681A1 (en) 2019-05-30
CN109839391B (zh) 2024-03-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110383441B (zh) 使用经预测的计量图像的计量配方产生
KR102347057B1 (ko) 전자 빔 이미지에서의 결함 위치 결정
US9797846B2 (en) Inspection method and template
KR20200084902A (ko) 디바이스 검사 시스템을 사용한 오버레이 에러의 측정
US7990546B2 (en) High throughput across-wafer-variation mapping
JP5192795B2 (ja) 電子ビーム測定装置
JP2010118564A (ja) パターンの検査装置、およびパターンの検査方法
KR102409943B1 (ko) 결함 검출 방법 및 이를 수행하기 위한 장치
KR101615829B1 (ko) 반도체 검사 시스템
JP2008199033A (ja) 異物検査方法及び異物検査装置
JP2018096908A (ja) 検査装置及び検査方法
KR20180019872A (ko) 결함 검사 방법 및 결함 검사 장치
US8724882B2 (en) Mapping variations of a surface
JP2007192652A (ja) パターン検査装置、パターン検査方法、及び検査対象試料
US6411378B1 (en) Mask, structures, and method for calibration of patterned defect inspections
KR20220047587A (ko) Dram 및 3d nand 디바이스에 대한 디자인 지원 검사
KR20120045774A (ko) 웨이퍼 검사 방법
KR102050960B1 (ko) 반도체 웨이퍼 주변부 파티클 검사방법
JP4594833B2 (ja) 欠陥検査装置
WO2017203554A1 (ja) 検査用情報生成装置、検査用情報生成方法、及び欠陥検査装置
KR102178046B1 (ko) 패턴 평가 장치
JP6513982B2 (ja) 欠陥検査装置並びに欠陥検査装置の管理方法及び管理装置
JP2022182497A (ja) 参照画像生成方法及びパターン検査装置
CN103887199A (zh) 采用暗场硅片检测机台检测光阻损伤的方法
CN117581093A (zh) 激光退火图案抑制

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant