CN103500722B - 一种电子束缺陷检测方法 - Google Patents

一种电子束缺陷检测方法 Download PDF

Info

Publication number
CN103500722B
CN103500722B CN201310495814.2A CN201310495814A CN103500722B CN 103500722 B CN103500722 B CN 103500722B CN 201310495814 A CN201310495814 A CN 201310495814A CN 103500722 B CN103500722 B CN 103500722B
Authority
CN
China
Prior art keywords
electron beam
surveyed area
chip
scanning
detection method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201310495814.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN103500722A (zh
Inventor
倪棋梁
陈宏璘
龙吟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Original Assignee
Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Huali Microelectronics Corp filed Critical Shanghai Huali Microelectronics Corp
Priority to CN201310495814.2A priority Critical patent/CN103500722B/zh
Publication of CN103500722A publication Critical patent/CN103500722A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN103500722B publication Critical patent/CN103500722B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • H01L22/24—Optical enhancement of defects or not directly visible states, e.g. selective electrolytic deposition, bubbles in liquids, light emission, colour change

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

本发明公开了一种电子束缺陷检测方法，包括以下步骤：以特定顺序对所述多个芯片的多个检测区域进行电子束扫描，获得所述多个芯片的影像数据；其中所述特定顺序为对在检测方向上相邻的所述检测区域不连续扫描；以及将所述多个芯片的影像数据进行比对，以查找出所述待测晶圆的缺陷位置。本发明能够有效减少电子束扫描过程中已检测区域表面残余电子对相邻待检测区域的影响，实现了稳定、准确的电子束缺陷扫描检测。

Description

一种电子束缺陷检测方法
技术领域
本发明涉及一种晶圆缺陷检测方法，尤其涉及一种稳定的电子束缺陷检测方法。
背景技术
由于集成电路制造本身工艺的复杂度不断地提高，为了能够在实际的生产过程中及时的发现问题并采取相应的措施，一般都会在制造过程配置一定数量的光学和电子的缺陷检测设备。通用的缺陷检测的工作原理是将芯片上的物理图像转换成为可由不同亮暗灰阶表示的数据图像，再通过与其它芯片上的数据比较来检测有问题的缺陷位置。请参见图1，其所示为一个晶圆上的完整的芯片分布图，图2所示为该晶圆上一个具体芯片的检测区域分布图，通常每一个芯片具有多个检测区域，即图中的长方形区域，这些检测区域为实际需要进行扫描的位置。
目前，在业内现有的电子束缺陷检测的方法主要采用两种，第一种方法如图3所示，一束电子束从晶圆的一边到另一边（水平或垂直方向）进行连续的扫描并进行数据比对。另一种方法如图4所示，首先对一个芯片的检测区域进行连续的扫描，然后再对另两个芯片进行扫描，最后再进行数据的比对来检测有问题的缺陷位置。然而，由于电子束在芯片上进行连续扫描后，检测区域表面残留的电子并不能马上消除，以至于影响相邻的还未被检测的区域。请参见图5左图，由通孔的电子束影像可知该通孔未收到相邻表面电荷影响。请参见图5右图，由通孔的影像可知其受到了相邻表面电荷的影响。通过对图5的通孔影像照片进行对比可知，受到相邻表面电荷影响的通孔产生了十分明显的形变，当对这些受到相邻电子束影响而发生形变的通孔进行电子束检测时，会出现大量的噪音，造成真正的缺陷很难被识别出来，并增加了工程判断的难度。
因此，寻找一种能够在进行电子束扫描时避免产生检测区域相互影响的稳定的电子束缺陷检测方法就显得尤为重要。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的缺陷，提供一种能够实现稳定的电子束缺陷检测方法。
本发明是通过以下技术方案实现的：
一种电子束缺陷检测方法，用于对待测晶圆上多个芯片进行缺陷检测，其中每一所述芯片包含多个检测区域；所述电子束缺陷检测方法包括以下步骤：
步骤S1：以特定顺序对所述多个芯片的多个检测区域进行电子束扫描，获得所述多个芯片的影像数据；其中所述特定顺序为对在检测方向上相邻的所述检测区域不连续扫描；以及步骤S2：将所述多个芯片的影像数据进行比对，以查找出所述待测晶圆的缺陷位置。
优选的，以特定顺序对所述多个芯片的多个检测区域进行电子束扫描的步骤包括：对所述多个芯片的多个检测区域分别标注序号，其中，在所述检测方向上相邻的所述检测区域的序号不连续；以及依据所述检测区域的序号的顺序，连续进行电子束扫描
优选的，所述检测方向为水平方向或垂直方向。
优选的，当所述检测方向为水平方向时，相邻序号的所述检测区域在垂直方向上的位置不同或在水平方向上不相邻。
优选的，当所述检测方向为垂直方向时，相邻序号的所述检测区域在水平方向上的位置不同或在垂直方向上不相邻。
优选的，所述特定顺序为对所述多个芯片依次进行电子束扫描，且对每一所述芯片的多个所述检测区域进行电子束扫描时对在所述检测方向上相邻的所述检测区域不连续扫描。
本发明通过晶圆内芯片上不同检测区域依据特定顺序进行电子束扫描，以避免检测方向上相邻的检测区域被连续扫描，从而降低了待检测区域由于相邻已检测区域表面残余电子影响而产生的形变，实现了稳定、准确的电子束缺陷扫描检测。
附图说明
图1所示为现有技术中一晶圆上的完整的芯片分布示意图；
图2所示为现有技术中晶圆内一个芯片的检测区域分布图；
图3和图4所示为现有技术的电子束缺陷检测方法示意图；
图5所示为采用现有技术的电子束缺陷检测方法未受到和受到相邻检测区域表面电子影响的通孔影像图；
图6和图7所示为本发明一实施例电子束缺陷检测方法的示意图；
图8所示为本发明一实施例电子束缺陷检测方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本发明的内容作进一步说明。当然本发明并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本发明的保护范围内。
下面将结合图6至图8详细描述根据本发明的电子束检测方法的一较佳实施例。
如图8所示，本发明一实施例电子束缺陷检测方法包括以下步骤：
首先，进行步骤S1：以特定顺序对多个芯片的多个检测区域进行电子束扫描，获得多个芯片的影像数据；其中所述特定顺序为对在检测方向上相邻的检测区域不连续扫描。
具体来说，步骤S1进一步包括对多个芯片的多个检测区域分别标注序号，其中，在所述检测方向上相邻的所述检测区域的序号不连续；以及依据所述检测区域的序号的顺序，连续进行电子束扫描。请参照图6和图7，其所示为对待测晶圆上的一个芯片10的示意图，该芯片具有多个检测区域11～18。首先，如图6所示，对该芯片的多个检测区域11～18分别标注序号1～8，需要注意的是，在检测方向上相邻的检测区域的序号是不连续的。本实施例中，电子束的扫描方向，也即是检测方向为水平方向，因此相邻的检测区域的序号在水平方向上不连续，例如对检测区域11标注序号1，检测区域12标注序号5，检测区域13标注序号8，检测区域14标注序号4，检测区域15标注序号2，检测区域16标注序号6，检测区域17标注序号3，检测区域18标注序号7。因此，相邻序号的检测区域或者在垂直方向上不处于同一高度，或者在水平方向上被其他检测区域隔开。当然，在其他实施例中，检测方向也可以是垂直方向，则此时相邻序号的检测区域在水平方向上不处于同一位置或在垂直方向上被其他检测区域隔开。之后，如图7所示，电子束缺陷扫描仪可依据检测区域的序号的顺序，对每个芯片的多个检测区域在水平方向上连续进行电子束扫描，从而获得该芯片的影像数据。如图所示，本实施例中，依次扫描检测区域11,15,17,14,12,16,18,13。由于扫描过程中，相邻的检测区域，如检测区域11和检测区域12，不会被连续扫描，例如在扫描检测区域11后，将继续扫描检测区域15，因此在扫描检测区域12时，检测区域11表面积累的电子已经消除而将不会影响检测区域12，由此能够有效避免电子束扫描时检测区域的表面电子对相邻检测区域上电路图形的成像的影响。需要注意的是，本实施例中是将待测晶圆上的多个芯片依次检测，也即是依次对多个芯片的检测区域进行电子束扫描，且对每一个芯片的多个检测区域进行电子束扫描时均采用上述方法，使在检测方向上相邻的检测区域不会被连续扫描。而在其他实施例中，也可以一束电子束从晶圆的一边到另一边（跨多个芯片）进行连续的扫描并获取所有芯片的影像数据，而并不限于在一个芯片扫描完成之后再接续进行下一个芯片的扫描。
接着，在步骤S2中，将多个芯片的影像数据进行比对，以查找出待测晶圆的缺陷位置，例如通过相邻芯片的影像数据比较来确定缺陷位置。
综上所述，本发明通过对晶圆内芯片上不同检测区域依据特定顺序进行电子束扫描，以避免检测方向上相邻的检测区域被连续扫描，从而降低了待检测区域由于相邻已检测区域表面残余电子影响而产生的形变，实现了稳定、准确的电子束缺陷扫描检测。
虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然所述诸多实施例仅为了便于说明而举例而已，并非用以限定本发明，本领域的技术人员在不脱离本发明精神和范围的前提下可作若干的更动与润饰，本发明所主张的保护范围应以权利要求书所述为准。

Claims (5)

1.一种电子束缺陷检测方法，用于对待测晶圆上多个芯片进行缺陷检测，其特征在于，每一所述芯片包含多个检测区域，所述检测方法包括：
步骤S1：以特定顺序对所述多个芯片的多个检测区域进行电子束扫描，获得所述多个芯片的影像数据；其中所述特定顺序为对在检测方向上相邻的所述检测区域不连续扫描；以及
步骤S2：将所述多个芯片的影像数据进行比对，以查找出所述待测晶圆的缺陷位置；
其中以特定顺序对所述多个芯片的多个检测区域进行电子束扫描的步骤包括：对所述多个芯片的多个检测区域分别标注序号，其中，在所述检测方向上相邻的所述检测区域的序号不连续；以及依据所述检测区域的序号的顺序，连续进行电子束扫描。
2.根据权利要求1所述的电子束缺陷检测方法，其特征在于，所述检测方向为水平方向或垂直方向。
3.根据权利要求2所述的电子束缺陷检测方法，其特征在于，当所述检测方向为水平方向时，相邻序号的所述检测区域在垂直方向上的位置不同或在水平方向上不相邻。
4.根据权利要求2所述的电子束缺陷检测方法，其特征在于，当所述检测方向为垂直方向时，相邻序号的所述检测区域在水平方向上的位置不同或在垂直方向上不相邻。
5.根据权利要求1所述的电子束缺陷检测方法，其特征在于，所述特定顺序为对所述多个芯片依次进行电子束扫描，且对每一所述芯片的多个所述检测区域进行电子束扫描时对在所述检测方向上相邻的所述检测区域不连续扫描。
CN201310495814.2A 2013-10-21 2013-10-21 一种电子束缺陷检测方法 Active CN103500722B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310495814.2A CN103500722B (zh) 2013-10-21 2013-10-21 一种电子束缺陷检测方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310495814.2A CN103500722B (zh) 2013-10-21 2013-10-21 一种电子束缺陷检测方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN103500722A CN103500722A (zh) 2014-01-08
CN103500722B true CN103500722B (zh) 2016-04-06

Family

ID=49865915

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310495814.2A Active CN103500722B (zh) 2013-10-21 2013-10-21 一种电子束缺陷检测方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN103500722B (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201517192A (zh) * 2013-10-23 2015-05-01 Macronix Int Co Ltd 晶片對資料庫的影像檢測方法
CN104897706B (zh) * 2014-03-07 2018-05-11 旺宏电子股份有限公司 一种测量芯片或晶片表面结构的方法
CN105588844A (zh) * 2014-10-24 2016-05-18 旺宏电子股份有限公司 芯片对数据库的接触窗检测方法
KR102409943B1 (ko) * 2017-11-29 2022-06-16 삼성전자주식회사 결함 검출 방법 및 이를 수행하기 위한 장치
CN108461371B (zh) * 2018-05-08 2020-08-25 德淮半导体有限公司 电子束扫描设备，缺陷检测系统及方法
CN109655737B (zh) * 2018-12-24 2020-11-27 北京华峰测控技术股份有限公司 一种晶圆的测试方法
CN117612961A (zh) * 2023-11-30 2024-02-27 魅杰光电科技(上海)有限公司 一种晶圆检测系统及方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103344660A (zh) * 2013-06-27 2013-10-09 上海华力微电子有限公司 一种按照电路图形进行缺陷检测的电子显微镜分析方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002026093A (ja) * 2000-07-10 2002-01-25 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
CN102792172B (zh) * 2010-06-10 2015-03-25 株式会社岛津制作所 Tft阵列检查的电子束扫描方法以及tft阵列检查装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103344660A (zh) * 2013-06-27 2013-10-09 上海华力微电子有限公司 一种按照电路图形进行缺陷检测的电子显微镜分析方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN103500722A (zh) 2014-01-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103500722B (zh) 一种电子束缺陷检测方法
CN102175700B (zh) 数字x射线图像焊缝分割和缺陷检测方法
JP5543872B2 (ja) パターン検査方法およびパターン検査装置
US9599575B2 (en) System, a method and a computer program product for CAD-based registration
CN110473165A (zh) 一种电路板焊接质量检测方法及装置
CN103500459A (zh) 一种基于规则化参数的印刷电路板缺陷检测方法
CN103235939A (zh) 基于机器视觉的基准点定位方法
CN103531500A (zh) 晶圆缺陷检测设备的校准方法
CN111612757A (zh) 一种屏幕裂纹的检测方法、装置、设备及存储介质
CN102735688A (zh) 一种缺陷检测方法
CN102854195B (zh) 彩色滤光片上缺陷坐标的检测方法
CN104183517A (zh) 智能型弱点图形诊断方法与系统
CN103311148B (zh) 一种检测观察缺陷的方法
JP2009071271A (ja) パターン形状評価方法，パターン形状評価装置，パターン形状評価データ生成装置およびそれを用いた半導体形状評価システム
CN112635346B (zh) 晶圆检测方法、半导体检测设备及存储介质
CN103646889A (zh) 晶圆缺陷检测方法
CN108445009A (zh) 一种太阳能电池板裂纹检测方法
CN105205803A (zh) 显示面板缺陷检测方法
CN105424721A (zh) 一种金属应变计缺陷自动检测系统
KR101261016B1 (ko) 평판패널 기판의 자동광학검사 방법 및 그 장치
CN105354816A (zh) 一种电子元件定位方法及装置
CN102890089A (zh) 晶圆缺陷扫描方法及晶圆缺陷扫描机台
JP4989687B2 (ja) パターン形状評価方法およびパターン形状評価装置
JP5274173B2 (ja) 車両検査装置
CN105631846A (zh) 一种圆形图形的检测方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant