JPS60138924A - パタ−ン検査方法及びその装置 - Google Patents
パタ−ン検査方法及びその装置Info
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- JPS60138924A JPS60138924A JP58249318A JP24931883A JPS60138924A JP S60138924 A JPS60138924 A JP S60138924A JP 58249318 A JP58249318 A JP 58249318A JP 24931883 A JP24931883 A JP 24931883A JP S60138924 A JPS60138924 A JP S60138924A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T7/00—Image analysis
- G06T7/0002—Inspection of images, e.g. flaw detection
- G06T7/0004—Industrial image inspection
- G06T7/001—Industrial image inspection using an image reference approach
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T2207/00—Indexing scheme for image analysis or image enhancement
- G06T2207/30—Subject of image; Context of image processing
- G06T2207/30108—Industrial image inspection
- G06T2207/30148—Semiconductor; IC; Wafer
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Image Processing (AREA)
- Image Analysis (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ） 発明の技術分野
本発明は、超ＬＳＩメモリー等に利用されるレチクル若
しくはマスク等のマスク基板の如く、繰返しパターンを
有する高密度パターンを高速に検査できるパターン検査
方法及びその挟置に閑するものである。
しくはマスク等のマスク基板の如く、繰返しパターンを
有する高密度パターンを高速に検査できるパターン検査
方法及びその挟置に閑するものである。
（ロ）従来技術の背景と問題点
最近の超ＬＳＩのパターン、特に２５６にビット１Ｍビ
ットのメモリ等のパターンは、高密度、大容量化の傾向
が著しい６例えはパターンジェネレータ等に使用される
原データのレベルで言えば贅度が５０００パターン／−
以上で１チツプ当シ１０７パターンにものほろ。一方、
原データを基にパターンジェネレータ等で形成されたレ
チクル若しくはマスク等のマスク基板の高″ｌＢ度パタ
ーンを検査するのに、マスク基板を走査して得た信号と
原データから形成した同レベルの信号とを比較照合する
ことが行なわれているが、上記の如き超ＬＳＩレベルで
は原データの譬が膨大となる。
ットのメモリ等のパターンは、高密度、大容量化の傾向
が著しい６例えはパターンジェネレータ等に使用される
原データのレベルで言えば贅度が５０００パターン／−
以上で１チツプ当シ１０７パターンにものほろ。一方、
原データを基にパターンジェネレータ等で形成されたレ
チクル若しくはマスク等のマスク基板の高″ｌＢ度パタ
ーンを検査するのに、マスク基板を走査して得た信号と
原データから形成した同レベルの信号とを比較照合する
ことが行なわれているが、上記の如き超ＬＳＩレベルで
は原データの譬が膨大となる。
この場合問題となるのは、上記検査ではマスク基板の走
査に合わせてマグネティックテープ等に蓄ａ′されてい
る原データをみパターンデータに変換しなけｎはならな
いが、パターン密度が大きくなると原データが複雑にな
ｐ一定の走置範囲内に対応する原データの原パターンデ
ータへの変換に一長時間を賛するようになる点である。
査に合わせてマグネティックテープ等に蓄ａ′されてい
る原データをみパターンデータに変換しなけｎはならな
いが、パターン密度が大きくなると原データが複雑にな
ｐ一定の走置範囲内に対応する原データの原パターンデ
ータへの変換に一長時間を賛するようになる点である。
その結果。
マスク基板の走査スピードを落さなければならなくな夛
検査時闇自体が長くなる問題をも光らす。
検査時闇自体が長くなる問題をも光らす。
（ハ）発明の目的
本発明は上記問題点に鑑みてなされたもので、高密度パ
ターンを有する超ＬＳＩの代表がメモリセル用の基本パ
ターンが繰返し形成された繰返しパターン部を有するメ
モリであることに着目し、そのようなメモリのマスク基
板のパターン検量の時間を短縮し且つ検査表置を簡単化
することを目的とする。
ターンを有する超ＬＳＩの代表がメモリセル用の基本パ
ターンが繰返し形成された繰返しパターン部を有するメ
モリであることに着目し、そのようなメモリのマスク基
板のパターン検量の時間を短縮し且つ検査表置を簡単化
することを目的とする。
に）発明の構成
本発明のパターン検査方法は、繰返しパターン部を有す
る高田度パターンを形成したマスク基板を走査して得た
信号と、該パターンの原データから得た信号とを比４１
！照合するパターン検査方法において、該繰返しパター
ン部を検査する時は、該マスク基板を走査して得た信号
に対応する被パターンデータと該繰返しパターン部の基
本パターンに対応する繰返し基本パターンデータとを繰
返し比較照合し、該繰返しパターン部以外の晶密度パタ
ーンを検査する時は、該被パターンデータと上記走査に
同期して前記原データを逐次変換して得た原パターンデ
ータとを比較照合することを特徴とする。
る高田度パターンを形成したマスク基板を走査して得た
信号と、該パターンの原データから得た信号とを比４１
！照合するパターン検査方法において、該繰返しパター
ン部を検査する時は、該マスク基板を走査して得た信号
に対応する被パターンデータと該繰返しパターン部の基
本パターンに対応する繰返し基本パターンデータとを繰
返し比較照合し、該繰返しパターン部以外の晶密度パタ
ーンを検査する時は、該被パターンデータと上記走査に
同期して前記原データを逐次変換して得た原パターンデ
ータとを比較照合することを特徴とする。
またパターン検査装置は、繰返しパターン部を有する高
密度パターンを形成したマスク基板を該パターンの原デ
ータをもとに検査するパターン検査装置において、該マ
スク基板を走査して得た光信号を光電変換して被パター
ン信号を出力する走査手段と、該破パターン信号をＡ／
Ｄ変換して被パターンデータを出力するＡ／Ｄ変換手段
と、該パターンの原データを前記走査に同期して逐次変
換して原パターンデータを出力する原データ変換手段と
該原パターンデータを一時蓄積する原パターンメモリ手
段と、該繰返しパタニン部の基本パターンに対応する繰
返し基本ビットパターンデータ、・を前記原パターンメ
モリ手段に入力する入力手段と、前記走査手段がｉ！ｔ
Ｉ記繰返しパターン部を走査する時は、該繰返し基本パ
ターンデータを該入力手段よシ該原バター７メモリ手段
に入力し、そのデータを被パターンデータと繰返し比較
照合し。
密度パターンを形成したマスク基板を該パターンの原デ
ータをもとに検査するパターン検査装置において、該マ
スク基板を走査して得た光信号を光電変換して被パター
ン信号を出力する走査手段と、該破パターン信号をＡ／
Ｄ変換して被パターンデータを出力するＡ／Ｄ変換手段
と、該パターンの原データを前記走査に同期して逐次変
換して原パターンデータを出力する原データ変換手段と
該原パターンデータを一時蓄積する原パターンメモリ手
段と、該繰返しパタニン部の基本パターンに対応する繰
返し基本ビットパターンデータ、・を前記原パターンメ
モリ手段に入力する入力手段と、前記走査手段がｉ！ｔ
Ｉ記繰返しパターン部を走査する時は、該繰返し基本パ
ターンデータを該入力手段よシ該原バター７メモリ手段
に入力し、そのデータを被パターンデータと繰返し比較
照合し。
該走査手段が前Ｈｄ繰返しパターン部以外を走査する時
は、該涼パターンデータを該原データ変換手段より前起
原パターンメモリ手段に入力し、そのデータを被パター
ンデータと逐次比較照合する比較照合手段とを具備する
ことを特徴とする。
は、該涼パターンデータを該原データ変換手段より前起
原パターンメモリ手段に入力し、そのデータを被パター
ンデータと逐次比較照合する比較照合手段とを具備する
ことを特徴とする。
０９ 発明の実施例
嬶１図は本実施例に係る被検青物であるマスク基板１０
の平面図である。このマスク基板１ＯＦｉ。
の平面図である。このマスク基板１ＯＦｉ。
超ＬＳＩメモリ用のもので、その１チツプに該幽するパ
ターン１２ＫＦｉ、メモリセル領域１４、デコーダ１６
．センスアンプ１８、入出力ＷＬ２０％に対応するパタ
ーンが形成されている。このうちメモリセル領域１４内
には１ビツトのメモリセルの基本パターンが繰返し形成
されているにすぎない。
ターン１２ＫＦｉ、メモリセル領域１４、デコーダ１６
．センスアンプ１８、入出力ＷＬ２０％に対応するパタ
ーンが形成されている。このうちメモリセル領域１４内
には１ビツトのメモリセルの基本パターンが繰返し形成
されているにすぎない。
第２図は上記メモリセル領域のパターンを拡大した平面
図で、図に示されるようにマスクパターン２２は、繰返
しパターンである。
図で、図に示されるようにマスクパターン２２は、繰返
しパターンである。
第３図は本実施例に係る検査装置の全体を示す概略ブロ
ック図である。全体的に鉱走査５１００と本体２００及
び本体２００内にある比較部３００から構成ざｎる。
ック図である。全体的に鉱走査５１００と本体２００及
び本体２００内にある比較部３００から構成ざｎる。
走査部１００内にはレチクル着しくけマスクとなるｉス
フ基板ｌＯが載置されるステージ２４、マスク基板１０
内のパターンからの元信号を電気信号に変換する光電変
換ｓ２６．その中にあるイメージセンサのために祿けら
れた光学系２８、ステージ２４をＸ、Ｙ方向に移動させ
るステージコンｔＯ−１３０が設けられている。光電変
換部２６及びステージコントローラ３０はＣＰＵ３２か
らの同期信号、制御信号等によ多制御されている。
フ基板ｌＯが載置されるステージ２４、マスク基板１０
内のパターンからの元信号を電気信号に変換する光電変
換ｓ２６．その中にあるイメージセンサのために祿けら
れた光学系２８、ステージ２４をＸ、Ｙ方向に移動させ
るステージコンｔＯ−１３０が設けられている。光電変
換部２６及びステージコントローラ３０はＣＰＵ３２か
らの同期信号、制御信号等によ多制御されている。
第４図はマスク基板１０がとの・ように走査され・るか
を示す平面図である。マスク基板１０はステージ２４に
のセられてＸ方向、Ｙ方向に移動する。
を示す平面図である。マスク基板１０はステージ２４に
のセられてＸ方向、Ｙ方向に移動する。
５４Ｌイメージセンサが同時に検出できる領域を示し、
Ｙ方向に例えば１０２４ビツト分検出できる。そしてス
テージ２４がＸ方向に移動することによシ、５６の幅で
もってマスク基板ｌＯ上の一端から他端まで走査される
。このような走査帝がＹ方向に移行することで全面定食
が行なわれる。
Ｙ方向に例えば１０２４ビツト分検出できる。そしてス
テージ２４がＸ方向に移動することによシ、５６の幅で
もってマスク基板ｌＯ上の一端から他端まで走査される
。このような走査帝がＹ方向に移行することで全面定食
が行なわれる。
さらに評しく説明するため罠、今走査領域内にあるパタ
ーン５８上にイメージセンチの検用ｇＡ域５４が米た場
合を考える。第５図は後述する基本パターンの拡大図で
あるが、同一パターン５８の説明のために利用する。ま
たビット区分のうちＸ方向４の縦長の部分に第４図に示
すイメージセンサの検出領域５４がきたとし、簡単のた
めにその領域５４が１６ビツトとする。そうするとイメ
ー。
ーン５８上にイメージセンチの検用ｇＡ域５４が米た場
合を考える。第５図は後述する基本パターンの拡大図で
あるが、同一パターン５８の説明のために利用する。ま
たビット区分のうちＸ方向４の縦長の部分に第４図に示
すイメージセンサの検出領域５４がきたとし、簡単のた
めにその領域５４が１６ビツトとする。そうするとイメ
ー。
ジセンサは、Ｙ方向の１，２．６，７，８．１２〜１６
ビツトのところは白パターンで、Ｙ 方向の３〜５．９
〜１１ビツトが黒パターンであることを感知する。その
元信号はアナログの電気信号として出力されるこれが被
パターン信号Ｄｉである。
ビツトのところは白パターンで、Ｙ 方向の３〜５．９
〜１１ビツトが黒パターンであることを感知する。その
元信号はアナログの電気信号として出力されるこれが被
パターン信号Ｄｉである。
第６図にその被パターン信号Ｄ１を示す、２つの為レベ
ルはＹ方向の３〜５．９〜１１ビツト目の黒パターンで
あることを示しテイル。
ルはＹ方向の３〜５．９〜１１ビツト目の黒パターンで
あることを示しテイル。
このようにして得られた被パターンイに号ＤＩＦｉ波形
整形された後Ａ／Ｄ変換＋段３４にてビット単位のデジ
タル信号に変換される。それが被パターンデータＤ２で
ある。この変換は第６図に示すヨウｆｚ Ｖ ＩＩＶ
雪の２つのレベルより高いか低い。
整形された後Ａ／Ｄ変換＋段３４にてビット単位のデジ
タル信号に変換される。それが被パターンデータＤ２で
ある。この変換は第６図に示すヨウｆｚ Ｖ ＩＩＶ
雪の２つのレベルより高いか低い。
かで白レベル゛１０ ＋＋、灰色レベル１０．５’Ｍレ
ベ：ルＩＩＩにされる。すなわちレベルｖＩよシ低いと
ころは白レベル、レベルＶ、〜Ｖ、の間は灰色レベに、
Ｖベル■２より高いところは黒レベルで１ある。令弟５
図に示される１３Ｘ１６ビツトのｍｌ域内のパターンに
係る被パターンデータＤ！が取１シ出されたとすると、
第７図の如（４る。 □すなわちパターンの白い部分と
、黒い部分の境界１１゜ のところは灰色レベルｌ０１５Ｉに、な少、黒い部分・
。
ベ：ルＩＩＩにされる。すなわちレベルｖＩよシ低いと
ころは白レベル、レベルＶ、〜Ｖ、の間は灰色レベに、
Ｖベル■２より高いところは黒レベルで１ある。令弟５
図に示される１３Ｘ１６ビツトのｍｌ域内のパターンに
係る被パターンデータＤ！が取１シ出されたとすると、
第７図の如（４る。 □すなわちパターンの白い部分と
、黒い部分の境界１１゜ のところは灰色レベルｌ０１５Ｉに、な少、黒い部分・
。
は黒レベル°°１″、白い部分は白レベル°゛０°°と
亡なるのである。：１゜ １″ このような被パターンデータＤ！は走査に応じ■て次々
と出力され僅ピットパターンメモリ手段３６：−［ Ｆｆｆｉ檜貞乳入−鎮７１苗ｆ示１．た薦Ｉぐ々−ン丁
−々、・Ｄ、は、Ｘ方向に１３ビツト走査した範囲、内
のデータを示している。
亡なるのである。：１゜ １″ このような被パターンデータＤ！は走査に応じ■て次々
と出力され僅ピットパターンメモリ手段３６：−［ Ｆｆｆｉ檜貞乳入−鎮７１苗ｆ示１．た薦Ｉぐ々−ン丁
−々、・Ｄ、は、Ｘ方向に１３ビツト走査した範囲、内
のデータを示している。
第３図中３８Ｌマスク基板ｌＯへのパターンを形成する
ためにパターンジェネレータ等によル使用されたものと
同等の原データＤ１を蓄積しているマグネティックテー
プである。この記憶媒体として、はとやよ、うな形態を
とっても良い。この原データＤｌｉＩ′ｉパターンの実
際の形成に適したデータベースをとっているため、イメ
ージセンサ等により得られる被パターン信号信号り、や
それをそのｔま、デジタル化した被パターンデータＤ２
等とは全く異なっている。
ためにパターンジェネレータ等によル使用されたものと
同等の原データＤ１を蓄積しているマグネティックテー
プである。この記憶媒体として、はとやよ、うな形態を
とっても良い。この原データＤｌｉＩ′ｉパターンの実
際の形成に適したデータベースをとっているため、イメ
ージセンサ等により得られる被パターン信号信号り、や
それをそのｔま、デジタル化した被パターンデータＤ２
等とは全く異なっている。
例えば第５図中に斜線で示したパターンの場合で説明す
ると、パターンは４つの四角形状６０゜６２．６４．６
６に分割され、形状６０については点１、Ａの原点０か
らの座標（３，３）と形状６０の−Ｗａと丙さＨａとが
データとして蓄積されている。、同様に形状６２につい
ては点Ｂの座標（６゜６ ）４． ＠Ｗｂ、高ざＨｂ、
形状６４では点ｃｏ座１９１（３，９）−１１！４Ｗｃ
、高さＨｃ ＋形状６６では点りの座標（６，１２）
、幅Ｗｄ、高さＨｄである。りま夛第５図に示される１
３Ｘ１６ビツトの範囲について言えば、原データＤａ
は（（３，３）。
ると、パターンは４つの四角形状６０゜６２．６４．６
６に分割され、形状６０については点１、Ａの原点０か
らの座標（３，３）と形状６０の−Ｗａと丙さＨａとが
データとして蓄積されている。、同様に形状６２につい
ては点Ｂの座標（６゜６ ）４． ＠Ｗｂ、高ざＨｂ、
形状６４では点ｃｏ座１９１（３，９）−１１！４Ｗｃ
、高さＨｃ ＋形状６６では点りの座標（６，１２）
、幅Ｗｄ、高さＨｄである。りま夛第５図に示される１
３Ｘ１６ビツトの範囲について言えば、原データＤａ
は（（３，３）。
ＷａｌＨ＆、（ｅ、６）ｌＷｂｌＨｂｌ （３１９ン。
Ｗｅ、Ｈｅ、（６，１２）、Ｗｄ、Ｈｄ ）の様になる
。
。
このように原データＤｓｔｉパターン形成に最適なデー
タベースである故、画素の如くビット単位でないため、
パターン検査には不向きなデータである。よってこれは
原データ変換手段４０にてビット単位のデータに変換さ
れる。この変換の結果得られる原パターンデータＤ、は
第７図に示した被パターンデータＤ、と同じａｌ［類の
データである。
タベースである故、画素の如くビット単位でないため、
パターン検査には不向きなデータである。よってこれは
原データ変換手段４０にてビット単位のデータに変換さ
れる。この変換の結果得られる原パターンデータＤ、は
第７図に示した被パターンデータＤ、と同じａｌ［類の
データである。
このデータ変換は、各ビット位置毎に原データＤａによ
シ形成されるパターン情報を考慮しつつその位置が白レ
ベル１°０″か、灰色レベル″０．５”か黒レベルＮｌ
’ｌｌかを決めていけば可能であるが。
シ形成されるパターン情報を考慮しつつその位置が白レ
ベル１°０″か、灰色レベル″０．５”か黒レベルＮｌ
’ｌｌかを決めていけば可能であるが。
その変換には多くの時間を要する。灰色レベル１０．５
”の決定は、例えば白部分と島部分の間の一定の範囲は
灰色にする等の規則をもとに行なうことができる。
”の決定は、例えば白部分と島部分の間の一定の範囲は
灰色にする等の規則をもとに行なうことができる。
原データ変換手段４０から出力された原パターンデータ
Ｄ４はＣＰＵ３２の制御のもとに原）くターンメモリ手
段４２に蓄積される。
Ｄ４はＣＰＵ３２の制御のもとに原）くターンメモリ手
段４２に蓄積される。
４４は原パターンメモリ４２に所定データを入力するこ
とができる入力手段である。
とができる入力手段である。
本実施例のパターン検査挟置では、マスク基板ｌＯ上の
高密度パターンのうち、メ七すセル部等の繰返しパター
ンｍ４走査して検査するときは、従来とおシマグネティ
ックテープ３８からの原データＤ１を原データ変換ｖｉ
６４０にて走査に同期して逐次ビット毎の原パターンデ
ータＤ４に変換しそれを原パターンメモリ４２に一時的
に蓄積する・そして走査部１００から得られる被パター
ン信号り、を変換し被パター７メ七り３６に蓄積された
被パターンデータＤ、と比較部３００にて逐次比較解合
され、欠陥が出力５２に出力される。
高密度パターンのうち、メ七すセル部等の繰返しパター
ンｍ４走査して検査するときは、従来とおシマグネティ
ックテープ３８からの原データＤ１を原データ変換ｖｉ
６４０にて走査に同期して逐次ビット毎の原パターンデ
ータＤ４に変換しそれを原パターンメモリ４２に一時的
に蓄積する・そして走査部１００から得られる被パター
ン信号り、を変換し被パター７メ七り３６に蓄積された
被パターンデータＤ、と比較部３００にて逐次比較解合
され、欠陥が出力５２に出力される。
比較部３００は被パターンデータＤ、を被比較信号Ｄ・
に変換する変換部４６と、原パターンデータＤ４鳳比較
信号り丁に変換する変換部５０とそれらの信号ＤＩ 、
Ｄｌを比較する比較器５０とを具備している。信号Ｄ・
、Ｄマは同種類の信号で、第８図に示す如きものである
。つまシ白レベルに対応する部分はレベルｔＩ＋灰色レ
ベルに対応する部分はレベルｔ！、黒レベルに対応する
部分はｔ、にそ≦ｔそれ対応する。第７図の信号の横軸
方向は第６図のそれと同等の位置関係の意味をもり・ 次にマスク基＠１０上の高密度パターンのうちメモリセ
ル領域の如く基本パターンが繰返し形成されている繰返
しパターン部を走査し検査する場合は、マグネティック
テープ３８からの原データＤａは使用ゼず、入力部４４
よシ原パターンメモリ４２に基本パターンに対応する繰
返し基本パターンデータＤ１を入力し、そのデータＤ、
を徴パターンデータＤ、と繰返し比較部３００にて比較
照合を行なう、比較部での動作は上記と同様である。こ
の繰返し基本パターンデータＤＩは、第５図に斜線で示
したパターンを基本パターンとするパターンは通常ラン
ダムなパターンよシきわめて羊純であるためこの入力に
拡ざほと時間を要しない。しかも何回も繰返し走査され
る基本パターンに対応する部分を、原データ変換部４０
にて原データＤ１よ）走査に同期して逐次変換する必要
はないので、その分走査部１００での走査スピードを増
大さゼ、もって検査時間を大幅に短縮することができる
。
に変換する変換部４６と、原パターンデータＤ４鳳比較
信号り丁に変換する変換部５０とそれらの信号ＤＩ 、
Ｄｌを比較する比較器５０とを具備している。信号Ｄ・
、Ｄマは同種類の信号で、第８図に示す如きものである
。つまシ白レベルに対応する部分はレベルｔＩ＋灰色レ
ベルに対応する部分はレベルｔ！、黒レベルに対応する
部分はｔ、にそ≦ｔそれ対応する。第７図の信号の横軸
方向は第６図のそれと同等の位置関係の意味をもり・ 次にマスク基＠１０上の高密度パターンのうちメモリセ
ル領域の如く基本パターンが繰返し形成されている繰返
しパターン部を走査し検査する場合は、マグネティック
テープ３８からの原データＤａは使用ゼず、入力部４４
よシ原パターンメモリ４２に基本パターンに対応する繰
返し基本パターンデータＤ１を入力し、そのデータＤ、
を徴パターンデータＤ、と繰返し比較部３００にて比較
照合を行なう、比較部での動作は上記と同様である。こ
の繰返し基本パターンデータＤＩは、第５図に斜線で示
したパターンを基本パターンとするパターンは通常ラン
ダムなパターンよシきわめて羊純であるためこの入力に
拡ざほと時間を要しない。しかも何回も繰返し走査され
る基本パターンに対応する部分を、原データ変換部４０
にて原データＤ１よ）走査に同期して逐次変換する必要
はないので、その分走査部１００での走査スピードを増
大さゼ、もって検査時間を大幅に短縮することができる
。
さらに繰返しパター７部に対応する原データＤ１をマグ
ネティックテープ３８に蓄積しておく必要はないので、
そのテープを大幅に削除できる。
ネティックテープ３８に蓄積しておく必要はないので、
そのテープを大幅に削除できる。
本実施例では繰返し基本パターンデータＤＩを入力手段
４４よｐ原パターンメモリ４２に入力しているが、本発
明はこれに限らず、例えばマグネティックテープ３８よ
シ基本パターンについての原データＤａを原データ変換
４０に入力し、そこで繰返し基本パターンデータＤ、に
変換し、原パターンメモリ４２に入力し、そのデータＤ
審を繰返し比較照合に使用するようにしても良い、また
Ａ／Ｄ変換３４の出力が少なくとも１つの繰返し基本パ
ターンが正しいとわかった場合、その出力に、一部手を
加え、鳳パターンメそり４２に入力することも可能であ
る。
４４よｐ原パターンメモリ４２に入力しているが、本発
明はこれに限らず、例えばマグネティックテープ３８よ
シ基本パターンについての原データＤａを原データ変換
４０に入力し、そこで繰返し基本パターンデータＤ、に
変換し、原パターンメモリ４２に入力し、そのデータＤ
審を繰返し比較照合に使用するようにしても良い、また
Ａ／Ｄ変換３４の出力が少なくとも１つの繰返し基本パ
ターンが正しいとわかった場合、その出力に、一部手を
加え、鳳パターンメそり４２に入力することも可能であ
る。
（へ）発明の詳細
な説明したように、本発明によればマスク基板の繰返し
パターン部を検査する場合、全てのパターンについての
原データＤａをマスク基板の走査に同期して逐次ビット
単位の原パターンデータＤ４に変換する必要がないので
、検査時間を大幅に縮少する仁とができる。さらに１本
発明によれば、繰返しパターン部についての原データ全
てをマグネティックテープ３８等の記憶媒体に蓄積さゼ
でおく必要がないので、その記憶媒体を大幅に少なくす
ることができる。
パターン部を検査する場合、全てのパターンについての
原データＤａをマスク基板の走査に同期して逐次ビット
単位の原パターンデータＤ４に変換する必要がないので
、検査時間を大幅に縮少する仁とができる。さらに１本
発明によれば、繰返しパターン部についての原データ全
てをマグネティックテープ３８等の記憶媒体に蓄積さゼ
でおく必要がないので、その記憶媒体を大幅に少なくす
ることができる。
第１図は、マスク基板の平面図、第２図はマスク基板中
の繰返しパターン部の拡大平面図、第３図は本発明の一
実施例であるパターン検査装置の概略ブロック図、第４
図はマスク基板上の走査を説明するための平面図、１５
図は基本パターン等を説明するための平面図、第６図は
被パターン信号を示す１８号図、第７図は被パターンデ
ータｌｆＬパターンデータ及び繰返し基本パターンデー
タ等を示すデータ構成図、第８図は比較信号を示す信号
図である。 図中、１００社走量手段、３４はＡ／Ｄ変換手段、３６
は被パターンメそり手段、４０は原データ変換＋段、４
２＃１Ｊｆｔパタ一ンメモリ手段、４４は入力手段、５
０は比較手段の一部、０１は被パターン信号、ＤＩは被
パターンデータ、Ｄａは原データ、Ｄ４は原パターンデ
ータ、ＤｓＦｉ繰返し基本パターンデータである。
の繰返しパターン部の拡大平面図、第３図は本発明の一
実施例であるパターン検査装置の概略ブロック図、第４
図はマスク基板上の走査を説明するための平面図、１５
図は基本パターン等を説明するための平面図、第６図は
被パターン信号を示す１８号図、第７図は被パターンデ
ータｌｆＬパターンデータ及び繰返し基本パターンデー
タ等を示すデータ構成図、第８図は比較信号を示す信号
図である。 図中、１００社走量手段、３４はＡ／Ｄ変換手段、３６
は被パターンメそり手段、４０は原データ変換＋段、４
２＃１Ｊｆｔパタ一ンメモリ手段、４４は入力手段、５
０は比較手段の一部、０１は被パターン信号、ＤＩは被
パターンデータ、Ｄａは原データ、Ｄ４は原パターンデ
ータ、ＤｓＦｉ繰返し基本パターンデータである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、繰返しパターン部を有する高密度パターンを形成し
たマスク基板を走査して得た信号と、該パターンの原デ
ータから得た信号とを比較照合するパターン検査方法に
おいて、該繰返しパターン部：を検査する時は、該マス
ク基板を走査して得た信□ 号に対応する被パターンデータと該繰返しパター：・部
の基本バター・に対応する繰返し基本パタ二ｙｆ−′Ｂ
：’ｆｒ″！ＬＪｔｌｌＲＭ＠１．．１ＭＬ、′＜ｊ、
−。 ン部以外の高密度パターンを検査する時は、該被）パタ
ーンデータと上記走査に・同期して前記原デー：りを逐
次変換して得た原パターンデータとを比較１照合するこ
とを特徴とするパターン検査方法・ ）し ２、繰返しパターン部を有する高密度パターンを１、： 形成したマスク基板を該パターンの原データをも１とに
検査するパターン検査装置において、該マス１り基板を
走査して得た元信号を光電変換して被パーターン信号を
出力する走査ｉ段と、咳被パターン信号をＡ／Ｄ変換し
て仮パターンデータを出力するＡ／Ｄ変換手段と、該パ
ターンの原データを前記走査に同期して逐次変換して原
パターンデータを出力する原データ変換手段と、該原パ
ターンデータを一時蓄積する原パターンメモリ手段と、
該繰返しパターン部の基本パターンに対応する繰返し基
本パターンデータを前記Ｍパターンメモリ手段に入力す
る入力手段と、ｌｔｌ記走査手段が前記繰返しパターン
部を走査する時は、該繰返し基本パターンデータを該入
力手段より該原パターンメモリ手段に入力し、そのデー
タを被パターンデータと繰返し比較照合し、該走査手段
が前記繰返しパターイ部以外を走査する時は、該原パタ
ーンデータを絡みデータ変換手段より前起原パターンメ
モリ９＝蕨に入力し、そのデータを被パターンデータと
逐次比較摺合する比較照合手段とを具備することを特徴
とするパターン検査装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58249318A JPS60138924A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | パタ−ン検査方法及びその装置 |
| EP84308998A EP0147205B1 (en) | 1983-12-27 | 1984-12-21 | Pattern inspection |
| DE8484308998T DE3482947D1 (de) | 1983-12-27 | 1984-12-21 | Musterinspektion. |
| KR1019840008342A KR900001268B1 (ko) | 1983-12-27 | 1984-12-26 | 패턴 검사방법 및 장치 |
| US06/686,896 US4673816A (en) | 1983-12-27 | 1984-12-27 | Method for inspecting a pattern and an apparatus for inspecting a pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58249318A JPS60138924A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | パタ−ン検査方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60138924A true JPS60138924A (ja) | 1985-07-23 |
Family
ID=17191209
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58249318A Pending JPS60138924A (ja) | 1983-12-27 | 1983-12-27 | パタ−ン検査方法及びその装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4673816A (ja) |
| EP (1) | EP0147205B1 (ja) |
| JP (1) | JPS60138924A (ja) |
| KR (1) | KR900001268B1 (ja) |
| DE (1) | DE3482947D1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6147635A (ja) * | 1984-08-14 | 1986-03-08 | Nippon Jido Seigyo Kk | パタ−ンの欠陥検査装置に用いるパタ−ンの判定方法 |
| JPS63111586A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-16 | Hitachi Ltd | パタ−ン欠陥検査方法 |
Families Citing this family (7)
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| US5157762A (en) * | 1990-04-10 | 1992-10-20 | Gerber Systems Corporation | Method and apparatus for providing a three state data base for use with automatic optical inspection systems |
| US5163128A (en) * | 1990-07-27 | 1992-11-10 | Gerber Systems Corporation | Method and apparatus for generating a multiple tolerance, three state data base for use with automatic optical inspection systems |
| JPH06222747A (ja) * | 1992-10-08 | 1994-08-12 | Fujitsu Isotec Ltd | フォント圧縮装置及びフォント復元装置 |
| US7561270B2 (en) * | 2000-08-24 | 2009-07-14 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby |
| TW527526B (en) * | 2000-08-24 | 2003-04-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
| US7227994B2 (en) * | 2003-03-20 | 2007-06-05 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for imbedded pattern recognition using dual alternating pointers |
| US7103750B2 (en) | 2003-03-20 | 2006-09-05 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for finding repeated substrings in pattern recognition |
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| JPS57196530A (en) * | 1981-05-28 | 1982-12-02 | Fujitsu Ltd | Inspection of pattern |
| JPS57206025A (en) * | 1981-06-01 | 1982-12-17 | Fujitsu Ltd | Pattern inspecting system |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2824849C2 (de) * | 1978-06-06 | 1982-12-16 | GAO Gesellschaft für Automation und Organisation mbH, 8000 München | Verfahren und Vorrichtung zur Feststellung des Zustandes und/oder der Echtheit von Blattgut |
| DE3070433D1 (en) * | 1980-12-18 | 1985-05-09 | Ibm | Method for the inspection and automatic sorting of objects with configurations of fixed dimensional tolerances, and device for carrying out the method |
| JPH0750664B2 (ja) * | 1983-06-23 | 1995-05-31 | 富士通株式会社 | レチクルの検査方法 |
-
1983
- 1983-12-27 JP JP58249318A patent/JPS60138924A/ja active Pending
-
1984
- 1984-12-21 DE DE8484308998T patent/DE3482947D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1984-12-21 EP EP84308998A patent/EP0147205B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-12-26 KR KR1019840008342A patent/KR900001268B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1984-12-27 US US06/686,896 patent/US4673816A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
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| JPS63111586A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-16 | Hitachi Ltd | パタ−ン欠陥検査方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR900001268B1 (ko) | 1990-03-05 |
| EP0147205B1 (en) | 1990-08-08 |
| KR850005153A (ko) | 1985-08-21 |
| US4673816A (en) | 1987-06-16 |
| EP0147205A2 (en) | 1985-07-03 |
| DE3482947D1 (de) | 1990-09-13 |
| EP0147205A3 (en) | 1987-08-26 |
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