JP2867971B2 - マスクの検査方法およびその検査装置 - Google Patents
マスクの検査方法およびその検査装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置を製造
する際のリソグラフィ技術を用いたレジストパターン形
成に使用するフォトマスクあるいはフォトレチクル（以
下、マスク、と総称する）の検査方法およびその検査装
置に係わり、特に、このマスク上の欠陥の検査方法およ
びその検査装置に関する。
する際のリソグラフィ技術を用いたレジストパターン形
成に使用するフォトマスクあるいはフォトレチクル（以
下、マスク、と総称する）の検査方法およびその検査装
置に係わり、特に、このマスク上の欠陥の検査方法およ
びその検査装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来技術のマスク上のパターンの欠陥検
査は、マスク上のパターン間どうしを比較検査で行う方
法と、マスク上のパターンとマスク設計データとの間の
比較検査で行う方法とがあった。
査は、マスク上のパターン間どうしを比較検査で行う方
法と、マスク上のパターンとマスク設計データとの間の
比較検査で行う方法とがあった。
【０００３】これらの検査方法は、マスク上に作成する
パターンの配置により選択されていた。すなわち、図８
（Ａ）に示したように、同一マスク上に同一のチップパ
ターン２４が複数個繰り返して整列に配置されたマスク
（多面付けマスク、と呼ばれる）には、マスク上のパタ
ーン間どうしの比較検査が行なわれており、図８（Ｂ）
に示したような、同一マスク上に単一のチップパターン
２４が配置されたマスク（単面付けマスク、と呼ばれ
る）は、マスク設計データとマスク上のパターンとの間
の比較検査が行なわれていた。
パターンの配置により選択されていた。すなわち、図８
（Ａ）に示したように、同一マスク上に同一のチップパ
ターン２４が複数個繰り返して整列に配置されたマスク
（多面付けマスク、と呼ばれる）には、マスク上のパタ
ーン間どうしの比較検査が行なわれており、図８（Ｂ）
に示したような、同一マスク上に単一のチップパターン
２４が配置されたマスク（単面付けマスク、と呼ばれ
る）は、マスク設計データとマスク上のパターンとの間
の比較検査が行なわれていた。
【０００４】上述した従来技術の検査方法および検査装
置については、例えば特開昭５８−２７３２３号公報に
記載されている。
置については、例えば特開昭５８−２７３２３号公報に
記載されている。
【０００５】以下、従来技術の検査方法および検査装置
について図６乃至図８を参照して説明する。
について図６乃至図８を参照して説明する。
【０００６】図６（Ａ）および図６（Ｂ）は従来技術に
おけるマスク作成工程を示す工程フロー図であり、図７
はマスク検査装置を示し、図８（Ａ）および図８（Ｂ）
はマスク上のパターンの配置図を示している。
おけるマスク作成工程を示す工程フロー図であり、図７
はマスク検査装置を示し、図８（Ａ）および図８（Ｂ）
はマスク上のパターンの配置図を示している。
【０００７】まず、図６（Ａ）に示した、多面付けの作
成マスク１ａの作成工程および検査工程は、チップパタ
ーン部２４（１チップ分）のパターンデータを作成し、
これをマスク設計データ１００ａとし、これを複数個繰
り返して整列に配置することにより作成マスク１ａ上に
パターン形成し、作成マスク１ａ上のパターン間どうし
の比較検査を行っていた。
成マスク１ａの作成工程および検査工程は、チップパタ
ーン部２４（１チップ分）のパターンデータを作成し、
これをマスク設計データ１００ａとし、これを複数個繰
り返して整列に配置することにより作成マスク１ａ上に
パターン形成し、作成マスク１ａ上のパターン間どうし
の比較検査を行っていた。
【０００８】また、図６（Ｂ）に示した単面付けの作成
マスク１ａの作成工程及び検査工程は、チップパターン
部２４（１チップ分）のパターンデータを作成し、これ
をマスク設計データ１００ａとし、これを単一で配置し
て、作成マスク１ａ上にパターン形成を行い、作成マス
ク１ａ上のパターンとマスク設計データ１００ａとの間
の比較検査を行っていた。
マスク１ａの作成工程及び検査工程は、チップパターン
部２４（１チップ分）のパターンデータを作成し、これ
をマスク設計データ１００ａとし、これを単一で配置し
て、作成マスク１ａ上にパターン形成を行い、作成マス
ク１ａ上のパターンとマスク設計データ１００ａとの間
の比較検査を行っていた。
【０００９】さらに、作成マスク１ａの欠陥検査に使用
する検査装置は、図７に示したように、作成マスク１ａ
を支持し同時に水平移動させるステージ１１を備え、作
成マスク１ａ上のパターン像を検出する検出系２ａおよ
び検出系２ｂを備え、検出系２ａおよび検出系２ｂの出
力と、磁気ディスク７を経由してマスク設計データ１０
０ａとを入力とする特徴抽出部８を備え、特徴抽出部８
の出力を入力とする比較検査装置９を備え、比較検査装
置９の結果を出力する出力装置１０を備えている。
する検査装置は、図７に示したように、作成マスク１ａ
を支持し同時に水平移動させるステージ１１を備え、作
成マスク１ａ上のパターン像を検出する検出系２ａおよ
び検出系２ｂを備え、検出系２ａおよび検出系２ｂの出
力と、磁気ディスク７を経由してマスク設計データ１０
０ａとを入力とする特徴抽出部８を備え、特徴抽出部８
の出力を入力とする比較検査装置９を備え、比較検査装
置９の結果を出力する出力装置１０を備えている。
【００１０】ここで、検出系２ａおよび検出系２ｂは、
各々に、各マスクの上方に配置した対物レンズ３ａおよ
び３ｂを備え、各対物レンズの上方に配置したリニアイ
メージセンサー４ａおよび４ｂを備え、各リニアイメー
ジセンサーの出力を接続した光電変換装置５ａおよび５
ｂを備えており、検出系２ａおよび検出系２ｂの出力
は、特徴抽出部８において量子化したマスク上のパター
ン像になり、さらに比較検査装置９で比較されマスク上
の欠陥が検出される構成となっている。
各々に、各マスクの上方に配置した対物レンズ３ａおよ
び３ｂを備え、各対物レンズの上方に配置したリニアイ
メージセンサー４ａおよび４ｂを備え、各リニアイメー
ジセンサーの出力を接続した光電変換装置５ａおよび５
ｂを備えており、検出系２ａおよび検出系２ｂの出力
は、特徴抽出部８において量子化したマスク上のパター
ン像になり、さらに比較検査装置９で比較されマスク上
の欠陥が検出される構成となっている。
【００１１】また、検出系２ｂは水平駆動部６ｂにより
水平方向位置を変える手段も備えている。
水平方向位置を変える手段も備えている。
【００１２】次に、図７の検査装置の動作について説明
する。
する。
【００１３】まず、多面付けマスクのマスク上のパター
ンどうしの比較検査では、作成マスク１ａを支持したス
テージ１１上を移動し、検出系２ａを検査開始位置１１
４ａ（図８（Ａ））上に移動し、水平駆動部６ｂにより
検出系２ｂを検査開始位置１１４ｂ（図８（Ａ））上に
移動する。この動作により、検出系２ａと検出系２ｂは
各チップパターン部２４上の同じ位置に設置される。こ
の後、ステージ１１上を移動し、マスク上のパターン像
を検出系２ａおよび２ｂから検出する。
ンどうしの比較検査では、作成マスク１ａを支持したス
テージ１１上を移動し、検出系２ａを検査開始位置１１
４ａ（図８（Ａ））上に移動し、水平駆動部６ｂにより
検出系２ｂを検査開始位置１１４ｂ（図８（Ａ））上に
移動する。この動作により、検出系２ａと検出系２ｂは
各チップパターン部２４上の同じ位置に設置される。こ
の後、ステージ１１上を移動し、マスク上のパターン像
を検出系２ａおよび２ｂから検出する。
【００１４】また、単面付けマスクのマスク上のパター
ンとマスク設計データとの比較検査は、ステージ１１上
を移動し、検出系２ａを検査開始位置１１４ｃ（図８
（Ｂ））上に移動する。この後、ステージ１１上を移動
し、マスク上のパターン像を検出系２ａから検出しこれ
をマスク設計データ１００ａと比較する。
ンとマスク設計データとの比較検査は、ステージ１１上
を移動し、検出系２ａを検査開始位置１１４ｃ（図８
（Ｂ））上に移動する。この後、ステージ１１上を移動
し、マスク上のパターン像を検出系２ａから検出しこれ
をマスク設計データ１００ａと比較する。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】上述した多面付けマス
クに使用されるマスク上のパターンどうしの比較検査の
特徴は、パターンデータの転送を必要としないため検査
時間が短いという利点を有しているが、適用できるパタ
ーン配置が限定される（多面付けマスクに限定される）
という欠点を有していた。
クに使用されるマスク上のパターンどうしの比較検査の
特徴は、パターンデータの転送を必要としないため検査
時間が短いという利点を有しているが、適用できるパタ
ーン配置が限定される（多面付けマスクに限定される）
という欠点を有していた。
【００１６】これに対して、単面付けマスクに使用され
るマスク設計データとマスク上のパターンとの間の比較
検査は、適用できるパターン配置の制約がないという利
点を有しているが、マスク設計データを転送するため検
査時間が長くなるという欠点を有していた。
るマスク設計データとマスク上のパターンとの間の比較
検査は、適用できるパターン配置の制約がないという利
点を有しているが、マスク設計データを転送するため検
査時間が長くなるという欠点を有していた。
【００１７】また、近年の半導体装置では、チップ面積
が増大しチップ配置が単面付けとなり、また、パターン
データ量も増加しているため、従来技術のマスクの欠陥
検査においては、特に、単面付けマスクの検査時間の短
縮化が課題になっている。
が増大しチップ配置が単面付けとなり、また、パターン
データ量も増加しているため、従来技術のマスクの欠陥
検査においては、特に、単面付けマスクの検査時間の短
縮化が課題になっている。
【００１８】本発明の目的は、上記した単面付けマスク
のようにマスク上に作成した全パターンをマスク設計デ
ータとの間で比較検査しているマスクの欠陥検査時間を
短縮することができる検査方法およびその検査装置を提
供することにある。
のようにマスク上に作成した全パターンをマスク設計デ
ータとの間で比較検査しているマスクの欠陥検査時間を
短縮することができる検査方法およびその検査装置を提
供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、半導体
装置を製造する際に用いるマスクの検査方法において、
基準パターン部を有する基準マスクを作成し、作成マス
ク（本明細書で作成マスクとは、半導体装置を製造する
ために実際に使用するマスクであり、マスク検査の対象
となるマスクのことを称す）の共通パターン部は基準マ
スクの基準パターン部と同一のパターンデータで作成
し、基準パターン部および共通パターン部から個別パタ
ーン部と重なる領域を除外した領域の位置データを出力
し、作成マスク上のパターン形成は基準マスクと同一の
パターン形成工程で行い、作成マスクの、個別パターン
部と重なる領域を除外した領域の欠陥検査は基準マスク
とのパターンどうしの比較検査で行い、これ以外の領域
の欠陥検査は作成マスク上のパターンをマスク設計デー
タとの間の比較検査で行うマスクの検査方法にある。こ
こで、同一の基準マスクをパターンデータの異なる複数
個の作成マスクの比較検査に使用することができる。
装置を製造する際に用いるマスクの検査方法において、
基準パターン部を有する基準マスクを作成し、作成マス
ク（本明細書で作成マスクとは、半導体装置を製造する
ために実際に使用するマスクであり、マスク検査の対象
となるマスクのことを称す）の共通パターン部は基準マ
スクの基準パターン部と同一のパターンデータで作成
し、基準パターン部および共通パターン部から個別パタ
ーン部と重なる領域を除外した領域の位置データを出力
し、作成マスク上のパターン形成は基準マスクと同一の
パターン形成工程で行い、作成マスクの、個別パターン
部と重なる領域を除外した領域の欠陥検査は基準マスク
とのパターンどうしの比較検査で行い、これ以外の領域
の欠陥検査は作成マスク上のパターンをマスク設計デー
タとの間の比較検査で行うマスクの検査方法にある。こ
こで、同一の基準マスクをパターンデータの異なる複数
個の作成マスクの比較検査に使用することができる。
【００２０】本発明の他の特徴は、上記マスクの検査方
法に用いるマスクの検査装置であって、前記基準マスク
および前記作成マスク上のパターン像をそれぞれ検出す
る２系統の検出系を有し、前記位置データを入力し各検
出系の水平方向位置を変えるようにしたマスクの検査装
置にある。
法に用いるマスクの検査装置であって、前記基準マスク
および前記作成マスク上のパターン像をそれぞれ検出す
る２系統の検出系を有し、前記位置データを入力し各検
出系の水平方向位置を変えるようにしたマスクの検査装
置にある。
【００２１】このような本発明によれば、作成マスクの
共通パターン部と基準マスクの基準パターン部とは、同
一のパターン像が形成され、領域を位置データとして出
力し、検査装置ではこれを入力して検出系を同一のパタ
ーンの位置に設置できるため、単面付けマスクにおいて
も共通パターン部は基準マスクとのパターン上の比較検
査が可能となり、マスクの欠陥検査時間を短縮すること
ができる。
共通パターン部と基準マスクの基準パターン部とは、同
一のパターン像が形成され、領域を位置データとして出
力し、検査装置ではこれを入力して検出系を同一のパタ
ーンの位置に設置できるため、単面付けマスクにおいて
も共通パターン部は基準マスクとのパターン上の比較検
査が可能となり、マスクの欠陥検査時間を短縮すること
ができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】次に、本発明の第１の実施の形態
について、図１に示したマスク作成工程フロー図と、図
２に示したマスク検査装置図と、図３（Ａ）および図３
（Ｂ）に示したマスク上のパターン配置図と、図３
（Ａ）および図３（Ｂ）をそれぞれ拡大して示した図４
（Ａ）および図４（Ｂ）とを参照して詳細に説明する。
について、図１に示したマスク作成工程フロー図と、図
２に示したマスク検査装置図と、図３（Ａ）および図３
（Ｂ）に示したマスク上のパターン配置図と、図３
（Ａ）および図３（Ｂ）をそれぞれ拡大して示した図４
（Ａ）および図４（Ｂ）とを参照して詳細に説明する。
【００２３】まず図１を参照して本発明のマスクの作成
および欠陥検査工程は、基準マスク設計データ１００ｂ
を作成する工程と、基準マスク１ｂ上にパターン形成す
る工程と、作成マスク設計データ１００ａを作成する工
程と、作成マスク１ａ上にパターン形成する工程と、作
成マスク１ａの欠陥検査は検査領域を分割し、共通パタ
ーン部２１の検査をマスク上のパターンどうしの比較で
行う工程と、検査パターン部２５の検査をマスク上のパ
ターンと設計データとの比較で行う工程とを備えてい
る。
および欠陥検査工程は、基準マスク設計データ１００ｂ
を作成する工程と、基準マスク１ｂ上にパターン形成す
る工程と、作成マスク設計データ１００ａを作成する工
程と、作成マスク１ａ上にパターン形成する工程と、作
成マスク１ａの欠陥検査は検査領域を分割し、共通パタ
ーン部２１の検査をマスク上のパターンどうしの比較で
行う工程と、検査パターン部２５の検査をマスク上のパ
ターンと設計データとの比較で行う工程とを備えてい
る。
【００２４】さらに、上記した各工程において、まず基
準マスク設計データ１００ｂを作成する工程は、基準パ
ターン部２２のパターンデータを作成し、これを基準パ
ターン部マスク設計データ１２２として出力し、このパ
ターンデータをマスク上に配置し、これを基準マスク設
計データ１００ｂとして出力し、配置した位置を基準パ
ターン部位置データ１１２として出力することを備えて
いる。
準マスク設計データ１００ｂを作成する工程は、基準パ
ターン部２２のパターンデータを作成し、これを基準パ
ターン部マスク設計データ１２２として出力し、このパ
ターンデータをマスク上に配置し、これを基準マスク設
計データ１００ｂとして出力し、配置した位置を基準パ
ターン部位置データ１１２として出力することを備えて
いる。
【００２５】次に、基準マスク１ｂ上にパターン形成す
る工程は、リソグラフィ技術および選択エッチング法を
用いて、基準マスク設計データ１００ｂを基準マスク１
ｂ上にパターン形成することを備えている。
る工程は、リソグラフィ技術および選択エッチング法を
用いて、基準マスク設計データ１００ｂを基準マスク１
ｂ上にパターン形成することを備えている。
【００２６】次に、作成マスク設計データ１００ａを作
成する工程は、基準パターン部マスク設計データ１２２
を共通パターン部２１のパターンデータとし、個別パタ
ーン部２３のパターンデータを作成し、マスク上に共通
パターン部２１と個別パターン部２３を配置し、このパ
ターンデータを作成マスク設計データ１００ａとして出
力し、さらに、個別パターン部２３の全領域と共通パタ
ーン部２１の一部を検査パターン部２５とし、検査パタ
ーン部２５を検査パターンデータ１２５として出力し、
共通パターン部２１および検査パターン部２５の配置位
置を共通パターン部位置データ１１１およ検査位置デー
タ１１５として出力することを備えている。
成する工程は、基準パターン部マスク設計データ１２２
を共通パターン部２１のパターンデータとし、個別パタ
ーン部２３のパターンデータを作成し、マスク上に共通
パターン部２１と個別パターン部２３を配置し、このパ
ターンデータを作成マスク設計データ１００ａとして出
力し、さらに、個別パターン部２３の全領域と共通パタ
ーン部２１の一部を検査パターン部２５とし、検査パタ
ーン部２５を検査パターンデータ１２５として出力し、
共通パターン部２１および検査パターン部２５の配置位
置を共通パターン部位置データ１１１およ検査位置デー
タ１１５として出力することを備えている。
【００２７】次に、作成マスク１ａ上にパターン形成す
る工程は、前述した基準マスク１ｂのパターン形成工程
と同一の工程を使用し、作成マスク設計データ１００ａ
を作成マスク１ａ上にパターン形成することを備えてい
る。
る工程は、前述した基準マスク１ｂのパターン形成工程
と同一の工程を使用し、作成マスク設計データ１００ａ
を作成マスク１ａ上にパターン形成することを備えてい
る。
【００２８】次に、作成マスク１ａの共通パターン部２
１の欠陥検査工程は、図２に示した検査装置を使用し、
共通パターン部位置データ１１１と基準パターン部位置
データ１１２を使用し、作成マスク１ａの共通パターン
部２１と基準マスク１ｂの基準パターン部２２とのマス
ク上のパターンを比較検査することを備えている。
１の欠陥検査工程は、図２に示した検査装置を使用し、
共通パターン部位置データ１１１と基準パターン部位置
データ１１２を使用し、作成マスク１ａの共通パターン
部２１と基準マスク１ｂの基準パターン部２２とのマス
ク上のパターンを比較検査することを備えている。
【００２９】次に、作成マスク１ａの検査パターン部２
５の欠陥検査工程は、図２に示した検査装置を使用し、
検査位置データ１１５を使用し、作成マスク１ａの検査
パターン部２５のマスク上のパターンと検査パターンデ
ータ１２５とを比較検査することを備えている。
５の欠陥検査工程は、図２に示した検査装置を使用し、
検査位置データ１１５を使用し、作成マスク１ａの検査
パターン部２５のマスク上のパターンと検査パターンデ
ータ１２５とを比較検査することを備えている。
【００３０】また、上記の欠陥検査に使用する検査装置
は、図２に示したように、作成マスク１ａと基準マスク
１ｂを支持し同時に水平移動させるステージ１１を備
え、作成マスク１ａ上のパターン像を検出する検出系２
ａを備え、基準マスク１ｂ上のパターン像を検出する検
出系２ｂを備え、検出系２ａおよび検出系２ｂの出力
と、磁気ディスク７を経由した検査パターンデータ１２
５とを入力とする特徴抽出部８を備え、特徴抽出部８の
出力を入力とする比較検査装置９を備え、比較検査装置
８の結果を出力する出力装置１０を備えている。
は、図２に示したように、作成マスク１ａと基準マスク
１ｂを支持し同時に水平移動させるステージ１１を備
え、作成マスク１ａ上のパターン像を検出する検出系２
ａを備え、基準マスク１ｂ上のパターン像を検出する検
出系２ｂを備え、検出系２ａおよび検出系２ｂの出力
と、磁気ディスク７を経由した検査パターンデータ１２
５とを入力とする特徴抽出部８を備え、特徴抽出部８の
出力を入力とする比較検査装置９を備え、比較検査装置
８の結果を出力する出力装置１０を備えている。
【００３１】さらに、検出系２ａおよび検出系２ｂは、
各々に、水平駆動部６ａおよび６ｂを備え、各マスクの
上方に配置した対物レンズ３ａおよび３ｂを備え、各対
物レンズの上方に配置したリニアイメージセンサー４ａ
および４ｂを備え、各リニアイメージセンサーの出力を
接続した光電変換装置５ａおよび５ｂを備えており、検
出系２ａおよび検出系２ｂの出力は、特徴抽出部８にお
いて量子化したマスク上のパターン像になり、さらに比
較検査装置９で比較されマスク上の欠陥が検出される構
成となっている。
各々に、水平駆動部６ａおよび６ｂを備え、各マスクの
上方に配置した対物レンズ３ａおよび３ｂを備え、各対
物レンズの上方に配置したリニアイメージセンサー４ａ
および４ｂを備え、各リニアイメージセンサーの出力を
接続した光電変換装置５ａおよび５ｂを備えており、検
出系２ａおよび検出系２ｂの出力は、特徴抽出部８にお
いて量子化したマスク上のパターン像になり、さらに比
較検査装置９で比較されマスク上の欠陥が検出される構
成となっている。
【００３２】また、水平駆動部６ａは、共通パターン部
位置データ１１１あるいは検査位置データ１１５を入力
して検出系２ａの水平方向位置を変え、水平駆動部６ｂ
は、基準パターン部位置データ１１２を入力して、検出
系２ｂの水平方向位置を変える構成となっている。
位置データ１１１あるいは検査位置データ１１５を入力
して検出系２ａの水平方向位置を変え、水平駆動部６ｂ
は、基準パターン部位置データ１１２を入力して、検出
系２ｂの水平方向位置を変える構成となっている。
【００３３】次に、本発明のマスクの作成および欠陥検
査工程における各動作について、図面を参照して説明す
る。図３（Ａ）は作成マスク上のパターンのパターン配
置図であり、点ａ１１１（ｘ，ｙ座標がｘ１１１，ｙ１
１１、以下同様）とａ１１２を有して共通パターン部位
置データ１１１を構成し、点ｃ２１１とｃ２１２を有し
て検査位置データ１１３を構成している。図３（Ｂ）は
基準マスク上のパターンのパターン配置図であり、点ｂ
００１とｂ００２を有して基準パターン部位置データ１
１２を構成している。また、図４（Ａ）は作成マスクの
点ａ１１１の付近を拡大して示した図であり、図４
（Ｂ）は作成マスクの点ｂ００１の付近を拡大して示し
た図である。
査工程における各動作について、図面を参照して説明す
る。図３（Ａ）は作成マスク上のパターンのパターン配
置図であり、点ａ１１１（ｘ，ｙ座標がｘ１１１，ｙ１
１１、以下同様）とａ１１２を有して共通パターン部位
置データ１１１を構成し、点ｃ２１１とｃ２１２を有し
て検査位置データ１１３を構成している。図３（Ｂ）は
基準マスク上のパターンのパターン配置図であり、点ｂ
００１とｂ００２を有して基準パターン部位置データ１
１２を構成している。また、図４（Ａ）は作成マスクの
点ａ１１１の付近を拡大して示した図であり、図４
（Ｂ）は作成マスクの点ｂ００１の付近を拡大して示し
た図である。
【００３４】まず、基準マスク設計データ１００ｂを作
成する工程では、図４（Ｂ）に示したように、基準パタ
ーン部位置データ１１２は、基準パターン部２２のパタ
ーンデータの範囲より内側とする（図４（Ｂ）の点ｂ０
０１）。このことにより、基準パターン部２２と個別パ
ターン部２３とが接続する領域（図４（Ｂ）の点線の左
側の部分）は、後述するマスク上のパターンどうしの比
較検査において、検査領域から除外される。
成する工程では、図４（Ｂ）に示したように、基準パタ
ーン部位置データ１１２は、基準パターン部２２のパタ
ーンデータの範囲より内側とする（図４（Ｂ）の点ｂ０
０１）。このことにより、基準パターン部２２と個別パ
ターン部２３とが接続する領域（図４（Ｂ）の点線の左
側の部分）は、後述するマスク上のパターンどうしの比
較検査において、検査領域から除外される。
【００３５】次に、作成マスク設計データ１００ａを作
成する工程では、まず、基準パターン部位置データ１１
２（図４（Ｂ）の点ｂ００１）と同様に、共通パターン
部位置データ１１１（図４（Ａ）の点ａ１１１）は、共
通パターン部２１のパターンデータの範囲より内側の点
とする。また、個別パターン部２３の全領域と前述した
基準パターン部２２と個別パターン部２３とが接続する
領域を検査パターン部２５とする。
成する工程では、まず、基準パターン部位置データ１１
２（図４（Ｂ）の点ｂ００１）と同様に、共通パターン
部位置データ１１１（図４（Ａ）の点ａ１１１）は、共
通パターン部２１のパターンデータの範囲より内側の点
とする。また、個別パターン部２３の全領域と前述した
基準パターン部２２と個別パターン部２３とが接続する
領域を検査パターン部２５とする。
【００３６】さらに、作成マスク１ａの共通パターン部
２１の欠陥検査工程では、まず、作成マスク１ａおよび
基準マスク１ｂをステージ１１上に固定し、共通パター
ン部位置データ１１１および基準パターン部位置データ
１１２を水平駆動部６ａおよび６ｂに入力し、検出系２
ａおよび２ｂを作成マスク１ａおよび基準マスク１ｂの
パターン上（図４（Ａ）のａ１１１および図４（Ｂ）の
ｂ００１）に移動する。
２１の欠陥検査工程では、まず、作成マスク１ａおよび
基準マスク１ｂをステージ１１上に固定し、共通パター
ン部位置データ１１１および基準パターン部位置データ
１１２を水平駆動部６ａおよび６ｂに入力し、検出系２
ａおよび２ｂを作成マスク１ａおよび基準マスク１ｂの
パターン上（図４（Ａ）のａ１１１および図４（Ｂ）の
ｂ００１）に移動する。
【００３７】この動作により、検出系２ａと検出系２ｂ
は各マスクのパターン上の同じ位置に固定される。この
後、ステージ１１上を移動し、マスク上のパターン像を
検出系２ａおよび２ｂから検出し、共通パターン部２１
と基準パターン部２２とのマスク上のパターンどうしの
比較検査を行う。
は各マスクのパターン上の同じ位置に固定される。この
後、ステージ１１上を移動し、マスク上のパターン像を
検出系２ａおよび２ｂから検出し、共通パターン部２１
と基準パターン部２２とのマスク上のパターンどうしの
比較検査を行う。
【００３８】また、作成マスク１ａの検査パターン部２
５の欠陥検査工程では、検査位置データ１１５を水平駆
動部６ａに入力し、作成マスク１ａのパターン上（図３
（Ａ）のｃ２１１）に検出系２ａを移動し、その後ステ
ージ１１を移動し、マスク上のパターン像を検出系２ａ
から検出し、これと検査パターンデータ１２５を比較検
査する。
５の欠陥検査工程では、検査位置データ１１５を水平駆
動部６ａに入力し、作成マスク１ａのパターン上（図３
（Ａ）のｃ２１１）に検出系２ａを移動し、その後ステ
ージ１１を移動し、マスク上のパターン像を検出系２ａ
から検出し、これと検査パターンデータ１２５を比較検
査する。
【００３９】なお、全パターンをマスク設計データとの
比較検査で行った場合には検査時間が１５０分程度要し
ていた単面付けマスクに、本発明による検査方法を使用
した場合に、データパターン数で全体の８０％程度をマ
スク上のパターンどうしの比較検査とすることにより、
全検査時間は９０分程度になる。
比較検査で行った場合には検査時間が１５０分程度要し
ていた単面付けマスクに、本発明による検査方法を使用
した場合に、データパターン数で全体の８０％程度をマ
スク上のパターンどうしの比較検査とすることにより、
全検査時間は９０分程度になる。
【００４０】次に、本発明の第２の実施の形態を説明す
る。先の第１の実施の形態においては、作成マスク１ａ
および基準マスク１ｂ上に単一の基準パターン部２２お
よび共通パターン部２１がある例を示したが、本発明で
は、基準マスク１ｂ上および作成マスク１ａ上に複数個
の基準パターン部２２あるいは共通パターン部２１を作
成することが可能であり、これを第２の実施形態とす
る。
る。先の第１の実施の形態においては、作成マスク１ａ
および基準マスク１ｂ上に単一の基準パターン部２２お
よび共通パターン部２１がある例を示したが、本発明で
は、基準マスク１ｂ上および作成マスク１ａ上に複数個
の基準パターン部２２あるいは共通パターン部２１を作
成することが可能であり、これを第２の実施形態とす
る。
【００４１】以下に図面を参照して説明する。図５
（Ａ）は第２の実施の形態における作成マスク１ａ上の
パターン配置図であり、図５（Ｂ）は第２の実施の形態
における基準マスク１ｂ上のパターン配置図である。
（Ａ）は第２の実施の形態における作成マスク１ａ上の
パターン配置図であり、図５（Ｂ）は第２の実施の形態
における基準マスク１ｂ上のパターン配置図である。
【００４２】なお、本第２の実施の形態に使用する欠陥
検査装置は、先の第１の実施の形態と同じ検査装置（図
２）を使用し、工程フローも同じ（図１）である。
検査装置は、先の第１の実施の形態と同じ検査装置（図
２）を使用し、工程フローも同じ（図１）である。
【００４３】本第２の実施の形態では、基準マスク１ｂ
上に３個の基準パターン部２２を作成し（図５
（Ｂ））、作成マスク１ａ上には、共通パターン部２１
は基準パターンＡを２個と個別パターン部２３を作成す
る（図５（Ａ））。
上に３個の基準パターン部２２を作成し（図５
（Ｂ））、作成マスク１ａ上には、共通パターン部２１
は基準パターンＡを２個と個別パターン部２３を作成す
る（図５（Ａ））。
【００４４】この例において作成マスク１ａの欠陥検査
は、以下のように行う。
は、以下のように行う。
【００４５】まず、作成マスク１ａおよび基準マスク１
ｂをステージ１１上に固定する。
ｂをステージ１１上に固定する。
【００４６】次に、共通パターン部位置データ１１１お
よび基準パターン部位置データ１１２を水平駆動部６ａ
および６ｂに入力し、作成マスク１ａおよび基準マスク
１ｂのパターン上（図５（Ａ）のａ１２１および図５
（Ｂ）のｂ０１１）に検出系２ａおよび２ｂを移動さ
せ、ステージ１１を移動させる。これにより、共通パタ
ーン部２１と基準パターン部２２とのマスク上のパター
ンどうしの比較検査を行う。
よび基準パターン部位置データ１１２を水平駆動部６ａ
および６ｂに入力し、作成マスク１ａおよび基準マスク
１ｂのパターン上（図５（Ａ）のａ１２１および図５
（Ｂ）のｂ０１１）に検出系２ａおよび２ｂを移動さ
せ、ステージ１１を移動させる。これにより、共通パタ
ーン部２１と基準パターン部２２とのマスク上のパター
ンどうしの比較検査を行う。
【００４７】次に、共通パターン部位置データ１１１お
よび基準パターン部位置データ１１２を水平駆動部６ａ
および６ｂに入力し、作成マスク１ａおよび基準マスク
１ｂのパターン上（図５（Ａ）のａ１３１および図５
（Ｂ）のｂ０１１）に検出系２ａおよび２ｂを移動さ
せ、ステージ１１を移動させる。これにより、共通パタ
ーン部２１と基準パターン部２２とのマスク上のパター
ンどうしの比較検査を行う。
よび基準パターン部位置データ１１２を水平駆動部６ａ
および６ｂに入力し、作成マスク１ａおよび基準マスク
１ｂのパターン上（図５（Ａ）のａ１３１および図５
（Ｂ）のｂ０１１）に検出系２ａおよび２ｂを移動さ
せ、ステージ１１を移動させる。これにより、共通パタ
ーン部２１と基準パターン部２２とのマスク上のパター
ンどうしの比較検査を行う。
【００４８】次に、検査位置データ１１５を水平駆動部
６ａに入力し、作成マスク１ａのパターン上（図５
（Ａ）のｃ２１１）に検出系２ａを移動させ、ステージ
１１を移動させることにより、検査パターン部２５のパ
ターン像を検出し、これを検査パターンデータ１２５を
参照することにより、マスク上のパターンと設計データ
との比較検査を行う。
６ａに入力し、作成マスク１ａのパターン上（図５
（Ａ）のｃ２１１）に検出系２ａを移動させ、ステージ
１１を移動させることにより、検査パターン部２５のパ
ターン像を検出し、これを検査パターンデータ１２５を
参照することにより、マスク上のパターンと設計データ
との比較検査を行う。
【００４９】このように、作成マスク１ａ上に複数個の
共通パターン部２１を作成する場合においても、先の第
１の実施の形態と同様に、共通パターン部位置データ１
１１および基準パターン部位置データ１１２とを対応さ
せているため、共通パターン部２１はマスク上のパター
ンどうしの比較検査が可能になる。
共通パターン部２１を作成する場合においても、先の第
１の実施の形態と同様に、共通パターン部位置データ１
１１および基準パターン部位置データ１１２とを対応さ
せているため、共通パターン部２１はマスク上のパター
ンどうしの比較検査が可能になる。
【００５０】また、本発明では、個別パターン部２３の
パターンデータが異なる場合、基準マスク１ｂ上の別の
基準パターン２２を使用する場合、複数個の基準マスク
１ｂ上の基準パターン２２を使用する場合に対しても、
同様の方法で、共通パターン２１は基準マスク１ｂを参
照したマスク上のパターンどうしの比較検査が可能であ
る。
パターンデータが異なる場合、基準マスク１ｂ上の別の
基準パターン２２を使用する場合、複数個の基準マスク
１ｂ上の基準パターン２２を使用する場合に対しても、
同様の方法で、共通パターン２１は基準マスク１ｂを参
照したマスク上のパターンどうしの比較検査が可能であ
る。
【００５１】
【発明の効果】以上のように本発明の効果は、従来技術
ではマスク上に作成した全パターンをマスク設計データ
との間で比較検査していたようなマスクのマスク検査時
間を短縮したことにある。
ではマスク上に作成した全パターンをマスク設計データ
との間で比較検査していたようなマスクのマスク検査時
間を短縮したことにある。
【００５２】この理由は、基準マスクの基準パターン部
と作成マスクの共通パターン部を同一のパターンデータ
で作成し、基準マスクと作成マスクは同一のパターン形
成工程で作成し、検査領域は基準パターン部および共通
パターン部から個別パターン部と重なる領域を除外した
領域とし、マスク上のパターンの比較検査を行う領域を
位置データとして出力し、検査装置はこれを入力して検
出系を水平方向に移動するという手法を備えることによ
り、一部分の検査はマスク上のパターンどうしの比較検
査で行うことを可能にしたことによる。
と作成マスクの共通パターン部を同一のパターンデータ
で作成し、基準マスクと作成マスクは同一のパターン形
成工程で作成し、検査領域は基準パターン部および共通
パターン部から個別パターン部と重なる領域を除外した
領域とし、マスク上のパターンの比較検査を行う領域を
位置データとして出力し、検査装置はこれを入力して検
出系を水平方向に移動するという手法を備えることによ
り、一部分の検査はマスク上のパターンどうしの比較検
査で行うことを可能にしたことによる。
【図１】本発明の実施の形態におけるマスク作成工程の
工程フローを示す図である。
工程フローを示す図である。
【図２】本発明の実施の形態におけるマスク検査装置を
示す図である。
示す図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態におけるマスク上の
パターン配置を示す図であり、（Ａ）は作成マスクを示
し、（Ｂ）は基準マスクを示している。
パターン配置を示す図であり、（Ａ）は作成マスクを示
し、（Ｂ）は基準マスクを示している。
【図４】図３を拡大して示す図であり、（Ａ）は作成マ
スクの点ａ１１１付近を示し、（Ｂ）は基準マスクの点
ｂ００１付近を示している。
スクの点ａ１１１付近を示し、（Ｂ）は基準マスクの点
ｂ００１付近を示している。
【図５】本発明の第２の実施の形態におけるマスク上の
パターン配置を示す図であり、（Ａ）は作成マスクを示
し、（Ｂ）は基準マスクを示している。
パターン配置を示す図であり、（Ａ）は作成マスクを示
し、（Ｂ）は基準マスクを示している。
【図６】従来技術におけるマスク作成工程の工程フロー
を示す図であり、（Ａ）は多面付けマスクの場合を示
し、（Ｂ）は単面付けマスクの場合を示している。
を示す図であり、（Ａ）は多面付けマスクの場合を示
し、（Ｂ）は単面付けマスクの場合を示している。
【図７】従来技術におけるマスク検査装置を示す図であ
る。
る。
【図８】従来技術におけるマスク上のパターン配置を示
す図であり、（Ａ）は多面付けマスクを示し、（Ｂ）は
単面付けマスクを示している。
す図であり、（Ａ）は多面付けマスクを示し、（Ｂ）は
単面付けマスクを示している。
１ａ 作成マスク １ｂ 基準マスク ２ａ，２ｂ 検出系 ３ａ，３ｂ 対物レンズ ４ａ，４ｂ リニアイメージセンサー ５ａ，５ｂ 光電変換装置 ６ａ，６ｂ 水平駆動部 ７ 磁気ディスク ８ 特徴抽出部 ９ 比較検査装置 １０ 出力装置 １１ ステージ ２１ 共通パターン部 ２２ 基準パターン部 ２３ 個別パターン部 ２４ チップパターン部 ２５ 検査パターン部 １００ａ 作成マスク設計データ １００ｂ 基準マスク設計データ １１１ 共通パターン部位置データ １１２ 基準パターン部位置データ １１４ 検査開始位置 １１５ 検査位置データ １２１ 共通パターン部マスク設計データ １２２ 基準パターン部マスク設計データ １２５ 検査パターンデータ
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体装置を製造する際に用いるマスク
の検査方法において、基準パターン部を有する基準マス
クを作成し、作成マスクの共通パターン部は基準マスク
の基準パターン部と同一のパターンデータで作成し、基
準パターン部および共通パターン部から個別パターン部
と重なる領域を除外した領域の位置データを出力し、作
成マスク上のパターン形成は基準マスクと同一のパター
ン形成工程で行い、作成マスクの前記重なる領域を除外
した前記領域の欠陥検査は基準マスクとのパターンどう
しの比較検査で行い、これ以外の領域の欠陥検査は作成
マスク上のパターンをマスク設計データとの間の比較検
査で行うことを特徴とするマスクの検査方法。 - 【請求項２】 同一の基準マスクをパターンデータの異
なる複数個の作成マスクの比較検査に使用することを特
徴とする請求項１に記載のマスクの検査方法。 - 【請求項３】 請求項１又は請求項２に記載のマスクの
検査方法に用いるマスクの検査装置であって、前記基準
マスクおよび前記作成マスク上のパターン像をそれぞれ
検出する２系統の検出系を有し、前記位置データを入力
し各検出系の水平方向位置を変えるようにしたことを特
徴とするマスクの検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21628596A JP2867971B2 (ja) | 1996-08-16 | 1996-08-16 | マスクの検査方法およびその検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21628596A JP2867971B2 (ja) | 1996-08-16 | 1996-08-16 | マスクの検査方法およびその検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1062964A JPH1062964A (ja) | 1998-03-06 |
| JP2867971B2 true JP2867971B2 (ja) | 1999-03-10 |
Family
ID=16686146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21628596A Expired - Fee Related JP2867971B2 (ja) | 1996-08-16 | 1996-08-16 | マスクの検査方法およびその検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2867971B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI245169B (en) | 2002-10-28 | 2005-12-11 | Asml Netherlands Bv | Method for detecting defect in mask, computer program, and reference substrate |
| EP1416326B1 (en) * | 2002-10-28 | 2008-06-11 | ASML Netherlands B.V. | Method, inspection system, computer program and reference substrate for detecting mask defects |
-
1996
- 1996-08-16 JP JP21628596A patent/JP2867971B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1062964A (ja) | 1998-03-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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