CN116626999A - 检测系统及检测方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了检测系统及检测方法。检测系统包括检测机台、存储单元、处理系统、曝光机台及控制器。检测方法包括以下步骤。提供检测机台、光掩模、存储单元、处理系统及曝光机台。提供晶圆，晶圆包括多个晶粒区。在晶圆上形成光刻胶层。通过检测机台产生第一检测数据、第二检测数据。通过处理系统依据第一检测数据与第二检测数据生成检测地图。通过曝光机台依据检测地图以不同的条件曝光晶圆上不同的晶粒区内的光刻胶层。如此，本发明的检测系统及检测方法得以改善光刻胶层曝光的缺陷，提升光刻工艺的操作表现。

Description

检测系统及检测方法

技术领域

本发明总体上涉及一种检测系统及检测方法，更具体地，涉及一种芯片曝光的检测系统及检测方法。

背景技术

光刻工艺(photolithography)是制造半导体器件的重要步骤，其利用曝光和显影将光掩模上的电路图形信息转移至光刻胶层，然后通过光刻胶层作为蚀刻屏蔽对其下方的材料层进行蚀刻，从而将电路图形信息再往下转移至材料层中，以在晶圆上制作出电路结构。半导体制作工艺即藉由重复进行沉积、光刻和蚀刻工艺，逐层架构出半导体器件的集成电路结构。然而，随着电路图案设计越来越细致紧密，相关制作工艺与设计也越来越严苛，因此，相关制作工艺与设计还待进一步改良以有效提升半导体器件的效能及可靠度。

发明内容

本发明的目的是提供了一种检测系统及检测方法，通过检测机台分别检测光掩模的缺陷与检测晶圆的形貌而产生检测地图，再依据检测地图控制曝光机台曝光光刻胶层的曝光条件，藉此改善光刻工艺操作表现，提升芯片制作的整体质量。

为了实现上述目的，本发明提供了一种检测系统，包括检测机台、存储单元、处理系统、曝光机台及控制器。所述检测机台被配置成分别检测光掩模与检测晶圆而产生第一检测数据与第二检测数据。所述存储单元被配置成储存所述第一检测数据与所述第二检测数据。所述处理系统被配置成依据所述第一检测数据与所述第二检测数据生成检测地图。所述曝光机台被配置成依据所述检测地图曝光所述晶圆上的光刻胶层。控制器被配置成依据所述检测地图控制所述曝光机台曝光所述光刻胶层的曝光条件。

可选的，所述检测机台还包括第一检测单元，被配置成检测所述光掩模的缺陷程度以产生所述第一检测数据以及第二检测单元，以及第二检测单元，被配置成检测所述晶圆的表面形貌以产生所述第二检测数据。

可选的，所述存储单元还被配置成储存光掩模缺陷容许范围，所述控制器还被配置成依据所述光掩模缺陷容许范围检验所述第一检测数据。

可选的，还包括第三检测单元，被配置成检测所述光掩模的图案密度或图案复杂度以产生第三检测数据，所述处理系统被配置成依据所述第一检测数据、所述第二检测数据与所述第三检测数据生成所述检测地图。

可选的，所述晶圆包括多个晶粒区，所述第二检测单元还包括被配置成检测不同的所述晶粒区的表面高度差、表面颗粒数量或组件密集度的多个次检测单元。

为了实现上述目的，本发明提供了一种检测方法，包括以下步骤。提供检测机台、存储单元、处理系统以及曝光机台。提供晶圆，所述晶圆包括多个晶粒区。在所述晶圆上形成光刻胶层。提供光掩模。通过所述检测机台进行第一检测工艺，扫描所述光掩模以产生第一检测数据。通过所述检测机台进行第二检测工艺，扫描所述晶圆以产生第二检测数据。通过所述处理系统依据所述第一检测数据与所述第二检测数据生成检测地图。通过所述曝光机台依据所述检测地图以不同的条件曝光所述晶圆上不同的所述晶粒区内的所述光刻胶层。

可选的，所述第一检测数据包括光掩模缺陷数据。

可选的，所述存储单元被配置成储存所述第一检测数据、所述第二检测数据及/或光掩模缺陷容许范围。

可选的，产生所述第一检测数据还包括检验所述第一检测数据小于所述光掩模缺陷容许范围。

可选的，所述第一检测工艺还包括通过所述检测机台扫描所述光掩模以产生第三检测数据，所述第三检测数据包括所述光掩模的图案密度或图案复杂度数据。

可选的，所述第二检测数据包括所述晶粒区的表面高度差、表面颗粒数量或组件密集度。

可选的，各所述晶粒区包括多个曝光区，其中，所述曝光机台以第一速度曝光一个所述曝光区，所述曝光机台以第二速度曝光另一个所述曝光区，所述第一速度小于所述第二速度。

可选的，所述一个所述曝光区对应所述检测地图中的缺陷区，所述另一个所述曝光区对应所述检测地图中的正常区。

可选的，所述一个所述曝光区对应所述检测地图中的图形复杂区，所述另一个所述曝光区对应所述检测地图中的图形简易区。

可选的，所述一个所述曝光区对应所述检测地图中的表面高度区，所述另一个所述曝光区对应所述检测地图中的平坦区。

可选的，还包括所述曝光机台以第一平均速度曝光位在所述晶圆周围的一个所述晶粒区上的所述光刻胶层以及所述曝光机台以第二平均速度曝光位在所述晶圆中心的另一个所述晶粒区上的所述光刻胶层，其中所述第一平均速度小于所述第二平均速度。

可选的，所述第一平均速度或所述第二平均速度为所述第一速度与所述第二速度的平均值。

附图说明

所附图示提供对于本发明实施例更深入的了解，并纳入此说明书成为其中一部分。这些图示与描述，用来说明一些实施例的原理。需注意的是所有图示均为示意图，以说明和制图方便为目的，相对尺寸及比例都经过调整。相同的符号在不同的实施例中代表相对应或类似的特征。

图1绘示本发明优选实施例中检测系统的示意图。

图2绘示本发明优选实施例中晶圆与光掩模的剖面示意图。

图3绘示本发明另一优选实施例中检测系统的示意图。

图4绘示本发明再一优选实施例中检测系统的示意图。

图5至图7绘示本发明第一优选实施例中检测方法的示意图；其中，

图5为本发明第一优选实施例中检测方法的步骤流程示意图；

图6为本发明第一优选实施例中晶圆曝光的示意图；以及

图7为本发明第一优选实施例中晶圆曝光速度的示意图。

图8绘示本发明第二优选实施例中检测方法的步骤流程示意图。

其中，附图标记说明如下：

100、100a、200 检测系统

102、202 检测机台

102a 第一检测单元

102b、202b 第二检测单元

102c 第三检测单元

104 存储单元

106 处理系统

108 曝光机台

110 控制器

120、320 晶圆

122、324 光刻胶层

130、330 光掩模

140、340 透镜

212 次检测单元

322、322A、322B 晶粒区

322a、322b、322c、322d 曝光区

D1 第一方向

D2 第二方向

V1 第一平均速度

V11、V13 第一速度

V2 第二平均速度

V12、V14 第二速度

具体实施方式

为使熟悉本发明所属技术领域的一般技术者能进一步了解本发明，下文特列举本发明的数个优选实施例，并配合所附的图示，详细说明本发明的技术方案以及所欲达成的功效。本发明所属领域的技术人员能在不脱离本发明的精神下，参考以下所举实施例，而将数个不同实施例中的特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。

请参照图1所示，图1为本发明优选实施例中检测系统100的示意图。检测系统100包括检测机台102、存储单元104、处理系统106、曝光机台108及控制器110。检测机台102被配置成检测用来曝光如图2所示的晶圆(wafer)120的光掩模130产生第一检测数据(未绘示)、与检测晶圆而产生第二检测数据(未绘示)。晶圆120细部包括多个晶粒区(dieregion,未绘示)，且各晶粒区系对应与半导体工艺相关的光掩模130所曝光的区域，各晶粒区为长度(例如是约为10毫米)相同的正方形，其上设有光刻胶层122。存储单元104被配置成储存第一检测数据与第二检测数据。处理系统106被配置成依据第一检测数据与第二检测数据生成检测地图(未绘示)。曝光机台108被配置成依据光掩模130和检测地图依序曝光晶圆120内各晶粒区上的光刻胶层122。在一实施例中，本发明的曝光机台108例如包括扫描式曝光机台，系在各晶粒区上方可同时移动光掩模130与晶圆120以同步扫描曝光完成一个晶粒区，进而可使用尺寸相对较小的透镜140来扫描曝光一个晶粒区内的光掩模130。

值得注意的是，检测系统100的控制器110被配置成依据检测地图控制曝光机台108在曝光各晶粒区内的光刻胶层122时的曝光条件，如曝光速度、曝光时间或光源波长等，优选的为控制曝光机台108的曝光速度，但不以此为限。在一实施例中，存储单元104可选择性地设置在处理系统106内，或是选择性地设置在检测机台102内，或是选择性地设置在一计算机系统(未绘示)中，其还可一并包含控制器110与处理系统106，并且，控制器110可选择性地设置在曝光机台108内，以简化检测系统100的配置，但不以此为限。

细部来说，检测机台102包括第一检测单元102a及第二检测单元102b，其中，第一检测单元102a被配置成检测光掩模130上的缺陷程度以产生第一检测数据，第二检测单元102b则被配置成检测晶圆120上各晶粒区实时的表面形貌以产生第二检测数据。在一实施例中，存储单元104还被配置成储存光掩模缺陷容许范围(未绘示)，控制器110还被配置成依据光掩模缺陷容许范围检验第一检测数据，以确定光掩模的缺陷程度是否在容许范围内并选择性地进行下一步曝光，但不以此为限。在此设置下，如若光掩模的缺陷程度在光掩模缺陷容许范围内，则继续由处理系统106根据第一检测数据生成检测地图、以完成本发明的检测方法，如若光掩模的缺陷程度超出光掩模缺陷容许范围，则需额外对光掩模130施行清洗工艺或施行移除工艺，或是再提供另一可用的光掩模。

由此，依据本实施例的检测系统100得以完成本发明的检测方法，通过检测机台102分别检测光掩模130的缺陷与检测晶圆120的实时形貌而产生检测地图，再依据检测地图控制曝光机台108曝光晶圆120上光刻胶层122的曝光条件，如曝光速度、曝光时间、光源波长或光掩模130与晶圆120相对的移动速度等。如此，通过使用本发明的检测系统100对不同曝光区域的曝光速度进行选择性调整，有利于减少光刻胶层122的曝光缺陷，改善光刻工艺的操作表现，使得光刻胶层122上的图案可完整且确实地转移到晶圆120上的目标层(未绘示)内，形成图案完整、结构可靠的电路图案(未绘示)。在此设置下，电路图案可具有更为优化的结构，提高芯片制作的整体质量并提升产率。

本发明所属技术领域的一般技术者应可轻易了解，为能满足实际产品需求的前提下，本发明的检测系统亦可能有其它态样，而不限于前述。下文将进一步针对本发明的检测系统的其他实施例或变化型进行说明。且为简化说明，以下说明主要针对各实施例不同之处进行详述，而不再对相同之处作重复赘述。此外，本发明的各实施例中相同之组件系以相同之标号进行标示，以利于各实施例间互相对照。

请参照图3所示，图3绘示本发明另一优选实施例中检测系统100a的示意图。本实施例的检测系统100a的组件大体上与前述实施例相同，相同之处在此不再赘述。本实施例的检测系统100a与前述实施例的检测系统100的主要差异在于，在本实施例中，检测机台102还包括第三检测单元102c，被配置成检测光掩模130的图案密度或图案复杂度以产生第三检测数据(未绘示)，而处理系统106则被配置成同时依据第一检测数据、第二检测数据与第三检测数据生成另一检测地图(未绘示)。如此，依据另一检测地图控制曝光机台108在曝光晶圆120上的光刻胶层122时的曝光条件，得以更进一步地提升光刻制作工艺的操作质量。

请参照图4所示，图4绘示本发明再一优选实施例中检测系统200的示意图。本实施例的检测系统200的组件大体上与前述实施例相同，相同之处在此不再赘述。本实施例的检测系统200与前述实施例的检测系统100的主要差异在于，在本实施例的检测机台202中，第二检测单元202b还包括多个次检测单元212，各个次检测单元212分别被配置成检测不同的晶粒区内/之间实时的表面高度差、表面颗粒数量或图案密集度等，以产生本实施例的第二检测数据(未绘示)，但不以此为限。

由此，依据本实施例的检测系统200同样可进行本发明的检测方法，通过检测机台202分别产生第一检测数据及第二检测数据、并形成检测地图(未绘示)，再依据检测地图控制曝光机台108在曝光如图2所示的晶圆120上的光刻胶层122时的曝光条件。此外，因晶粒区内的表面高度差、表面颗粒数量或图案密集度等往往受前次半导体工艺等因素所影响而产生差异，通过本发明的检测系统200得以更为细致地对不同曝光区域的曝光速度进行选择性调整，同样有效地减少曝光缺陷，且能实时地依据光掩模130与晶圆120的表面状况来改善曝光工艺操作表现，同时提升光刻制作工艺的操作质量，使得光刻胶层122上的图案可在后续光刻制作工艺中完整且确实地转移到晶圆120上的目标层(未绘示)内，形成目标图案(未绘示)。

为能使本发明所属技术领域的一般技术者轻易了解本发明的检测系统100、100a、200并据以实现本发明的检测方法，以下将进一步针对本发明的检测方法进行说明。

请参照图5至图7所示，其绘示本发明第一优选实施例中检测方法的示意图。首先，提供检测系统，例如是如图1所示的检测系统100、如图3所示的检测系统100a或是如图4所示的检测系统200，检测系统包括检测机台、存储单元、处理系统、曝光机台及控制器，并提供如图6所示的晶圆320。晶圆320包括多个晶粒区322，各晶粒区322例如为长度(例如是约为10毫米)相同的正方形，晶圆320上形成有光刻胶层324。然后，在晶圆320的各晶粒区322上方逐次移动地设置光掩模330与透镜340，并使得透镜340位在晶圆320与光掩模330之间。其中，本发明所属技术领域的一般技术者应可轻易了解，图6所示的晶圆320上的晶粒区322的数量与配置仅为例示，并不以此为限。举例来说，在一实施例中，晶圆320的直径约为8吋或12吋，而晶粒区322则为边长约为10毫米的正方形，因此晶圆320上可同时包括数百或数千个晶粒区322，但不以此为限。

如图5所示，通过检测机台内的第一检测单元进行第一检测工艺S1，检测光掩模330上的缺陷程度以产生第一检测数据(未绘示)，例如包括光掩模缺陷数据，但不以此为限。接着，通过检测机台内的第二检测单元进行第二检测工艺S2，检测晶圆320上各晶粒区322内/之间的表面形貌以产生第二检测数据(未绘示)，例如包括各晶粒区322内/之间的表面高度差、表面颗粒数量或组件密集度等数据，但不以此为限。在一实施例中，第二检测单元还包括多个次检测单元，各次检测单元分别检测晶圆320上各晶粒区322内/之间的表面高度差、表面颗粒数量及组件密集度，以同时产生相应的检测数据。然后，生成检测地图(未绘示)S3，系通过处理系统依据第一检测数据与第二检测数据生成检测地图。其中，检测地图上包括对应光掩模330上缺陷程度较大的缺陷区(未绘示)，以及对应光掩模330上缺陷程度较小的正常区(未绘示)，并且还包括对应各晶粒区322上组件的表面高度差异度较大的表面高度区(未绘示)，以及对应各晶粒区322上组件的表面高度差异度较小的平坦区(未绘示)，但不以此为限。在另一实施例中，检测地图上还包括对应各晶粒区322上组件的表面颗粒数量较大的颗粒区(未绘示)，以及对应各晶粒区322上组件的表面颗粒数量较小的非颗粒区(未绘示)；及/或检测地图上还包括对应各晶粒区322上组件密集度较大的密集区(未绘示)，以及对应各晶粒区322上组件的密集度较小的松散区(未绘示)，但不以此为限。

之后，再如图5及图6所示，进行曝光工艺S4，系通过曝光机台依据检测地图曝光晶圆320上的光刻胶层324，并通过控制器控制曝光机台曝光光刻胶层324的曝光条件，例如包括曝光速度、曝光时间或光源波长等，优选的为控制曝光机台的曝光速度，但不以此为限。在一实施例中，曝光机台例如包括扫描式曝光机台，系将光掩模330上的图形等比例地以扫描的方式转移到晶圆320上的各晶粒区322内，图形移到晶圆320上的缩小比例约为4：1到10：1，但不以此为限。

细部来说，在进行曝光工艺S4时，系将光掩模330放置在晶圆320上方，对准晶圆320上的一个晶粒区322，再以紫外光、深紫外光、镭射等曝光光源照射前述的一个晶粒区322，以曝光其上设置的光刻胶层324。在前述曝光光源的照射下，利用光刻胶层324的感光特性发生化学变化，从而将光掩模330上的图形转移到光刻胶层324上。然后，将光掩模330移动至另一个晶粒区322。如此，依序曝光晶圆320上的所有晶粒区322，并通过后续的切割工艺，切开各晶粒区322，以形成多个彼此相同的晶粒(die)，再分别封装成芯片(chip)，最后可形成集成电路(IC)。需说明的是，为了加快曝光的速度，本实施例系采用动态扫描方式曝光晶粒区322，其中，在对各晶粒区322进行曝光时，系使得光掩模330沿着第一方向D1移动，同时使得晶圆320沿着相对于第一方向D1的第二方向D2移动，待前述晶粒区322曝光完毕以后再将光掩模330移动至下一个晶粒区322，如图6所示。如此，重复进行多次曝光，直到整个晶圆320上的所有晶粒区322皆曝光完毕。

此外，另需特别说明的是，本实施例的曝光工艺S4系通过控制器依据检测地图控制光掩模330移动的速度及/或晶圆320移动的速度，藉此来控制曝光机台对不同晶粒区322上的光刻胶层324的曝光速度，或是控制曝光机台对各晶粒区322上不同曝光区内的光刻胶层324的曝光速度。具体来说，请参考图7所示，曝光机台例如是依据第一平均速度V1曝光位在晶圆320周围的一个晶粒区322A上的光刻胶层324，其中，晶粒区322A因受到晶圆320形状的影响而不具有完整的正方形外观。并且，曝光机台还依据第二平均速度V2曝光位在晶圆320中心的另一个晶粒区322B上的光刻胶层324，其中第一平均速度V1小于第二平均速度V2。在一实施例中，第一平均速度V1例如是约为每秒427毫米(mm/s)，而第二平均速度V2则约为每秒794毫米，但不以此为限。

另一方面，曝光机台例如是依据检测地图上的缺陷区而以第一速度V11曝光一个晶粒区322内具相应位置的一个曝光区322a，并且依据检测地图上的正常区而以第二速度V12曝光同一个晶粒区322内具相应位置的另一个曝光区322b，其中第一速度V11小于第二速度V12。或者，曝光机台例如是依据检测地图上的表面高度区而以第一速度V13曝光一个晶粒区322内相应位置的一个曝光区322c，并且依据检测地图上的平坦区而以第二速度V14曝光同一个晶粒区322内相应位置的另一个曝光区322d，其中第一速度V13小于第二速度V14。在一实施例中，第一速度V11、V13例如是约为每秒300毫米，而第二平均速度V12、V14则约为每秒794毫米，但不以此为限。并且，需注意的是，前述的第一平均速度V1或第二平均速度V2系为第一速度V11、V13与第二速度V12、V14的平均值，但不以此为限。另外，在其他实施例中，曝光机台还可依据检测地图上的颗粒区及/或密集区而以另一第一速度曝光一个晶粒区322内相应位置的一个曝光区(未绘示)，并且依据检测地图上的非颗粒区及/或松散区而以另一第二速度曝光同一个晶粒区322内相应位置的另一个曝光区(未绘示)，其中另一第一速度小于另一第二速度，但不以此为限。也就是说，本发明可依据光掩模330与各晶粒区322的状况实时控制不同晶粒区322的曝光速度，并且，还可实时控制单一晶粒区322内不同曝光区的曝光速度来进行曝光扫描式曝光工艺。

在此操作下，本实施例的检测方法得以维持曝光机台高速、高精度的曝光工艺，通过使用检测系统施行检测方法，以有效地减少光刻胶层324的曝光缺陷，实时地依据光掩模330与晶圆320的表面状况改善光刻工艺的操作表现，进而提高芯片制作的整体质量并提升产率。

下文将进一步针对本发明中检测方法的其他实施例或变化型进行说明。且为简化说明，以下说明主要针对各实施例不同之处进行详述，而不再对相同之处作重复赘述。此外，本发明之各实施例中相同之组件系以相同之标号进行标示，以利于各实施例间互相对照。

请参照图8所示，系绘示本发明第二优选实施例中检测方法的步骤流程示意图。本实施例的检测方法的步骤流程大体上与前述实施例相同，相同之处在此不再赘述。本实施例的检测方法与前述实施例的检测方法的主要差异在于，本实施例的检测方法还额外包括检验第一检测数据S11。

细部来说，本实施例的检测方法是在产生第一检测数据后，通过控制器额外地依据存储单元所储存的光掩模缺陷容许范围(未绘示)，来检验根据光掩模的缺陷程度所产生的第一检测数据。在此操作下，如若光掩模的缺陷程度在光掩模缺陷容许范围内，则继续由处理系统根据第一检测数据生成检测地图，如若光掩模的缺陷程度超出光掩模缺陷容许范围，则需额外对如图6所示的光掩模330施行清洗工艺或施行移除工艺，或对光掩模330进行整修工艺。藉此，可更进一步地减少后续光刻胶层上的曝光缺陷，并改善光刻工艺的操作表现，进而提高芯片制作的整体质量并提升产率。

此外，再如图8所示，本实施例的第一检测工艺S1可选择与前述实施例的第一检测工艺S1完全相同，也可选择在施行本实施例的第一检测工艺S1’时，通过第一检测单元检测光掩模330上的缺陷程度、产生第一检测数据(未绘示)，并通过第三检测单元检测光掩模330的图案密度或图案复杂度以产生第三检测数据(未绘示)。如此，在后续生成检测地图(未绘示)S3时，即系通过处理系统依据第一检测数据(包括光掩模330的缺陷数据)、第二检测单元产生的第二检测数据、与第三检测数据(包括光掩模330的图案密度或图案复杂度数据)生成检测地图。在本实施例的检测地图上包括对应光掩模330上图案密度或图案复杂度较大的图形复杂区(未绘示)，以及对应光掩模330上图案密度或图案复杂度较小的图形简易区(未绘示)。由此，本实施例的曝光机台则可依据检测地图上的图形复杂区而以第一速度曝光一个晶粒区322内相应位置的一个曝光区(未绘示)，并且依据检测地图上的图形简易区而以第二速度曝光同一个晶粒区322内相应位置的另一个曝光区(未绘示)，其中第一速度小于第二速度，但不以此为限。

在此操作下，本实施例的检测方法同样得以维持曝光机台高速、高精度的曝光工艺，通过使用检测系统施行检测方法，以有效地减少光刻胶层的曝光缺陷，并且，通过检测第一检测数据的光掩模缺陷容许范围，得以更进一步地提升光刻工艺的操作质量，更为有利地提高芯片制作的整体质量并提升产率。

以上仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (17)

1.一种检测系统，其特征在于包括：

检测机台，被配置成分别检测光掩模与检测晶圆而产生第一检测数据与第二检测数据；

存储单元，被配置成储存所述第一检测数据与所述第二检测数据；

处理系统，被配置成依据所述第一检测数据与所述第二检测数据生成检测地图；

曝光机台，被配置成依据所述检测地图曝光所述晶圆上的光刻胶层；以及

控制器，被配置成依据所述检测地图控制所述曝光机台曝光所述光刻胶层的曝光条件。

2.根据权利要求1所述的检测系统，其特征在于，所述检测机台还包括：

第一检测单元，被配置成检测所述光掩模的缺陷程度以产生所述第一检测数据；以及

第二检测单元，被配置成检测所述晶圆的表面形貌以产生所述第二检测数据。

3.根据权利要求2所述的检测系统，其特征在于，所述存储单元还被配置成储存光掩模缺陷容许范围，所述控制器还被配置成依据所述光掩模缺陷容许范围检验所述第一检测数据。

4.根据权利要求2所述的检测系统，其特征在于，所述检测机台还包括：第三检测单元，被配置成检测所述光掩模的图案密度或图案复杂度以产生第三检测数据，所述处理系统被配置成依据所述第一检测数据、所述第二检测数据与所述第三检测数据生成所述检测地图。

5.根据权利要求2所述的检测系统，其特征在于，所述晶圆包括多个晶粒区，所述第二检测单元还包括被配置成检测不同的所述晶粒区的表面高度差、表面颗粒数量或组件密集度的多个次检测单元。

6.一种检测方法，其特征在于包括：

提供检测机台、存储单元、处理系统以及曝光机台；

提供晶圆，所述晶圆包括多个晶粒区；

在所述晶圆上形成光刻胶层；

提供光掩模；

通过所述检测机台进行第一检测工艺，扫描所述光掩模以产生第一检测数据；

通过所述检测机台进行第二检测工艺，扫描所述晶圆以产生第二检测数据；

通过所述处理系统依据所述第一检测数据与所述第二检测数据生成检测地图；以及

通过所述曝光机台依据所述检测地图以不同的条件曝光所述晶圆上不同的所述晶粒区内的所述光刻胶层。

7.根据权利要求6所述的检测方法，其特征在于，所述第一检测数据包括光掩模缺陷数据。

8.根据权利要求6所述的检测方法，其特征在于，所述存储单元被配置成储存所述第一检测数据、所述第二检测数据及/或光掩模缺陷容许范围。

9.根据权利要求8所述的检测方法，其特征在于，产生所述第一检测数据还包括：

检验所述第一检测数据小于所述光掩模缺陷容许范围。

10.根据权利要求6所述的检测方法，其特征在于，所述第一检测工艺还包括：

通过所述检测机台扫描所述光掩模以产生第三检测数据，所述第三检测数据包括所述光掩模的图案密度或图案复杂度数据。

11.根据权利要求6所述的检测方法，其特征在于，所述第二检测数据包括所述晶粒区的表面高度差、表面颗粒数量或组件密集度。

12.根据权利要求6所述的检测方法，其特征在于，各所述晶粒区包括多个曝光区，其中，所述曝光机台以第一速度曝光一个所述曝光区，所述曝光机台以第二速度曝光另一个所述曝光区，所述第一速度小于所述第二速度。

13.根据权利要求12所述的检测方法，其特征在于，所述一个所述曝光区对应所述检测地图中的缺陷区，所述另一个所述曝光区对应所述检测地图中的正常区。

14.根据权利要求12所述的检测方法，其特征在于，所述一个所述曝光区对应所述检测地图中的图形复杂区，所述另一个所述曝光区对应所述检测地图中的图形简易区。

15.根据权利要求12所述的检测方法，其特征在于，所述一个所述曝光区对应所述检测地图中的表面高度区，所述另一个所述曝光区对应所述检测地图中的平坦区。

16.根据权利要求12所述的检测方法，其特征在于，还包括：

所述曝光机台以第一平均速度曝光位在所述晶圆周围的一个所述晶粒区上的所述光刻胶层；以及

所述曝光机台以第二平均速度曝光位在所述晶圆中心的另一个所述晶粒

区上的所述光刻胶层，其中所述第一平均速度小于所述第二平均速度。

17.根据权利要求16所述的检测方法，其特征在于，所述第一平均速度或所述第二平均速度为所述第一速度与所述第二速度的平均值。