JPH041846B2 - - Google Patents

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JPH041846B2
JPH041846B2 JP25205983A JP25205983A JPH041846B2 JP H041846 B2 JPH041846 B2 JP H041846B2 JP 25205983 A JP25205983 A JP 25205983A JP 25205983 A JP25205983 A JP 25205983A JP H041846 B2 JPH041846 B2 JP H041846B2
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JP
Japan
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pattern
white
black
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window
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JP25205983A
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English (en)
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JPS60143704A (ja
Inventor
Yasushi Uchama
Daikichi Awamura
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REEZAA TETSUKU KK
Original Assignee
REEZAA TETSUKU KK
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Publication date
Application filed by REEZAA TETSUKU KK filed Critical REEZAA TETSUKU KK
Priority to JP58252059A priority Critical patent/JPS60143704A/ja
Publication of JPS60143704A publication Critical patent/JPS60143704A/ja
Publication of JPH041846B2 publication Critical patent/JPH041846B2/ja
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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956Inspecting patterns on the surface of objects
    • G01N21/95607Inspecting patterns on the surface of objects using a comparative method

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はパターンの欠陥検査方法、特に半導体
集積回路の製造に使用するレチクルパターンの欠
陥検査方法に関するものである。
現在集積回路を製造する工程の一つに、シリコ
ンウエハーをホトエツチングする工程がある。す
なわち、シリコンウエハー上にマスクを密着させ
て置き、上方から可視光線または紫外線を照射し
ホトエツチングしている。このパターンを焼付け
たマスクに欠陥があると、集積回路製造の歩止り
が大きな悪影響を受ける。このマスクは充分な平
面度に磨かれたガラス板にクロム等の金属膜を蒸
着した後、所定のパターンを焼付けて形成してい
るが、金属蒸着膜にピンホールがあるとパターン
を焼付けた場合に欠陥が発生する可能性がある。
また、金属蒸着膜にピンホールがなくてもパター
ンを焼付けた後のマスクに欠陥がある場合があ
る。
第1図は上述したような集積回路製造用マスク
を示す図である。第1図中にマスク1には、縦お
よび横方向に延在する多数のスクライプライン2
によつて区画された多数のチツプパターン3が形
成されている。これらのパターン3の模様は同一
に作られている。
第2図は、パターンを焼付けたマスク1のパタ
ーンの一部分を顕微鏡で観察した像を示す図であ
る。このマスク部分には欠陥はなく、完全なもの
とする。マスク1のパターンは透明部4と不透明
部5から構成されている。第3図は欠陥を有する
同じパターン部分の顕微鏡観察像を示す図であ
る。図中部分A,Bは蒸着膜が残つている状態を
示している。部分Aにおいては、本来離間してい
なければならないランド間が継つてしまつてい
る。一方、部分Bにおける残存蒸着膜は空間にあ
るので、場合によつては集積回路の不良の原因に
はならないかも知れない。部分Cにおいてはラン
ドの一部が欠けている。しかしながら、ランドが
切れるところまではいつていないので、集積回路
の不良の原因にならないかも知れない。部分Dに
おいてはランドは完全に切れてしまつており、不
良の原因となる。
従来、上述したマスクパターンの欠陥を検査す
るために、本願人は特願昭56−144740号におい
て、マスク原版を作成するときに使用するPG
(Pattern Generation)テープに記憶された情報
と、このテープに基づいて製作された実際のパタ
ーンとを比較することによつて信頼度の高い欠陥
検査をできる装置を開発している。しかしなが
ら、この装置においてはPGテープのパターンが
あまりに正確な像を表示するため、実際のパター
ンと比較判定する場合特にパターンの角の部分で
擬似欠陥を欠陥と判定する場合があつた。すなわ
ち、パターンを作成する場合、パターンの角の部
分ではエツチングが十分正確に行なわれず角が丸
くなるのが普通であり、このため角の部分で擬似
欠陥が発生し易くなる欠点があつた。上述した擬
似欠陥の発生を防止するため、本願人は特開昭58
−147114号において、基準パターンとして使用さ
れるPGテープからのパターン信号の角部を丸め
て擬似欠陥を少なくする方法を提案している。上
述した方法では、パターンの角部で発生する擬似
欠陥に対して有効であるが、その他の欠陥、すな
なち第3図EおよびFに示すような欠陥や、基準
パターンと実際のパターンの位置の微妙なずれに
よつて発生する輪郭状の擬似欠陥を有効に防止す
ることはできなかつた。
本発明の目的は上述した不具合を解決し、擬似
欠陥の発生をさらに減少させることによつて、高
精度の欠陥検出が可能なパターンの欠陥検査方法
を提供しようとするものである。
本発明のパターンの欠陥検査方法は、被検体の
パターンの欠陥、特に半導体集積回路の製造に用
いるマスクのパターンの欠陥を、前記被検体のパ
ターンに対応した基準情報を蓄積した記録媒体か
ら読み出した基準情報と前記被検体のパターンを
実際に走査して得た走査情報とを比較して自動的
に検知する欠陥検査方法において、前記比較前
に、前記基準情報および走査情報によつて表わさ
れる白黒の2値化画像からなるパターンの全画素
に対して、対象とする画素を中心とした3×3、
5×5、7×7画素のウインドウを仮定し、各ウ
インドウの中心画素の値を、各ウインドウの外枠
上の画素の多数決により白を0、黒を1または白
を1、黒を0として決定し、白を0、黒を1とし
た場合は各ウインドウの中心画素の2値出力の論
理積を、白を1、黒を0とした場合は各ウインド
ウの中心画素の2値出力の論理和を対象とする画
素の値とする前処理を行い、前記比較時に前記前
処理を行つた基準情報と走査情報とを比較するこ
とにより、擬似欠陥を除去して高精度の欠陥検査
を行ない得るよう構成したことを特徴とするもの
である。
以下図面を参照して本発明を詳細に説明する。
第4図は本発明のパターンの欠陥検査方法を実
施するパターンの欠陥検査装置の全体の構成を示
すブロツク図である。全体の構成は大きく分類し
てステージユニツト10、ビデオ信号変換ユニツ
ト30、制御ユニツト40の3つのユニツトから
成つている。以下上述した順に各部の動作を簡単
に説明する。
まずステージユニツト10においては、被検体
18のパターン(例えばレチクルパターン等)に
光源11よりの光を照射し、その透過光をビツト
アレイよりなるイメージセンサー23に入射して
1ライン分の走査データを得た後、その走査デー
タをビデオ信号出力制御部24へ供給している。
ビデオ信号出力制御部24は、7ライン分のメモ
リーを有し、3×3、5×5、7×7のウインド
ウによる処理を後述する本発明の方法により実行
している。この処理はプログラムによるソフトで
行なつても良いし、ハード的な回路によつて行な
つても良い。自動焦点機構14を具えた対物レン
ズ17は透過光を例えば25倍に拡大して、イメ
ージセンサー23のビツトアレイに投影するのに
使用されている。本例で使用する自動焦点の機構
は、本願人による特公昭54−31348号公報で提案
されている機構と同一である。走査領域の選択お
よび走査はXテーブル15、Yテーブル16を駆
動機構13,12によつて駆動することで実行し
ている。X,Yテーブル15,16の制御は、そ
れらの動きをリニアエンコーダ19,20により
検知してステージポジシヨンコレクター21に供
給することによつて行なわれる。ここで、X,Y
方向のずれが検知され、そのずれより得られる補
正信号を各駆動機構13,12に供給してX,Y
方向の補正が行なわれる。また、この補正だけで
は精度の面で問題があるため、特にX方向に対し
ては、ステージポジシヨンコレクター21からの
X方向のずれ量に対する補正信号をイメージセン
サードライバー22に供給してイメージセンサー
23中のビツトアレイに入射する光のうち、左
端、右端の余りの12個のビツトを使用して、誤差
に対してずらして1000点での走査データを得るよ
うにする。
次に第4図中のビデオ変換ユニツト30につい
て説明する。CADシステム等により作成された
PGテープは、本システムのフオーマツトを持つ
検査用レチクルテープ31に変換され、ビデオ変
換ユニツトに供給される。このレチクルテープ3
1は、テープユニツト32に取り付けられた後、
制御ユニツト40のCPUの制御により磁気テー
プ制御部36を介してステージ部10で検査され
ているレチクルマスク18に対応する場所のフア
イルをレチクルテープ31から読み出し、2つ設
けてある磁気テープメモリーのうちの一方へ記憶
する。この磁気テープメモリーに記憶されたレチ
クルテープ31よりの点の座標群より、磁気テー
プ制御部36からの同期信号の制御のもとにビデ
オ信号変換器35により画像に変換された後、2
つ設けてあるビデオメモリーのうちの一方に記憶
される。画像としてビデオメモリーに記憶された
データは、磁気テープ制御部36の制御によりス
テージ部10のイメージセンサー23で走査され
た部分に対応してビデオ信号出力制御部39より
読み出され、制御ユニツト40の比較器45に出
力される。このビデオ信号出力制御部39では、
上述したビデオ信号出力制御部24と同様に、ビ
デオメモリー37または38中の画素に対して3
×3、5×5、7×7のウインドウによる処理を
後述する方法によつて行つている。
上述のようにして作成されたステージユニツト
10、ビデオ変換ユニツト30からの両出力は、
制御ユニツト40に供給される。制御ユニツト4
0においては、その欠陥部分を検知するために両
出力信号を比較器45により比較している。比較
器45を介して比較操作の終了した信号は、デー
ヌ処理部47に供給され各種の処理が行なわれ
る。データ処理部47は各種I/Oインターフエ
ース、RAM、ROM、CPU、表示部から構成さ
れ、処理されたデータはプリンター48より出力
される。さらに、モニター41〜44によつて各
画像を映出し、その処理を確認できる。
第5図A〜Cは、本発明のパターンの欠陥検査
方法における前処理で使用する3×3、5×5、
7×7のウインドウを有するフイルタを示す線図
である。図中、斜線を施した画素の和を黒を1白
を0としてそれぞれ計算し、その和が斜線を施し
た全画素の半分以上であるときは黒、半数以下の
ときは白と中心の画素の判断を行なう。この判断
を全画素に対して行なうが、画像の周辺3画素に
対してはこの判断を実行できないため、それらの
画素に対しては原画素の値を用いて基準情報およ
び走査情報を得る。
次に、各フイルタの動作を図面により説明す
る。第6図A〜Cおよび第7図A〜Cはパターン
中に図示のような突起があつた場合の各フイルタ
の判定結果を示し、第6図Dおよび第7図Dは各
処理の結果を示した図である。図中斜線で示した
部分はパターンが存在する黒の部分を、その他の
部分はパターンが存在しない白の部分を表わして
いる。第5図A〜Cに示した各フイルタのパター
ンからわかるように、各フイルタの多数決を黒を
1白を0と仮定して行なつた場合、3×3のフイ
ルタでは4以上、5×5では8以上、7×7では
12以上のとき黒と、それ以下のときは白と判定し
ている。最終的な各画素の判定は、3つのフイル
タの判定結果中1つでも白と判定するフイルタが
あつたら白、全結果が黒のときのみ黒と判定する
ことによつて行なつた。すなわち、黒を1白を0
とした場合は3出力の論理積(AND)を、白を
1黒を0とした場合は3出力の論理和(OR)を
とることによつて判定を実行するこができる。ま
た、3×3、5×5、7×7の3種類のフイルタ
を使用したのは、上述した突起等の相対的大きさ
が変化するためその変化に対応させるためであ
る。さらに上述した処理はコンピユータのソフト
プログラムで簡単に達成できるが、処理速度の関
係でもつと高速度が要求される場合は、1画素遅
延および1ラインを遅延回路を適当に組み合わせ
てハード的な回路を使用することもできる。
上述した前処理をそれぞれビデオ信号出力制御
部39および24で行なつた基準情報および走査
情報中の各画素は、制御ユニツト40中の比較器
45で順次比較されて、以下に示す方法で欠陥か
どうかを判定する。すなわち、対象とする画素の
基準情報および走査情報が、上述した前処理によ
つて黒から白あるいは白から黒へ変化したかどう
かを求め、対象画素の基準情報は変化せず走査情
報が変化した場合だけ対象画素を欠陥と判定し
て、他の場合は欠陥と判定しない。上述した判定
を画像中の全画素に対して行なつて、本発明の欠
陥検査を行なつている。
以下、実際の例について第8図A,Bと第9図
A,Bを参照して説明する。第8図には直線パタ
ーン上に1画素に対応する突起がある例を示す。
第8図Aに示す基準情報中の突起に対応する画素
は、前処理の前後とも白であり変化しない。これ
に対し、第8図Bに示す走査情報中の突起に対応
する画素は、前処理前は黒で処理後は白となり変
化する。そのため、この対象画素は欠陥であると
測定される。第9図に示す例は、従来の欠陥検査
方法では欠陥だと判定された基準パターンと実際
のパターンの位置の微妙なずれによつて発生する
輪郭状の擬似欠陥を示している。この場合、基準
情報中の対応画素は前処理の前後とも白であり変
化せず、同様に走査情報中の対応画素は前処理の
前後とも黒であり変化しないため、この対応画素
は欠陥とは判定されない。
以上詳細に説明したように本発明によれば、フ
イルタにより前処理を行つた走査情報と基準情報
とを比較器に供給して従来欠陥と判断されていた
例えば基準情報と走査情報の位置ずれにより発生
する輪郭状の擬似欠陥等の発生を抑止することが
でき、高精度の欠陥検出が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図はパターンの欠陥検査装置によつて検査
するのが好適な集積回路製造用レチクルマスクの
構成を示す平面図、第2図は欠陥のないパターン
の一部分の顕微鏡観察像を示す図、第3図は欠陥
のあるパターンの同一部分の顕微鏡観察像を示す
図、第4図は本発明のパターンの欠陥検査方法を
実施するパターンの欠陥検査装置の全体の構成を
示すブロツク図、第5図A〜Cは本発明のパター
ンの欠陥検査方法において使用する3×3、5×
5、7×7のウインドウを有するフイルタを示す
線図、第6図A〜Dおよび第7図A〜Dはそれぞ
れ各フイルタの動作を説明するための線図、第8
図A,Bおよび第9図A,Bはそれぞれ本発明の
欠陥検査方法を説明するための線図である。 10……ステージユニツト、30……ビデオ信
号変換ユニツト、40……制御ユニツト。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 被検体のパターンの欠陥、特に半導体集積回
    路の製造に用いるマスクのパターンの欠陥を、前
    記被検体のパターンに対応した基準情報を蓄積し
    た記録媒体から読み出した基準情報と前記被検体
    のパターンを実際に走査して得た走査情報とを比
    較して自動的に検知する欠陥検査方法において、
    前記比較前に、前記基準情報および走査情報によ
    つて表わされる白黒の2値化画像からなるパター
    ンの全画素に対して、対象とする画素を中心とし
    た3×3、5×5、7×7画素のウインドウを仮
    定し、各ウインドウの中心画素の値を、各ウイン
    ドウの外枠上の画素の多数決により白を0、黒を
    1または白を1、黒を0として決定し、白を0、
    黒を1とした場合は各ウインドウの中心画素の2
    値出力の論理積を、白を1、黒を0とした場合は
    各ウインドウの中心画素の2値出力の論理和を対
    象とする画素の値とする前処理を行い、前記比較
    時に前記前処理を行つた基準情報と走査情報とを
    比較することにより、疑似欠陥を除去して高精度
    の欠陥検査を行い得るよう構成したことを特徴と
    するパターンの欠陥検査方法。
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TW417133B (en) * 1998-11-25 2001-01-01 Koninkl Philips Electronics Nv Method of manufacturing a cathode ray tube, in which a display screen is inspected

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