JPS5861629A - ビツトパタ−ン発生装置 - Google Patents
ビツトパタ−ン発生装置Info
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- JPS5861629A JPS5861629A JP56160173A JP16017381A JPS5861629A JP S5861629 A JPS5861629 A JP S5861629A JP 56160173 A JP56160173 A JP 56160173A JP 16017381 A JP16017381 A JP 16017381A JP S5861629 A JPS5861629 A JP S5861629A
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- 230000015654 memory Effects 0.000 claims abstract description 17
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 7
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 5
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 241000272201 Columbiformes Species 0.000 description 1
- 241000282887 Suidae Species 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
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- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
- G06F1/02—Digital function generators
- G06F1/03—Digital function generators working, at least partly, by table look-up
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G5/00—Control arrangements or circuits for visual indicators common to cathode-ray tube indicators and other visual indicators
- G09G5/42—Control arrangements or circuits for visual indicators common to cathode-ray tube indicators and other visual indicators characterised by the display of patterns using a display memory without fixed position correspondence between the display memory contents and the display position on the screen
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明FiIc@LSI等の半導体製造に使用されるウ
ェハへのパターン焼付は原版となるマスク上のパターン
欠陥の有無を設計データ値と比較し検査するマスクパタ
ーン検fv装置に関するもので、特に設計データ値から
自動的にビットパターンを発生する製置に関する。
ェハへのパターン焼付は原版となるマスク上のパターン
欠陥の有無を設計データ値と比較し検査するマスクパタ
ーン検fv装置に関するもので、特に設計データ値から
自動的にビットパターンを発生する製置に関する。
第1図は設計データ値との比較によシバターンの欠陥検
査を行なうマスクパターン検査装置のブロック図であシ
、図において1は設計データを蓄積したメモリ、2は演
算回路、5はビットパターン発生器、4は欠陥判定回路
、5Fiパターン検出センサ、6は2@化回路、7はク
ロック発生回路、8は供試マスクである。本図でパター
ン検出センサ5の出力を2@化する2I[化回路6から
は、第3図の例に示すように、マスクパターン像に対す
る検出センサの走査に対応 し、 t=0 ;
ノ°=Q、 1. 2. ち ・・・・・・
n1=1: ノ゛=0. 1゜2、5・・・・
・・ルの順序で、順次2値化データが得られる。ビット
パターン発生器5は、第2図に示すようにメモリ1内に
蓄えられた各パターンの頂点座標データから、演算によ
り各走査ライン毎にパターンの存在座標jの始点、終点
アドレス”31°”U t ’SR@’11 t ””
” ’111& @ 3:g@ を算出し。
査を行なうマスクパターン検査装置のブロック図であシ
、図において1は設計データを蓄積したメモリ、2は演
算回路、5はビットパターン発生器、4は欠陥判定回路
、5Fiパターン検出センサ、6は2@化回路、7はク
ロック発生回路、8は供試マスクである。本図でパター
ン検出センサ5の出力を2@化する2I[化回路6から
は、第3図の例に示すように、マスクパターン像に対す
る検出センサの走査に対応 し、 t=0 ;
ノ°=Q、 1. 2. ち ・・・・・・
n1=1: ノ゛=0. 1゜2、5・・・・
・・ルの順序で、順次2値化データが得られる。ビット
パターン発生器5は、第2図に示すようにメモリ1内に
蓄えられた各パターンの頂点座標データから、演算によ
り各走査ライン毎にパターンの存在座標jの始点、終点
アドレス”31°”U t ’SR@’11 t ””
” ’111& @ 3:g@ を算出し。
このデータに基づきビットパターン発生器3により検出
センサ5からの2僅データ出力クロツクと同期して基準
パターンを発生させるもので−ある。
センサ5からの2僅データ出力クロツクと同期して基準
パターンを発生させるもので−ある。
従来このビットパターン発生器には、第4図に示すよう
にJJe&−のラッチ回路10.it及びこのラッチデ
ータと走査アドレスカウンタとの大小判定を行なうコン
パレータ回FIl?12.1Mを有するパターン発生回
路At 〜Sat、’11 ”U s ’aXむ、・・
・・・・’Lm @x−の存在し得る個数′だけ用い、
走査クロックと同期して20[のビットパターンを実時
間で発生させる方法が用いられて来た。
にJJe&−のラッチ回路10.it及びこのラッチデ
ータと走査アドレスカウンタとの大小判定を行なうコン
パレータ回FIl?12.1Mを有するパターン発生回
路At 〜Sat、’11 ”U s ’aXむ、・・
・・・・’Lm @x−の存在し得る個数′だけ用い、
走査クロックと同期して20[のビットパターンを実時
間で発生させる方法が用いられて来た。
しかし近年のIC,LSIの高ffi度化に伴なってマ
スクパターンの密度が増大し、従ってビットパターン発
生器で処理すべきJJPII s:、の数が増大する事
となった。この為パターン発生器を多数個(200〜3
00回路以上)要する事となシ、回路規模が膨大化する
結果となった。ま九配線長も長くならざるを得す、信号
伝播時間が問題となシ、パターン検出センナと同期して
高速でビットパターンを発生させる事が因龜となった。
スクパターンの密度が増大し、従ってビットパターン発
生器で処理すべきJJPII s:、の数が増大する事
となった。この為パターン発生器を多数個(200〜3
00回路以上)要する事となシ、回路規模が膨大化する
結果となった。ま九配線長も長くならざるを得す、信号
伝播時間が問題となシ、パターン検出センナと同期して
高速でビットパターンを発生させる事が因龜となった。
本発明・は上記した従来技術の欠点を無くシ。
高密度なマスクパターンに対しても、高速で安定なビッ
トパターンを発生させる・事を可能としたビットパター
ン発生装置を提供するにある。
トパターンを発生させる・事を可能としたビットパター
ン発生装置を提供するにある。
本発明は次のように構成したことを特徴とする。
設計データから作成する1走作ライン分のビットパター
ンを格納する為のメモリを2回路用意し、一方のメモリ
に対しては、順次出力される検出センナの走査よ〕1ラ
イン先行したパターンデータZ 5t・’11 s ”
M・xll、・・曲ZzJZz、に基づき2値化ビツト
パターンを順次作成し格納する。同時に、他方のメモリ
からは、前走査時間内に作成し、格納が完了した2値ビ
ツトパターンを、検出センサ・2値化回路の出力2@1
化データと同期して順次読み出し発生させる。このよう
にして、検出センサ0走査ラインに対して1走査ライン
先行したビットパターンを作成しながら同時に実時間で
ビットパターンを出力するもので、ライン走査の進行に
従りて、11次。
ンを格納する為のメモリを2回路用意し、一方のメモリ
に対しては、順次出力される検出センナの走査よ〕1ラ
イン先行したパターンデータZ 5t・’11 s ”
M・xll、・・曲ZzJZz、に基づき2値化ビツト
パターンを順次作成し格納する。同時に、他方のメモリ
からは、前走査時間内に作成し、格納が完了した2値ビ
ツトパターンを、検出センサ・2値化回路の出力2@1
化データと同期して順次読み出し発生させる。このよう
にして、検出センサ0走査ラインに対して1走査ライン
先行したビットパターンを作成しながら同時に実時間で
ビットパターンを出力するもので、ライン走査の進行に
従りて、11次。
ビットパターン作成用メモリとパターン出力用メモリを
切シ換えながら演算を実行する。
切シ換えながら演算を実行する。
2値化ビツトパターンの作成は、1走査ラインに含まれ
るビット数を一定のビット長単位のバイトに分割し、各
バイト毎にljA次論理演算を行ない、3:51・:t
jtと比較し予めROM内に記述されたバイト単位のビ
ットパターンのモデルの中から適するものを選択・読み
出し、バイト単位のパターンとして発生させピッドパ゛
ターン作成用メモリに格納する。これを全バイトに実行
し。
るビット数を一定のビット長単位のバイトに分割し、各
バイト毎にljA次論理演算を行ない、3:51・:t
jtと比較し予めROM内に記述されたバイト単位のビ
ットパターンのモデルの中から適するものを選択・読み
出し、バイト単位のパターンとして発生させピッドパ゛
ターン作成用メモリに格納する。これを全バイトに実行
し。
1つのデータx11・JmlK対するビットパターンの
作成を完了させる0次に”sl * ”jiに対して同
様にバイト単位でビットパターンデータを発生させ、既
に格納されたビットパターンとの論理和を実行しながら
同一メモリ内に再記憶させる。
作成を完了させる0次に”sl * ”jiに対して同
様にバイト単位でビットパターンデータを発生させ、既
に格納されたビットパターンとの論理和を実行しながら
同一メモリ内に再記憶させる。
このようにして18・x軸、・・・・・・”Ivh s
:amに対するビットパターンを順次格納し1走査分の
ビットパターンを完成させるものである; このビットパターンの発生に際し一足のビット長(バイ
ト)に分割し演算するのは、−走査ライン分の生ビット
を同時に演算実行する方法では演算速I[は短縮される
が、膨大なハードウェアを要する事とがる。この1バイ
トtS成するビット数は、システムに要求される演算速
度を考慮し、許容出来る範囲で少くすれにハードウェア
を細索化が出来、笑用上望ましい為である。
:amに対するビットパターンを順次格納し1走査分の
ビットパターンを完成させるものである; このビットパターンの発生に際し一足のビット長(バイ
ト)に分割し演算するのは、−走査ライン分の生ビット
を同時に演算実行する方法では演算速I[は短縮される
が、膨大なハードウェアを要する事とがる。この1バイ
トtS成するビット数は、システムに要求される演算速
度を考慮し、許容出来る範囲で少くすれにハードウェア
を細索化が出来、笑用上望ましい為である。
以下図面に示した一実九例によって、本発明の詳細な説
明する。
明する。
本発明の具体例を、1走査ラインが10241tの給水
で構成され、これを161を単位でビットパターンを発
生させる場合について示したものが第5図である。ここ
でパターンの始点・終点ビットアドレスを表わす’5r
−1は、 10bitの2進数で与えられるものとす
る。このアドレス10bitのうち上位6bitは、1
走査ライン1024b*tを16bit (1バイト)
で分割した時の、小さい方からの分割位置(バイト・ア
ドレス) ’CWTを示す事とな9、これを各xSI
* ’XNとし、下位4ハtを各’SL * ’JIL
とする、ビットパターンは1lsxからs:xHの
間のバイトに含まれ、他の部分には存在しない為、演算
も時間組幅の為このXSX≦I:csr≦’uについて
のみ行なう、パターンデータの作成は、先ずRAMβ】
51内の全ハtに「0」を入力記憶する0次に与えられ
た”31 ’Qlをラッチ回路LS、 L、 21.2
2に各入力すると共に演算開始のバイトアドレスとなる
JJt の上位4 b L t Z5Hを、演算実行
バイトアドレスを管理するバイトアドレスカウンタ25
へも入力する。
で構成され、これを161を単位でビットパターンを発
生させる場合について示したものが第5図である。ここ
でパターンの始点・終点ビットアドレスを表わす’5r
−1は、 10bitの2進数で与えられるものとす
る。このアドレス10bitのうち上位6bitは、1
走査ライン1024b*tを16bit (1バイト)
で分割した時の、小さい方からの分割位置(バイト・ア
ドレス) ’CWTを示す事とな9、これを各xSI
* ’XNとし、下位4ハtを各’SL * ’JIL
とする、ビットパターンは1lsxからs:xHの
間のバイトに含まれ、他の部分には存在しない為、演算
も時間組幅の為このXSX≦I:csr≦’uについて
のみ行なう、パターンデータの作成は、先ずRAMβ】
51内の全ハtに「0」を入力記憶する0次に与えられ
た”31 ’Qlをラッチ回路LS、 L、 21.2
2に各入力すると共に演算開始のバイトアドレスとなる
JJt の上位4 b L t Z5Hを、演算実行
バイトアドレスを管理するバイトアドレスカウンタ25
へも入力する。
アドレスカウンタ25の出力ZCNTと、2gの上位6
4 L t ZsI、 8Hの上位6ハtJeur’k
、各々コンパレータA、B25,24で比較する。この
時’sx < 号prr <xxIの条件が成立するバ
イトにつめては、全ビットがビットパターンとなる為R
UM27を介さずORゲート29により全ビット「1」
を発生させるが、七NY=勺I 又はQxr = xy
のバイトは、この一部がビットパターンとなる為%
:cS*’Xの下位4bit :tzl ZIL で
決定されるパターンの終点ビットアドレス、始点ビット
アドレス々、ALを、終点・始点ビットアドレス演算i
!S26より出力し。
4 L t ZsI、 8Hの上位6ハtJeur’k
、各々コンパレータA、B25,24で比較する。この
時’sx < 号prr <xxIの条件が成立するバ
イトにつめては、全ビットがビットパターンとなる為R
UM27を介さずORゲート29により全ビット「1」
を発生させるが、七NY=勺I 又はQxr = xy
のバイトは、この一部がビットパターンとなる為%
:cS*’Xの下位4bit :tzl ZIL で
決定されるパターンの終点ビットアドレス、始点ビット
アドレス々、ALを、終点・始点ビットアドレス演算i
!S26より出力し。
RC)R27に対するアドレス信号とし、必要なパター
ンを発生させる。
ンを発生させる。
RC)R27上には、第6図(α)@(”)に示す16
bit単位のモデルパターンを予め記憶させておき、ア
ドレス信号に対応した内容を読み出し、16bitパタ
ーンとして出力すると伴に、R/iM(ト)51内の同
一バイトアドレスxcirrで示される領域内のデータ
をIhtラッチ回路54へ出力し、両者の論理和演算を
実行し、同一領域内へ再入力する。この時six ”
rcyの条件が満足される場合は、zl。
bit単位のモデルパターンを予め記憶させておき、ア
ドレス信号に対応した内容を読み出し、16bitパタ
ーンとして出力すると伴に、R/iM(ト)51内の同
一バイトアドレスxcirrで示される領域内のデータ
をIhtラッチ回路54へ出力し、両者の論理和演算を
実行し、同一領域内へ再入力する。この時six ”
rcyの条件が満足される場合は、zl。
21、に対する演算を終了するが、これ以外の場合は、
演算を継続する為、シーケンスコントロール回路28に
よシバイトアドレスカウンタ25をカウントアツプする
。
演算を継続する為、シーケンスコントロール回路28に
よシバイトアドレスカウンタ25をカウントアツプする
。
なお第6図(αL Cb+において、?!機は使用せず
。
。
メモリ内容は全て16進コードで示すものとする。
また、4. B、c、D、E、FFi、それぞれ10゜
11、12.15.14.15(但し10進コード)で
ある。
11、12.15.14.15(但し10進コード)で
ある。
コンパレータA、B25,24の出力で、 l:m >
Qptr> Zsxの条件成立時は、ROM27を介
さず、「1」入力用のORゲート29によp 16bL
t全て「1」のノくターンを作成し、7?−41Mβ)
31の−rcNTで示されるアドレス領域に格納し、更
にアドレスカウンタ25をカウントアツプする@ ”I
N =ZCNT又はQir = 七prrの条件成立時
は、R1)R27の内容をALs ’Iで読み出し、2
CNTで示されるRJiMβ)51の領域内のデータと
論理和演算を実行し、結果を同一領域内へ再入力し、’
31 を釦 に対する演算を実行する。
Qptr> Zsxの条件成立時は、ROM27を介
さず、「1」入力用のORゲート29によp 16bL
t全て「1」のノくターンを作成し、7?−41Mβ)
31の−rcNTで示されるアドレス領域に格納し、更
にアドレスカウンタ25をカウントアツプする@ ”I
N =ZCNT又はQir = 七prrの条件成立時
は、R1)R27の内容をALs ’Iで読み出し、2
CNTで示されるRJiMβ)51の領域内のデータと
論理和演算を実行し、結果を同一領域内へ再入力し、’
31 を釦 に対する演算を実行する。
@7図はこの時作成されたビットパターンの作成結果例
を示したもので JI:5 、町で示されるアドレス間
に全て「1」のデータが入力される事となる。
を示したもので JI:5 、町で示されるアドレス間
に全て「1」のデータが入力される事となる。
次に与えられた”11 + ’Hz を同様にラッチ
回路Ls、L、 21.22 K入力し、上記と同様の
演@を実行する。これらを1走査パタ一ン作成に要する
全ての’J s Qに対してmJ)返し実行し、2値ビ
ツトパターンの作成を行なうものである。
回路Ls、L、 21.22 K入力し、上記と同様の
演@を実行する。これらを1走査パタ一ン作成に要する
全ての’J s Qに対してmJ)返し実行し、2値ビ
ツトパターンの作成を行なうものである。
既に発明の要点で記述したように、RAMβ151によ
りビットパターンを作成している期間は。
りビットパターンを作成している期間は。
L俵(Asoから既に作成されたビットパターンを出力
し1次の走査期間ではRAM斡)51からビットパター
ンを出力し、RAM(AsOに対してビットノ(ターン
を作成、格納する動作を繰夛返し実行し、実時間でビッ
トパターンを発生させるもので、この切替をパターン作
成・出力切替回路52.55で行なう。
し1次の走査期間ではRAM斡)51からビットパター
ンを出力し、RAM(AsOに対してビットノ(ターン
を作成、格納する動作を繰夛返し実行し、実時間でビッ
トパターンを発生させるもので、この切替をパターン作
成・出力切替回路52.55で行なう。
ビットパターンの出力は、出力コントロール回路s6に
よシ、出力用として切替えられた膿(50,!i1)内
から既に完成しているビットパターンt14b*t I
I#位で、シフトレジスタ55にIj次移しながら、外
部から与えられる同期クロックに対応して、シフトレジ
スタ35よl) 1bitずつ出力するものである。
よシ、出力用として切替えられた膿(50,!i1)内
から既に完成しているビットパターンt14b*t I
I#位で、シフトレジスタ55にIj次移しながら、外
部から与えられる同期クロックに対応して、シフトレジ
スタ35よl) 1bitずつ出力するものである。
以上絆しく説明したように、本発明によれば。
高密度化されたマスクパターンに対シテ、小規模な回路
構成で高速なビットパターンを実時間で発生出来る事と
なシ、従来技耐に比べ経済性。
構成で高速なビットパターンを実時間で発生出来る事と
なシ、従来技耐に比べ経済性。
高速性、性能O安定性と云う点で秀れた結果が得られる
ものである。
ものである。
第1図は本発明の対象とされるべきマスクパターン検査
装置の全体概要図、第2図はマスクパターン検査装置に
与えられる予め準備されたバメーンの設計データ例の図
、第5図はビットパターン発生器よシ出力されるビット
パターンの一例図、第4図は従来のビットパターン発生
器のブロック図、第5図は本発明の具一体的な一*mf
Ilt−示すブロック図、第6図(G)及び(勾は本発
明に適要されるRCJM内に記述されるべきモデルパタ
ーンの例を示す図、第7図は本発明の演算処理過程を示
す説明図である。 21:始点アドレスラッチ回路 22:終点アドレスラッチ回路 25.24:コンパレータ 25:バイトアドレスカウンメ 26:終点e始点ビットアドレス演算器27:モデルパ
ターン格納用ROM 28ニジ−ケンスコントクール回路 29:ORゲート 30:RAM(イ) 31: RAM(ロ) 52.55:パターン作成出力切替回路34:ビットパ
ターンラッチ回路 35:パターン出力用シフトレジスタ 36:パターン出力用コントロール回路代理人弁理士
薄 1)利 辛 第 1 口 第2図 筆4園 グ0・ンク 芸 へ1・ 二
装置の全体概要図、第2図はマスクパターン検査装置に
与えられる予め準備されたバメーンの設計データ例の図
、第5図はビットパターン発生器よシ出力されるビット
パターンの一例図、第4図は従来のビットパターン発生
器のブロック図、第5図は本発明の具一体的な一*mf
Ilt−示すブロック図、第6図(G)及び(勾は本発
明に適要されるRCJM内に記述されるべきモデルパタ
ーンの例を示す図、第7図は本発明の演算処理過程を示
す説明図である。 21:始点アドレスラッチ回路 22:終点アドレスラッチ回路 25.24:コンパレータ 25:バイトアドレスカウンメ 26:終点e始点ビットアドレス演算器27:モデルパ
ターン格納用ROM 28ニジ−ケンスコントクール回路 29:ORゲート 30:RAM(イ) 31: RAM(ロ) 52.55:パターン作成出力切替回路34:ビットパ
ターンラッチ回路 35:パターン出力用シフトレジスタ 36:パターン出力用コントロール回路代理人弁理士
薄 1)利 辛 第 1 口 第2図 筆4園 グ0・ンク 芸 へ1・ 二
Claims (1)
- 11走査ツインに含まれる各絵素に対して与えた一連の
アドレスを用いて示されたパターンの存在位置ρ始点・
終点を表わすアドレス”51 ” ”11 * Jj*
” :vIh + ””・・’S? 11 ”asか
ら1走査ライン分のビットパターンを作成するようにな
したビットパターン発生装置において設計データから作
成した1走査ライン分のビットパターンを格納する第1
及び第2のメモリであって、一方のメモリに対しては順
次出力される検出センナの走査より1ライン先行し九パ
ターンデータ:I:s1・’11 、 x@ @ 21
2 、 mm 21.@ 51゜に基づきビットパター
ンを順次作成して格納し、同時に他方のメモリからは前
走査時間内に作成し格納が完了してbるビットパターン
を検出センサの出力データと同期′して順次読み出し発
生せしめるようになした第1及び第2のメモリと、ライ
ン走査の進行に従って交互に上記メモリを切シ換えなが
ら、検出センナ出力と同期してビットパターンを発生さ
せる切換手段を設けた事を特徴とするビットパターン発
生装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56160173A JPS5861629A (ja) | 1981-10-09 | 1981-10-09 | ビツトパタ−ン発生装置 |
DE8282109329T DE3278862D1 (en) | 1981-10-09 | 1982-10-08 | Bit pattern generator |
EP82109329A EP0077045B1 (en) | 1981-10-09 | 1982-10-08 | Bit pattern generator |
US06/433,405 US4528634A (en) | 1981-10-09 | 1982-10-08 | Bit pattern generator |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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- 1982-10-08 US US06/433,405 patent/US4528634A/en not_active Expired - Fee Related
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