JPH0622195B2 - 荷電ビ−ム描画装置 - Google Patents
荷電ビ−ム描画装置Info
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- JPH0622195B2 JPH0622195B2 JP62043576A JP4357687A JPH0622195B2 JP H0622195 B2 JPH0622195 B2 JP H0622195B2 JP 62043576 A JP62043576 A JP 62043576A JP 4357687 A JP4357687 A JP 4357687A JP H0622195 B2 JPH0622195 B2 JP H0622195B2
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06T—IMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
- G06T3/00—Geometric image transformations in the plane of the image
- G06T3/40—Scaling of whole images or parts thereof, e.g. expanding or contracting
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G5/00—Control arrangements or circuits for visual indicators common to cathode-ray tube indicators and other visual indicators
- G09G5/20—Function-generator circuits, e.g. circle generators line or curve smoothing circuits
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は、電子ビームやイオンビーム等を用いて試料上
に所望パターンを描画する荷電ビーム描画装置に係わ
り、特にパターンのリサイズ機能を備えた荷電ビーム描
画装置に関する。
に所望パターンを描画する荷電ビーム描画装置に係わ
り、特にパターンのリサイズ機能を備えた荷電ビーム描
画装置に関する。
[従来の技術] 近年、半導体ウェハやマスク等の試料上に所望パターン
を形成するものとして、各種の電子ビーム描画装置が用
いられている。この装置では、CAD等により作成され
たLSIのパターンデータを、電子ビーム描画に許され
るビットデータに変換し、このビットデータに基づいて
ビームのON・OFFを制御することにより、試料上に
所望のパターンを描画する。
を形成するものとして、各種の電子ビーム描画装置が用
いられている。この装置では、CAD等により作成され
たLSIのパターンデータを、電子ビーム描画に許され
るビットデータに変換し、このビットデータに基づいて
ビームのON・OFFを制御することにより、試料上に
所望のパターンを描画する。
ところで、LSIの開発においては、その電気的特性を
微妙に調整するために、パターンの太さを変える場合が
ある。これをリサイズと称するが、従来のリサイズでは
CADに遡ってパターンの偏向を行ったり、描画装置の
描画データを変換ソフトウェアにより変更する必要があ
った。このため、その処理時間や手間が多大に掛かり、
開発の効率を妨げていた。
微妙に調整するために、パターンの太さを変える場合が
ある。これをリサイズと称するが、従来のリサイズでは
CADに遡ってパターンの偏向を行ったり、描画装置の
描画データを変換ソフトウェアにより変更する必要があ
った。このため、その処理時間や手間が多大に掛かり、
開発の効率を妨げていた。
即ち、CADのデータを変更してリサイズ処理を行う場
合には、LSIの多数のパターンに対して寸法変更の指
示をする必要があり、さらにこの変更したデータを描画
装置に対応したフォーマットに変更する必要がある。ま
た、描画装置の描画データをリサイズ処理する変換プロ
グラムの実行は、描画データが大きい(複雑な)ほど時
間が掛かることになる。通常、LSIは10〜20層の
パターンの組合わせで形成されているので、これらの処
理は全ての層に対して行う必要がある。以上のことから
従来技術では、LSIのパターンを僅かに変更するにも
多大の手間と時間を必要としていた。
合には、LSIの多数のパターンに対して寸法変更の指
示をする必要があり、さらにこの変更したデータを描画
装置に対応したフォーマットに変更する必要がある。ま
た、描画装置の描画データをリサイズ処理する変換プロ
グラムの実行は、描画データが大きい(複雑な)ほど時
間が掛かることになる。通常、LSIは10〜20層の
パターンの組合わせで形成されているので、これらの処
理は全ての層に対して行う必要がある。以上のことから
従来技術では、LSIのパターンを僅かに変更するにも
多大の手間と時間を必要としていた。
[発明が解決しようとする問題点] このように従来、LSIパターンのリサイズ処理を行う
には多大の手間と時間を要し、これがリサイズ処理の困
難性を招く要因となっていた。また、この問題は電子ビ
ーム描画装置に限らず、イオンビームを用いたイオンビ
ーム描画装置についても同様に言えることである。
には多大の手間と時間を要し、これがリサイズ処理の困
難性を招く要因となっていた。また、この問題は電子ビ
ーム描画装置に限らず、イオンビームを用いたイオンビ
ーム描画装置についても同様に言えることである。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、その目的
とするところは、従来手間と時間の掛かったりリサイズ
処理を、パターンの増減値をハードウェアにセットする
だけで任意に、且つリアルタイムで行うことができ、リ
サイズ処理の容易化をはかり得る荷電ビーム描画装置を
提供することにある。
とするところは、従来手間と時間の掛かったりリサイズ
処理を、パターンの増減値をハードウェアにセットする
だけで任意に、且つリアルタイムで行うことができ、リ
サイズ処理の容易化をはかり得る荷電ビーム描画装置を
提供することにある。
[問題点を解決するための手段] 本発明の骨子は、CADで作成されたLSIのパターン
データをビットデータに変換した後に、このビットデー
タをハードウェアでリサイズ処理することにある。
データをビットデータに変換した後に、このビットデー
タをハードウェアでリサイズ処理することにある。
即ち本発明は、LSIのパターンデータをビットデータ
に変換するビット変換回路と、このビット変換回路で得
られたビットデータを記憶するビットマップメモリと、
このビットマップメモリからデータを読出して荷電ビー
ムをオン・オフする偏向器に与える読出し回路と、上記
ビットマップメモリと読出し回路との間に介在され、ビ
ットデータとして表現されるパターンの大きさを可変す
るリサイズ回路とを具備してなる荷電ビーム描画装置で
あり、前記リサイズ回路を、処理図形中の特定アドレス
及び該アドレスを囲む複数の隣接アドレスに対応してい
るビットマップメモリ中のビットデータを抽出する出力
抽出手段と、上記隣接アドレスに対応しリサイズの方向
によって各隣接アドレス毎に“1”或いは“0”のデー
タを設定するリサイズパラメータ設定手段と、前記出力
抽出手段により抽出された特定アドレスを囲む複数の隣
接アドレスの各データと該隣接アドレスに対応する上記
リサイズパラメータ設定手段により設定された各データ
との論理演算を行い、前記特定アドレスのビットデータ
を決定して前記読出し回路に供給する論理演算手段とか
ら構成するようにしたものである。
に変換するビット変換回路と、このビット変換回路で得
られたビットデータを記憶するビットマップメモリと、
このビットマップメモリからデータを読出して荷電ビー
ムをオン・オフする偏向器に与える読出し回路と、上記
ビットマップメモリと読出し回路との間に介在され、ビ
ットデータとして表現されるパターンの大きさを可変す
るリサイズ回路とを具備してなる荷電ビーム描画装置で
あり、前記リサイズ回路を、処理図形中の特定アドレス
及び該アドレスを囲む複数の隣接アドレスに対応してい
るビットマップメモリ中のビットデータを抽出する出力
抽出手段と、上記隣接アドレスに対応しリサイズの方向
によって各隣接アドレス毎に“1”或いは“0”のデー
タを設定するリサイズパラメータ設定手段と、前記出力
抽出手段により抽出された特定アドレスを囲む複数の隣
接アドレスの各データと該隣接アドレスに対応する上記
リサイズパラメータ設定手段により設定された各データ
との論理演算を行い、前記特定アドレスのビットデータ
を決定して前記読出し回路に供給する論理演算手段とか
ら構成するようにしたものである。
[作用] 本発明によれば、出力抽出手段,リサイズパラメータ設
定手段及び論理演算手段からなるリサイズ回路により、
ビットデータに基づいてリサイズ処理することができ
る。即ち、LSIのパターンデータをビットデータに変
換したのち、このビットデータをハードウェアによりリ
サイズ処理することができる。従って、リサイズ処理と
通常の描画を同時に(リアルタイムで)行うことがで
き、描画時間の増加を最小にでき、且つリサイズ処理に
要する手間をなくすことが可能となる。
定手段及び論理演算手段からなるリサイズ回路により、
ビットデータに基づいてリサイズ処理することができ
る。即ち、LSIのパターンデータをビットデータに変
換したのち、このビットデータをハードウェアによりリ
サイズ処理することができる。従って、リサイズ処理と
通常の描画を同時に(リアルタイムで)行うことがで
き、描画時間の増加を最小にでき、且つリサイズ処理に
要する手間をなくすことが可能となる。
また、描画フリームの繋ぎ部分では、そのフレームの最
後で次のフレームに接する部分を一定の幅だけ切出して
メモリに記憶しておき、次のフレームの描画時にこのデ
ータを使用して処理するようにすれば、繋ぎ部分も正常
にリサイズを行うことができる。さらに、リサイズ処理
は、ゲートロジックを使用した演算子にて行うが、この
部分にて複数ビット(例えば16ビット)を並列に処理
すれば、時間効率良いリサイズ処理が可能となる。
後で次のフレームに接する部分を一定の幅だけ切出して
メモリに記憶しておき、次のフレームの描画時にこのデ
ータを使用して処理するようにすれば、繋ぎ部分も正常
にリサイズを行うことができる。さらに、リサイズ処理
は、ゲートロジックを使用した演算子にて行うが、この
部分にて複数ビット(例えば16ビット)を並列に処理
すれば、時間効率良いリサイズ処理が可能となる。
[実施例] 以下、本発明の詳細を図示の実施例によって説明する。
第1図は本発明の一実施例に係わる電子ビーム描画装置
を示す概略構成図である。LSI等のパターンは、その
形を外径寸法と位置を数値で表わした細かな単位図形の
集合(=図形データ)として扱われる。本装置はラスタ
スキャン方式の描画装置であり、上記データをビットデ
ータに変換し、この情報を元にビームのON−OFFを
行い、試料上に所望パターンを描画するものである。
を示す概略構成図である。LSI等のパターンは、その
形を外径寸法と位置を数値で表わした細かな単位図形の
集合(=図形データ)として扱われる。本装置はラスタ
スキャン方式の描画装置であり、上記データをビットデ
ータに変換し、この情報を元にビームのON−OFFを
行い、試料上に所望パターンを描画するものである。
即ち、磁気ディスク11に記憶された図形データはCP
U12によりビット変換回路13に送られ、ビットデー
タに変換されてビットマップメモリ14に記憶される。
ビットマップメモリ14に記憶されたデータは、後述す
るリサイズ回路15を介して読出し回路16により読出
され、シリアルデータとして電子ビーム光学系のブラン
キング用偏向器22に与えられる。ここで、試料24を
載置した試料台25の移動はタイミング回路17にて検
出され、このタイミング回路17により試料台25の移
動に同期してビットデータは読出される。また、タイミ
ング回路17からのタイミング信号は偏向回路18に送
られ、ビーム走査用偏向器23に与えられる。従って、
電子銃21から放出された電子ビームは試料24上で走
査されると共にON−OFF制御され、これにより試料
24上に所望パターンが描画されるものとなっている。
U12によりビット変換回路13に送られ、ビットデー
タに変換されてビットマップメモリ14に記憶される。
ビットマップメモリ14に記憶されたデータは、後述す
るリサイズ回路15を介して読出し回路16により読出
され、シリアルデータとして電子ビーム光学系のブラン
キング用偏向器22に与えられる。ここで、試料24を
載置した試料台25の移動はタイミング回路17にて検
出され、このタイミング回路17により試料台25の移
動に同期してビットデータは読出される。また、タイミ
ング回路17からのタイミング信号は偏向回路18に送
られ、ビーム走査用偏向器23に与えられる。従って、
電子銃21から放出された電子ビームは試料24上で走
査されると共にON−OFF制御され、これにより試料
24上に所望パターンが描画されるものとなっている。
上記構成において、本実施例が従来装置と異なる点はビ
ットマップメモリ14と読出し回路16との間にリサイ
ズ回路15を設け、リアルタイムのリサイズ機能を持た
せたことにある。このリサイズ機能について説明する。
ビットマップメモリ14に記憶されたビットデータは描
画する順にビットパラレル(例えば8,16ビットで)
で読出され、リサイズ回路15内のパイプラインにてリ
サイズ処理される。その後、読出し回路16に送られて
シリアルデータに変換され、ビームのON−OFFに供
される。従って、描画前の処理として必要なことは、リ
サイズ回路15のセットアップと、タイミング信号がく
る前に読出し回路16にデータを送れるように、ビット
マップメモリ14のデータのうち先頭に描画される分を
先読みしてリサイズ処理を済ませておくことである。残
りの部分のデータは、タイミング信号に同期して次々と
データをパイプラインで処理して読出し回路16にデー
タを渡すので、描画中はリサイズに要する時間は殆ど表
面にでない。
ットマップメモリ14と読出し回路16との間にリサイ
ズ回路15を設け、リアルタイムのリサイズ機能を持た
せたことにある。このリサイズ機能について説明する。
ビットマップメモリ14に記憶されたビットデータは描
画する順にビットパラレル(例えば8,16ビットで)
で読出され、リサイズ回路15内のパイプラインにてリ
サイズ処理される。その後、読出し回路16に送られて
シリアルデータに変換され、ビームのON−OFFに供
される。従って、描画前の処理として必要なことは、リ
サイズ回路15のセットアップと、タイミング信号がく
る前に読出し回路16にデータを送れるように、ビット
マップメモリ14のデータのうち先頭に描画される分を
先読みしてリサイズ処理を済ませておくことである。残
りの部分のデータは、タイミング信号に同期して次々と
データをパイプラインで処理して読出し回路16にデー
タを渡すので、描画中はリサイズに要する時間は殆ど表
面にでない。
第2図はリサイズ回路15の構成の一例を示す図であ
り、リサイズ回路15はリサイズパイプライン27とフ
レームバッファメモリ28から構成されている。この例
では、ビットマップメモリ14から読出されたビットデ
ータ(16ビットパラレル)をリサイズパイプライン2
7に流す。リサイズ処理されたビットデータ(16ビッ
トパラレル)は読出し回路16に送られる。また、描画
フレームの繋ぎの部分が正常に描画されるように、前の
フレームの処理の時にフレームの終了の部分の一部(こ
の例では32ビット分)を切出してフレームバッファメ
モリ28に記憶しておく。そして、描画するフレームの
先頭にこのデータを加えてリサイズパイプライン27に
送り演算すると共に、次のフレームのためにそのフレー
ムの最後の部分をフレームバッファメモリ28に記憶す
る。これらの各部の制御は、タイミング回路17により
行われる。
り、リサイズ回路15はリサイズパイプライン27とフ
レームバッファメモリ28から構成されている。この例
では、ビットマップメモリ14から読出されたビットデ
ータ(16ビットパラレル)をリサイズパイプライン2
7に流す。リサイズ処理されたビットデータ(16ビッ
トパラレル)は読出し回路16に送られる。また、描画
フレームの繋ぎの部分が正常に描画されるように、前の
フレームの処理の時にフレームの終了の部分の一部(こ
の例では32ビット分)を切出してフレームバッファメ
モリ28に記憶しておく。そして、描画するフレームの
先頭にこのデータを加えてリサイズパイプライン27に
送り演算すると共に、次のフレームのためにそのフレー
ムの最後の部分をフレームバッファメモリ28に記憶す
る。これらの各部の制御は、タイミング回路17により
行われる。
第3図はフレーム間にまたがる図形のリサイズ方法を説
明するための模式図である。ラスタスキャン方式では、
ラスタの幅(即ちビームの偏向幅)に制限があるので、
一つのパターン範囲31を描画するには、描画フレーム
32(321,〜,324)と言う単位で細長く区切っ
た部分に分割して順に描画する。従って、2つのフレー
ムにまたがるパターン33やフレームの端にあるパター
ン34では互いのフレームの処理に隣のフレームのデー
タが必要となる。この隣接フレームのデータを利用する
ために、前記フレームバッファメモリ28を用いている
のである。なお、35,36は上記のパターン33,3
4をプラスリサイズして太らせた例を示している。ま
た、37はビームの1スキャン(1ラスタ)を示してい
る。
明するための模式図である。ラスタスキャン方式では、
ラスタの幅(即ちビームの偏向幅)に制限があるので、
一つのパターン範囲31を描画するには、描画フレーム
32(321,〜,324)と言う単位で細長く区切っ
た部分に分割して順に描画する。従って、2つのフレー
ムにまたがるパターン33やフレームの端にあるパター
ン34では互いのフレームの処理に隣のフレームのデー
タが必要となる。この隣接フレームのデータを利用する
ために、前記フレームバッファメモリ28を用いている
のである。なお、35,36は上記のパターン33,3
4をプラスリサイズして太らせた例を示している。ま
た、37はビームの1スキャン(1ラスタ)を示してい
る。
第4図は、隣のフレームのパターンとの関係をいかに旨
くしてリサイズ処理を行うかを説明するための模式図で
ある。これを、第2図のハードウェアについて説明す
る。ビットマップメモリ14から送られてくるパターン
データ41は描画フレーム単位で送られてくる。また、
フレームバッファメモリ28には前のフレームのデータ
のうち最大リサイズ量の2倍の幅のデータ42が記憶さ
れている。これらの2つのデータを連続してリサイズパ
イプライン27に流し、処理されたデータのうち最大リ
サイズ量だけ前フレーム側にシフトした部分43を読出
し回路16に送る。また、次のフレームの処理のため
に、パターンデータ41のうち次フレームに接する部分
(最大リサイズ量の2倍だけ)44をフレームバッファ
メモリ28に記憶しておく。
くしてリサイズ処理を行うかを説明するための模式図で
ある。これを、第2図のハードウェアについて説明す
る。ビットマップメモリ14から送られてくるパターン
データ41は描画フレーム単位で送られてくる。また、
フレームバッファメモリ28には前のフレームのデータ
のうち最大リサイズ量の2倍の幅のデータ42が記憶さ
れている。これらの2つのデータを連続してリサイズパ
イプライン27に流し、処理されたデータのうち最大リ
サイズ量だけ前フレーム側にシフトした部分43を読出
し回路16に送る。また、次のフレームの処理のため
に、パターンデータ41のうち次フレームに接する部分
(最大リサイズ量の2倍だけ)44をフレームバッファ
メモリ28に記憶しておく。
以上の処理を全フレームに実行することにより、隣接フ
レームとの関係を正しくリシサイズ処理した描画が可能
である。なお、先頭フレームでは42のデータを空デー
タとして処理する。また、最終フレームの最後の部分が
描画されずにフレームバッファメモリ28に残っている
ので、そのデータ42とビットマップメモリ14からの
データ41の代りに空データから1フレーム分のデータ
を作り描画する。このため、実際の描画フレーム数より
1フレーム余分に描画する必要があるが、そのために必
要な時間は全体から見たら僅かである。
レームとの関係を正しくリシサイズ処理した描画が可能
である。なお、先頭フレームでは42のデータを空デー
タとして処理する。また、最終フレームの最後の部分が
描画されずにフレームバッファメモリ28に残っている
ので、そのデータ42とビットマップメモリ14からの
データ41の代りに空データから1フレーム分のデータ
を作り描画する。このため、実際の描画フレーム数より
1フレーム余分に描画する必要があるが、そのために必
要な時間は全体から見たら僅かである。
第5図は前記リサイズパイプライン27の具体的な構成
を示すブロック図である。この例では16ビットパラレ
ルに送られてくるビットデータをパラレルにリサイズ処
理している。従って、データのシフト周期の16倍の効
率でリサイズ処理することができる。リサイズパイプラ
イン27は、リサイズ演算を行うリサイズゲート(論理
演算手段)51、リサイズの方向性を指定するリサイズ
パラメータレジスタ(リサイズパラメータ設定手段)5
2、さらに出力抽出手段としての16ビット×64段の
シフトレジスタ53及び16ビット×1段のレジズタ5
4とで構成されている。この例では、1フレームの幅を
1024ビット、フレームバッファモリ28のデータを
32ビット(16ヒット×2)として扱っている。従っ
て、リサイズゲート51には3×3のマトリックスのデ
ータ(例えばA′〜I′)が同時に供給されることにな
る。
を示すブロック図である。この例では16ビットパラレ
ルに送られてくるビットデータをパラレルにリサイズ処
理している。従って、データのシフト周期の16倍の効
率でリサイズ処理することができる。リサイズパイプラ
イン27は、リサイズ演算を行うリサイズゲート(論理
演算手段)51、リサイズの方向性を指定するリサイズ
パラメータレジスタ(リサイズパラメータ設定手段)5
2、さらに出力抽出手段としての16ビット×64段の
シフトレジスタ53及び16ビット×1段のレジズタ5
4とで構成されている。この例では、1フレームの幅を
1024ビット、フレームバッファモリ28のデータを
32ビット(16ヒット×2)として扱っている。従っ
て、リサイズゲート51には3×3のマトリックスのデ
ータ(例えばA′〜I′)が同時に供給されることにな
る。
入力データは16ビットパラレルで1スキャン分のデー
タが、まずフレームバッファメモリ28から2回、続い
てビットマップメモリ14から64回(64×16=1024ビ
ット)、シフトクロックに同期して入力される。これら
の信号は、直列接続されたシフトレジスタ53及びレジ
スタ54を伝わって次々に転送される。データはスキャ
ン単位で次々に送られて、1フレーム分のデータが連続
して処理される。
タが、まずフレームバッファメモリ28から2回、続い
てビットマップメモリ14から64回(64×16=1024ビ
ット)、シフトクロックに同期して入力される。これら
の信号は、直列接続されたシフトレジスタ53及びレジ
スタ54を伝わって次々に転送される。データはスキャ
ン単位で次々に送られて、1フレーム分のデータが連続
して処理される。
リサイズパラメータレジスタ52には8ビットのリサイ
ズの方向性を指定するパラメータP0〜P7がセットさ
れており、このデータとシフトレジスタ53やレジスタ
54の出力の各データがリサイズゲート51で処理され
て16ビットパラレルに出力される。そして、次々に入
力されるデータはリサイズ処理され出力されることにな
る(パイプライン処理)。なお、第5図中A〜Iはある
クロックにおけるリサイズゲート51への入力データの
イメージであり、第4図中A′〜I′のデータである。
このデータA′〜I′は、1ライン(1024ビット)のう
ちの16ビットに相当するものである。
ズの方向性を指定するパラメータP0〜P7がセットさ
れており、このデータとシフトレジスタ53やレジスタ
54の出力の各データがリサイズゲート51で処理され
て16ビットパラレルに出力される。そして、次々に入
力されるデータはリサイズ処理され出力されることにな
る(パイプライン処理)。なお、第5図中A〜Iはある
クロックにおけるリサイズゲート51への入力データの
イメージであり、第4図中A′〜I′のデータである。
このデータA′〜I′は、1ライン(1024ビット)のう
ちの16ビットに相当するものである。
第6図は第4図のA′〜I′の部分を拡大して示す図で
あり、先と同様に各レジスタの出力A〜IがA′〜I′
に相当する。ここで判り易くするために、各データはそ
のビットの位置(アドレス)を0〜15の数字で表わし、
それぞれのアドレスを(A-0),(B-8)のように表わすこと
にする。第6図は描画するデータ一部を切出したもので
あり、このデータの窓にフレームデータが16ビット単
位で次々に現れる様子がイメージされる。
あり、先と同様に各レジスタの出力A〜IがA′〜I′
に相当する。ここで判り易くするために、各データはそ
のビットの位置(アドレス)を0〜15の数字で表わし、
それぞれのアドレスを(A-0),(B-8)のように表わすこと
にする。第6図は描画するデータ一部を切出したもので
あり、このデータの窓にフレームデータが16ビット単
位で次々に現れる様子がイメージされる。
第7図は、リサイズゲート51の一例を示す回路構成図
である。この回路は1ビットのプラスリサイズ(肉付
け)の行うものである。リサイズゲート51は16組の
ゲート回路70(700〜7015)で構成され、各ゲ
ート回路70は2入力のANDゲート71を8個と9入
力のORゲート72を1個との組合わせで形成される。
ここで、ANDゲート71の一方の入力端にはリサイズ
パラメータP0〜P7がそれぞれ与えられる。そして、
ANDゲート71の他方の入力端S0〜S8には、第8
図に示す如く処理図形の中心アドレス及びその周辺アド
レスのデータが与えられる。例えば、1段目のゲート回
路700には、S0〜S8に(A-15,B-0,B-1,D-15,E-0,
E-1,G-15,H-0,H-1)のデータが与えられる。ゲート回路
701〜7015についても同様に、中心アドレスを(
E-0)〜(E-15)としたときのデータが与えられる。
である。この回路は1ビットのプラスリサイズ(肉付
け)の行うものである。リサイズゲート51は16組の
ゲート回路70(700〜7015)で構成され、各ゲ
ート回路70は2入力のANDゲート71を8個と9入
力のORゲート72を1個との組合わせで形成される。
ここで、ANDゲート71の一方の入力端にはリサイズ
パラメータP0〜P7がそれぞれ与えられる。そして、
ANDゲート71の他方の入力端S0〜S8には、第8
図に示す如く処理図形の中心アドレス及びその周辺アド
レスのデータが与えられる。例えば、1段目のゲート回
路700には、S0〜S8に(A-15,B-0,B-1,D-15,E-0,
E-1,G-15,H-0,H-1)のデータが与えられる。ゲート回路
701〜7015についても同様に、中心アドレスを(
E-0)〜(E-15)としたときのデータが与えられる。
ゲート回路700の動作としては、処理図形の中心アド
レス(E-0) に対してその周囲のアドレスに図形が存在す
る時はその中心アドレスに図形が拡大することになる。
他のゲート回路701〜7015についても同様であ
る。なお、リサイズパラメータP0〜P7は、リサイズ
の方向付けを行うものであり、全方向に等しくリサイズ
する時は全て“1”のデータが与えられる。
レス(E-0) に対してその周囲のアドレスに図形が存在す
る時はその中心アドレスに図形が拡大することになる。
他のゲート回路701〜7015についても同様であ
る。なお、リサイズパラメータP0〜P7は、リサイズ
の方向付けを行うものであり、全方向に等しくリサイズ
する時は全て“1”のデータが与えられる。
第9図は3×3のマトリックス演算子81が図形82を
処理する様子を表わしている。演算子81の中心アドレ
ス(E-0) は周囲の図形のうちアドレス(H-1) にデータが
存在するので、結果として図形が拡張される。そして、
この演算子81をラスタスキャンと同様にして順次走査
することにより、リサイズ処理が行われる。第10図は
元の図形82をリサイズ処理した後の図形83を示して
いる。
処理する様子を表わしている。演算子81の中心アドレ
ス(E-0) は周囲の図形のうちアドレス(H-1) にデータが
存在するので、結果として図形が拡張される。そして、
この演算子81をラスタスキャンと同様にして順次走査
することにより、リサイズ処理が行われる。第10図は
元の図形82をリサイズ処理した後の図形83を示して
いる。
リサイズパラメータを変えると、リサイズの方向性を指
定することができる。例えば、第11図に示す如きパラ
メータ(P0,P3,P6が0でそれ以外が1)を用い
て、第12図(a)に示す如き図形84に対してリサイ
ズ処理の演算を行うと、第12図(b)に示す如き図形
85が得られる。つまり、上下及び左方向のパターンの
太りはあるが、右方向には太りがない。このようにリサ
イズパラメータを種々変えることにより、リサイズ演算
に方向性を持たせることができる。
定することができる。例えば、第11図に示す如きパラ
メータ(P0,P3,P6が0でそれ以外が1)を用い
て、第12図(a)に示す如き図形84に対してリサイ
ズ処理の演算を行うと、第12図(b)に示す如き図形
85が得られる。つまり、上下及び左方向のパターンの
太りはあるが、右方向には太りがない。このようにリサ
イズパラメータを種々変えることにより、リサイズ演算
に方向性を持たせることができる。
かくして本実施例によれば、リサイズパラメータを設定
するのみで、LSIのパターンを任意の方向に拡大する
ことができる。そしてこの場合、リサイズ処理をリサイ
ズゲート51,リサイズパラメータ52,及びレジスタ
53,54等のハードウェアで行うことができるので、
電子ビーム描画とリアルタイムでリサイズ処理を行うこ
とができる。従って、描画時間の増大を招くことなくリ
サイズ処理が可能となり、LSIパターンの大きさの変
更を極めて容易に行うことができる。また、CADでパ
ターンの再設計をしたり、パターンデータを計算機で変
換処理する等の操作が不要となり、その有用性は絶大で
ある。
するのみで、LSIのパターンを任意の方向に拡大する
ことができる。そしてこの場合、リサイズ処理をリサイ
ズゲート51,リサイズパラメータ52,及びレジスタ
53,54等のハードウェアで行うことができるので、
電子ビーム描画とリアルタイムでリサイズ処理を行うこ
とができる。従って、描画時間の増大を招くことなくリ
サイズ処理が可能となり、LSIパターンの大きさの変
更を極めて容易に行うことができる。また、CADでパ
ターンの再設計をしたり、パターンデータを計算機で変
換処理する等の操作が不要となり、その有用性は絶大で
ある。
なお、本発明は上述した実施例に限定されるものではな
い。例えば、前記リサイズパイプラインによる演算は1
ビットのプラスリサイズであるが、このパイプラインを
複数段重ねることにより、多数ビットのリサイズを行う
ことができる。また、実施例では演算を3×3のマトリ
ックスで行ったが、これを5×5にすれば2ビットのリ
サイズ、7×7にすれば3ビットのリサイズ、 (2n+1)×(2n+1)にすればnビットのリサイズを一つの演
算子で行うことができる。また、第13図はマイナスリ
サイズ演算子の例であり、ANDゲート91,ORゲー
ト92及びNOTゲート93から構成される。さらに、
第14図のようにリサイズパイプライン27の入力及び
出力にエクスクルーシブORゲート94,95を入れる
ことにより、プラスマイナス切換え信号を0にすればプ
ラスリサイズ、1にすればマイナスリサイズに変更する
ことが可能である。また、電子ビーム描画装置に限ら
ず、イオンビーム描画装置に適用できるのは、勿論のこ
とである。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、
種々変形して実施することができる。
い。例えば、前記リサイズパイプラインによる演算は1
ビットのプラスリサイズであるが、このパイプラインを
複数段重ねることにより、多数ビットのリサイズを行う
ことができる。また、実施例では演算を3×3のマトリ
ックスで行ったが、これを5×5にすれば2ビットのリ
サイズ、7×7にすれば3ビットのリサイズ、 (2n+1)×(2n+1)にすればnビットのリサイズを一つの演
算子で行うことができる。また、第13図はマイナスリ
サイズ演算子の例であり、ANDゲート91,ORゲー
ト92及びNOTゲート93から構成される。さらに、
第14図のようにリサイズパイプライン27の入力及び
出力にエクスクルーシブORゲート94,95を入れる
ことにより、プラスマイナス切換え信号を0にすればプ
ラスリサイズ、1にすればマイナスリサイズに変更する
ことが可能である。また、電子ビーム描画装置に限ら
ず、イオンビーム描画装置に適用できるのは、勿論のこ
とである。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、
種々変形して実施することができる。
[発明の効果] 以上詳述したように本発明によれば、LSIのパターン
をハードウェアにより簡単にリサイズ処理することがで
き、さらにこのリサイズ処理を荷電ビーム描画と同時に
行うことができる。このため、リサイズ処理に必要な手
間や時間を省略することができ、LSI製造等に適用し
て絶大なる効果を発揮する。
をハードウェアにより簡単にリサイズ処理することがで
き、さらにこのリサイズ処理を荷電ビーム描画と同時に
行うことができる。このため、リサイズ処理に必要な手
間や時間を省略することができ、LSI製造等に適用し
て絶大なる効果を発揮する。
第1図は本発明の一実施例に係わる電子ビーム描画装置
を示す概略構成図、第2図はリサイズ回路の一例を示す
ブロック図、第3図及び第4図はフレーム間にまたがる
図形のリサイズ方法を説明するための模式図、第5図は
リサイズパイプラインの一例を示すブロック図、第6図
は第4図の一部を拡大して示す模式図、第7図はリサイ
ズゲートの具体例を示す回路構成図、第8図はリサイズ
ゲートに入力されるデータを示す図、第9図及び第10
図はリサイズ処理の原理を説明するための模式図、第1
1図はリサイズパラメータの他の例を示す模式図、第1
2図は第11図のリサイズパラメータでリサイズ処理し
たときの図形拡大の様子を示す模式図、第13図及び第
14図は変形例を説明するための回路構成図である。 11……磁気ディスク、12……CPU、13……ビッ
ト変換回路、14……ビットマップメモリ、15……リ
サイズ回路、16……読出し回路、17……タイミング
回路、18……偏向回路、21……電子銃、22,23
……偏向器、24……試料、25……試料台、27……
リサイズパイプライン、28……フレームバッファメモ
リ、51……リサイズゲート、52……リサイズパラメ
ータレジスタ、53……シフトレジスタ、54……レジ
スタ。
を示す概略構成図、第2図はリサイズ回路の一例を示す
ブロック図、第3図及び第4図はフレーム間にまたがる
図形のリサイズ方法を説明するための模式図、第5図は
リサイズパイプラインの一例を示すブロック図、第6図
は第4図の一部を拡大して示す模式図、第7図はリサイ
ズゲートの具体例を示す回路構成図、第8図はリサイズ
ゲートに入力されるデータを示す図、第9図及び第10
図はリサイズ処理の原理を説明するための模式図、第1
1図はリサイズパラメータの他の例を示す模式図、第1
2図は第11図のリサイズパラメータでリサイズ処理し
たときの図形拡大の様子を示す模式図、第13図及び第
14図は変形例を説明するための回路構成図である。 11……磁気ディスク、12……CPU、13……ビッ
ト変換回路、14……ビットマップメモリ、15……リ
サイズ回路、16……読出し回路、17……タイミング
回路、18……偏向回路、21……電子銃、22,23
……偏向器、24……試料、25……試料台、27……
リサイズパイプライン、28……フレームバッファメモ
リ、51……リサイズゲート、52……リサイズパラメ
ータレジスタ、53……シフトレジスタ、54……レジ
スタ。
Claims (4)
- 【請求項1】LSIのパターンデータをビットデータに
変換するビット変換回路と、このビット変換回路で得ら
れたビットデータを記憶するビットマップメモリと、こ
のビットマップメモリからビットデータを読出して荷電
ビームをオン・オフ制御する偏向器に与える読出し回路
と、上記ビットマップメモリと読出し回路との間に介在
され、ビットデータとして表現されるパターンの大きさ
を可変するリサイズ回路とを具備し、前記リサイズ回路
は、処理図形中の特定アドレス及び該アドレスを囲む複
数の隣接アドレスに対応しているビットマップメモリ中
のビットデータを抽出する出力抽出手段と、上記隣接ア
ドレスに対応しリサイズの方向によって各隣接アドレス
毎に“1”或いは“0”のデータを設定するリサイズパ
ラメータ設定手段と、前記出力抽出手段により抽出され
た特定アドレスを囲む複数の隣接アドレスの各データと
該隣接アドレスに対応する上記リサイズパラメータ設定
手段により設定された各データとの論理演算を行い、前
記特定アドレスのビットデータを決定して前記読出し回
路に供給する論理演算手段とからなるものであることを
特徴とする荷電ビーム描画装置。 - 【請求項2】前記出力抽出手段及び論理演算手段は、そ
れぞれ複数段に構成されており、複数ビットのデータを
並列処理するものであることを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の荷電ビーム描画装置。 - 【請求項3】前記出力抽出手段は、1段のレジスタと描
画フレームの1ラインに相当する多段のシフトレジスタ
との組合わせで構成されていることを特徴とする特許請
求の範囲第1項又は第2項記載の荷電ビーム描画装置。 - 【請求項4】前記ビットマップメモリとリサイズ回路と
の間にフレームバッファメモリが介在されており、この
フレームバッファメモリは、処理図形を複数のフレーム
に分割してビットマップメモリから送られてくるビット
データのうち、前記フレームの後続するフレームに接す
る部分の所定幅のビットデータを記憶し、前記後続する
フレームのビットデータ読出しの際に前記所定幅のビッ
トデータを付加して前記リサイズ回路に供給するもので
あることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の荷電
ビーム描画装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62043576A JPH0622195B2 (ja) | 1987-02-26 | 1987-02-26 | 荷電ビ−ム描画装置 |
US07/161,098 US4951216A (en) | 1987-02-26 | 1988-02-26 | Pattern drawing apparatus using charged beams |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62043576A JPH0622195B2 (ja) | 1987-02-26 | 1987-02-26 | 荷電ビ−ム描画装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63211626A JPS63211626A (ja) | 1988-09-02 |
JPH0622195B2 true JPH0622195B2 (ja) | 1994-03-23 |
Family
ID=12667583
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62043576A Expired - Lifetime JPH0622195B2 (ja) | 1987-02-26 | 1987-02-26 | 荷電ビ−ム描画装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4951216A (ja) |
JP (1) | JPH0622195B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5046012A (en) * | 1988-06-17 | 1991-09-03 | Fujitsu Limited | Pattern data processing method |
JPH02210814A (ja) * | 1989-02-10 | 1990-08-22 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH03166713A (ja) * | 1989-11-27 | 1991-07-18 | Mitsubishi Electric Corp | 電子ビーム露光方法 |
JP4814716B2 (ja) * | 2006-07-26 | 2011-11-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5856332A (ja) * | 1981-09-30 | 1983-04-04 | Hitachi Ltd | マスクの欠陥修正方法 |
JPS5861629A (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-12 | Hitachi Ltd | ビツトパタ−ン発生装置 |
JPS58106750A (ja) * | 1981-12-18 | 1983-06-25 | Toshiba Corp | フオ−カスイオンビ−ム加工方法 |
JPS5957431A (ja) * | 1982-09-27 | 1984-04-03 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光装置 |
US4482810A (en) * | 1982-09-30 | 1984-11-13 | Storage Technology Partners | Electron beam exposure system |
JPS5961134A (ja) * | 1982-09-30 | 1984-04-07 | Toshiba Corp | 荷電ビ−ム露光装置 |
US4653020A (en) * | 1983-10-17 | 1987-03-24 | International Business Machines Corporation | Display of multiple data windows in a multi-tasking system |
US4718019A (en) * | 1985-06-28 | 1988-01-05 | Control Data Corporation | Election beam exposure system and an apparatus for carrying out a pattern unwinder |
JPH0646550B2 (ja) * | 1985-08-19 | 1994-06-15 | 株式会社東芝 | 電子ビ−ム定位置照射制御方法および電子ビ−ム定位置照射制御装置 |
-
1987
- 1987-02-26 JP JP62043576A patent/JPH0622195B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-02-26 US US07/161,098 patent/US4951216A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS63211626A (ja) | 1988-09-02 |
US4951216A (en) | 1990-08-21 |
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