JPH0743429A - 物理アドレス変換回路 - Google Patents
物理アドレス変換回路Info
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- JPH0743429A JPH0743429A JP5205793A JP20579393A JPH0743429A JP H0743429 A JPH0743429 A JP H0743429A JP 5205793 A JP5205793 A JP 5205793A JP 20579393 A JP20579393 A JP 20579393A JP H0743429 A JPH0743429 A JP H0743429A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 変換メモリを使用せず、ハードウェアでカウ
ンタの発生するアドレスを変換して、不良解析メモリの
論理イメージを物理イメージに変換する変換回路を提供
する。 【構成】 アドレス変換回路11は、カウンタ1の出力
を入力とし、不良解析メモリ7のセル配置をアドレスビ
ットで表す論理式により設定される任意のビットを選択
するセレクタ2と、セレクタ2の出力とレジスタ3の出
力を入力してセレクタ2のデータを反転するEOR回路
4と、カウンタ1の出力とEOR回路4の出力を入力と
してEORするEOR回路5と、EOR回路5の出力を
入力とし、データX・Y・Pを出力するセレクタ6を備
え、不良解析メモリ7はアドレス変換回路11の出力の
データX・Yで特定されたアドレスの不良データを出力
し、セレクタ8は不良解析メモリ7の出力とアドレス変
換回路11の出力のデータPで特定されたデータを選択
してCPU9に出力し、不良データが論理イメージで格
納された不良解析メモリ7のデータを物理イメージに変
換してCPU9に出力する。
ンタの発生するアドレスを変換して、不良解析メモリの
論理イメージを物理イメージに変換する変換回路を提供
する。 【構成】 アドレス変換回路11は、カウンタ1の出力
を入力とし、不良解析メモリ7のセル配置をアドレスビ
ットで表す論理式により設定される任意のビットを選択
するセレクタ2と、セレクタ2の出力とレジスタ3の出
力を入力してセレクタ2のデータを反転するEOR回路
4と、カウンタ1の出力とEOR回路4の出力を入力と
してEORするEOR回路5と、EOR回路5の出力を
入力とし、データX・Y・Pを出力するセレクタ6を備
え、不良解析メモリ7はアドレス変換回路11の出力の
データX・Yで特定されたアドレスの不良データを出力
し、セレクタ8は不良解析メモリ7の出力とアドレス変
換回路11の出力のデータPで特定されたデータを選択
してCPU9に出力し、不良データが論理イメージで格
納された不良解析メモリ7のデータを物理イメージに変
換してCPU9に出力する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、メモリデバイスの不
良解析を行うメモリテスタについてのものであり、被測
定デバイスのI/Oビットごとに格納されている不良解
析メモリの不良データを、ウエハチップ上の物理的な位
置と対応するように高速に変換する回路についてのもの
である。
良解析を行うメモリテスタについてのものであり、被測
定デバイスのI/Oビットごとに格納されている不良解
析メモリの不良データを、ウエハチップ上の物理的な位
置と対応するように高速に変換する回路についてのもの
である。
【0002】
【従来の技術】メモリデバイスの不良解析を行う場合に
は、メモリセルごとのデータを複数の不良解析メモリに
論理イメージで格納する。次に、論理イメージについ
て、図8を参照して説明する。図8の8A〜8Dは不良
解析メモリであり、Xアドレスが0〜3、Yアドレスが
0・1のアドレス容量を持ち、それぞれ「I/O0〜
3」の4ビットがあるものとする。図8で、不良解析メ
モリ8Aは(X=0,Y=1)、不良解析メモリ8Bは
(X=0,Y=1)、不良解析メモリ8Cは(X=0,
Y=0)、不良解析メモリ8Dは(X=0,Y=0)に
それぞれフェイルが格納されている。
は、メモリセルごとのデータを複数の不良解析メモリに
論理イメージで格納する。次に、論理イメージについ
て、図8を参照して説明する。図8の8A〜8Dは不良
解析メモリであり、Xアドレスが0〜3、Yアドレスが
0・1のアドレス容量を持ち、それぞれ「I/O0〜
3」の4ビットがあるものとする。図8で、不良解析メ
モリ8Aは(X=0,Y=1)、不良解析メモリ8Bは
(X=0,Y=1)、不良解析メモリ8Cは(X=0,
Y=0)、不良解析メモリ8Dは(X=0,Y=0)に
それぞれフェイルが格納されている。
【0003】論理イメージとは、図7に示すように、不
良解析メモリすなわちI/OビットごとのXアドレス・
Yアドレスによって表現されるものである。
良解析メモリすなわちI/OビットごとのXアドレス・
Yアドレスによって表現されるものである。
【0004】つぎに、不良解析メモリ8A〜8Dに格納
されたフェイルの、実際のウエハチップ上での位置を図
9に示す。図9は、不良解析メモリ8A〜8Dの実際の
配置であり、I/O0〜4の4つのフェイルはそれぞれ
並びあった4つのセルが不良であることがわかる。
されたフェイルの、実際のウエハチップ上での位置を図
9に示す。図9は、不良解析メモリ8A〜8Dの実際の
配置であり、I/O0〜4の4つのフェイルはそれぞれ
並びあった4つのセルが不良であることがわかる。
【0005】このように、実際のウエハチップ上でのフ
ェイルの位置がわかるように、論理イメージのデータを
変換して表示したものを物理イメージという。論理イメ
ージを物理イメージに変換することは、不良解析を行う
上で必要不可欠である。
ェイルの位置がわかるように、論理イメージのデータを
変換して表示したものを物理イメージという。論理イメ
ージを物理イメージに変換することは、不良解析を行う
上で必要不可欠である。
【0006】従来、論理イメージを物理イメージに変換
するために、各不良解析メモリに格納されている論理イ
メージのデータをCPUに取り込み、ソフトウェアによ
り物理イメージに変換したり、RAMを使用して物理イ
メージへ変換するものがある。
するために、各不良解析メモリに格納されている論理イ
メージのデータをCPUに取り込み、ソフトウェアによ
り物理イメージに変換したり、RAMを使用して物理イ
メージへ変換するものがある。
【0007】つぎに、RAMを使用して論理イメージを
物理イメージに変換する場合の変換回路の構成を図4に
示す。図4の1はカウンタ、7は不良解析メモリ、8は
セレクタ、9はCPU、10は変換メモリである。図4
で、カウンタ1の出力は変換メモリ10に入力する。変
換メモリ10はRAMを使用しており、アドレスごとに
変換メモリ出力データが格納されており、カウンタ1の
出力をアドレス入力としてカウンタ1のアドレスに対応
したデータをそれぞれ出力する。
物理イメージに変換する場合の変換回路の構成を図4に
示す。図4の1はカウンタ、7は不良解析メモリ、8は
セレクタ、9はCPU、10は変換メモリである。図4
で、カウンタ1の出力は変換メモリ10に入力する。変
換メモリ10はRAMを使用しており、アドレスごとに
変換メモリ出力データが格納されており、カウンタ1の
出力をアドレス入力としてカウンタ1のアドレスに対応
したデータをそれぞれ出力する。
【0008】不良解析メモリ7は複数の不良解析メモリ
で構成されており、変換メモリ10の出力のうち、X・
Yデータをそれぞれ入力とし、X・Yデータに対応した
データをそれぞれ出力する。セレクタ8は不良解析メモ
リ7の出力を入力とし、変換メモリ10のデータP0・
P1により、不良解析メモリ7のいずれかのI/Oビッ
ト出力を1つ選択してCPU9に出力する。これによ
り、論理イメージで不良解析メモリ7に格納されたフェ
イルデータは、順次展開され、物理イメージに変換され
る。
で構成されており、変換メモリ10の出力のうち、X・
Yデータをそれぞれ入力とし、X・Yデータに対応した
データをそれぞれ出力する。セレクタ8は不良解析メモ
リ7の出力を入力とし、変換メモリ10のデータP0・
P1により、不良解析メモリ7のいずれかのI/Oビッ
ト出力を1つ選択してCPU9に出力する。これによ
り、論理イメージで不良解析メモリ7に格納されたフェ
イルデータは、順次展開され、物理イメージに変換され
る。
【0009】つぎに、図4の動作を図5〜7を参照して
説明する。図5は、図4の不良解析メモリ7が4つのメ
モリで構成されている場合の、物理イメージでの各メモ
リセルの配置を示したものである。図5で、I/O0と
I/O2は物理イメージに変換されたときに、Xアドレ
スの順が逆になっている。
説明する。図5は、図4の不良解析メモリ7が4つのメ
モリで構成されている場合の、物理イメージでの各メモ
リセルの配置を示したものである。図5で、I/O0と
I/O2は物理イメージに変換されたときに、Xアドレ
スの順が逆になっている。
【0010】次に、図5の配置で、図4のCPU9に出
力する物理イメージのセルの順番を図5に示す。図5
で、データは32個あり、物理イメージでは1〜32の
順に発生させる。
力する物理イメージのセルの順番を図5に示す。図5
で、データは32個あり、物理イメージでは1〜32の
順に発生させる。
【0011】次に、変換メモリ10の内容例を図7に示
す。図7で、アドレスはA0〜A4の5ビットで構成さ
れており、各アドレスに対応して変換メモリ出力データ
が格納されている。図7では、変換メモリ出力データの
例として図5のI/O0〜I/O3のどのI/Oビット
かを識別するための2ビットのP1・P2データと、不
良解析メモリ7の各メモリのYアドレス0・1を示す1
ビットのデータと、不良解析メモリの各メモリのXアド
レス0〜3を示す2ビットのデータを出力する。
す。図7で、アドレスはA0〜A4の5ビットで構成さ
れており、各アドレスに対応して変換メモリ出力データ
が格納されている。図7では、変換メモリ出力データの
例として図5のI/O0〜I/O3のどのI/Oビット
かを識別するための2ビットのP1・P2データと、不
良解析メモリ7の各メモリのYアドレス0・1を示す1
ビットのデータと、不良解析メモリの各メモリのXアド
レス0〜3を示す2ビットのデータを出力する。
【0012】たとえば、変換メモリ10にアドレス「0
0000」が入力された場合、変換メモリ10は(X=3,Y
=0,I/O=0) をアクセスする。このように変換メモリ10
のアドレスごとに変換データを格納し、カウンタ1によ
り発生するカウント値をアドレス入力として各データに
アクセスすることにより、図5の1〜32のように物理
イメージの並びの順番に変換して不良解析メモリを読み
出すことができる。
0000」が入力された場合、変換メモリ10は(X=3,Y
=0,I/O=0) をアクセスする。このように変換メモリ10
のアドレスごとに変換データを格納し、カウンタ1によ
り発生するカウント値をアドレス入力として各データに
アクセスすることにより、図5の1〜32のように物理
イメージの並びの順番に変換して不良解析メモリを読み
出すことができる。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】近年、メモリデバイス
は大容量化およびセル構造の複雑化の傾向にあり、メモ
リテスタは不良解析機能の高速化を要求されている。し
かし、ソフトウェアにより論理イメージを物理イメージ
に展開するには、非常に長い処理時間が必要である。ま
た、RAMを使用する場合、変換メモリに格納するデー
タを書き込む時間が必要であり、メモリデバイスの容量
が大きくなった場合、それに応じて変換メモリの容量を
大きくする必要がある。さらに、読み出し速度を早くす
る場合、変換メモリのアクセスの早いメモリデバイスを
使用する必要があるため、回路が高価になるという問題
がある。
は大容量化およびセル構造の複雑化の傾向にあり、メモ
リテスタは不良解析機能の高速化を要求されている。し
かし、ソフトウェアにより論理イメージを物理イメージ
に展開するには、非常に長い処理時間が必要である。ま
た、RAMを使用する場合、変換メモリに格納するデー
タを書き込む時間が必要であり、メモリデバイスの容量
が大きくなった場合、それに応じて変換メモリの容量を
大きくする必要がある。さらに、読み出し速度を早くす
る場合、変換メモリのアクセスの早いメモリデバイスを
使用する必要があるため、回路が高価になるという問題
がある。
【0014】この発明は、変換メモリを使用せず、ハー
ドウェアでカウンタの発生するアドレスを変換して、不
良解析メモリの論理イメージを物理イメージに変換する
変換回路の提供を目的とする。
ドウェアでカウンタの発生するアドレスを変換して、不
良解析メモリの論理イメージを物理イメージに変換する
変換回路の提供を目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、この発明は、少なくとも不良解析メモリ7のメモリ
容量分のインクリメントアドレスを発生するカウンタ1
と、カウンタ1の出力を入力とし、不良解析メモリ7の
アドレスを特定するデータX・YとどのI/Oビットか
を特定するデータPを出力するアドレス変換回路11
と、あらかじめ被測定デバイスの不良データが格納され
ておりアドレス変換回路11の出力を入力とし、データ
X・Yにより特定されたアドレスの不良データを出力す
る不良解析メモリ7と、不良解析メモリ7の出力を入力
とし、アドレス変換回路11のデータPにより特定され
たデータを選択し、CPU9に出力するセレクタ8を備
え、被測定デバイスの不良データが論理イメージで格納
されている不良解析メモリ7のデータを物理イメージに
変換しながらCPU9に出力する物理アドレス変換回路
において、アドレス変換回路11は、カウンタ1の出力
を入力とし、不良解析メモリ7のセル配置をアドレスビ
ットで表す論理式により設定される任意のビットを選択
するセレクタ2と、セレクタ2の出力を第1の入力と
し、不良解析メモリ7のセル配置をアドレスビットで表
す論理式により設定されたデータを格納するレジスタ3
の出力を第2の入力としてセレクタ2のデータを反転す
るEOR回路4と、カウンタ1の出力を第1の入力と
し、EOR回路4の出力を第2の入力として、EORす
るEOR回路5と、EOR回路5の出力を入力とし、デ
ータX・Y・Pを出力するセレクタ6を備える。
め、この発明は、少なくとも不良解析メモリ7のメモリ
容量分のインクリメントアドレスを発生するカウンタ1
と、カウンタ1の出力を入力とし、不良解析メモリ7の
アドレスを特定するデータX・YとどのI/Oビットか
を特定するデータPを出力するアドレス変換回路11
と、あらかじめ被測定デバイスの不良データが格納され
ておりアドレス変換回路11の出力を入力とし、データ
X・Yにより特定されたアドレスの不良データを出力す
る不良解析メモリ7と、不良解析メモリ7の出力を入力
とし、アドレス変換回路11のデータPにより特定され
たデータを選択し、CPU9に出力するセレクタ8を備
え、被測定デバイスの不良データが論理イメージで格納
されている不良解析メモリ7のデータを物理イメージに
変換しながらCPU9に出力する物理アドレス変換回路
において、アドレス変換回路11は、カウンタ1の出力
を入力とし、不良解析メモリ7のセル配置をアドレスビ
ットで表す論理式により設定される任意のビットを選択
するセレクタ2と、セレクタ2の出力を第1の入力と
し、不良解析メモリ7のセル配置をアドレスビットで表
す論理式により設定されたデータを格納するレジスタ3
の出力を第2の入力としてセレクタ2のデータを反転す
るEOR回路4と、カウンタ1の出力を第1の入力と
し、EOR回路4の出力を第2の入力として、EORす
るEOR回路5と、EOR回路5の出力を入力とし、デ
ータX・Y・Pを出力するセレクタ6を備える。
【0016】
【作用】つぎに、不良解析メモリ7の物理イメージでの
配置が図5に示すとおりの場合の、この発明による物理
アドレス変換回路の構成を図1に示す。図1の2はセレ
クタ、3はレジスタ、4と5はEOR回路、6はセレク
タであり、他は図4と同じである。図1は図4の変換メ
モリ10のかわりに、2〜6を備えたものである。
配置が図5に示すとおりの場合の、この発明による物理
アドレス変換回路の構成を図1に示す。図1の2はセレ
クタ、3はレジスタ、4と5はEOR回路、6はセレク
タであり、他は図4と同じである。図1は図4の変換メ
モリ10のかわりに、2〜6を備えたものである。
【0017】図1は、カウンタ1はEOR回路5の第1
の入力に接続するとともに、セレクタ2に入力する。セ
レクタ2はカウンタ1の発生するビットの任意のビット
をセレクトし、EOR回路4の第1の入力に接続する。
レジスタ3はEOR回路4の第2の入力に接続し、レジ
スタ4はレジスタ3のデータによりセレクタ2の出力を
EORしてEOR回路5の第2の入力に接続する。EO
R回路5はEOR回路4の出力により、カウンタ1の出
力をEORし、セレクタ6に入力する。
の入力に接続するとともに、セレクタ2に入力する。セ
レクタ2はカウンタ1の発生するビットの任意のビット
をセレクトし、EOR回路4の第1の入力に接続する。
レジスタ3はEOR回路4の第2の入力に接続し、レジ
スタ4はレジスタ3のデータによりセレクタ2の出力を
EORしてEOR回路5の第2の入力に接続する。EO
R回路5はEOR回路4の出力により、カウンタ1の出
力をEORし、セレクタ6に入力する。
【0018】被測定デバイスの物理配置が図5のような
場合、カウンタ1の発生するA0〜A4の5ビットとX
・YアドレスおよびI/O0〜I/O3の関係は式1の
とおりに表される。
場合、カウンタ1の発生するA0〜A4の5ビットとX
・YアドレスおよびI/O0〜I/O3の関係は式1の
とおりに表される。
【0019】
【式1】
【0020】すなわち、不良解析メモリ7のI/O0〜
I/O3はカウンタ1出力のA2とA4の2ビットで表
され、不良解析メモリの各メモリのYアドレスはA3で
表され、XアドレスはA0とA1の2ビットをA2の負
論理信号によりインバートして表される。
I/O3はカウンタ1出力のA2とA4の2ビットで表
され、不良解析メモリの各メモリのYアドレスはA3で
表され、XアドレスはA0とA1の2ビットをA2の負
論理信号によりインバートして表される。
【0021】セレクタ2で選択されるカウンタ1のビッ
トおよびレジスタ3に設定するデータは、式1の関係に
より設定されるものである。
トおよびレジスタ3に設定するデータは、式1の関係に
より設定されるものである。
【0022】
【実施例】つぎに、図1各部の動作を図2と図3を参照
して説明する。図2のアはカウンタ1の出力であり、5
ビットのインクリメントアドレス(A0〜A4)を示す。図
2のイはセレクタ2の出力であり、カウンタ1の5ビッ
トのうちA2を選択し、S0〜S4の5ビットのうちS
0・S1に格納した状態を示す。図2のウはレジスタ3
の出力であり、R0〜R4の5ビットのうちR0とR1
に「1」を格納した状態図である。
して説明する。図2のアはカウンタ1の出力であり、5
ビットのインクリメントアドレス(A0〜A4)を示す。図
2のイはセレクタ2の出力であり、カウンタ1の5ビッ
トのうちA2を選択し、S0〜S4の5ビットのうちS
0・S1に格納した状態を示す。図2のウはレジスタ3
の出力であり、R0〜R4の5ビットのうちR0とR1
に「1」を格納した状態図である。
【0023】図3のアはEOR回路4の出力であり、図
2イと図2ウのデータを入力とし、EORしたデータを
N0〜N4の5ビットに格納した状態図である。図3の
イはEOR回路5の出力であり、図2アと図3アのデー
タを入力とし、EORしたデータをD0〜D4に格納し
た状態図である。図3イで、D0〜D4はそれぞれD0→
X0,D1→X1,D2→P0,D3→Y0,D4→P1に対応しており、
図4の不良解析メモリのセルを特定することができる。
図3のウはセレクタ6の出力であり、X・Yアドレスと
不良解析メモリのI/Oビットを特定するデータPを示
したものである。
2イと図2ウのデータを入力とし、EORしたデータを
N0〜N4の5ビットに格納した状態図である。図3の
イはEOR回路5の出力であり、図2アと図3アのデー
タを入力とし、EORしたデータをD0〜D4に格納し
た状態図である。図3イで、D0〜D4はそれぞれD0→
X0,D1→X1,D2→P0,D3→Y0,D4→P1に対応しており、
図4の不良解析メモリのセルを特定することができる。
図3のウはセレクタ6の出力であり、X・Yアドレスと
不良解析メモリのI/Oビットを特定するデータPを示
したものである。
【0024】図1で、セレクタ6の出力のうち不良解析
メモリ7にX・Yアドレスを入力して、不良解析メモリ
I/O0〜I/O3の各データをセレクタ8に入力す
る。セレクタ8は、不良解析メモリ7から出力される信
号から、セレクタ6のデータP0・P1の選択信号によ
り1ビットを選択して、図4の変換メモリ10にアドレ
スごとに格納した図7のデータと同様に、CPU9へ出
力する。
メモリ7にX・Yアドレスを入力して、不良解析メモリ
I/O0〜I/O3の各データをセレクタ8に入力す
る。セレクタ8は、不良解析メモリ7から出力される信
号から、セレクタ6のデータP0・P1の選択信号によ
り1ビットを選択して、図4の変換メモリ10にアドレ
スごとに格納した図7のデータと同様に、CPU9へ出
力する。
【0025】
【発明の効果】この発明によれば、メモリデバイスの不
良解析を行う時に、変換メモリを使用せず、論理イメー
ジのデータを容易に物理イメージに変換することがで
き、フェイル情報を容易にリードできるようになり、不
良解析の処理が早くなる。
良解析を行う時に、変換メモリを使用せず、論理イメー
ジのデータを容易に物理イメージに変換することがで
き、フェイル情報を容易にリードできるようになり、不
良解析の処理が早くなる。
【図1】この発明による実施例の構成図である。
【図2】図1の動作を示す状態図である。
【図3】図1の動作を示す状態図である。
【図4】従来技術によるRAMを使用した物理イメージ
変換回路の構成図である。
変換回路の構成図である。
【図5】図4の不良解析メモリ7が4つの不良解析メモ
リで構成されている場合の、物理イメージでの各メモリ
セルの配置を示す図である。
リで構成されている場合の、物理イメージでの各メモリ
セルの配置を示す図である。
【図6】図5の配置で、図4のCPU9に出力する物理
イメージのセルの順番を示す図である。
イメージのセルの順番を示す図である。
【図7】変換メモリ10の内容例である。
【図8】論理イメージの説明図である。
【図9】不良解析メモリ7A〜7Dに格納されたフェイ
ルの、実際のウエハチップ上での位置を示す図である。
ルの、実際のウエハチップ上での位置を示す図である。
1 カウンタ 2 セレクタ 3 レジスタ 4・5 EOR回路 6 セレクタ 7 不良解析メモリ 8 セレクタ 9 CPU 10 変換メモリ 11 アドレス変換回路
【数1】
Claims (1)
- 【請求項1】 少なくとも不良解析メモリ(7) のメモリ
容量分のインクリメントアドレスを発生するカウンタ
(1) と、カウンタ(1) の出力を入力とし、不良解析メモ
リ(7) のアドレスを特定するデータX・YとどのI/O
ビットかを特定するデータPを出力するアドレス変換回
路(11)と、あらかじめ被測定デバイスの不良データが格
納されておりアドレス変換回路(11)の出力を入力とし、
データX・Yにより特定されたアドレスの不良データを
出力する不良解析メモリ(7) と、不良解析メモリ(7) の
出力を入力とし、アドレス変換回路(11)のデータPによ
り特定されたデータを選択し、CPU(9) に出力するセ
レクタ(8) を備え、被測定デバイスの不良データが論理
イメージで格納されている不良解析メモリ(7) のデータ
を物理イメージに変換しながらCPU(9) に出力する物
理アドレス変換回路において、 アドレス変換回路(11)は、カウンタ(1) の出力を入力と
し、不良解析メモリ(7)のセル配置をアドレスビットで
表す論理式により設定される任意のビットを選択するセ
レクタ(2) と、 セレクタ(2) の出力を第1の入力とし、不良解析メモリ
(7) のセル配置をアドレスビットで表す論理式により設
定されたデータを格納するレジスタ(3) の出力を第2の
入力としてセレクタ(2) のデータを反転する第1のEO
R回路(4) と、 カウンタ(1) の出力を第1の入力とし、第1のEOR回
路(4) の出力を第2の入力として、EORする第2のE
OR回路(5) と、 第2のEOR回路(5) の出力を入力とし、データX・Y
・Pを出力するセレクタ(6) を備えることを特徴とする
物理アドレス変換回路。
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